「layer-insulation」に関連した英語例文の一覧と使い方(82ページ目) - Weblio英語例文検索

A mask material made of an insulation film is formed to cover a control electrode forming region on a first nitride semiconductor layer, and on the first nitride semiconductor layer exposed, a second nitride semiconductor layer made of a group III-V nitride semiconductor layer and made of a fine crystal structure not containing aluminum is selectively formed at a low film forming temperature.例文帳に追加

第１の窒化物半導体層上に、制御電極形成領域を被覆するように絶縁膜からなるマスク材を形成し、露出する第１の窒化物半導体層上に、低い成膜温度で、III−Ｖ族窒化物半導体層からなり、かつアルミニウムを含まない微結晶構造からなる第２の窒化物半導体層を選択的に形成する。 - 特許庁

The electro-optical device (liquid crystal light bulb) uses, as one substrate, a composite substrate including a quartz substrate having a first thermal expansion coefficient (substrate body 10A), an insulator layer formed on the quartz substrate (underlayer insulation film 12) and a single crystal silicon layer having a second thermal expansion coefficient formed on the insulator layer (semiconductor layer 1a).例文帳に追加

本発明の電気光学装置（液晶ライトバルブ）は、第１の熱膨張係数を持つ石英基板（基板本体１０Ａ）と、石英基板上に形成された絶縁体層（下地絶縁膜１２）と、絶縁体層上に形成された第２の熱膨張係数を持つ単結晶シリコン層（半導体層１ａ）とを有する複合基板を一方の基板としたものである。 - 特許庁

This coating bead for flame-interrupting thermal insulation comprises a primary coating layer 2 composed of a flame retardant and a hardener-added resol resin formed on the surface of an expanded resin bead 1, and a secondary coating layer 3 with a thinner film than that of the primary coating layer 2 and composed of the hardener-added resol resin formed on the primary layer 2.例文帳に追加

発泡した樹脂ビーズ１の表面に難燃剤と硬化剤添加レゾール樹脂とからなる一次コーティング層２を形成し、この一次コーティング層２の表面にその膜厚よりも薄い膜厚で硬化剤添加レゾール樹脂からなる二次コーティング層３を形成してできたことを特徴とする遮炎性断熱材用コーティングビーズである。 - 特許庁

This semiconductor device is provided with a wiring groove 5a that is formed at an interlayer insulation film 5, a double-layer TIN layer 12 with different crystal orientations while being formed at the bottom of the wiring groove 5a, and an Al alloy wiring 15a that is formed on the double-layer TiN layer 12 and is buried into the wiring groove 5a.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、層間絶縁膜５に形成された配線用溝５ａと、この配線用溝５ａの底部に形成された互いに結晶方位の異なる２層のＴｉＮ層１２と、この２層のＴｉＮ層１２の上に形成され、上記配線用溝５ａの内部に埋め込まれたＡｌ合金配線１５ａと、を具備するものである。 - 特許庁

This integrated circuit inductance structure includes a silicon substrate, a planar winding of a conductive track, a resistive layer which is not etched under the winding, an insulation layer between the winding and the resistive layer, and discontinuous conductive sections, individually parallel to a portion of the winding, which is the closest and electrically connected to ground and to the resistive layer.例文帳に追加

シリコン基板と、導電性トラックの平面巻き線と、該巻き線の下のエッチングされていない抵抗層と、巻き線と前記抵抗層の間の絶縁層と、最も近い巻き線部分に個別に平行であり、アース及び前記抵抗層に電気接続される不連続導電性部分とを含む、集積回路インダクタンス構造を提供する。 - 特許庁

In this semiconductor device, the surface protective film 11 covering an epitaxial layer 4A covers a part of an outer peripheral epitaxial layer 4A-1 on the outer peripheral side of a high-resistance GaAs layer (inter-element insulation layer) 5 and contacts the part, and thereby adhesiveness of the end of the surface protective film 11 is improved, and moisture intrusion from the outside can be prevented.例文帳に追加

この半導体装置では、エピタキシャル層４Ａを覆う表面保護膜１１が高抵抗ＧａＡｓ層(素子間絶縁層)５の外周側の外周エピタキシャル層４Ａ−１の一部を覆って上記一部に接しているので、表面保護膜１１の端部の密着性が向上して外部からの水分侵入を防止できる。 - 特許庁

The biosensor is provided with an electrode system, having a reaction pole formed on an electric insulation substrate and a counter pole and a reaction layer formed on the electrode system or in vicinity thereof, and the reaction layer comprises at least two layers, having a layer containing lipid modification enzyme and amphipatic lipid and another layer containing an electron transmission body.例文帳に追加

本発明のバイオセンサは、電気絶縁性の基板上に形成された作用極と対極を有する電極系、及び前記電極系上またはその近傍に形成された反応層を具備し、その反応層が少なくとも、脂質修飾酵素と両親媒性脂質を含む層および電子伝達体を含む層の２層からなる。 - 特許庁

As for an insulation coating film 50 of an anti-inverter surge coil, a polyamideimide layer 30 is composed of only polyamideimide, and is constituted of a polyamideimide single component layer 32 which does not contain montmorillonite that is an inorganic compound plate shape filler, and a nanocomposite material layer in which montmorillonite, which is an organically modified clay, is uniformly dispersed in the polyamideimide layer.例文帳に追加

耐インバータサージ巻線の絶縁皮膜５０はポリアミドイミド層３０が、ポリアミドイミドのみからなり、無機化合物の板状のフィラであるモンモリロナイトをその中に含まないポリアミドイミド単成分層３２と、ポリアミドイミド層中に、有機化されたクレイであるモンモリロナイトが均一に分散させられているナノ複合材料層３４から構成されている。 - 特許庁

A manufacturing method for a color filter substrate includes the steps of: forming a transparent conductive layer on one surface of a base substrate; forming a black matrix on another surface of the base substrate; forming a color resin layer on the black matrix; and forming an insulation material layer including a post spacer and an overcoat protective film formed integrally with the color resin layer.例文帳に追加

ベース基板の一面に透明導電層を形成するステップと、ベース基板の他の面にブラックマトリックスを形成するステップと、ブラックマトリックスにカラー樹脂層を形成するステップと、カラー樹脂層に一体に形成されたポストスペーサとオーバーコート保護膜とを有する絶縁材料層を形成するステップと、を備えるカラーフィルター基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The manufacturing method of an electron emitting element comprises a process of forming a cathode electrode 5 on a supporting substrate 4, and a process of forming an emitter layer 10 containing a fibrous emitter material and a binder material on the cathode electrode 5 through a resistor layer 21, and a process of forming an insulation film 6 on the emitter layer 10 through a close-contact layer 22.例文帳に追加

電子放出素子の製造方法として、支持基板４上にカソード電極５を形成する工程と、カソード電極５上に抵抗層２１を介して繊維状のエミッタ材料とバインダ材料とを含むエミッタ層１０を形成する工程と、エミッタ層１０上に密着層２２を介して絶縁膜６を形成する工程とを有する。 - 特許庁

A sag-preventing pattern 3 is provided at the end part of a packaging circuit resin board with a thin film having an interlayer insulation film 4 that is provided between a lower wiring layer and an upper wiring layer comprising a dry film, adjoining the region with the relatively high density of at least an actual wiring layer 2 on the end part side of the board from the actual wiring layer 2.例文帳に追加

下層配線層と上層配線層との間に設ける層間絶縁膜４をドライフィルムによって構成した薄膜付実装回路樹脂基板の端部に、少なくとも実配線層２の密度が相対的に粗な領域に隣接し、且つ、前記実配線層２より基板の端部側にダレ防止用パターン３を設ける。 - 特許庁

An electron discharge element 14 arranged oppositely to the object 10 to be charged has a semiconductor layer 16 having an energy band gap of ≥3.60 eV or ≤1.30 eV, a thin film insulation layer 18, a thin film electrode 20 formed on the surface side of the layer 18, and a substrate electrode 22 formed on the rear side of the layer 16.例文帳に追加

被帯電物１０に対向して設置されている電子放出素子１４は、３．６０ｅＶ以上か１．３０ｅＶ以下のエネルギーバンドギャップの半導体層１６及び薄膜絶縁層１８と、薄膜絶縁層１８表面側に形成された薄膜電極２０と、半導体層１６裏面側に形成された基板電極２２とを有している。 - 特許庁

On the insulation coating 7 formed on the surface of the semiconductor substrate 1, a first electrode 82 connected with the first P type heavily doped layer 2 through a through hole and a second electrode 83 connected with the second P type heavily doped layer 6 are provided so that an independent bias voltage can be applied between the second P type heavily doped layer 6 and an N type heavily doped layer 11.例文帳に追加

半導体基板１表面の絶縁被膜７上に、透孔を介して第1のＰ型高濃度層２に接続された第1の電極８２と、第２のＰ型高濃度層６に接続された第２の電極８３とを設け、第２のＰ型高濃度層２とＮ型高濃度層１１の間に別途バイアス電圧を印加可能とした。 - 特許庁

To provide a hetero-junction field effect transistor by which plasma damage of a reactive ion or the like entering a crystal due to dry etching for selective removal of an insulation layer or a semiconductor layer above a barrier layer is suppressed in a crystal structure, where the barrier layer with a larger atomic weight than an electron supply layer is formed on the electron supply layer of the hetero-junction field effect transistor.例文帳に追加

ヘテロ接合電界効果トランジスタの電子供給層上に電子供給層よりも平均原子量の大きなバリア層を形成した結晶構造において、バリア層より上の絶縁膜もしくは半導体層を選択に除去する際のドライエッチングによって結晶内に侵入する反応性イオン等のプラズマ損傷を抑制することを目的したヘテロ接合電界効果トランジスタの製造方法を提供すること。 - 特許庁

An interlayer insulation film 13 is formed to cover the emitter electrode 12E and the base electrode 12B, and bonding pads 14E and 14B are formed on the upper layer of a device to be in contact with the emitter electrode 12E and the base electrode 12B respectively by means of the interlayer insulation film 13.例文帳に追加

そして、エミッタ電極１２Ｅ及びベース電極１２Ｂを被覆する層間絶縁膜１３を形成し、層間絶縁膜１３を介してエミッタ電極１２Ｅ及びベース電極１２Ｂとそれぞれコンタクトを取るためのボンディングパッド１４Ｅ及び１４Ｂをデバイスの上層に形成する。 - 特許庁

A thermally conductive sheet having good qualities such as excellent electrical insulation, flexibility, prevention of dropping of a graphite powder and heat resistance is obtained by forming a thin insulation film layer having a thickness of not more than 5 μm on a surface of a graphite sheet.例文帳に追加

本発明は、グラファイトシートの表面に絶縁膜層を５μｍ以下に薄く設けることにより、電気的絶縁性、柔軟性に優れ、グラファイト粉末が脱離しにくく、熱抵抗が小さいといった特性を持つ良品質の熱伝導シ−トを提供することができる。 - 特許庁

Also, a Locos oxide film 12 is formed on the element region by thermal oxidation treatment, an interlayer insulation film 13 is formed on the Locos oxide layer 12, and a collector electrode 14, a base electrode 15, and an emitter electrode 16 through the interlayer insulation film 13 are connected.例文帳に追加

また、素子領域の上には、熱酸化処理によってＬｏｃｏｓ酸化膜１２が形成されており、このＬｏｃｏｓ酸化層１２の上には層間絶縁膜１３が形成され、層間絶縁膜１３を貫通するコレクタ電極１４、ベース電極１５、エミッタ電極１６が接続されている。 - 特許庁

The insulation structure 1 comprises a circuit board 2 covered on its surface with an insulation resin, so that a resin layer 3 covering the surface of the circuit board 2 is partly filled in holes 5 provided in a thicknesswise direction of the board 2 from the surface of the board 2.例文帳に追加

配線基板２の表面を、絶縁性の樹脂により被覆する絶縁構造１において、配線基板２の表面から配線基板２の厚さ方向に設けた孔５内に、配線基板２の表面を被覆する樹脂層３の一部が充填されている絶縁構造１を提供する。 - 特許庁

To prevent a variation in the threshold voltage of a p-channel MIS transistor by preventing p-type impurities in a p-type silicon layer employed in a gate electrode from being diffused into an underlying semiconductor substrate through a gate insulation film when a high dielectric film is employed as the gate insulation film.例文帳に追加

ゲート絶縁膜として高誘電体膜を用いた場合に、ゲート電極に用いられるｐ型シリコン層中のｐ型不純物がゲート絶縁膜を通過して下地の半導体基体に拡散するのを防止し、ｐチャネルＭＩＳトランジスタのしきい値電圧の変動を防止する。 - 特許庁

Thereafter, an interlayer insulation film is formed to cover an isolation region, the Si active layer region, the gate electrode and the sidewall, and a contact hole for electrical connection is made in the interlayer insulation film at a position on the border line of the isolation region and the silicide film.例文帳に追加

次に、前記の素子分離領域，Ｓｉ活性層領域，ゲート電極，サイドウォールを覆うように層間絶縁膜を形成した後、その層間絶縁膜に対し素子分離領域とシリサイド膜との境界線上の位置で電気的接続用のコンタクト孔を開孔する。 - 特許庁

Since an insulation film containing hydrogenation polysiloxane is employed as the interlayer insulation film 103 and etching is carried out using etching gas containing at least fluorocarbon gas and oxidation based gas, such a structure as the deterioration layer 105 of hydrogenation polysiloxane on the processing surface is thick at the upper part and thin at the lower part is obtained.例文帳に追加

水素化ポリシロキサンを含む絶縁膜を層間絶縁膜１０３として用い、エッチングガスとしてフロロカーボンガスと酸化系ガスを少なくとも含むエッチングにより加工するため、水素化ポリシロキサンの加工面での変質層１０５が上部で厚く、下部で薄い構造が得られる。 - 特許庁

To provide a back protective sheet for a solar cell, of which protective sheet has superior heat resistance, connection reliability in connection to a unit cell of the solar cell, and insulation reliability in insulation from a circuit layer, capable of being manufactured at low cost with high productivity, and being repaired efficiently to offer high economic advantages, and to provide a solar cell module.例文帳に追加

本発明は、耐熱性、太陽電池セルとの接続信頼性及び回路層の絶縁信頼性に優れ、低コストかつ高い生産性で製造でき、効率良く補修が行える経済性に優れた太陽電池用裏面保護シート、及び太陽電池モジュールの提供を目的とする。 - 特許庁

In the thermoelectric conversion/release part 40 disposed between the heat insulation part 31 and the bellows 36, the exhaust heat is converted into electricity by a thermoelectric element layer 41 according to a temperature difference between a heat insulation part 31 side and a bellows 36 side and is released to the outside through an electric resistor 43.例文帳に追加

そして、断熱部３１とベローズ３６との間に配設された熱電変換放出部４０によって、断熱部３１側とベローズ３６側との温度差に応じて熱電素子層４１が排気の熱を電気へ変換して電気抵抗器４３を介して外部へ放出する。 - 特許庁

This chemical sensor includes a semiconductor layer where a body region is formed between a drain region and a source region, the sensitive film formed at the upper surface side of the body region, a gate insulation film formed at the under surface side of the body region, and a gate electrode formed at the under surface side of the gate insulation film.例文帳に追加

化学センサは、ドレイン領域とソース領域との間にボディ領域が形成された半導体層と、ボディ領域の上面側に形成された感応膜と、ボディ領域の下面側に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜の下面側に形成されたゲート電極と、を具備する。 - 特許庁

To provide an aqueous dispersion for chemical mechanical polishing, which reduces a polishing speed for a low-permittivity insulation film, achieves both high polishing speed and high planarization characteristics for an interlayer insulation film (a cap layer) such as a barrier metal film and TEOS film, and prevents metallic contamination of a wafer.例文帳に追加

低誘電率絶縁膜に対する研磨速度を低減して、バリアメタル膜およびＴＥＯＳ膜などの層間絶縁膜（キャップ層）に対する高研磨速度と高平坦化特性を両立でき、かつ、ウエハの金属汚染の少ない化学機械研磨用水系分散体を提供する。 - 特許庁

The difference in level caused by a capacitor C is mitigated by an insulation film 24 formed in the same layer as the capacitor C, a wiring groove 31 is formed in the vicinity of the surface of an insulation film 30 the surface of which has been flattened by the CMP method, and a connection hole 33 is formed at the bottom of the wiring groove 31.例文帳に追加

キャパシタＣと同層に形成される絶縁膜２４によりキャパシタＣに起因する段差を緩和し、ＣＭＰ法により表面が平坦化された絶縁膜３０の表面近傍に配線溝３１および配線溝３１の底面下部に接続孔３３を形成する。 - 特許庁

The MOS capacitor uses an n-type diffusion region 2 formed on the top face of a p-type silicon substrate 1 as a bottom electrode, a gate insulation film 3 formed above the n-type diffusion region 2 as a dielectric layer, and a gate electrode 4 formed on the gate insulation film 3 as a top electrode.例文帳に追加

ＭＯＳキャパシタは、Ｐ型シリコン基板１の上面部に形成されたＮ型拡散領域２を下部電極とし、その上に形成されたゲート絶縁膜３を誘電体層とし、当該ゲート絶縁膜３の上に形成されたゲート電極４を上部電極としている。 - 特許庁

The scanning line (806) is covered with a shielding electrode (816) through an insulator and the storage capacity part (817) is constituted of the planar overlapping of a semiconductor layer becoming the source and the drain of the transistor, a first insulation film (805) becoming a gate insulation film and the shielding electrode (816).例文帳に追加

走査線（８０６）は、絶縁体を介してシールド電極（８１６）で覆われており、保持容量部（８１７）は、前記トランジスタのソース・ドレインとなる半導体層と、ゲート絶縁膜となる第1絶縁膜（８０５）と、前記シールド電極（８１６）とが平面的な重なりにより構成されてなる。 - 特許庁

The thick-film multilayer wiring board is comprised of Ag-based conductors 3 and 6, a thick-film resistor 9 and an insulation layer 7 that are stacked on a ceramic insulation substrate, and a conductor film in a joint with a chip electronic component 12 is made large in thickness, thus suppressing the reduction of connection strength due to a thermal influence.例文帳に追加

セラミック絶縁基板上にＡｇ系導体３，６，厚膜抵抗体９，絶縁層７から成る厚膜多層配線基板において、チップ電子部品１２との接続部の導体膜厚を厚くする構造にて熱影響による接続強度低下を抑制可能とする。 - 特許庁

To provide hydroxystyrene ABA type triblock copolymer, that is useful as a material for photosensitive resin components, excellent in resolution, electric insulation performance, thermal shock resistance, adhesion performance, etc., and suitable for inter-layer insulation film or surface protective film for semiconductor elements; and to provide a simple manufacturing method thereof.例文帳に追加

解像度、電気絶縁性、熱衝撃性、密着性等に優れ、半導体素子の層間絶縁膜や表面保護膜などに適した感光性樹脂成分の原料として有用な、新規なヒドロキシスチレン系ＡＢＡ型トリブロック共重合体とその簡便な製造方法を提供する。 - 特許庁

The organic thin film transistor comprises a substrate 1, a gate electrode 2, a gate insulation film 3, a source electrode 6, a drain electrode 5, and an organic semiconductor layer 4 wherein the gate insulation film 3 is a polyparaxylylene dielectric film having a film thickness of 50-410 nm.例文帳に追加

この発明の有機薄膜トランジスタは、基板１、ゲート電極２、ゲート絶縁膜３、ソース電極６、ドレイン電極５及び有機半導体層４を備え、ゲート絶縁膜３が膜厚４１０ｎｍ以下５０ｎｍ以上のポリパラキシリレン誘導体膜であることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for forming a contact hole, having proper metal interconnection layer coverage and a semiconductor device, and to provide a method for manufacturing the same having contact hole, when an interlayer insulation film consisting of at least more than two insulation films having different etching selectivity is formed.例文帳に追加

エッチング速度の異なる少なくとも２以上の絶縁膜により層間絶縁膜が形成されている場合に、金属配線層の被覆性が良好なコンタクトホールを形成する方法、および当該コンタクトホールを有する半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In a tape with an adhesive for semiconductor device comprising at least an adhesive layer laminated on a flexible organic insulation film, a plurality of adhesive layers are provided on the insulation film in an MD direction such that they do not contact with each other.例文帳に追加

可撓性を有する有機絶縁性フィルム上に、少なくとも接着剤層を積層した半導体装置用接着剤付きテープにおいて、接着剤層を、互いに接触しないように上記絶縁性フィルム上のＭＤ方向に複数本設けたことを特徴とする接着剤付きテープ。 - 特許庁

To provide a panel for outside insulation, using a calcium silicate board, which enables the easy construction of an outside insulation structure with proper fire resistance, incombustibility, heat insulating properties and durability, and which prevents the accidental separation of a substrate layer made of mortar, while using the calcium silicate board.例文帳に追加

良好な耐火性、不燃性、断熱性及び耐久性を有する外断熱構造を容易に施工でき、しかも、ケイ酸カルシウム板を用いながら、モルタルからなる下地層の不用意な剥離を生じさせることがないケイ酸カルシウム板を用いた外断熱用パネルを提供する。 - 特許庁

To provide an insulation substrate which allows effective diffusion of heat generated from a semiconductor element and which can prevent cracks in a solder layer placed against the semiconductor element even when loading a cool and heat cycle, and a power module using the insulation substrate.例文帳に追加

半導体素子から発生した熱を効率的に放散させることが可能であるとともに、冷熱サイクルを負荷した場合でも半導体素子との間に介装されたはんだ層におけるクラックの発生を抑制できる絶縁基板及びこの絶縁基板を用いたパワーモジュールを提供する。 - 特許庁

The multilayer wiring board comprises a plurality of insulation film layers 4 of organic resin and wiring conductor layers 3 formed in multilayer on a substrate 1, and an overcoat layer 6 having steam transmission of 5 g/(m2.24 h) formed on the exposed upper surface of the insulation film layers 4.例文帳に追加

基板１上に、有機樹脂から成る複数の絶縁フィルム層４と配線導体層３とを多層に積層するとともに、絶縁フィルム層４の露出する上面に水蒸気透過度が５ｇ／（ｍ^2・24ｈ）以下のオーバーコート層６を形成した多層配線基板である。 - 特許庁

Then, a thin-film semiconductor layer 11 continuously covering up to the first gate insulation film 7-1 from the source-drain electrodes 9 via the second gate insulation film 7-2 in contact with the electrodes 9 is formed, thereby manufacturing the thin-film semiconductor device 1.例文帳に追加

次に、ソース／ドレイン電極９に接する状態で、ソース／ドレイン電極９上から第２ゲート絶縁膜７-2を介して第１ゲート絶縁膜７-1上に掛けてを連続的に覆う薄膜半導体層１１を形成することを特徴とする薄膜半導体装置１の製造方法。 - 特許庁

The SOIMOSFET comprises a semiconductor substrate of a first conductivity type, first insulation film (that is, a base oxide film) disposed on the semiconductor substrate, and SOI layer having a pair of source and drain of a second conductivity type which is disposed on the insulation film with a channel of a specified distance formed between the source and the drain.例文帳に追加

ＳＯＩＭＯＳＦＥＴは、第１導電型の半導体基板と、この半導体基板上に位置する第１絶縁膜（すなわち下地酸化膜）と、第１絶縁膜上に位置し、所定距離のチャネルを挟んで一対の第２導電型のソースおよびドレインを有するＳＯＩ層を含む。 - 特許庁

An SiO_2 insulation film is formed on a P-type GaAs cap layer by a plasma CVD method and a region close to an end surface of a waveguide on the SiO_2 insulation film is subjected locally to a thermal annealing treatment by using a carbon dioxide gas laser, a YAG laser, or an infrared lamp.例文帳に追加

Ｐ型ＧａＡｓキャップ層上にプラズマＣＶＤ法によってＳｉＯ_2絶縁膜を形成して、そのＳｉＯ_2絶縁膜上の導波路の端面近傍の領域に、炭酸ガスレーザ、ＹＡＧレーザまたは赤外ランプのいずれかを用いて局所的に熱アニール処理を行う。 - 特許庁

To provide a thermal insulation construction method for the wall surface of a low-temperature tank or the like capable of eliminating the use of an existing spacer or minimizing the use to reduce the number of steps, shorten a construction period of time, reduce a construction cost, and saving labor, and capable of constructing a well-finished thermal insulation layer.例文帳に追加

既製スペーサーの使用を省く、あるいは、その使用を最少限にして工程数の削減、工期の短縮、施工コストの低減及び省力化を図るとともに、仕上がりのよい断熱層を施工できる低温タンク等の壁面の防熱施工法を提供する。 - 特許庁

In this laminated plate for flexible printed wiring board where copper foil is laminated via an adhesive agent layer at least on the single surface of a flexible insulation film, haze (cloudiness) value of the flexible insulation film, after the copper foil is removed with the etching process, is 50% or smaller.例文帳に追加

可撓性絶縁フィルムの少なくとも片面に接着剤層を介して銅箔が積層されたフレキシブルプリント基板用積層板であって、その銅箔をエッチングにより除去した後の可撓性絶縁フィルムのヘーズ（曇価）が５０％以下であることを特徴とするフレキシブルプリント基板用積層板。 - 特許庁

The solar cell generator comprises sequentially from an upper layer: a surface member 1 through which light is transmitted; many solar battery cells 2 planarly arranged; an insulation sheet 3; a reflection plate 4 such as an aluminum foil; an insulation sheet 5; the light emitting element 6 comprising many light emitting diodes; and a backside member 7 through which light is transmitted.例文帳に追加

上層から光を透過する表面材１、平面的に配列した多数個の太陽電池セル２、絶縁シート３、アルミ箔等の反射板４、絶縁シート５、多数個の発光ダイオードから成る発光素子６、光を透過する裏面材７が順次に配置されている。 - 特許庁

The layer (80) consists of a light shielding electrically conductive film and includes a second capacitive electrode which are placed opposite to a first capacitive electrode that is a portion of the capacitive line across the interlayer insulation film and a light shielding section that at least covers the scanning line partially from the top through the interlayer insulation film.例文帳に追加

中間導電層は、遮光性の導電膜からなり、容量線の一部である第１容量電極に層間絶縁膜を介して対向する第２容量電極を含むと共に走査線を少なくとも部分的に層間絶縁膜を介して上方から覆う遮光部を含む。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive resin composition suiting application in a surface protective layer, an interlayer insulation film, and an insulation film for a high density packaging board capable of very thick application and alkali development, and capable of providing a hard object with high resolution, superior tensile elongation after fracture, and superior heat resistance.例文帳に追加

高膜厚塗布及びアルカリ現像が可能であるとともに、解像度の高く、引張破断伸びに優れかつ耐熱性に優れた硬化物を得ることが可能な、表面保護膜、層間絶縁膜、及び高密度実装基板用絶縁膜用途に適した感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

After a first interlayer insulation film 104, an etching stopper film, a second interlayer insulation film 106 and a second silicon oxide film are deposited sequentially on a lower layer interconnection 102, openings for the contact holes in first resist pattern are transferred to the second silicon oxide film thus forming a hard mask 107A.例文帳に追加

下層配線１０２の上に、第１の層間絶縁膜１０４、エッチングストッパー膜、第２の層間絶縁膜１０６及び第２のシリコン酸化膜を順次堆積した後、第２のシリコン酸化膜に第１のレジストパターンの接続孔用開口部を転写してハードマスク１０７Ａを形成する。 - 特許庁