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「layer-insulation」に関連した英語例文の一覧と使い方(83ページ目) - Weblio英語例文検索
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layer-insulationの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 5895



例文

Before forming a patterned lower electrode and a first wiring layer, that is, in a state where a first conductive film is formed on the entire surface, an insulation film for capacitance formation and a second conductive film are successively deposited, then patterning is performed and an upper electrode and a capacitive insulation film are formed.例文帳に追加

パターニングされた下部電極及び第1の配線層を形成する前に、つまり第1の導電膜が全面に形成されている状態で、容量形成用絶縁膜及び第2の導電膜を順次堆積した後、パターニングして上部電極及び容量絶縁膜を形成する。 - 特許庁

In the external heat insulation structure 10, the heat insulation material layer 16 is pressed against the side wall 14 of the building 12 by a transverse member 22 and mounted thereon, and an external wall member 20 is positioned on and fixed the outside thereof via an air distribution space 18 by the transverse member 22.例文帳に追加

外断熱構造10は、建物12の側壁14に横方向部材22によって断熱材層16を押し付けて取り付け、その外側に空気流通空間18を介して外側壁部材20を、前記横方向部材22によって位置決め固定して構成されている。 - 特許庁

This semiconductor device includes: lower-layer wires 3 formed on a semiconductor substrate 1; an inorganic SOG film 5a formed on the lower-layer wires 3 and between the lower-layer wires 3 and exhibiting compression stress by implanting ions of impurities therein; and upper-layer wires connected to the lower-layer wires through contact holes formed on an interlayer insulation film 7 including the inorganic SOG film 5a.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、半導体基板1上に形成された下層配線3と、前記下層配線3上及び下層配線3間に形成され、不純物がイオン注入されることで圧縮応力を示す無機SOG膜5aと、前記無機SOG膜5aを含む層間絶縁膜7に形成されたコンタクトホールを介して前記下層配線に接続する上層配線とを具備することを特徴とする。 - 特許庁

Thus, for every wiring board polished, it cleans the abrasives of the polisher, thus eliminating the need for interrupting the polishing work, the work efficiency can be held high and the insulation resin layer 2 can be roughened well by uniformizing the thickness of this layer 2.例文帳に追加

配線基板1を1枚研磨するたびに研磨機の砥材が清掃されて、研磨作業を中断する必要がなく、作業効率を高く維持できると共に、絶縁樹脂層2の厚みを均一にして良好な粗面化を施すことができる。 - 特許庁

例文

An AlN layer or Si3N4 layer is used as the insulation board 24, a hard brazing material containing the active element is used as the first and second joining materials 26, 28, and an SiC composite material and a C/Cu composite material are used as the heat sink material 20.例文帳に追加

そして、絶縁基板24としてAlN層又はSi_3N_4層を用い、第1及び第2の接合材26及び28として、活性元素を含む硬ろう材を用い、ヒートシンク材20として、SiC/Cu複合材やC/Cu複合材を用いる。 - 特許庁


例文

In the circuit board, at least one circuit layer is placed on the electric insulation layer.例文帳に追加

回路基板であって、定量の粒子を有する樹脂材料を含み、連続的な繊維、半連続的な繊維または同様のものを含まない電気的絶縁体を有する第1層を含み、少なくとも一つの回路層が電気的絶縁層上に置かれた回路基板。 - 特許庁

The mixing of the cork grains can increase clearances in the compound layer (surface layer) 2 without any increase in the mixing rate of the fiber and the filler and extremely enhance the damping performance (squeak prevention effect) and heat insulation performance.例文帳に追加

コルク粒が配合されることにより、繊維および充填材の配合率を増大させることなく、コンパウンド層(表面層)2中の空隙を増大させ、制振性能(ひいては鳴き防止効果)および断熱性能を著しく高めることができる。 - 特許庁

The multi-layer insulation film, for example, is provided between a magnetic resistive element and a shield layer shielding this magnetic resistive element, and used as a shield gap film in a thin film magnetic head having a shield gap film insulating these parts.例文帳に追加

多層絶縁膜は、例えば、磁気抵抗素子と、この磁気抵抗素子をシールドするシールド層と、磁気抵抗素子とシールド層との間に設けられ、これらを絶縁するシールドギャップ膜とを有する薄膜磁気ヘッドにおけるシールドギャップ膜として用いられる。 - 特許庁

To provide a pattern formation method capable of preventing occurrence of a short circuit failure even when a resist layer as a lift-off layer is separated from a base insulation film by generation of film stress, and an unnecessary metal film adheres to its exposure part.例文帳に追加

本発明の課題は、膜応力の発生により、リフトオフ層としてのレジスト層が下地絶縁膜から剥離し、その露呈部分に不要な金属膜が付着してもショート不良になることを防止できるパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

例文

To provide a method for mounting a semiconductor chip on a multilayer wiring board, which can prevent the generation of swellings or crackings of an insulation layer in the most upper layer due to the air remaining in the inside space of a cylindrical conductor via hole, having a bottom and an opening on the upper end.例文帳に追加

上端が開口した有底筒状の導体ビアの内側空間に残存する空気により、最上層の絶縁層に脹らみやクラックが生ずるのを防ぐことのできる多層配線基板への半導体チップの実装方法を得る。 - 特許庁

例文

Further, an insulation layer 59 is disposed on a chip 50 so as to cover at least one part of each of the common electrode 52 and the first individual electrode 53a and the second individual electrode 53b is formed on the insulating layer 59.例文帳に追加

また、チップ50上に形成された共通電極52及び第1個別電極53aのそれぞれの少なくとも一部を覆うようにチップ50上に絶縁層59設け、該絶縁層59上に第2個別電極53bを形成した。 - 特許庁

To prevent factors of causing wiring crack, void and broken line in the formation of a wiring at an upper layer part of metallic wires by eliminating a step difference of an inter-layer insulation film covering the metallic wires in the case of forming the metallic wires made of a thick aluminum film on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上に厚いアルミニウム膜の金属配線形成した際、それを被覆する層間絶縁膜の段差を取り除く事で、その上層部での配線形成における配線クラック、ボイド、断線の要因を防止する。 - 特許庁

A first HSQ film 3 comprising a low-permittivity film with an Si-O base is formed over a first wiring layer 1 with a protective insulation film in between, and the surface of the first HSQ film 3 is modified to form a first SRO layer 4.例文帳に追加

第1配線層1上に保護絶縁膜を介してSi−Oベースの低誘電率膜から成る第1のHSQ膜3が形成され、前記第1のHSQ膜3表面が改質され第1のSRO層4が形成される。 - 特許庁

To provide a resin-attached metal foil and a multilayered printed wiring board which uses it, wherein a high plate peeling strength is provided between an outer layer circuit formed of copper plating and an insulation resin layer which is required for a build-up construction of additive method.例文帳に追加

アディティブ方式のビルドアップ工法に要求される、銅めっきで形成する外層回路と絶縁樹脂層との間に、高いめっきピール強度を付与することができる樹脂付き金属箔、それを用いた多層プリント配線板を提供する。 - 特許庁

To provide a component built-in type multilayer printed circuit board capable of maintaining insulation property between an electrode of the built-in component and a wiring layer in an upper layer, even if the component is built in a coreless substrate in order to reduce total board thickness, along with its manufacturing method.例文帳に追加

総板厚を薄くする為にコアレス基板に部品を内蔵しても、内蔵された部品の電極と上層の配線層との絶縁性を保つことが出来る部品内蔵型多層プリント配線板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Based on a surface of the resin insulation layer 24 as an outermost layer exposed from the upper surface 31 of the wiring lamination portion 30, the capacitor connection terminal 42 is higher than a reference surface and the IC chip connection terminal 41 is lower than the reference surface.例文帳に追加

配線積層部30の上面31にて露出する最外層の樹脂絶縁層24の表面を基準としたとき、コンデンサ接続端子42は基準面よりも高く、ICチップ接続端子41は基準面よりも低くなっている。 - 特許庁

To provide a laminate for both-sided wiring board and a both sided wiring board comprising it in which the permittivity of an insulation layer can be lowered, while reducing dielectric loss sufficiently, even if an adhesive layer is provided.例文帳に追加

接着層を設ける場合でも絶縁層の低誘電率化、低誘電損失化を十分図ることができ、しかも十分な密着力が得られる両面配線基板用積層体およびそれを用いた両面配線基板を提供する。 - 特許庁

To provide an electron emitting element in which electrical operation characteristics can be improved by suppressing signal distortion due to a parasitic capacitor action of an insulating layer while securing electrical insulation between driving electrodes by being equipped with the insulating layer by a film thickening process.例文帳に追加

厚膜工程による絶縁層を備えて駆動電極間の電気的絶縁を確保しながら、絶縁層の寄生キャパシター作用による信号歪曲を抑制して電気的動作特性を向上させることができる電子放出素子を提供する。 - 特許庁

This restrains the expansion of the resin insulation layer and the deformation of the wiring layer accompanying with shrinkage, thus improving the reliability of the solder junction.例文帳に追加

最上層のランドの外周に内接する貫通導体をランドの外周に沿って複数配置し、ランド外周部を固定することで、樹脂絶縁層の膨張、収縮に伴った配線層の変形を抑制し、はんだ接合部の信頼性を向上させる。 - 特許庁

When a patterned part 10 is formed on a substrate having an insulation layer 21 coated with a resist layer 23, an EB reduction projection aligner performs exposure such that an exposed patterned part 10' has a width W' wider than a target width W of the patterned part 10.例文帳に追加

絶縁層21上にレジスト層23が塗布された基板にパターン部10を形成する際、露光後のパターン部10´の幅W´が、目標とするパターン部10の幅Wより広くなるようにEB縮小投影露光機で露光する。 - 特許庁

The electrode pad PAD is essentially an aluminum layer 11 connected to an inside conductive region, is formed on an interlayer insulation film 10 such as an SiO_2 film, and is so structured as to be exposed in an opening of a passivation film 12 formed in the most upper layer.例文帳に追加

電極パッドPADは、内部の導電領域と接続される実質的なアルミニウム層11で、SiO_2膜などの層間絶縁膜10上に形成され、最上層のパッシベーション膜12の開口部に露出するように構成されている。 - 特許庁

The first subassembly 1, having a positive electrode activator layer 14, a negative electrode activator layer 15, and an insulation part 16 at least on one surface of a complex current collector foil 10, formed by connecting a positive electrode current collector foil 11 and a negative electrode current collector foil 12, is manufactured.例文帳に追加

正極集電箔11と負極集電箔12とを接続してなる複合集電箔10の少なくとも片面に、正極活物質層14、負極活物質層15および絶縁部16を備えた第一サブアッシー1を作製する。 - 特許庁

To provide a spark plug having a glazed layer containing a small quantity of Pb component, capable of being glazed at a relatively low temperature, having an excellent insulation property, easy to obtain a smooth glazed face, and capable of improving the mechanical strength of an insulator having the glazed layer.例文帳に追加

Pb成分の含有量が少なく、しかも比較的低温で釉焼可能であって絶縁性に優れ、しかも平滑な釉焼面を得やすく釉薬層付き絶縁体の機械的な強度も向上できる釉薬層を有したスパークプラグを提供する。 - 特許庁

The optical thin film structure is formed by laminating the transparent conductive film 2 and the low refractive index film 3 consisting of the hydrophobic porous silica material through an intermediate adhesive layer 4 composed of a transparent insulation layer such as a SiO_2 film on a glass substrate 1.例文帳に追加

ガラス基板1上に、SiO_2膜などの透明絶縁層から成る中間密着層4を介して、透明導電膜2と疎水性多孔質シリカ材料から成る低屈折率膜3とを積層して光学薄膜構造体を形成する。 - 特許庁

To provide: a metal substrate with an insulating layer which has long-term reliability in insulation and a manufacturing method thereof; a semiconductor device using the substrate with the insulating layer and a manufacturing method thereof; and a solar cell and a manufacturing method thereof.例文帳に追加

絶縁性に対する長期の信頼性を有する絶縁層付金属基板およびその製造方法、この絶縁層付金属基板を用いた半導体装置およびその製造方法、ならびに太陽電およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A substrate made of single-crystal silicon is prepared, wherein a semiconductor layer that is made of P conductivity-type silicon having higher impurity concentration than a semiconductor substrate and is arranged on the surface of the semiconductor substrate, with a surface having (100) plane with an insulation layer in between.例文帳に追加

単結晶シリコンからなり、表面が(100)面の半導体基板の表面上に、絶縁層を介して、半導体基板よりも不純物濃度の高いP導電型のシリコンからなる半導体層が配置された基板を準備する。 - 特許庁

A part of a first platinum film 15 comprising the first lower layer platinum film 15a and the second lower layer platinum film 15b existing on the second interlayer insulation film 14 is removed to form a lower electrode 15A comprising the first platinum film 15.例文帳に追加

第1の下層白金膜15a及び第2の下層白金膜15bからなる第1の白金膜15における第2の層間絶縁膜14の上に存在する部分を除去して、第1の白金膜15からなる下部電極15Aを形成する。 - 特許庁

The protecting insulation film 12B formed of the oxidized surface of the GaN group semiconductor layer deposited on a substrate 11 in advance is formed on an active region 12A formed of an unoxidized portion among portions of the GaN group semiconductor layer.例文帳に追加

予め基板11上に堆積されたGaN系半導体層の表面部が酸化されてなる保護絶縁膜12Bが、GaN系半導体層のうち酸化されなかった部分よりなる活性領域12Aの上に形成されている。 - 特許庁

The semiconductor dynamic quantity sensor 10 is provided with the wiring 32, which is formed by etching a silicon semiconductor crystal in which an active layer is stacked on the support board via an insulation layer and which connects respective fixed electrodes of a sensor element 12 with electrode pads 36.例文帳に追加

半導体力学量センサ10は、支持基板の上に絶縁層を介して活性層を重ねたシリコン半導体結晶をエッチングすることにより形成され、センサ素子12の各固定電極と電極パッド36とを繋ぐ配線32を備える。 - 特許庁

To provide a heat conductive polyimide-metal substrate not only having superior heat conductivity, practical bonding strength between a metal layer and an insulation layer, and superior heat resistance, but also exhibiting small warpage in a metal laminate and having superior workability and handlability.例文帳に追加

熱伝導特性に優れ、実用的な金属層と絶縁層との接着強度を有し、優れた耐熱性を備えるだけでなく、金属積層体の反りも小さく、加工性、ハンドリング性にも優れた熱伝導性ポリイミド−金属基板を提供する。 - 特許庁

An interlayer insulation film 6 coating a ferroeelctric capacitor structure 1 formed by a platinum electrode layer 3, a PZT film 4, and an upper platinum electrode layer 5 is formed on a Si substrate 2 by a plasma CVD method to open a contact hole 6A.例文帳に追加

Si基板2上に白金電極層3、PZT膜4、上部白金電極層5をもつて形成された強誘電体キャパシタ構造1を覆って層間絶縁膜6をプラズマCVD法により形成し、コンタクトホール6Aを開口する。 - 特許庁

This method is provided with a first step wherein a wire member having an insulation layer and a fusion layer is wound in a coil shape on conductor, and a second step wherein adjacent wire members of the coil are brought into closely contact with each other by using ultrasonic wave.例文帳に追加

導体上に絶縁層及び融着層を備える線材をコイル状に巻きつける第1の工程と、前記コイルの隣接する線材同士を超音波により密着させる第2の工程よりなるアクチュエータ用コイルの製造方法である。 - 特許庁

In this manufacturing method of a chip varistor, after an external electrode 13 and an insulation protection layer 14 are formed in a surface of a varistor unit 11 with an inner electrode 12 and the varistor unit 11 is subjected to heat treatment, a plating layer 15 is formed on the external electrode 13.例文帳に追加

内部電極12を備えたバリスタユニット11の表面に外部電極13及び絶縁保護層14を形成し、このバリスタユニット11を熱処理した後、外部電極13上にめっき層15を形成するチップバリスタの製造方法。 - 特許庁

Between the respective collector electrodes 12A and 12B, the active layers 11 of the collector electrode 12A, the insulation layer 14 and the active layers 11 of the collector 12B are arranged in this order to form a unit cell having electric double layer capacitance.例文帳に追加

各集電電極12A及び12Bの間には、集電電極12Aの活性層11、絶縁層14、及び、集電電極12Bの活性層11がこの順に配列され、電気二重層容量を有する単位セルが形成される。 - 特許庁

To provide a method of depositing a metallic layer by which problems caused by the infiltration of a plating solution can suitably be prevented, and the effect of reducing the dielectric constant of an insulation layer can sufficiently be obtained as well, and to provide a metallic foil stacked matter which can be obtained by the same method.例文帳に追加

メッキ液の浸透による問題を好適に防止でき、しかも絶縁層の誘電率の低減効果も十分得られる金属層の形成方法、及びその方法により得ることができる金属箔積層体を提供する。 - 特許庁

A sound insulation panel is formed from a lamination of a first plate material and a second plate material through a muntin including the muntin member, of which the nonwoven fiber layer and the reinforcement layer may be arranged in parallel with the surface direction of the plate material.例文帳に追加

本発明の遮音パネルは、前記桟材を含む桟を介して第1の面材と第2の面材とが積層された遮音パネルであって、前記桟材の不織繊維層及び補強層が面材の面方向と平行になるように配設されていてもよい。 - 特許庁

This wiring board with a built-in component includes a core material 11 in which the storage part is opened, a component (capacitor) 50 stored in the storage part of the core material 11, and a laminated part formed by alternately laminating an insulation layer and a conductor layer on the core material 11.例文帳に追加

部品内蔵配線基板は、収容部を開口したコア材11と、このコア材11の収容部に収容される部品(キャパシタ)50と、コア材11に絶縁層及び導体層を交互に積層形成した積層部を備えている。 - 特許庁

This heat-conductive film of a multilayer structure is manufactured by performing co-extrusion and film formation so that an insulation layer is arranged on one surface or each of both surfaces of a heat-conductive resin layer containing 10-90 vol.% of a filler having electric conductivity and heat conductivity.例文帳に追加

導電性と熱伝導性を有するフィラーを10〜90体積%含有する熱伝導性樹脂層の片面、あるいは両面に、絶縁層が配設されるように共押出製膜して、多層構造の熱伝導性フィルムを製造する。 - 特許庁

The ink jet head comprises a substrate 102 having a thermal conductivity not higher than 15 (W/m/k), a heat transfer layer 104 of 10 μm thick or above formed on the substrate 102, a thermal insulation layer 106 formed thereon, and a heater 118 formed further thereon.例文帳に追加

インクジェットヘッドの基板102は、熱伝導率が15(W/m/K)以下であり、この基板102上に、厚さが10μm以上の伝熱層104、その上層に熱絶縁層106を設け、その上層に発熱ヒータ118を設ける。 - 特許庁

Two photosensitive resin layers 24a, 24b, e.g. are formed on an insulation layer 23 which covers the surface of a base board 21 and a recess (opening) 26 of approximately the same size as that of a defective indicating seal 25 is formed into the second resin layer 24b.例文帳に追加

ベース基板21の表面を覆う絶縁層23上に例えば2層の感光性樹脂層24a,24bを形成し、2層目の感光性樹脂層24bに不良品表示用のシール25とほほ同じ大きさの凹部26(開口部)を形成する。 - 特許庁

To provide a method of forming a stack cell capacitor which prevents the bottom of a stack cell from becoming a square shape, prevents a liner nitride film from being side-etched, prevents the reduction in coverage of a capacitor electrode layer and a capacitor insulation film layer, and also prevents the formation of weak spots where an electric field concentrates.例文帳に追加

スタックセル型キャパシタ形成方法において、スタックセル底部が角型の形状となり、またライナー窒化膜がサイドエッチされ、キャパシタ電極層やキャパシタ絶縁膜層のカバレッジ悪化し、電界集中のウィークスポットが形成されることを防ぐ。 - 特許庁

This insulated heat shield 20 is formed by a metallic layer on the outside, an insulation layer at the center for isolating heat and damping noise, and a metal on the inside adjacent directly to the part 10 to be shut off and reflecting heat for the part 10 to be shut off.例文帳に追加

熱遮蔽物20は、外側の金属層と、熱を隔離し騒音を減衰させる中央の絶縁層と、遮蔽される部品10に直接隣接し、この遮蔽される部品10に熱を反射する内側の金属とで形成される。 - 特許庁

The ventilation device 1 is installed by forming an opening section 310 to the underfloor heat-insulating layer 31 partitioning an underfloor space 50, communicating with the outside air and an underfloor ventilating layer 41 formed on the lower side of a floor 21 in heat insulation.例文帳に追加

本発明の通気装置1は、外気に連通する床下空間50と床21の下側に形成した床下通気層41とを断熱的に区画する床下断熱層31に開口部310を設けて取り付けられる通気装置1である。 - 特許庁

In the optical module having an insulation layer 5 in which an optical element 7 is mounted on the substrate 1 having the waveguide, the heat generated from the optical element 7 is effectively and widely dissipated by using a transparent resin layer 8 and a high heat conductive resin 9.例文帳に追加

導波路を有する基板1上に光素子7を搭載した絶縁層5を有する光モジュールにおいて、透明樹脂層8と高熱伝導性樹脂9を用いて光素子7から発生する熱を効率的に広く拡散する。 - 特許庁

Accordingly, ions to be implanted reach an exposed surface, where ends of a silicon layer 13 and the embedded insulation layer 17 are exposed without being interrupted by the resist 18, and the parasitic channel suppression ion implantation can be performed efficiently.例文帳に追加

したがって、イオン注入されるイオンが、レジスト18に邪魔されることなく、シリコン層13と埋め込み絶縁層17の端部の一部が露出した露出面に到達し、寄生チャンネル抑制イオン注入を効率的に行うことができる。 - 特許庁

Then, a specific voltage is applied to the pads 5 and 6, a semiconductor device where the insulation between the first-layer wiring 3 and the second layer wiring 4 is not appropriate is detected, and the semiconductor device is eliminated.例文帳に追加

第2配線は、第1配線と電気的に接続されない、あるいは、前記第1配線と高インピーダンス状態で接続されているため、比較的容易に、第1配線と第2配線の間の層間絶縁不良の半導体装置が検出される。 - 特許庁

The thin film transistor 10 is provided with a semiconductor layer 22, a gate insulation film 21, a gate electrode 20, a source electrode 23, and a drain electrode 24 on the precondition that the thin film transistor 10 is provided above an organic resin layer 15 which a substrate 14 to be processed includes.例文帳に追加

半導体層22と、ゲート絶縁膜21と、ゲート電極20と、ソース電極23と、ドレイン電極24とを具備する薄膜トランジスタ10であって、被処理基板14が有する有機樹脂層15の上方に設けることを前提とする。 - 特許庁

In the embodiment of a gate insulation type transistor, a gate insulating layer is formed of a ferroelectric semiconductor yttrium barium copper oxide, and the capacity of the transistor is increased, or the transistor is latched in accordance with the polarizing direction of the ferroelectric dielectric layer.例文帳に追加

ゲート絶縁型トランジスターの実施例では、強誘電性半導体イットリウムバリウム銅酸化物によってゲート絶縁層が形成され、その強誘電体層の分極方向によって、トランジスターの容量が増加、またはトランジスターにラッチがかかる。 - 特許庁

To easily form Ru doping semi-insulating semiconductor layer having higher insulation with high reproducibility even under a growth environment in which a large amount of hydrogen exists in order to practically use a buried type optical semiconductor element using the Ru doping semi-insulating semiconductor layer.例文帳に追加

Ruドーピング半絶縁半導体層を用いた埋め込み型光半導体素子の実用化のため、水素の大量に存在する成長環境下においても、より絶縁性の高いRuドーピング半絶縁半導体層を再現よく、容易に形成する。 - 特許庁

例文

An air gap 50 for ensuring insulation of both electrode layers is formed between the first electrode layer 46 and the auxiliary electrode layer 48 except a position corresponding to the circumferential fringe 43a of the cavity 43.例文帳に追加

第1電極層46と補助電極層48との間に両電極層同士の絶縁状態を確保する絶縁用空隙50が形成され、絶縁用空隙50はキャビティ43の周縁43aに対応する位置を外して形成されている。 - 特許庁




  
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