「layer-insulation」に関連した英語例文の一覧と使い方(87ページ目) - Weblio英語例文検索

A side wall laminated with at least an insulation layer 3 and gate electrodes 4a, 4b is provided facing an electron-emitting film 5, with regions partially different heights (t1, t2).例文帳に追加

電子放出膜５に面して少なくとも絶縁層３とゲート電極４ａ，４ｂとで積層される側壁を有し、該側壁は、部分的に高さの異なる（ｔ１，ｔ２）領域を備える。 - 特許庁

A metal thin film 3 is formed on the other surface of the base insulation layer 1, and a plurality of stripe grounding patterns 4 are formed in parallel to each other thereon.例文帳に追加

一方、ベース絶縁層１の他面には、金属薄膜３が形成され、金属薄膜３上には、複数のストライプ状のグランドパターン４が平行に並ぶように形成されている。 - 特許庁

Since the oxide semiconductor element has the gate insulation layer having the recess structure, various electric characteristics such as charge mobility, threshold voltage distribution, and operation current can be improved.例文帳に追加

酸化物半導体素子がリセス構造を有するゲート絶縁層を具備することによって、電荷移動度、閾値電圧分布、動作電流などの多様な電気的特性を向上させることができる。 - 特許庁

A shielding electrode 18 separated from the terminal connection electrode is formed on the front side of the mount board, and an insulation layer 19 for disconnecting the terminal connection electrode is formed on the shield electrode.例文帳に追加

実装基盤表面に端子接続電極と離したシールド電極１８を形成し、シールド電極上に端子接続電極との接続を遮断する絶縁層１９を形成する。 - 特許庁

That is, the upper electrode 212e of the PIN diode 212 is formed in the same layer as a common electrode formed on the insulation film 47 on a TFT array substrate 10.例文帳に追加

即ち、ＰＩＮダイオード２１２の上電極２１２ｅは、ＴＦＴアレイ基板１０上において、絶縁膜４７上に形成された共通電極と同層に形成されている。 - 特許庁

To obtain a semiconductor forming method and semiconductor manufacturing apparatus capable of forming layer insulation films having superior planarization characteristics, without contg. seams or hillocks at a low reflow temp.例文帳に追加

本発明は、シームや鬆を含まず優れた平坦化特性の層間絶縁膜を低いリフロー温度で薄膜形成できる半導体形成方法および半導体製造装置を得る。 - 特許庁

To provide a multilayer printed wiring board wherein an insulation resin layer has low dielectric and a low dielectric tangent and fine wiring is formed by pattern electric plating, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

絶縁樹脂層が低誘電、低誘電正接であり、尚且つパターン電気めっきで微細配線が形成された多層プリント配線板ならびにその製造方法を提供する。 - 特許庁

Metal electrodes 15 and 16 are arranged via an inter-layer insulation film 7 on the LDD region, and the metal electrodes are electrically connected with the gate electrode at a prescribed part.例文帳に追加

ＬＤＤ領域上には層間絶縁膜７を介して金属電極１５、１６が配置され、金属電極はゲート電極と所定の箇所で電気的に接続されている。 - 特許庁

After that, hydrogenating anneal processing is executed to introduce hydrogen from a channel protection layer 13a formed by patterning the hydrogen-containing silicon-based insulation film 13 to the microcrystalline silicon thin film 7a.例文帳に追加

その後、水素含有シリコン系絶縁膜１３をパターニングしてなるチャネル保護層１３ａから微結晶シリコン薄膜７ａに対して、水素を導入するための水素化アニール処理を行う。 - 特許庁

Then, a painted polyethylene resin layer (an insulation member) 41 is provided at least one side of between the motor 10 and the encoder 20 and between the plate spring 30 and the encoder 20.例文帳に追加

そして、モータ１０とエンコーダ２０との間及び板バネ３０とエンコーダ２０との間の少なくとも一方に塗装されたポリエチレン樹脂層（絶縁部材）４１を設けたことを特徴とする。 - 特許庁

To suppress stripping of film due to stress on the sealing resin layer of a semiconductor chip having a multilayer wiring structure including a low-k film as an interlayer insulation film.例文帳に追加

層間絶縁膜としてｌｏｗ−ｋ膜を含んだ多層配線構造を備えた半導体チップが封止樹脂層の応力に起因して膜剥がれを生じるのを抑制すること。 - 特許庁

An insulation layer 14 is formed on the cathode electrode lines 13, and a plurality of strip-shaped gate electrode lines 15 crossing the cathode electrode lines 13 are formed thereon.例文帳に追加

カソード電極ライン１３上には、絶縁層１４が形成され、その上にカソード電極ライン１３と交差する帯状の複数本のゲート電極ライン１５が形成されている。 - 特許庁

Indium ions are implanted into a TiN film 10 which is the gate electrode on the condition that they do not reach the gate insulation film 9, to form an In ion implanted layer 12 in the TiN film 10.例文帳に追加

ゲート絶縁膜９に達しない条件で、ゲート電極であるＴｉＮ膜１０中にインジウムイオンを注入し、ＴｉＮ膜１０中にＩｎイオン注入層１２を形成する。 - 特許庁

Then, quantity of the over-etching is fixed and the etching is performed while leaving the upper layer metal film by calculating and fixing etching time by film thickness of an insulation film and its etching rate.例文帳に追加

そこで、絶縁膜の膜厚とそのエッチングレートよりエッチング時間を算出して固定にすることで、オーバーエッチングの量を一定にし、上層金属膜を残したままエッチングする。 - 特許庁

If the thickness of an insulation layer is decreased in an SOI integrated circuit including a trench capacitor DRAM array, crosstalk is caused between a trench capacitor and the passing wordline 214 which passes over the trench capacitor.例文帳に追加

トレンチ・キャパシタＤＲＡＭアレイを有するＳＯＩ集積回路において、絶縁層の厚さが減少すると、トレンチ・キャパシタ上を通るパッシング・ワード線２１４との間にクロストークを生じる。 - 特許庁

To sufficiently planarize a layer insulation film in a semiconductor device having a hollow-structured wiring, thereby avoiding drawbacks such as wiring breaks at steps due to the difference between absolute steps.例文帳に追加

中空構造配線を有する半導体装置における層間絶縁膜を十分に平坦化でき、絶対段差の差に起因する配線の段切れ等の不具合を防止できるようにする。 - 特許庁

When forming the nitride semiconductor lamination structure made of group III nitride semiconductor, an insulation film mask 8 having an opening 9 is formed on an n-type GaN layer 7.例文帳に追加

III族窒化物半導体からなる窒化物半導体積層構造の形成工程において、ｎ型ＧａＮ層７の上には、開口部９を有する絶縁膜マスク８が形成される。 - 特許庁

Subsequently, the first silicon insulation film 28 in that specified region is removed by etching liquid of aqueous solution containing hydrofluoric acid through a removing part 29W of the photoresist layer.例文帳に追加

その後、このフォトレジスト層の除去部２９Ｗを通じてその特定領域の第１のシリコン絶縁膜２８を弗化水素酸を含む水溶液によるエッチング液によって除去する。 - 特許庁

To provide a heat resistant panel widely used for a building material or the like having high heat resistance and heat insulation by integrally laminating a face material on a phenol resin foam layer.例文帳に追加

本発明はフェノール樹脂フォーム層に面材を一体的に積層することによって、耐熱性及び断熱性に富む建築材料等に幅広く使用される耐熱パネルを目的とする。 - 特許庁

A light emitting device includes an organic EL layer 133 between a pixel electrode 115 arranged on a flattened interlayer insulation film and a facing electrode 116 facing the pixel electrode 115.例文帳に追加

平坦化された層間絶縁膜上に設けられた画素電極と、前記画素電極に対向する対向電極との間に有機ＥＬ層を設けることにより上記課題を解決する。 - 特許庁

The carrier for electrodeposition coating has a base formed of a frame, a bar, a plate or the like, wherein the base has a coating layer formed from a material having insulation properties and hydrophilicity on its surface.例文帳に追加

フレーム又はバー又は板等から成る基体を有する電着塗装用キャリアにおいて、該基体の表面に絶縁性かつ親水性を有する材料からなる被覆層を形成したこと。 - 特許庁

A polyarylene sulfide based resin composition is injection-molded at metal mold temperature of ≤100°C by using a metal mold, at an inner surface of which a heat insulation layer consisting of porous zirconia is formed.例文帳に追加

金型内表面に、多孔質ジルコニアから構成される断熱層が形成された金型を用い、１００℃以下の金型温度で、ポリアリーレンサルファイド系樹脂組成物を射出成形する。 - 特許庁

This hose is composed of a seamless bending-deformable inner pipe 1 made of a synthetic resin, and a cylindrical heat insulation layer 2 made of a cellular synthetic resin for covering an outer circumferential face of the inner pipe 1.例文帳に追加

合成樹脂製の無継ぎ目の曲げ変形可能な内管（１）と、該内管（１）の外周面を覆う筒状の発泡合成樹脂製の断熱層（２）とからなるものである。 - 特許庁

The surface of the insulation layer is oxidized by an internal combustion wet oxidation which introduces an hydrogen-containing gas (such as a hydrogen gas) and an oxygen-containing gas (such as an oxygen gas) into a reaction chamber 11.例文帳に追加

水素含有ガス（例えば酸素ガス）と酸素含有ガス（例えば酸素ガス）とを反応容器１１内に導入して行なう内燃式ウエット酸化により、絶縁層の表面を酸化する。 - 特許庁

Thereafter, with an organic silicon compound having a siloxane bond (Si-O-Si) as a material, the interlayer insulation film (5) is formed by plasma CVD on the layer (4a) containing nitrogen.例文帳に追加

その後、シロキサン（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ）結合を有する有機シリコン化合物を原料として用いて、プラズマＣＶＤ法により、窒素を含む層（４ａ）の上に層間絶縁膜（５）を形成する。 - 特許庁

The treating conditions in the case of the contact with the caustic alkali soln. are selected so as to prevent the formation of a peeled layer at the time of the application of the exchange thermal insulation coating and heat treatment in the poststages.例文帳に追加

苛性アルカリ溶液接触時の処理条件は、後段での交換遮熱コーティングの施工及び熱処理時に剥離層が形成されるのを防ぐべく選択される。 - 特許庁

With the ceramic component 2 immersed in the electrolytic solution 39, by impressing a voltage between the conductor layers 7 and 8 and the electrolytic solution 39 and measuring a resistance value, the GO/NO-GO of the electric insulation of the insulating layer 4 is detected.例文帳に追加

この状態で導体層７，８と電解液３９との間に電圧を印加し、抵抗値を測定することにより、絶縁層４の電気絶縁性の良否が検出される。 - 特許庁

To provide a printed wiring board in which the elastic modulus of an insulation layer can be made low and which is excellent in mechanical property such as drop impact resistance, etc., and thermal impact resistance and an electronic device using the same.例文帳に追加

絶縁層の低弾性率化を図り，耐落下衝撃性などの機械的特性，及び耐熱衝撃性に優れたプリント配線板，及びこれを用いた電子装置を提供する。 - 特許庁

Thus, the action of suppressing passing of the magnetic flux is obtained by the second insulation layer, and a large magnetic path cross-sectional area is ensured inside the coil and a high inductance is obtained.例文帳に追加

従って、第２の絶縁体層によって磁束の通過を抑制する作用を得つつ、コイルの内側に大きな磁路断面積が確保され、大きなインダクタンスを取得可能となる。 - 特許庁

Thereby a first insulation film 106 formed by a thermal oxidation process has a uniform thickness on the side end corner part 111 of the active layer, and local thinning does not occur.例文帳に追加

これにより、熱酸化工程により形成した第一の絶縁膜１０６は、活性層側端角部１１１においても一様な厚さとなり、局所的な薄膜化が生じない。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a crystal silicon solar cell having a reverse side insulation layer composed of an organic material by using a fabrication process which is suitable for mass production and less likely to have adverse effects.例文帳に追加

有機材料からなる裏面絶縁層を有する結晶シリコン太陽電池を、量産に適した悪影響の少ない工程により作製するための作製方法を提供する。 - 特許庁

Further, after a p--type source/drain diffused layer is also formed on the side of a p-channel MISFET, a gate side wall insulation film is formed and n+-type and p+-type source/drain diffused layers are formed.例文帳に追加

以下、ｐチャネルＭＩＳＦＥＴ側にもｐ^-型ソース、ドレイン拡散層を形成した後、ゲート側壁絶縁膜を形成し、ｎ^+型及びｐ^+型のソース、ドレイン拡散層を形成する。 - 特許庁

To inexpensively realize a structure capable of carrying out efficient measurement of performances, obtaining highly reliable measurement values, and hard to damage an insulation layer 6 in the measurement.例文帳に追加

諸性能の測定作業を能率良く行なえて信頼性の高い測定値を得る事ができ、測定作業に伴って絶縁層６を損傷しにくい構造を低コストで実現する。 - 特許庁

To make it possible to form accurately and securely in a predetermined shape a slender slit hole which consists of a plurality of insulation layer of ceramic or the like, and opens at the surface.例文帳に追加

複数のセラミックなどの絶縁層からなり且つ表面に開口する細長いスリット穴を所定の形状で精度良く確実に形成できる配線基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

Also, since the the upper layer insulation film 7a at a part adjacent to the outer side to the frame-like projection 13b is removed and a groove 16 is formed, the light transmitting reflection surface 8e is wide.例文帳に追加

また、枠状突起１３ｂに対して外側で隣接する部分の上層絶縁膜７ａが除去されて溝１６が形成されているので、導光反射面８ｅが広い。 - 特許庁

The heat diffusion section 50 is made of a metallic material and is formed on the insulation layer 52 so as to be spread from the top of the turnup conductive section 44 toward the opposite side of the heating resistor sections 42.例文帳に追加

熱拡散部５０は、金属材からなり、絶縁層５２上に形成されて、折返し導電部４４の上方から発熱抵抗部４２とは反対側に向かって広がっている。 - 特許庁

The collecting part 3a is formed in a first region R1 of the first insulative part 2a of the base insulation layer 2, and the collecting part 3b is formed in a second region R2 of the first insulative part 2a.例文帳に追加

集電部３ａはベース絶縁層２の第１絶縁部２ａの第１領域Ｒ１に形成され、集電部３ｂは第１絶縁部２ａの第２領域Ｒ２に形成される。 - 特許庁

In this manufacturing method for a high-aperture liquid crystal display which comprises an active matrix substrate having signal lines, an interlayer insulation film which covers a switching device and pixel electrodes, a opposing substrate and a liquid crystal layer between the substrates, the interlayer insulation film is formed by transferring a photosensitive thermosetting resin layer of a negative photosensitive thermosetting transfer material having a photosensitive thermosetting layer using laminating method.例文帳に追加

信号線とスイッチング装置を覆う層間絶縁膜と画素電極を有するアクティブマトリクス基板と対向基板と該両基板に介在する液晶層とを備えるハイアパーチャー型液晶表示装置の製造方法において、前記層間絶縁膜が感光性熱硬化性樹脂層を有するネガ型感光性熱硬化型転写材料の該感光性熱硬化性樹脂層をラミネート法により転写して形成されることを特徴とする。 - 特許庁

In a fibrous carbon-based insulator which is made of a fibrous carbon-based material and an insulation coating formed on the fibrous carbon-based material, the insulation coating includes a cationic polymer layer containing cationic polymer electrolyte which is formed on the fibrous carbon-based material, and an oxide layer containing metal oxide or silicon oxide which is formed on the cationic polymer layer.例文帳に追加

繊維状炭素系材料と前記繊維状炭素系材料上に形成された絶縁被膜とを備える繊維状炭素系材料絶縁物であって、前記絶縁被膜が、前記繊維状炭素系材料上に形成されたカチオン性高分子電解質を含むカチオン性ポリマー層と、前記カチオン性ポリマー層上に形成された金属酸化物またはケイ素酸化物を含む酸化物層とを備えることを特徴とする繊維状炭素系材料絶縁物。 - 特許庁

The film circuit connection material includes a first layer containing an adhesive composition and coated particles 50 partially coated by insulation fine particles 52 of a surface 51a of conductive particles 51, and a second layer made of an adhesive composition without containing coated particles 50 fitted on one side of the first layer.例文帳に追加

本発明のフィルム状回路接続材料は、接着剤組成物及び、導電粒子５１の表面５１ａの一部が絶縁性微粒子５２により被覆された被覆粒子５０を含有する第一の層と、第一の層の片面に設けられ、被覆粒子５０を含有せず、接着剤組成物からなる第二の層とを備える。 - 特許庁

A programmable ROM block 20 provided in the integrated circuit device 10 has a memory cell MC in which a floating gate FG shared in each of gates of a writing/reading transistor 220 and an erasing transistor 230 is a single layer gate structure opposite to a control gate CG consisting of an impurity layer NCU via an insulation layer.例文帳に追加

集積回路装置１０に設けられたプログラマブルＲＯＭブロック２０は、書き込み／読み出しトランジスタ２２０及び消去トランジスタ２３０の各ゲートに共用されるフローティングゲートＦＧが、不純物層ＮＣＵより成るコントロールゲートＣＧと絶縁層を介して対向した単層ゲート構造であるメモリセルＭＣを有する。 - 特許庁

To actualize the compound thin-film magnetic head, which can accurately detect the output signal of a magneto-resistance element without being affected by noise and has excellent insulation characteristics between the conductive layer and a shield layer, and the method for manufacturing the magnetic head in high yield by making the conductive layer thick and lowering its resistance.例文帳に追加

磁気抵抗素子に接続された導電層を厚くして抵抗を下げ、その出力信号をノイズに影響されずに正確に検出でき、導電層とシールド層との間の絶縁特性も良好とした複合型薄膜磁気ヘッドおよびそれを高い歩留まりで製造する方法を提供する。 - 特許庁

The light emitting element part includes a light emitting layer 80 arranged to a concave part 20 on the substrate 10 emitting light by electroluminescence, first electrodes 30 and second electrodes 50 for injecting electron into the light emitting layer 80, and a third electrode 40 arranged to the light emitting layer 80 through insulation layers 60.例文帳に追加

発光素子部は、基板１０に設けられた凹部２０に配置され、エレクトロルミネッセンスによって光を発生する発光層８０と、発光層８０に電荷を注入するための第１電極３０および第２電極５０と、発光層８０に対して第１絶縁層６０を介して配置された第３電極４０と、を含む。 - 特許庁

The EL sheet is constructed by forming a transparent conductive membrane 2, composed of a conductive polymer on the transparent substrate 1 and by forming on top of it a luminous layer 3 using a phosphor coated by a substance containing a nitride, and by laminating on top of this an insulation layer 4 and a back side electrode layer 5 in order.例文帳に追加

透明基板１上に、導電性高分子により構成された透明導電膜２を形成し、その上に、窒化物を含む物質によってコーティングされた蛍光体を用いた発光層３を形成し、その上に、絶縁層４と背面電極層５を順次積層してＥＬシートを構成する。 - 特許庁

To provide a polishing method and device and a manufacturing method of a thin film magnetic head capable of polishing a substance to be polished so as to be a predetermined residual film thickness when a substrate surface having a insulation layer covering a magnetic substance layer and buried is polished and flattened until the magnetic substance layer is exposed.例文帳に追加

本発明は、磁性体層を被覆して埋め込んだ絶縁層を有する基板表面を、磁性体層が露出するまで研磨して平坦化する際、所定の残膜厚になるように被研磨物を研磨できる研磨方法及び装置、及び薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁