「layer-insulation」に関連した英語例文の一覧と使い方(89ページ目) - Weblio英語例文検索

The effective area of the organic light-emitting layer LM is made larger than the area of a pixel part by arranging a dome-shaped part OPAS of an organic insulation layer between the concave ALC1 and the transparent substrate SUB, to take out almost all emitted light toward the transparent substrate SUB.例文帳に追加

そして凹陥ＡＬＣ１と透明基板ＳＵＢとの間に透明な有機絶縁層の山形部ＯＰＡＳを配置し、有機発光層ＬＭの実効面積を画素部の面積より拡大して発光光の略全てを透明基板ＳＵＢ方向に取り出す。 - 特許庁

The semiconductor device has such a structure that intermediate conductor layers 11 and insulation layers 12 are alternately stacked on the sides of a semiconductor structure 4 and that a conductor layer 13 is formed at least in the same layer as an electrode 5 for external connection of the semiconductor structure 4.例文帳に追加

半導体装置は、半導体構成体４の側方に中間導体層１１と絶縁層１２とが交互に積層されていると共に、少なくとも半導体構成体４の外部接続用電極５と同一の層に導体層１１を有している。 - 特許庁

In addition, on the upper surface of the flow path unit 30, a unimorph-type piezoelectric actuator 31 is arranged which is configured of an oscillating plate 40, an insulation layer 41, a common electrode 44, a piezoelectric layer 42 and individual electrodes 43a and 43b laminated in that order from below.例文帳に追加

流路ユニット３０の上面には、下から順に、振動板４０、絶縁層４１、共通電極４４、圧電層４２及び個別電極４３ａ、４３ｂが積層されることによって構成されたユニモルフ型の圧電アクチュエータ３１が配設されている。 - 特許庁

The via conductor 12 with the large diameter and the pad 13 allow the flip chip being mounted afterward to be connected surely, and at the same time, the inner via conductor 11 with the small diameter allows a clearance 5 sufficient for insulation to be formed between the inner via conductor 11 and an inner metal planar layer (conductor layer) 3.例文帳に追加

大径のビア導体１２及びパッド１３により、追って搭載されるフリップチップとの接続が確実になり、且つ小径の内部ビア導体１１により内部のメタルプレーン層(導体層)３との間に絶縁に十分な隙間５を形成することができる。 - 特許庁

Electric wires 11-13 for image signals, a drain wire 4 and electric wires 14, 15 for synchronization are arranged planarly in this order, the electric wires 11-15 and the drain wire 4 are integrally coated with a shielding layer 2, and the outer circumference of the shielding layer 2 is coated with an insulation sheath 3.例文帳に追加

映像信号用電線１１〜１３とドレインワイヤー４と同期用電線１４、１５とをこの順で平面状に配列し、これらの電線１１〜１５及びドレインワイヤー４をシールド層２で一体被覆し、シールド層２の外周を絶縁シース３で被覆する。 - 特許庁

The first tape layer forming the tape 10 is to be of a glass tape 11 excellent in tensile force, dimensional stability, electric insulation, nonflammability, and chemical properties, and at the same time, the second tape layer is to be of a silicone tape 12 excellent in heat resistance, electric characteristics, and adhesiveness.例文帳に追加

そして、テープ１０を形成する第一のテープ層を、引張り強さ、寸法安定性、電気絶縁性、不燃性、耐薬品性に優れるガラステープ１１とするとともに、第二のテープ層を、耐熱性、電気的性質、接着性に優れるシリコーンテープ１２とする。 - 特許庁

The insulation layer 19 has a difference in level structure, thereby, the remaining of a conductive layer on the electrode 5 for connection is prevented in a process of forming a pixel electrode on a picture display region 1 and the short circuit of the electrode 5 for connection is suppressed.例文帳に追加

絶縁層１９が段差構造を有することによって、画像表示領域１上に画素電極を形成する工程において接続用電極５上に導電層が残存することを防止し、接続用電極５が短絡することを抑制する。 - 特許庁

In the P-type silicon layer 3, every memory cell, N-type source and drain diffusion layers 7, 8 extended to the buried oxide film 2 are so formed that the region sandwiched between the source and drain diffusion layers 7, 8 becomes a body region 9 under a gate insulation layer 5.例文帳に追加

Ｐ型シリコン層３には、メモリセル毎に、埋込酸化膜２まで達するＮ型のソース拡散層７及びドレイン拡散層８が形成され、ゲート絶縁膜５の下でソース拡散層７及びドレイン拡散層８に挟まれた領域がボディ領域９となっている。 - 特許庁

By applying voltage between a part not covered with the insulating layer 6 on the inner-periphery surface of the respective outer rings 3, 3 and an electrode 14 dipped into the electrolyte 8, the value of resistance between them is obtained, thus determining the insulation performance of the insulating layer 6.例文帳に追加

そして、これら各外輪３、３の内周面で絶縁層６により覆われていない部分と上記電解液８に浸漬した電極１４との間に電圧を印加して、両者間の抵抗値を求め、上記絶縁層６の絶縁性能を判定する。 - 特許庁

Inside of an insulation base body 10 constituted by laminating a plurality of glass ceramic layers 10a to 10d, the inner layer wiring conductor layer 6 consisting of the metal foil having a plurality of through holes 11 formed and a metallize part charged into the through holes 11 is formed.例文帳に追加

複数のガラスセラミック層１０ａ〜１０ｄが積層されて成る絶縁基体１０の内部に、複数の貫通孔１１が形成された金属箔および貫通孔１１に充填されたメタライズ部から成る内層配線導体層６が形成されている。 - 特許庁

Next, an interlayer insulation film 108 is formed so as to form porosities 107 relative to the first metal layer 103 as the first wiring, and the surface is flattened to form a second wiring connected to a plug composed of the second metal layer 104.例文帳に追加

その後、第１の配線である第１の金属層１０３の間に空孔１０７が形成されるように層間絶縁膜１０８を形成し、その表面を平坦化して第２の金属層１０４からなるプラグに接続される第２の配線を形成する。 - 特許庁

To provide an MEMS (micro-electromechanical system) sensor in which a frame body part formed from a silicon wafer of an SOI (silicon on insulator) layer is fixed to a counter substrate while interposing a metal-bonded part between them and a protective insulation layer for covering the metal-bonded part can be formed faultlessly.例文帳に追加

ＳＯＩ層のシリコンウエハで形成された枠体部と対向基板とが金属結合部を介して固定されたＭＥＭＳセンサにおいて、金属結合部を覆う保護絶縁層を欠陥無く形成できるようにしたＭＥＭＳセンサを提供する。 - 特許庁

The second adhesive layer 9 consists of an insulation resin layer of which a glass transition temperature is 135°C or higher, a linear expansion coefficient is 100 ppm or lower at the glass transition temperature or lower, and an elastic modulus at room temperature is 500 MPa to 2 GPa.例文帳に追加

第２の接着剤層９はガラス転移温度が１３５℃以上で、かつガラス転移温度以下の線膨張係数が１００ｐｐｍ以下であると共に、常温弾性率が５００ＭＰａ以上２ＧＰａ以下である絶縁樹脂層で構成されている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an ultra-fine coaxial cable having improved adherence of an insulation-coating layer to a thin-film shield layer and good flex resistance by a very simple method that eliminates disadvantages of the conventional techniques and has a reduced environmental burden.例文帳に追加

本発明の目的は、前記した従来技術の欠点を解消し、非常に簡便で環境負荷の少ない方法で絶縁被覆層と薄膜シールド層の密着性を改善し、優れた耐屈曲性を有する極細同軸線を製造することにある。 - 特許庁

A side plate 8, a second side plate 9 and a plurality of connection parts 10 of a frame 5 comprising the first part body constituting a reel body 1 are made of a magnesium alloy, and the surface of the first part body has an anodized coating layer and a first insulation layer.例文帳に追加

リール本体１を構成する第１部品本体であるフレーム５の側板８及び第２側板９、複数の連結部１０は、マグネシウム合金製であり、第１部品本体の表層側には、陽極酸化被膜層及び第１絶縁膜層が形成されている。 - 特許庁

The wiring board 30 with a metal post is provided with a semiconductor element mounting area 12 wherein a semiconductor element is mounted to one side of a substrate 10 that is comprised of an insulation layer 16 having at least one or more layers and a wiring layer having at least two or more layers.例文帳に追加

金属ポスト付き配線基板３０は、少なくとも１層以上の絶縁層１６と、少なくとも２層以上の配線層とにより構成された基体１０の片方の面に、半導体素子を搭載する半導体素子搭載領域１２が設けられている。 - 特許庁

A resistor layer 21 of division resistor 19, which is to be mounted within the cathode ray tube, has long portions 24 extending in a direction of a length of an insulation substrate 20 in extended position at a time when potential difference of the resistor layer 21 and an electrode of an electron gun 4 is knocking processed.例文帳に追加

陰極線管内蔵分割抵抗体１９の抵抗体層２１が、抵抗体層２１と電子銃４の電極との電位差がノッキング処理時に大となる箇所で、絶縁基板２０の長手方向に延在する長線部２４を有している。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device which can realize rapid operation by a simple method by reducing interlayer capacitance in a wiring layer and the inter-wiring capacitance on the same layer by forming a low dielectric interlayer insulation film.例文帳に追加

低誘電率の層間絶縁膜を形成することによって配線層間容量及び同一層配線間容量の低減を図り、簡便な方法により高速動作を実現することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the field effect transistor having a semiconductor layer formed by a coating process, the semiconductor layer contains a compound having a porphyrin skeleton, and a source electrode and/or a drain electrode are disposed at a recess of a gate insulation film.例文帳に追加

塗布プロセスにより形成される半導体層を持つ電界効果トランジスタにおいて、半導体層がポルフィリン骨格を有する化合物を含有し、ソース電極及び／又はドレイン電極が、ゲート絶縁膜の凹部に配置されていることを特徴とする電界効果トランジスタ。 - 特許庁

To provide a nitride based semiconductor epitaxial substrate capable of ensuring the electric insulation between a device layer side and a GaN monocrystal substrate, and capable of restricting a diffusion of Mg for controlling the conductivity to the device layer side, its manufacturing method and a substrate for HEMT.例文帳に追加

デバイス層側とＧａＮ単結晶基板との電気絶縁性を確保でき、且つ、伝導性制御用のＭｇがデバイス層側に拡散することを抑制できる窒化物系半導体エピタキシャル基板、その製造方法、及びＨＥＭＴ用基板を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a laminated piezoelectric body excellent in reliability by forming a uniform glass insulation layer with suppressed defects in a side where the end of an internal electrode layer of a laminated piezoelectric material is exposed, and to provide its manufactured product.例文帳に追加

積層型圧電体の内部電極層の端面が露出している側面部分に欠陥を抑えた均一なガラス絶縁層を形成し、信頼性に優れた積層型圧電体を製造する方法およびその製造物を提供することを目的とする。 - 特許庁

The multilayer wiring structure has a lower layer conductor wiring 12 and an upper layer conductor wiring 14 insulated from each other by an interlayer insulation film 13 provided with a via hole 15 for electrically conducting two conductor wiring layers.例文帳に追加

多層配線構造は、層間絶縁膜１３によって相互に絶縁された下層導体配線１２と上層導体配線１４とを有し、当該２層の導体配線層の電気的導通を取るために層間絶縁膜１３にヴィアホール１５が設けられている。 - 特許庁

As a result, since the electrochemical reaction of the lead with the moisture in the piezoelectric layer 14 can be stopped and the high insulation characteristics of the piezoelectric layer 14 canbe maintained even in high humidity environments, the piezoelectric element that is superior in reliability in high humidity environments is obtained.例文帳に追加

これにより、圧電体層１４中の鉛と水分との電気化学的な反応を止め、高湿度環境においても圧電体層１４の高い絶縁特性を維持することができるため、高湿度環境下における信頼性に優れた圧電体素子が得られる。 - 特許庁

To provide a wiring board with built-in capacitor and its manufacturing method wherein glass components of a glass ceramic green sheet have high crystallinity so that, even when water inrushes into a dielectric layer from the outside, insulation resistance of the dielectric layer is prevented from being deteriorated.例文帳に追加

ガラスセラミックグリーンシートのガラス成分の結晶化度が高く外部から誘電体層まで水分が浸入した場合においても、誘電体層の絶縁抵抗が劣化することのないコンデンサ内蔵配線基板およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

A foamed laminate having a remarkable effect of improving heat insulation efficiency can be obtained by making a foamed laminate having at least one structure in which a foamed layer is laminated in the thickness direction through a non-foamed layer containing a heat radiation suppressing material.例文帳に追加

厚み方向に発泡層が熱線輻射抑制材を含む非発泡層を介して積層された構造を少なくとも１個有する発泡積層体とすることにより、顕著な断熱性能の改善効果を有する発泡積層体を得ることができる。 - 特許庁

A first insulating layer 22 having the gate opening and source/ drain openings is formed on a substrate, an LDD resist mask is formed on the first insulation layer, and ions are implanted through the source/drain openings so as to form a lightly doped first drain region 34 on the substrate.例文帳に追加

基板上にゲート開口部とソース／ドレーン開口部を有する第一絶縁層２２を形成し、第一絶縁層上にＬＤＤレジストマスクを形成し、基板に軽くドープした第一ドレーン領域３４を形成すべくソース／ドレーン開口部を通じてイオンを打ち込む。 - 特許庁

In the sensor element 10 of this gas sensor, an active brazing material has not only high wettability to a surface in each of electrode pad parts 118, 119, 232 comprising base metal but also high wettability to surfaces of an insulation layer 51 comprising mainly alumina and the second base layer 123.例文帳に追加

ガスセンサのセンサ素子１０において、活性ロウ材は、卑金属からなる各電極パッド部１１８，１１９および２３２の表面との濡れ性のみならず、アルミナを主体とする絶縁層５１および第２基層１２３の表面との濡れ性も高い。 - 特許庁

The sidewalls of the first to fifth inter-word-line insulation layers 31a-31e on the memory columnar semiconductor layer 38 side are formed to tilt in a direction approaching the center axis of the memory columnar semiconductor layer 38 as they move from the upper side to the lower side.例文帳に追加

第１〜第５ワード線間絶縁層３１ａ〜３１ｅのメモリ柱状半導体層３８側の側壁は、上方から下方へと移動するに従いメモリ柱状半導体層３８の中心軸に近づく方向へ傾斜するように形成されている。 - 特許庁

In a process of forming an auxiliary wiring layer of the organic EL device, after a side of a transfer material 1 where a conductive layer 11 is formed is insulation-displaced at a side of the substrate 120 where barrier ribs 116 are formed, the base material 10 is pulled off the substrate 120.例文帳に追加

有機ＥＬ装置の補助配線層を形成する工程では、転写材１において導電層１１が形成されている側を、基板１２０において隔壁１１６が形成されている面側に圧接させた後、基板１２０から基材１０を引き離す。 - 特許庁

In the thin-film transistor, an insulation film 2 and a channel layer 3 made of AZO semiconductor are formed on the surface of a gate electrode 1 in this order, and a source electrode 4 and a drain electrode 5 are formed on the surface of the channel layer 3 with an interval in between.例文帳に追加

薄膜トランジスタは、ゲート電極１の表面に、絶縁膜２及びＡＺＯ半導体よりなるチャネル層３がこの順に形成されており、該チャネル層３の表面に、間隔をあけてソース電極４及びドレイン電極５が形成された構成となっている。 - 特許庁

Then, the second connector section has a discharge suppressing layer 220 which is jointed to the discharge suppressing member and covers the surroundings of the surface of the insulation layer to become the conductive passage and further, has a coming-off stop engaging part 240 which is engaged with the connector part 120 of the first connector section.例文帳に追加

そして、第2コネクタ部は、前記放電抑止部材と接合されると共に、導電経路となる絶縁層表面の周囲を覆う放電抑止層220を有し、さらに第1コネクタ部の接続端子部120と係合される抜け止め係合部240を有する。 - 特許庁

To provide a polishing composition for use in a CMP process for a semiconductor device having a copper film, a barrier layer of a tantalum compound and a SiO_2 insulation layer so as to be sufficiently greater in the polishing rate of the tantalum compound than copper and hardly cause SiO_2 polishing.例文帳に追加

銅膜、タンタル化合物のバリア層、ＳｉＯ_２の絶縁層を有する半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて、タンタル化合物の研磨レートが銅に比べて充分に大きく、ＳｉＯ_２の研磨は実質的に殆んど起こらない研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

Practically, the sink main body 12 is made of one of a Cu/Mo/Cu cladding material, Cu/CuO, AlSiC, AlC, CuSiC, or Mo, and the insulation layer 13 is a silica-coated layer 13a which is adhesively layered on a surface of the sink body 12.例文帳に追加

具体的には、シンク本体１２はＣｕ／Ｍｏ／Ｃｕのクラッド材、Ｃｕ／ＣｕＯ、ＡｌＳｉＣ、ＡｌＣ、ＣｕＳｉＣ又はＭｏのいずれかにより形成され、絶縁層１３はシンク本体１２の表面に積層接着されたシリカコーティング層１３ａである。 - 特許庁

Each of the organic light emitting elements 10R, 10G and 10B is so structured that, for instance, a first electrode 14 as a positive electrode, an insulation film 15, an organic layer 16 including a luminescent layer, and a second electrode 17 as a negative electrode are stacked in that order from the side of a substrate 11.例文帳に追加

有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、例えば、基板１１の側から、陽極としての第１電極１４、絶縁膜１５、発光層を含む有機層１６、および陰極としての第２電極１７がこの順に積層されている。 - 特許庁

To provide a double water tank so designed that, at least two wall surfaces not in contact with the wall of the space of a water tank body are made as a double wall, an air layer is formed inside the double wall to improve thermal insulation and a dew condensation in the air layer is prevented so as to enable aquarium fishes or the like to be enjoyed.例文帳に追加

水槽本体の部屋の壁に接しない、少なくとも二壁面を二重壁とし、内部に空気層を形成して保温性を向上させ、更に空気層内の結露防止して、魚等を良く鑑賞することができる水槽を提供する。 - 特許庁

Further, on the surface of the insulation resin layer 7, a conductive resin layer 8 with a height covering the entire LED elements 2 is formed by filling a clearance between the LED elements 2 with a transparent conductive resin, to prevent electromagnetic waves leakage from the LED elements 2.例文帳に追加

さらに絶縁性樹脂層７の表面上に、ＬＥＤ素子２同士の隙間を透明な導電性樹脂で充填してＬＥＤ素子２全体を覆う高さの導電性樹脂層８を形成してＬＥＤ素子２からの電磁波漏洩を防止した。 - 特許庁

The nitrogen inlet region N12 is formed in a control gate electrode 29C of a MOS transistor T53 and near a junction interface between the control gate electrode 29C and an interlayer insulation film 24, and a channel-doped layer 125 is formed in the well layer 121 under a floating gate electrode 27.例文帳に追加

また、ＭＯＳトランジスタＴ５３のコントロールゲート電極２９Ｃ内には、層間絶縁膜２４との接合界面近傍に窒素導入領域Ｎ１２が形成され、フローティングゲート電極２７の下層のウエル層１２１内には、チャネルドープ層１２５が形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device whose wiring capacitance can be reduced effectively, by excluding a stopper film of an SiON film, and by forming its wiring layer in a portion separated, e.g. by 20 nm or more, from its lower-layer insulation film having a high dielectric constant.例文帳に追加

ＳｉＯＮなどのストッパー膜を使用しない構造であって、しかも、例えば、下層の比誘電率の高い絶縁膜から20ｎｍ以上、離れた部分に配線層を構成することにより、配線間容量低減を有効に達成できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic head and its manufacturing method in which an upper layer coil piece formed on an insulation layer having a difference in level can be formed accurately with a prescribed shape, while yoke length can be shortened, and recording efficiency can be improved.例文帳に追加

段差のある絶縁層上に形成される上層コイル片を所定形状にて精度良く形成できるとともに、ヨーク長を短くでき、記録効率の向上を図ることが可能な磁気ヘッド及びその製造方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

An outer skin superposed with hard resin layers 3, 4 provided with air-tight property and rigidity on an inner peripheral surface and an outer peripheral surface of a foamed resin layer 2 provided with heat insulation property and sound absorption property is integrally molded to a predetermined hollow shape by a multi-layer blow molding means.例文帳に追加

断熱性、吸音性を備えた発泡樹脂層２の内周面と外周面に気密性、剛性を備えた硬質樹脂層３、４を積層した外皮で、多層ブロー成形手段により所定の中空形状体に一体成形したことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a composition for polishing, having a sufficiently large polishing rate of a tantalum compound compared to that of copper and substantially hardly causing polishing of SiO_2 in a CMP processing process of a semiconductor device having a copper film, a barrier layer of the tantalum compound and an insulation layer of the SiO_2.例文帳に追加

銅膜、タンタル化合物のバリア層、ＳｉＯ_２の絶縁層を有する半導体デバイスのＣＭＰ加工プロセスにおいて、タンタル化合物の研磨レートが銅に比べて充分に大きく、ＳｉＯ_２の研磨は実質的に殆んど起こらない研磨用組成物を提供する。 - 特許庁

The gate insulation layer 12 has regions containing nitrogen at the opposite end parts thereof wherein the concentration distribution of nitrogen atoms exhibits a first peak in the vicinity of interface with the gate electrode 14 and a second peak in the vicinity of interface with the semiconductor layer 10.例文帳に追加

ゲート絶縁層１２は、両端部に窒素含有領域１２ａを有し、かつ、ゲート電極１４との界面近傍に窒素原子の濃度分布の第１のピークを有し、さらに、半導体層１０との界面近傍に窒素原子の濃度分布の第２のピークを有する。 - 特許庁

In the manufacturing method, after performing film forming of the gate insulation film, by conducting hydrogen plasma treatment or reverse sputtering by hydrogen ion, the hydrogenation reduction is conducted to the surface layer of the gate insulating film, and the gate conductive film is formed on the surface layer.例文帳に追加

製造方法においては、ゲート絶縁膜を成膜した後、水素プラズマ処理、又は水素イオンによる逆スパッタリングを行うことによって、ゲート絶縁膜の表面層に対して水素化還元を行い、その表面層上に前記ゲート導電膜を形成する。 - 特許庁

To prevent a YAG layer provided on a surface layer from being released or dropped to improve insulation properties at a high temperature in a silicon wafer support member such as a heater, an electrostatic chuck, a heater cover plate or the like using high heat transferable ceramic board such as an aluminum nitride or the like.例文帳に追加

窒化アルミニウムなどの高熱伝導性セラミック基板を用いたヒーター、静電チャック、ヒーターカバープレートなどのシリコンウェハ支持部材において、高温における絶縁性などを改善するために表面層に設けるＹＡＧ層が剥離し脱落することを防止する。 - 特許庁

An opening portion 114 is formed in the first and second insulation layers 110, 112 so that the thickness of the portion of semiconductor layer 108, where a channel portion 117 is formed is made smaller than the thickness of the portion of the semiconductor layer 108 where source and drain portions 122, 124, are formed.例文帳に追加

第１および第２絶縁膜１１０，１１２に，チャネル部１１７を形成する半導体層１０８の厚みがソースおよびドレイン部１２２，１２４を形成する半導体層１０８の厚みよりも薄くなるように開孔部１１４を形成する。 - 特許庁