意味 | 例文 (999件) |
layer-insulationの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 5895件
The insulation layer 141 is used for preventing solder of low resistance from attaching to the resistor 110, when the electrodes 121 and 122 are coated with molten solder materials 131 and 132.例文帳に追加
絶縁層141は、電極121と122を溶融はんだ材131と132で被覆する際に誤って抵抗体110へ低抵抗のはんだが付着するのを防止する。 - 特許庁
To provide a process for producing a ceramic multilayer wiring board in which a wiring conductor layer having a high pattern precision can be formed on the surface and/or internally by simultaneous sintering with an insulation substrate.例文帳に追加
パターン精度の高い配線用導体層を絶縁基体との同時焼成にて表面および/または内部に形成できるセラミック多層配線基板の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a laminated piezoelectric element such as a laminated piezoelectric actuator element wherein the insulation resistance of a piezoelectric layer does not degrade even under a high-humidity environment, for excellent moisture-resistance and reliability.例文帳に追加
高湿度環境下でも圧電体層の絶縁抵抗が劣化せず、耐湿性に優れ、高信頼性の積層型圧電アクチュエータ素子などの積層型圧電素子を提供すること。 - 特許庁
To provide a flat cable having a high resistance to a mechanical stress, and also to provide a method of manufacturing a flat cable in which foamed insulation layer is not affected by thermal bonding.例文帳に追加
機械的ストレスに対して高い耐性を有するフラットケーブルを提供し、さらに、発泡絶縁層が熱融着の影響を受けにくいフラットケーブルの製造方法を提供する。 - 特許庁
The second electrode 6 is formed under the first electrode 7 via an insulation layer 53, being comb-shaped, and including a protruding portion from the first electrode 7 in the comb teeth alignment.例文帳に追加
第2の電極6は、第1の電極7と絶縁層53を介して形成され、櫛歯状であり、櫛歯の並び方向において、第1の電極7からはみ出る部分を含む。 - 特許庁
The flat wiring member is used as wiring inside equipment of an automobile engine or the like and characterized by using a flexible printed board having no adhesive layer as an insulation electric wire.例文帳に追加
自動車用エンジン等の機内配線として使用するフラット配線材であって、接着層をもたないフレキシブルプリント基板を絶縁電線として用いたことを特徴とするフラット配線材。 - 特許庁
The semiconductor device 100 is configured so that it can be manufactured as a wafer level CSP and the side surface 10b of the semiconductor component 10 is protected by the insulation layer 20.例文帳に追加
半導体装置100は、ウェハレベルCSPとして製造可能な構成をしており、絶縁層20によって半導体素子10の側面10bが保護された構成をしている。 - 特許庁
To reduce parasitic capacity in a groove wiring, using a simple method whereby a low dielectric constant film can be applied effectively to a layer insulation film by facilitating dry-etching of an SiC film.例文帳に追加
SiC膜のドライエッチングを容易にし、低誘電率膜を効果的に層間絶縁膜に適用でき簡便な方法で溝配線間の寄生容量の低減を可能にする。 - 特許庁
To provide a laminated ceramic capacitor having a dielectric layer with which a high dielectric constant and high insulation can be obtained even if a diameter of a crystal grain is made small, and to provide a manufacturing method of the capacitor.例文帳に追加
結晶粒子の粒子径を小さくしても高誘電率かつ高絶縁性が得られる誘電体層を具備する積層セラミックコンデンサおよびその製法を提供する。 - 特許庁
The silica layer, normally continuous in the direction of line B-B with no break, can be cut off in the way by means of the embedded first insulation film 5.例文帳に追加
通常、B−B’線方向に沿ってシリカの層が途切れること無く続いてしまうが、この埋め込まれた第一の絶縁膜5により、シリカ6の層を途中で遮断することができる。 - 特許庁
In the manufacturing method, a cathode electrode 2, an insulation layer 4 and a gate electrode 5 are laminated on a substrate 1, polymers A, B which are not dissolved with each other are dissolved in a solvent and coated on a surface of the gate electrode.例文帳に追加
基板1上にカソード電極2と絶縁層4とゲート電極5を重ね、互いに溶け合わないポリマーA,Bを溶媒で溶解してゲート電極の表面に被着する。 - 特許庁
To provide a design method of an integrated circuit device capable of reducing characteristic variation of a macrocell due to the difference of an automatic generation part of a dummy pattern for a flattening process of an insulation layer surface; and the like.例文帳に追加
絶縁層表面の平坦化処理用ダミーパターンの自動発生箇所の相違によるマクロセルの特性変動を低減する集積回路装置の設計方法等を提供すること。 - 特許庁
In the non-volatile semiconductor memory device, a charge accumulation layer is eliminated from element isolation regions and from an insulation region between a memory transistor and a select transistor to prevent electric charges from being injected and accumulated in these regions.例文帳に追加
素子分離領域、及びメモリトランジスタと選択トランジスタとの間の絶縁領域中の電荷蓄積層をなくして同部に電荷が注入または蓄積されないようにする。 - 特許庁
A light reflection layer 109 connected to the TFT, a plurality of patterned color filters 110 and a transparent electrode 112 are laminated on the interlayer insulation film 108 in this order.例文帳に追加
層間絶縁膜108上には、TFTに接続された光反射層112、パターニングされた複数のカラーフィルタ110、および透明電極112がこの順序で積層されている。 - 特許庁
The common mode choke coil CC includes first through fifth insulation layers 3, 7, 11, 15, 19 and an adhesive layer 21 laid in layers between a first magnetic substrate MB1 and a second magnetic substrate MB2.例文帳に追加
コモンモードチョークコイルCCは、第1磁性基板MB1と第2磁性基板MB2との間に、第1〜5絶縁層3,7,11,15、19、及び接着層21を積層したものである。 - 特許庁
To provide a solid electrolytic capacitor superior in leakage current yield by decreasing probability of imperfect insulation or dielectric breakdown concerning the formation of a conductive polymer layer.例文帳に追加
導電性高分子層の形成に係る絶縁不良あるいは絶縁破壊の確率を引き下げて、漏れ電流歩留まりの高い固体電解コンデンサを提供することを目的とする。 - 特許庁
A hole forming process for through holes 13 is executed from a portion above the protection layer 28 at the front surface side of the insulation substrate 25 by using a punch 50 having a diameter d2 not less than the inner diameter d0 of the control electrode 14.例文帳に追加
絶縁性基板25の表面側の保護層28の上から、制御電極14の内径d0以上の径d2のパンチ50を用いて、通過孔13の穴開け加工を行う。 - 特許庁
The insulation layer 21 is formed on the substrate 20, and has a pattern area 211 exposed to the substrate 20; and the light emitting element 22 is fabricated on the substrate 20 and located in the pattern area 211.例文帳に追加
絶縁層21は基板20の上に設置され、さらに基板20に露出したパターンエリア211を有し、発光素子22は基板20の上に設置されてパターンエリア211内に位置する。 - 特許庁
The connection terminals 21 include the tip parts of the core wire 11 and conductive layers 22 which cover the tip parts, and an insulation adhesive layer 24 is provided between each of the connection terminals 21.例文帳に追加
接続端子21は、芯線11の先端部とこの先端部を被覆する導電層22とを含み、各接続端子21の間には絶縁接着層24が設けられている。 - 特許庁
To ensure high transmittance and a wide viewing angle by forming a structure which becomes a domain division-forming factor only on one substrate and constructing tilt controlling and alignment dividing structure with a pixel electrode component and an insulation layer shape at the lower part of the pixel electrode.例文帳に追加
対向基板との合わせ精度に依存せず、高い光透過率と広い視野角を確保することが可能なマルチドメイン型の液晶表示素子を提供することにある。 - 特許庁
Thus, a tunnel-type magnetoresistive element, having the insulation barrier layer 5 formed of Mg-O, can increase the resistance change ratio (ΔR/R), as compared with conventional types.例文帳に追加
これにより、絶縁障壁層5がMg−Oで形成されたトンネル型磁気抵抗効果素子において、従来に比べて、抵抗変化率(ΔR/R)を増大させることが可能である。 - 特許庁
A lower-layer electrode film of the image signal wire is formed on a first insulation substrate of a back panel, with a thick film applied and embedded by printing method, in a groove formed by a sandblast method or the like.例文帳に追加
背面パネルの第1絶縁基板にサンドブラスト法等で形成した溝に印刷法で塗布し埋設した厚膜で画像信号配線の下層電極膜を形成する。 - 特許庁
To provide a composition for film formation capable of forming a coating film, excellent in mechanical property, resistance to crack, in low hygroscopic property and low in dielectric constant as a layer insulation material.例文帳に追加
層間絶縁膜材料として、塗膜形成が可能で、塗膜の機械的強度、耐クラッチ性低吸湿性に優れ、かつ低比誘電率の塗膜形成用組成物を提供する。 - 特許庁
The color filter is manufactured by providing coloring parts of the respective colors comprising transferred coloring images composed of coloring toners adhered to electrostatic latent image parts made by an electrophotographic method by wet developing on an insulation layer.例文帳に追加
絶縁層上に、電子写真方式による静電潜像部に着色トナーを湿式現像して付着させた着色転写像からなる,各色の着色部を設けている。 - 特許庁
A recess 7 is formed on the second electron supply layer 33, and a laminate including the insulation film 11, p-type metal oxide semiconductor film 12, and gate electrode 10 is disposed at the recess 7.例文帳に追加
第2の電子供給層33に凹部7が形成され、この凹部7に絶縁膜11とp型金属酸化物半導体膜12とゲート電極10との積層体が配置されている。 - 特許庁
To provide a one-pack epoxy resin composition excellent in workability, and to provide a method for producing a wafer-level chip size packaging device using the same as an insulation coating film layer.例文帳に追加
本発明は、作業性に優れた一液性エポキシ樹脂組成物、及びそれを絶縁被膜層に用いてなるウエハレベルチップサイズパッケージ用半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
Heat-generating core wires 5a of a heater 5 in an indirectly heated cathode structure 1 constituting an electron gun are coated with multi- layer insulation films 5b1, 5b2 of different alumina particle sizes and particle shapes.例文帳に追加
電子銃を構成する傍熱型陰極構体1におけるヒータ5の発熱芯線5aを、アルミナ粒径及びアルミナ粒子形状の異なる多層の絶縁膜5b1、5b2で被覆する。 - 特許庁
The MOSFETs each comprise a gate electrode 34 and 54 formed on the semiconductor layer via a gate insulation film 32 and 52 and impurity diffusion regions 42 and 62.例文帳に追加
MOSFETは、半導体層上にゲート絶縁膜32及び52を介して設けられているゲート電極34及び54と、不純物拡散領域42及び62とを備えている。 - 特許庁
After the diffusion panel 10 is arranged in such a manner as to cover the whole of a sound insulation layer 51 for covering a wall surface 50 of the acoustic room 40, a sound absorbing panel 20 is temporarily fixed to a surface of the diffusion panel 10.例文帳に追加
音響室40の壁面50を覆う遮音層51の全体を覆うように拡散パネル10を配設した後に、拡散パネル10の表面に吸音パネル20を仮留めする。 - 特許庁
To simplify manufacture of a foamed resin molded product, serving as a heat insulation layer mounted on a bent pipe coupling elbow in a no- determined shape, by using a single mold and to mount the molded product on a bent pipe coupling elbow with a large diameter at a low cost.例文帳に追加
形状が定まらない屈曲管継手エルボに装着することができる断熱層としての発泡樹脂成形品を単一の金型を用いて簡単に製造する。 - 特許庁
The package 11 of a crystal resonator comprises a base 13 where an insulation layer 16 is formed on the surface by applying Tafram processing to an aluminium plate and an aluminium cover 14 formed in a box shape.例文帳に追加
水晶振動子のパッケージ11は、アルミニウム板をタフラム処理して表面に絶縁層16を形成したベース13と、箱型に形成したアルミニウムの蓋14とから構成される。 - 特許庁
On a surface of a first insulation layer L1 covering the drive transistor Tdr and the capacitor C1, an element conduction part 71 electrically connected to the drive transistor Tdr via a contact hole Ha3 is formed.例文帳に追加
駆動トランジスタTdrと容量素子C1とを覆う第1絶縁層L1の面上には、コンタクトホールHa3を介して駆動トランジスタTdrに導通する素子導通部71が形成される。 - 特許庁
The gas sensor is previously provided with a ring-shaped groove part in an insulation film for supporting a wiring part of the gas sensor, with the groove part having such a depth and width as to cause an upper-layer platinum film to steppedly break.例文帳に追加
本発明のガスセンサは、ガスセンサの配線部を支持する絶縁膜に、予め上層の白金膜が段切れするような深さと幅とを持つ環状の溝部を設けた。 - 特許庁
In the gate insulation film 8, the film thickness of a part opposing the surface of the N-type epitaxial layer 3 is larger than that at a part opposing the surface of the channel formation region 5.例文帳に追加
ゲート絶縁膜8は、N型エピタキシャル層3の表面と対向する部分の膜厚が、チャネル形成領域5の表面と対向する部分の膜厚よりも大きく形成されている。 - 特許庁
The electrode part 7 is connected to the Schottky electrode 5, extends in contact with the insulation layer 4, and is formed of a material different from the material constituting the Schottky electrode 5.例文帳に追加
電極部分7は、ショットキー電極5と接続され、絶縁層4上に接触して延在するとともにショットキー電極5を構成する材料と異なる材料により構成される。 - 特許庁
It is possible to exfoliate the insulation substrate 101 by selectively solving the exfoliation layer 102 made of gold with the use of etching liquid comprising iodine, ammonium iodide, water, and ethanol.例文帳に追加
金からなる剥離層102を、ヨウ素,ヨウ化アンモニウム,水,エタノールからなるエッチング液を用いて選択的に溶解することで、絶縁性基板101を剥離することが可能である。 - 特許庁
When the insulation layer 23 is formed of a xylylene polymer, the capacitance of the through electrode structure is reduced effectively and the deterioration of a signal can be reduced thus enabling high speed signal transmission.例文帳に追加
絶縁層23を、キシリレンポリマーで形成することにより、貫通電極構造のキャパシタンスを効果的に低減して、信号の劣化が低減できると共に、高速信号伝送が可能になる。 - 特許庁
To provide a laminated resin sheet which can make a multi-layer circuit board thin and good in insulation properties and form a beer hole efficiently, minutely, and precisely by using a laser.例文帳に追加
多層回路基板の薄物化と良絶縁性、さらにレーザーを使用したビアホール形成を、効率よく、微細かつ高精度に行うことができる積層樹脂シートを提供する。 - 特許庁
To provide a liquid injection head that controls the generation of cracks caused in a piezoelectric layer and has a piezoelectric element excellent in insulation property, and a liquid injection device and a piezoelectric element.例文帳に追加
圧電体層に生じるクラックの発生が抑制され、また、絶縁性に優れた圧電素子を有する液体噴射ヘッド及び液体噴射装置並びに圧電素子を提供する。 - 特許庁
The semiconductor device 10 comprises a first upper electrode 106, including a central part 106c and a peripheral part 106p, and a layer insulation film 110 covering this element 106.例文帳に追加
半導体装置10は、中央部106cと周縁部106pとを含む第1の上部電極106と、第1の上部電極106を覆う層間絶縁膜110とを備える。 - 特許庁
On a TFT substrate 10 constituting the liquid crystal device, a circuit element layer 11, a fourth interlayer insulation film 44, a pixel electrode 37 and an alignment film 37 are piled up in this order.例文帳に追加
液晶装置を構成するTFT基板10には、回路素子層11、第四層間絶縁膜44、画素電極37、配向膜46がこの順に積層されている。 - 特許庁
The barrier layer and a laminated film 18 composed of aluminum or the alloy film are formed on the contact plug, and an insulation film and the laminated film is patterned so as to be in contact with the contact plug.例文帳に追加
前記コンタクトプラグと絶縁膜上にバリア層とアルミニウム又はその合金膜からなる積層膜18を形成し、コンタクトプラグに接触するように、前記積層膜膜をパターニングする。 - 特許庁
An electrode pad PAD comprising a substantial aluminum wiring layer 12 connecting to a not-illustrated inner conductive area is formed on a BPSG film 10 as an interlayer insulation film.例文帳に追加
図示しない内部の導電領域と接続される実質的なアルミニウム配線層12からなる電極パッドPADが、層間絶縁膜であるBPSG膜10上に形成されている。 - 特許庁
The heat insulation layer 15 has a small heat conductivity, suitably, a heat conductivity smaller than that of the air and, more suitably, a heat conductivity of ≤0.02 W/mK.例文帳に追加
断熱層15は、熱伝導率が小さいものであって、好適には空気の熱伝導率より小さい熱伝導率を有し、更に好適には熱伝導率が0.02W/mK以下である。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a chip varistor which can improve fixing force of a plating layer formed on an external electrode and minimize lowering of an insulation resistance after plating treatment.例文帳に追加
外部電極上に形成されためっき層の固着力を向上させ、さらに、めっき処理後の絶縁抵抗の低下を極力防止することのできるチップバリスタの製造方法を得る。 - 特許庁
A core wire conductor 15 is exposed by removing the insulation coating layer 16 for constituting the insulated core wire 17 between a grommet in the case and the casting resin 23 covering the print plate 12.例文帳に追加
ケース内のグロメットと、プリントプレート12を覆う注型樹脂23との間で、絶縁心線17を構成している絶縁被覆層16を除去して心線導体15を露出させる。 - 特許庁
The semiconductor device comprises a semiconductor substrate 0, an interlayer insulation film 10 formed on the substrate 0, a groove 10a on which a barrier metal layer 2 is formed, and a Cu interconnection line 100 formed in the groove 10a.例文帳に追加
半導体基板0上に形成された層間絶縁膜10に設けられ、表面にバリアメタル層2が形成された溝10aにCu配線100が形成されてなる。 - 特許庁
The anisotropic etching is performed on the condition that the lower layer insulation film be removed from the silicon film at a high selection ratio, and the SC 11 is extended until it is opened to the source drain region 5.例文帳に追加
シリコン膜に対して下層絶縁膜を高い選択比で除去し得る条件で異方性エッチングを行うことにより、ソースドレイン領域5に開口するまでSC11を延長する。 - 特許庁
Furthermore, the region with the smaller area among the two regions which are in between the set of electrodes 59 is an electrode insulation section 50 in the heat generating layer 53.例文帳に追加
さらに、発熱層53において、一組の電極部59の間に挟まれる2つの領域のうち、面積の小さい方の領域が、電流を流さない電極絶縁部50である。 - 特許庁
To provide a glass material for a dielectric layer of a plasma display panel(PDP), which is free from poisonous problems and exhibits insulation performance equivalent to that of the conventional glass containing lead and other excellent characteristics.例文帳に追加
毒性が問題とならず、従来の鉛を含むガラスと同等の絶縁特性、その他の優れた特性を発揮するプラズマディスプレイパネル(PDP)の誘電体層用ガラス材料を提供。 - 特許庁
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