「layer-insulation」に関連した英語例文の一覧と使い方(84ページ目) - Weblio英語例文検索

The silicon thin-film transistor is provided with buffer layers 11a, 11b formed on both surfaces of a substrate, on the buffer layer 11a on one side being arranged a silicon channel, on which is formed a gate insulation layer 13, and on which a gate 14 is provided.例文帳に追加

基板の両面にバッファ層１１ａ、１１ｂが形成され、一側のバッファ層１１ａにシリコンチャンネルが形成され、シリコンチャンネル上にはゲート絶縁層１３が形成され、ゲート絶縁層上にはゲート１４が設けられるシリコン薄膜トランジスタである。 - 特許庁

To provide a method for forming a segment coil on a stator core in which an insulation structure can have optimal length for each pair of ends without causing problems such as voids existing in an insulation layer or a bridge formed between the insulation layers of the adjacent pairs of ends even when a plurality of the pairs of ends consisting of ends of segment coils have displacement in a height direction.例文帳に追加

セグメント巻線の端部同士で形成される複数の端部対に高さ方向の位置ずれがある場合であっても、端部対のそれぞれに最適な長さの絶縁構造を形成することができ、絶縁層の内部にボイドが存在したり、隣接する端部対の絶縁層間でブリッジが形成されるといった問題も生じ得ないステータコアにセグメントコイルを形成する方法を提供する。 - 特許庁

A method for manufacturing a conductive pattern-formed substrate of the present invention includes: a conductive pattern formation step of irradiating a transparent conductive layer provided on an insulation substrate with a pulse-form laser beam in a predetermined pattern to form an insulation portion and forming at least a conductive pattern; and a re-irradiation step of re-irradiating a part of the insulation portion with the pulse-form laser beam.例文帳に追加

本発明の導電パターン形成基板の製造方法は、絶縁基板上に設けられた透明導電層にパルス状レーザ光を所定パターンで照射することにより絶縁部を形成して、少なくとも導電パターンを形成する導電パターン形成工程と、前記絶縁部の一部にパルス状レーザ光を再照射する再照射工程とを有する。 - 特許庁

In the field effect transistor having at least a gate insulation film, a gate electrode, a source electrode, a drain electrode, and a semiconductor layer, the source electrode and/or drain electrode are disposed at a recess of the gate insulation film, and the height of the source electrode and/or drain electrode to the surface of the gate insulation film is not lower than 10 nm.例文帳に追加

少なくともゲート絶縁膜、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極及び半導体層を有する電界効果トランジスタにおいて、ソース電極及び／又はドレイン電極がゲート絶縁膜の凹部に配置された構造を有し、ゲート絶縁膜表面に対するソース電極及び／又はドレイン電極の高さが１０ｎｍ以上であることを特徴とする電界効果トランジスタ。 - 特許庁

The semiconductor device comprises an interlayer insulation film 2 formed on a silicon substrate 1, gas/liquid separation films 3 and 5 made of an SiOC film through which liquid hardly passes but gas passes easily, formed on the surface of the interlayer insulation film 2 at least partially, and a wiring layer 7 formed on the surface of the interlayer insulation film 2 at least partially.例文帳に追加

この半導体装置は、シリコン基板１上に形成された層間絶縁膜２と、層間絶縁膜２の表面の少なくとも一部上に形成され、液体を透過しにくいとともに、気体を透過しやすいＳｉＯＣ膜からなる気液分離膜３および５と、層間絶縁膜２の表面の少なくとも一部上に形成された配線層７とを備えている。 - 特許庁

This electrode unit of the present invention includes an insulation substrate, the working electrode provided with an electron receptor layer laid on the insulation substrate, and containing an electron receptor capable of receiving an electron emitted from the sensitizing pigment in response to the photo-excitation thereof, and the counter electrode provided with a space to the working electrode, on the face same to that of the counter electrode on the insulation substrate.例文帳に追加

この電極ユニットは、絶縁基板と、絶縁基板上に局所的に設けられる、前記増感色素が光励起に応じて放出する電子を受容可能な電子受容物質を含んでなる電子受容層を備えた作用電極と、絶縁基板の前記作用電極と同一面上に、作用電極と離間して設けられる対電極とを備えたものである。 - 特許庁

In the photodetection apparatus having a TFT for reading charge converted by a conversion element for converting at least one of incident light or radiation to the charge on an insulation board, the insulation layer for preventing leakage among wires should be formed in a region other than the gate electrode of the TFT and the lower electrode of a photoelectric conversion element on the insulation board.例文帳に追加

絶縁基板に、入射した光又は放射線のうち少なくとも一方を電荷に変換する変換素子で変換された電荷を読み出すためのＴＦＴを有する検出装置において、絶縁基板上に、ＴＦＴのゲート電極および光電変換素子の下電極を除いた領域に配線間リークを防止するための絶縁層が形成されることを特徴とする。 - 特許庁

T-shaped gate electrode composed of a prop-like main gate electrode 6 and a beam-like conductor pattern 7 is provided on a semiconductor layer 3 to be isolated by a substrate isolating insulation film 2 from a semiconductor substrate 1 to form active regions, and the gate insulation film just beneath the beam-like conductor pattern 7 is made thicker than the gate insulation film 4 just beneath the main gate electrode 6.例文帳に追加

基板分離用絶縁膜２によって半導体基板１から分離した能動領域となる半導体層３上に、支柱状の主ゲート電極６と梁状導電体パターン７からなるＴ字状のゲート電極を設けるとともに、梁状導電体パターン７の直下のゲート絶縁膜の膜厚を主ゲート電極６の直下のゲート絶縁膜４の膜厚より厚くする。 - 特許庁

The manufacturing method includes an electrode forming step for forming an electrode 13 on the surface of a semiconductor layer 11; an insulation film forming step of forming insulation films 12, 14 containing nitrogen on the electrode 13; and a heat treatment step of carrying out heat treatment in an atmosphere including water vapor, oxygen, or hydrogen to form nitrogen concentration distributions in the insulation films 12, 14.例文帳に追加

半導体層１１の上方に電極１３を形成する電極形成工程と、当該電極１３上に窒素含有の絶縁膜１２、１４を形成する絶縁膜形成工程と、水蒸気、酸素、又は水素を含む雰囲気で熱処理を施して、前記絶縁膜１２、１４中に窒素濃度分布を形成する熱処理工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

Also, in the circuit substrate for printed wiring boards that has a conductor circuit on one surface of the insulation base of the copper foil, while a via hole is formed for a through-hole which reaches the conductor circuit from the other surface of the insulation base, a low-melting point metal layer with a melting point lower than zinc is formed between one surface of the insulation base and the conductor circuit.例文帳に追加

また、銅箔の絶縁性基材の一方の面に導体回路を有し、この絶縁性基材の他方の面から導体回路に達する貫通穴に対してビアホールが形成されたプリント配線板用回路基板において、亜鉛よりも低い融点を有する低融点金属層が、絶縁性基材の一方の面と導体回路との間に形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device includes an interlayer insulation film 36 formed above a semiconductor substrate 10, the conductor 50 containing Cu formed in the interlayer insulation film 36, and a barrier metal film 46 formed between the interlayer insulation film 36 and the conductor 50 and formed of a multilayer film of a Ti film 42 and a Ta film 44, and an interface layer 54 containing Ti and Si is formed on the surface of the conductor 50.例文帳に追加

半導体基板１０の上方に形成された層間絶縁膜３６と、層間絶縁膜３６内に形成されたＣｕより成る配線５０と、層間絶縁膜３６と配線５０の間に形成され、Ｔｉ膜４２とＴａ膜４４との積層膜より成るバリアメタル膜４６とを有し、配線５０表面に、ＴｉとＳｉとを含む界面層５４が形成されている。 - 特許庁

Concerning a part where the surface temperature of the outer casing 1 of a heat insulation casing is higher than the temperature of outside air and a part where an inclusion is located inside the outer casing 1, by embedding a vacuum heat insulation material 3a in rigid urethane foam 4, shortage in filling of the rigid urethane foam 4 in case the vacuum heat insulation material 3a is formed into a double layer is eliminated.例文帳に追加

断熱箱体２２の外箱１の表面温度が外気温よりも高い部分や、外箱１の内側に介在物がある部分に対しては、断熱箱体２２の外箱１と内箱２の中間で真空断熱材３ａを硬質ウレタンフォーム４に埋設することにより、真空断熱材３ａを複層した場合における硬質ウレタンフォーム４の充填不足などを解消する。 - 特許庁

The layer insulation film 110 has first holes 120, reaching the peripheral part 106p of the first electrode 106 and second holes 130 disposed near the first holes 120.例文帳に追加

層間絶縁膜１１０は、第１の上部電極１０６の周縁部１０６ｐに達する第１の孔１２０と、第１の孔１２０に近接して設けられた第２の孔１３０とを有する。 - 特許庁

This high-pressure tank 1 comprising a vessel main body 10 for storing the gas, comprises a cold insulation layer 30 formed in a state of covering at least a part of the vessel main body 10.例文帳に追加

ガスを貯蔵する容器本体１０を備えてなる高圧タンク１であって、容器本体１０の少なくとも一部を被覆するように設けられた保冷層３０を備える。 - 特許庁

This electrical junction box installed on an apparatus includes a heat insulation layer on an upper inner wall of the electrical junction box, when it is viewed from a position of installation on the apparatus.例文帳に追加

機器に設置される電気接続箱において、該電気接続箱の内壁の、機器に設置されたときに上部となる部分に断熱層が設けられたことを特徴とする電気接続箱。 - 特許庁

This surface-mounting type surge absorption element 1 is composed of an insulation ceramics layer 20, an inside electrode 7, a low melting point resistive element 8, and an outside electrode 9, and forms a micro-gap 10 inside thereof.例文帳に追加

表面実装型サージ吸収素子１は、絶縁セラミックス層２０、内部電極７、低融点抵抗体８、外部電極９からなり、内部にマイクロギャップ１０を形成してなる。 - 特許庁

Thus, internal short-circuit can be prevented by insulation of the film 22C, and exfoliation of the negative electrode active material layer 22B and decomposition of the electrolytic solution are restrained by the plurality of films.例文帳に追加

被膜２２Ｃの絶縁性によって内部短絡が防止されると共に、複数の被覆によって負極活物質層２２Ｂの剥落および電解液の分解が抑制される。 - 特許庁

To prevent warp and damage of a substrate due to internal stress of an insulation layer caused by annealing without increasing an additional step in a manufacturing process of a MEMS transducer.例文帳に追加

ＭＥＭＳトランスデューサの製造工程において、アニール処理によって生じる絶縁層の内部応力による基板の反りや破損を、新たに工程を増やすことなく防止する。 - 特許庁

To provide a bathtub insulation method capable of providing an insulating property by simply and reliably forming a uniform thickness insulating layer on the reverse of a bathtub molded from an artificial marble.例文帳に追加

人造大理石の浴槽成形品の裏面に均一膜厚の断熱層を簡単且つ確実に形成して断熱性や保温性を付与できる浴槽の断熱処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a flat type multilayer insulated electric wire for a coil winding covered with a thinner insulation, satisfying various safety standards, and allowing no generation of a wrinkle or a bulge in the width direction of a film winding layer.例文帳に追加

各種安全規格を満足し、且つ、フィルム巻回層の幅方向に皺、膨れの発生がなく、より薄肉絶縁被覆のコイル巻線用平角多層絶縁電線を提供する。 - 特許庁

The window body 2 is formed as a multiple layer structure by an outer window plate 8 and an inner window plate 9, and an inside space S of a window accelerating heat insulation and light scattering is ensured between both window plates 8 and 9.例文帳に追加

窓本体２は、外窓板８と内窓板９とで複層構造にし、断熱および光拡散を促進する窓内空間Ｓを両窓板８・９の間に確保する。 - 特許庁

An interlayer dielectric 207 is etched with a resist pattern 208 as a mask, and then an insulation film 206 for preventing Cu diffusion is etched to form a concave portion 220 to expose a lower-layer interconnection 205.例文帳に追加

レジストパターン２０８をマスクとして、層間絶縁膜２０７をエッチングし、さらにＣｕ拡散防止用絶縁膜２０６をエッチングして凹部２２０を形成し、下層配線２０５を露出する。 - 特許庁

A normal component at least near a center conductor 10 is to be half or more of a tangential component, out of field intensity component on the surface of an insulation layer 14 for the conductor to be cast in.例文帳に追加

中心導体１０が注形される絶縁層１４の沿面の電界強度成分のうち、少なくとも中心導体１０の近傍の法線成分を接線成分以上にする。 - 特許庁

A driver transistor Q1's body region and a first access transistor Q5's body region are electrically connected with each other via the SOI layer 13 lying below the element separating insulation film 14.例文帳に追加

ドライバトランジスタＱ１のボディー領域と第１アクセストランジスタＱ５のボディー領域とは、素子分離絶縁膜１４下方のＳＯＩ層１３を介して互いに電気的に接続している。 - 特許庁

To prevent a water immersion to an electrode layer in order to prevent a cause of insulation failure and a performance deterioration of a dielectric film, which provides a thin film capacitor having a stable performance for a long period of time.例文帳に追加

電極層への水分の浸入を防止し、誘電体膜の絶縁不良、性能劣化の原因となることを防止し、長期間にわたり性能の安定した薄膜キャパシタを得る。 - 特許庁

To provide a nonhalogenous flame-retardant resin used, e.g. for an interlayer insulation layer of a multilayered printed circuit board; a flame- retardant resin composition containing the same; and a multilayered printed circuit board having a cured film formed from the composition.例文帳に追加

多層プリント配線板の層間絶縁層用等のノンハロゲン材料の難燃性樹脂、難燃性樹脂組成物性及びその硬化膜を有する多層プリント配線板を提供する。 - 特許庁

Conductive plate-like bodies 21, 22 comprising two sheets of semiconductor wafers having an outer diameter of several tens centimeters are used and an insulation layer 23 is provided on a surface of one plate-like body 21.例文帳に追加

数十センチ程度の外径をなす二枚の半導体ウエハからなる導電性の板状体２１、２２を用い、その一方の板状体２１の表面に絶縁層２３が設けられる。 - 特許庁

After the photoresist pattern 6 is removed, an interlayer insulation film is formed, and then, by subjecting it to dry-etching with the P-SiN 15 as an etching stopper, a through-hole(TH) to the aluminum wring layer 4b is formed.例文帳に追加

フォトレジストパターン６を除去した後、層間絶縁膜を形成し、Ｐ−ＳｉＮ１５をエッチングストッパーとして、ドライエッチングすることによりアルミ配線層４ｂへのＴＨを形成する。 - 特許庁

To provide a fixing device equipped with a protective circuit which operates by detecting an AC power voltage applied to a fixing roller, even when an insulating layer of the fixing roller is in the middle of insulation deterioration.例文帳に追加

定着ローラの絶縁層が絶縁劣化途中であっても、定着ローラに印加されるＡＣ電源電圧を検出して動作する保護回路を備えた定着装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for easily manufacturing a solar cell module for effectively preventing the generation of a defect such as insulation failure due to the intrusion of water from the outside and the corrosion of a silicon layer.例文帳に追加

外部から水分の侵入による絶縁不良やシリコン層の腐食などの欠陥発生を効果的に防止できる太陽電池モジュールを簡便に製造できる方法を提供する。 - 特許庁

On the other hand, the COM (common) substrate side plastic substrate is subjected to a heat-treatment with the same backing condition as in the case of the SEG substrate during the step to form the insulation layer on the SEG substrate.例文帳に追加

一方、ＳＥＧ基板に絶縁膜が形成されている工程時、ＣＯＭ基板側のプラスチック基板には、ＳＥＧ基板と同様の焼成条件で加熱処理が施される。 - 特許庁

The dust core 11 includes two or more green compacts 13, and can form an electric insulation layer 14 as an adhesive between the surface parts 13a of the green compacts 13 overlapping each other.例文帳に追加

この圧粉磁心１１は、圧粉体１３を２枚以上含み、相互に重なり合う圧粉体１３の表面部１３ａの間に電気絶縁層１４を接着剤として形成することができる。 - 特許庁

Specifically, the length of the carbon nano-tube is so controlled as to be set shorter than d-Vg/ Eb, where Eb is the withstand voltage of the insulation layer 4, (d) is the film thickness thereof, and Vg is an application voltage.例文帳に追加

具体的には、絶縁層４が、絶縁耐圧Ｅｂ，膜厚ｄとし、印加電圧をＶｇとするとき、カーボンナノチューブの長さは、ｄ−Ｖｇ／Ｅｂより短く制御する。 - 特許庁

The pressure roller is built up with a heat insulation foam and a small heat capacity surface peeling layer provided around it to press and preheat the print media before melt transferring.例文帳に追加

ヒートローラに溶融転写前の印刷媒体を押圧して事前加熱する押圧ローラを、断熱発泡体とその周縁部に形成する低熱容量表面剥離層より構成させる。 - 特許庁

Therefore, an additional step to form an insulation layer on a faulty part is only the step of delivering the ultraviolet-curing resin, whereby the increase in steps is suppressed to a minimum.例文帳に追加

したがって、不良箇所に絶縁層を形成するための工程の増加は、紫外線硬化樹脂の吐出工程のみとなり、工程の増加を最小限に押さえることができる。 - 特許庁

A heat insulation layer coating consisting of the material of high purity has a sintering resistance which is considerably improved compared with the coating consisting of a present material of low purity.例文帳に追加

本発明の高純度材料からなる断熱層被覆は、現在の低純度の材料からなる被覆に比べて大幅に改善された焼結抵抗を有することが分かる。 - 特許庁

To avoid malfunction caused by deterioration of insulation performance of an insulating layer in a heat radiating substrate, while suppressing a temperature rise of an LED by mounting the LED on the heat radiating substrate.例文帳に追加

放熱基板にＬＥＤを実装することでＬＥＤの温度上昇を抑制しながらも、放熱基板における絶縁層の絶縁性能の低下による不具合を回避可能とする。 - 特許庁

To provide a planar heating element in which such a problem that the resistance of a resistor increases when the resistor and an insulation coating layer covering it are formed by screen-printing is solved.例文帳に追加

抵抗体とこれを覆う絶縁被覆層とをスクリーン印刷によって形成した場合において、抵抗体の抵抗値が上昇する問題を解消した面状発熱体を提供する。 - 特許庁

Further, a first insulation layer 201 is formed on a part of a side surface of the first photoelectric conversion element 101 which faces the extension direction of the first extension part 112a, out of the side surface of the first photoelectric conversion element 101.例文帳に追加

また第１光電変換素子１０１の側面のうち第１延伸部１１２ａの延伸方向に向いている側面には、第１絶縁層２０１が形成されている。 - 特許庁

The protective insulation layer is provided with an opening which exposes the connection pad, and the following relationship is satisfied between the diameter R of the opening, and the diameter D of the columnar electrode, 0.9D≤R≤0.98D.例文帳に追加

保護絶縁層には接続パッドを露出させる開口部が設けられ、開口部の直径Ｒは、柱状電極の直径Ｄに対し、０．９Ｄ≦Ｒ≦０．９８Ｄである。 - 特許庁

When an upper wiring layer (not illustrated) is connected to the Cu wiring member 12 via a via hole VH by etching the first insulation film 101, a considerable alignment allowance can be expected.例文帳に追加

上層の配線層（図示せず）が第１絶縁膜１０１のエッチングによりビアホールＶＨを介してＣｕ配線部材１２と接続される場合、相当の合わせ余裕が見込める。 - 特許庁

A resin package 6 seals the power device 1, lead frame 2a and 2b, and metal block 5 while forming an insulation layer 7 on the surface of the metal block 5 which is on the opposite side from the lead frame 2a side.例文帳に追加

樹脂パッケージ６は、リードフレーム２ａと反対側の面で金属ブロック５に絶縁層７を形成しつつ、パワー素子１，リードフレーム２ａ，２ｂ及び金属ブロック５を封止している。 - 特許庁

The waveguide 140 and the hollow portion 150 are formed simultaneously, and the material of the insulation film layer 110 is interposed between the waveguide 140 and the hollow portion 150, thus increasing the number of reflection interfaces.例文帳に追加

導波路１４０と中空部１５０を同時に形成できるし、導波路１４０と中空部１５０の間に絶縁膜層１１０の材料が介在するので反射界面が増える。 - 特許庁

To provide a flame-retardant flat cable with flexibility of composition blending of a thermal fusion adhesion layer of an insulation film structuring a flat cable, with halogen free, and having sufficient flame-retardancy.例文帳に追加

フラットケーブルを構成する絶縁フィルムの熱融着性接着層の組成配合の自由度があり、ハロゲンフリー化され、且つ十分な難燃性を持った難燃性フラットケーブルを提供する。 - 特許庁

The gate electrode for an insulation gate electric field effect transistor is formed in the logical operation circuit area by patterning the first conductive layer excluding the element separating area in the logical operation circuit area.例文帳に追加

ロジック回路領域内の素子分離領域を除く第１導電層をパターニングして、ロジック回路領域内に絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート電極を形成する。 - 特許庁