「layer-insulation」に関連した英語例文の一覧と使い方(88ページ目) - Weblio英語例文検索

Accordingly, the signal line upper layer line 51 does not protrude out of a range of the signal line lower layer line 31 in the intersection part 7 so as not to cause a short circuit between the signal line upper layer line 51 and the scan line 11 even if a pinhole occurs at a position along the signal line 6 in an insulation film covering the scan line 11.例文帳に追加

したがって、交差部７において、信号線上層配線５１が信号線下層配線３１の範囲からはみ出すことがなく、走査線１１を覆う絶縁膜に、信号線６に沿った個所でピンホールが生じても、信号線上層配線５１と走査線１１との間で短絡が生じない。 - 特許庁

A plug electrode extending from a semiconductor substrate to the upper surface of an interlayer insulation film is divided into a first plug electrode 5 and a second plug electrode 13 which are then connected by an LI layer 7a, and an LI layer 7b is laid under an alignment mark 15 and used as an etching stopper layer.例文帳に追加

半導体基板から層間絶縁膜の上面に至るプラグ電極を第１プラグ電極５と第２プラグ電極１３とに分け、第１プラグ電極５と第２プラグ電極１３とをＬＩ層７ａで繋ぐと共に、ＬＩ層７ｂを合わせマーク１５の下に敷いてエッチングストッパ層として使用する。 - 特許庁

The insulating thin film body 1 has an insulating, flexible substrate 2 in the shape of a flat plate, an adhesive layer 4 formed on at least one side of the substrate 2, and an insulating coating film layer 5 in which an insulating ink is applied on one side of the adhesive layer 4 in a shape of a range with insulation obtained.例文帳に追加

絶縁性且つ可撓性で平板状の基材２と、該基材２の少なくとも片面に設けられた粘着剤層４と、該粘着剤層４の片面に絶縁性が求められる範囲の形状に絶縁性インクにより塗布された絶縁性塗膜層５とを有する絶縁性薄膜体１とする。 - 特許庁

The reinforcing insulation layer 140 is formed between the bell mouth portions 120, 130, the internal electrode 110, and the stem 204; and the outer shut-off layer 150, in a state with the stem 204 installed in the metal mold and an outer conductive layer installed on the upper of the bell mouth portions 120, 130 and the internal electrode 110.例文帳に追加

心棒２０４を金型内に設置して、ベルマウス部１２０、１３０および内部電極１１０の上方に外部導電層が配置された状態で、ベルマウス部１２０、１３０、内部電極１１０および心棒２０４と、外部遮蔽層１５０との間に補強絶縁層１４０を形成する。 - 特許庁

A ceramic dielectric 3 includes a first ceramic dielectric layer 3a formed of a ceramic dielectric having temperature characteristics satisfying X8R property, and a second ceramic dielectric layer 3b formed of a ceramic dielectric having an insulation resistance value higher than that of the first ceramic dielectric layer 3a.例文帳に追加

セラミック誘電体３は、Ｘ８Ｒ特性を満足する温度特性を有するセラミック誘電体で形成された第一のセラミック誘電体層３ａと、この第一のセラミック誘電体層３ａよりも高い絶縁抵抗値を有するセラミック誘電体で形成された第二のセラミック誘電体層３ｂで構成されている。 - 特許庁

A multilayer SOI substrate having an amorphous or polycrystal semiconductor layer formed beneath an SOI layer through a gate insulation film is employed, the semiconductor layer is implanted with ions in a pattern reverse to that of an upper gate electrode, and a buried gate is formed in self- alignment with the upper gate.例文帳に追加

ＳＯＩ層下部に埋め込みゲート絶縁膜を介して構成された非晶質又は多結晶である半導体層を有する多層ＳＯＩ基板を用い、上部ゲート電極の逆パターンで上記半導体層にイオン注入を施し、埋め込みゲートを上部ゲートと自己整合の関係で構成することを特徴とする。 - 特許庁

The etching amount of a silicon single crystal layer formed on the insulation layer of an SOIL wafer is evaluated using correlation with the etching amount of a monitor wafer where a polysilicon layer is formed on a substrate.例文帳に追加

ＳＯＩウエハの絶縁層上に形成されたシリコン単結晶層のエッチング量が、ＳＯＩウエハの絶縁層上に形成されたシリコン単結晶層のエッチング量が、基板上にポリシリコン層を形成させたモニタウエハのエッチング量との相関関係を用いて評価されることを特徴とするＳＯＩウエハのエッチング量の評価方法を用いる。 - 特許庁

An insulation coating material 20 is coated on a conductor part 10 formed by twisting conductive strands 11, 12 to form this highly flexible insulated wire 1, and the conductor part 10 is composed of an inner layer formed by collectively twisting the strands 11 and an outermost layer formed by circumferentially disposing the strands 12 around the periphery of the inner layer.例文帳に追加

高屈曲絶縁電線１は、導電性の素線１１，１２を撚って形成された導体部１０上に絶縁被覆材２０を被覆したものであって、導体部１０は、素線１１を集合撚りした内層と、当該内層の外周にて素線１２を円周状に配置した最外層とからなる。 - 特許庁

The wiring member for the transport aircraft has a first support and a wiring layer in which a conductor wire having an insulation layer comprising insulating resin is wired and fixed to the first support, the first support has a part having curvature, and a wiring shape of the wiring layer of at least the part having the curvature is a meander pattern.例文帳に追加

第一の支持体と、絶縁樹脂からなる絶縁層を有した導線を前記第一の支持体に配線して固定した配線層からなり、第一の支持体が曲率を有した部分を有し、少なくとも前記曲率を有した部分の配線層の配線形状がミアンダパターンである輸送機用配線部材。 - 特許庁

Accordingly, since the element components mounted and the internally layer pattern are completely covered with the substrate, the insulating layer, and the shielding layer, highly accurate and reliable insulation property and shielding effect are attained, high density mounting is realized, and influence of external electromagnetic field and static electricity is prevented effectively.例文帳に追加

これにより、搭載した要素部品及び内層パターンに対しては基板と絶縁層及びシールド層とで完全に被覆するので、高精度で確実な絶縁性とシールド効果をもつと共に、高密度実装を可能にすることができ、また外部からの電磁界や静電の影響を有効に阻止することができる。 - 特許庁

The semiconductor device member 12 comprises a first thermally-conductive conductor layer 14 to which the semiconductor element 2 is fixed by brazing and the like and a first inorganic system joining layer 16 being arranged on the radiator 4 side of the first thermally-conductive conductor layer 14 and having an insulation property and thermal conductivity.例文帳に追加

この半導体装置部材１２は、半導体素子２がロウ付け等によって固定された第１の熱伝導性導体層１４と、この第１の熱伝導性導体層１４の放熱体４側に配置される絶縁性及び熱伝導性を有する第１の無機系接合層１６とを備えている。 - 特許庁

For a field effect transistor, a conductive oxide is used for a gate electrode 4 and one kind selected from among SiO2, silicate, the boundary reaction layer of a metal oxide or the conductive oxide and Si and the boundary reaction layer of the same and SiO2 is used for a gate insulation layer 3 on a channel, using an Si semiconductor substrate 1.例文帳に追加

Ｓｉ半導体基板１を用いたチャネル上に導電性酸化物をゲート電極４に、ＳｉＯ２、シリケート、金属酸化物あるいは導電性酸化物とＳｉとの界面反応層、ＳｉＯ２との界面反応層から選ばれた一種をゲート絶縁層３に用いることを特徴とする電界効果トランジスタ。 - 特許庁

To provide a dispersion-type electroluminescence element which comprises a transparent dielectric layer containing electrically-conductive fine particles in a resin component between a transparent conductive layer and a light-emitting layer, wherein light emitting is uniform, lower luminance can be suppressed, occurrence of insulation breakdown is inhibited, and thinning is possible.例文帳に追加

透明導電層と発光層の間に、樹脂成分中に導電性微粒子を含有する透明誘電体層を有することを特徴としており、発光が均一であり、輝度低下を抑制でき、絶縁破壊が起こり難く、さらに薄膜化が可能な分散型ＥＬ素子を提供することができる。 - 特許庁

In a wiring board with solder 7, 8 containing tin on the nickel plated layer 9 adhered on the surface of a wiring conductor 2 formed on an insulation base substance 1, the nickel-tin alloy layer 10 of thickness of 0.05-5 μm is formed in the area of 90% or more between the nickel plated layer 9 and the solder 7, 8.例文帳に追加

絶縁基体１に形成した配線導体２の表面に被着させたニッケルめっき層９上に錫を含有する半田７・８を接合させて成る配線基板であって、ニッケルめっき層９と半田７・８との間の90％以上の面積において厚みが0.05〜５μｍのニッケル−錫合金層10が形成されている。 - 特許庁

The liquid crystal display device 50 includes: a pair of substrates 110, 210; a liquid crystal layer 300 sandwiched between the pair of substrates 110, 210; an insulating layer 150 formed for one side substrate of the pair of substrates 110, 210; the pixel electrode 140 and common electrode 160 disposed via the insulation layer 150.例文帳に追加

液晶表示装置５０は、一対の基板１１０，２１０と、一対の基板１１０，２１０の間に挟持された液晶層３００と、一対の基板１１０，２１０の一方の基板に形成された絶縁層１５０と、絶縁層１５０を挟んで設けられた画素電極１４０と共通電極１６０と、を備える。 - 特許庁

A laminated substrate 30 with a projection part where the outer-periphery end of a first substrate 10 projects from the outer-periphery end of a substrate 20 is created by gluing the first substrate 10 with a porous layer inside and a single-crystal Si layer and an insulation layer on it to the second substrate while the center positions are shifted each other.例文帳に追加

多孔質層を内部に有し、その上に単結晶Ｓｉ層及び絶縁層を有する第１の基板１０と、第２の基板とを中心位置をずらして密着させて、第１の基板１０の外周端が第２の基板２０の外周端より突出した突出部を有する貼り合わせ基板３０を作成する。 - 特許庁

The production method of the semiconductor device comprises a step for forming a conductive layer 27 on the semiconductor substrate 23 through an insulation film 26, a step for making smooth the surface 27a of the conductive layer 27 by filling recesses in the surface with a material 44 itself shaven off from the surface, and a step for forming the dielectric element by patterning the conductive layer 27 spirally.例文帳に追加

半導体基板２３上に絶縁膜２６を介して導電層２７を形成する工程と、導電層２７の表面２７ａを、該表面から削られた材料自体４４で表面の凹部を埋め込んで平滑化する工程と、導電層２７をスパイラル状にパターニングして誘導素子を形成する工程を有する。 - 特許庁

After an interlayer insulation film 10, the underlying layer 11a of a conductive film for lower electrode, and the like, are formed on a substrate 1, a Pt film having a thickness in the range of 50-500 nm, e.g. about 175 nm, is formed as the overlying layer 11b of the conductive film for lower electrode on the underlying layer 11a by DC magnetron sputtering.例文帳に追加

基板１上に層間絶縁膜１０及び下部電極用導電膜の下側層１１ａ等を形成した後、下側層１１ａ上に下部電極用導電膜の上側層１１ｂとして厚さが５０ｎｍ〜５００ｎｍ、例えば約１７５ｎｍのＰｔ膜をＤＣマグネトロンスパッタ法により形成する。 - 特許庁

For instance, an NMOS transistor comprising a distorted Si layer 14a having a first film thickness is formed in a first region delimited by an element separating insulation region 21 on the surface of a laminated substrate 11 laminated by the distorted Si layer 14 through an SiGe layer 13 on the Si substrate 12.例文帳に追加

たとえば、Ｓｉ基板１２上にＳｉＧｅ層１３を介して歪Ｓｉ層１４が積層された積層基板１１の、その表面の、素子分離絶縁領域２１によって画定された第１の領域には、第１の膜厚を有する歪Ｓｉ層１４ａを備えるＮＭＯＳトランジスタが形成されている。 - 特許庁

This snow melting device 1 has a case body 3 formed in a bowl shape, a water permeable rubber chip elastic pavement layer 5 supported by the case body 3, a far infrared radiation radiating layer 7 for radiating the far infrared radiation by mixing black silica, a heating element 9 for heating the black silica, and a thermal insulation layer 11 for reducing heat conduction into the ground.例文帳に追加

融雪装置１は、桝状に形成するケース体３と、ケース体３に支持される透水性ゴムチップ弾性舗装層５と、ブラックシリカを混入して遠赤外線を放射する遠赤外線放射層７と、ブラックシリカを加熱する発熱体９と、地中内への熱伝導を減少する断熱層１１とを備えている。 - 特許庁

To solve the problem that an embedded layer is hardly etched and a polymer residual is generated around the embedded layer remaining in a trench, when performing the trench etching of an interlayer insulation film having a low relative dielectric constant in which an organic-based embedded layer is formed on an upper surface including the inside of a via hole collectively using a prescribed etching gas when forming a dual damascene structure.例文帳に追加

デュアルダマシン構造形成の際に、ビアホール内部を含む上面に有機系の埋込層を設けた比誘電率の低い層間絶縁膜を、所定のエッチングガスを用いて一括してトレンチエッチングすると、埋込層が殆どエッチングされず、トレンチ内に残った埋込層の周囲にポリマーの残渣が生じる。 - 特許庁

In a manufacturing method of a printed wiring board having a blind via 5 in which a first conductive layer 2 and a second conductive layer 4 sandwiching an insulation layer 3 are connected by a conductor 7, the blind via 5 is energized under an energization condition where a non-standard blind via is disconnected and a standard blind via is not disconnected.例文帳に追加

絶縁層３を間に挟む第１導電層２と第２導電層４とを導電体７により接続したブラインドビア５を有するプリント配線板の製造方法であって、規格外ブラインドビアが断線し、かつ規格内ブラインドビアが断線しない通電条件で、ブラインドビア５を通電する。 - 特許庁

A reinforcing layer for a pneumatic tire is produced by drawing out a plurality of cords 52 for the reinforcing layer to arrange them in a desired distribution pattern and the cords are simultaneously coated with an unvulcanized rubber by an insulation system and the contour of the reinforcing layer to which coating is applied is molded into a desired shape.例文帳に追加

本発明による空気入りタイヤ用補強層の製造方法は、複数本の補強層用コードを引き出し、これらのコードを所望の分布パターンに配列した後、インシュレーション方式により未加硫ゴムで同時にコーティングし、そのコーティングが施された補強層の外郭形状を所望の形状に成形するものである。 - 特許庁

In the sensor substrate 1, a step is formed between a first region where the thermal infrared radiation detection section 13 is formed and a second region where a first metallic layer 19 for electric connection and a first metallic layer 18 for sealing are formed on an insulation layer of a first semiconductor substrate 10 at a main surface side.例文帳に追加

センサ基板１は、第１の半導体基板１０の主表面側の絶縁層において熱型赤外線検出部１３が形成された第１の領域と第１の電気接続用金属層１９および第１の封止用金属層１８が形成された第２の領域との間に段差が形成されている。 - 特許庁

In the sound wave generator 10 having a thermally-conductive substrate 12, a thermal insulation layer 14 with prescribed thickness formed on one surface of the substrate and a heating element thin film 16 comprised of a resistor formed on the thermal insulation layer and electrically driven by AC signal current, a Helmholtz resonator 18 is provided on the heating element thin film.例文帳に追加

熱伝導性の基板１２と、該基板上の一方の面に形成された所定の厚さの熱絶縁層１４と、該熱絶縁層上に形成されて交流の信号電流により電気的に駆動される抵抗体よりなる発熱体薄膜１６と、を有する熱励起型の音波発生装置１０であって、前記発熱体薄膜上にヘルムホルツ共鳴器１８を備える。 - 特許庁

In this image display medium 1, at least two kinds of particulates for display are sandwiched between at least a display substrate 11 and a rear surface substrate 12 to apply an electric field between electrodes, a display substrate side and a rear surface substrate side are covered with an insulation layer 14, and energy of a surface of the insulation layer is 5-20 mN/m.例文帳に追加

少なくとも表示基板１１と背面基板１２の間に少なくとも２種の表示用粒子を挟み込み電極間に電界を印加することで表示を行う画像表示媒体１において、表示基板側と背面基板側に絶縁層１４が被覆され、該絶縁層の表面エネルギーが５〜２０ｍＮ／ｍであることを特徴とする画像表示媒体。 - 特許庁

The invention relates to the discharge monitor equipped with a second insulation protective layer for protecting the discharge monitor elements on a discharge monitor substrate on which a plurality of discharge monitor elements constituted of at least two or more charge collection electrodes, a low melting point metal wire for connecting them, and a first insulation protective layer for protecting the low melting point metal wire are provided in parallel.例文帳に追加

本発明は、少なくとも２つ以上の電荷収集電極と両者をつなぐ低融点金属配線、および低融点金属配線を保護する第一の絶縁保護層から構成される放電モニタ要素が、複数並列に配置された放電モニタ基板において、放電モニタ要素を保護する第二の絶縁保護層を配置したことを特徴とする放電モニタに関する。 - 特許庁

The semiconductor device 10 comprises a support substrate 13, buried insulation film 14 having a thickness of 5-10 nm which is formed on the support substrate, silicon layer 15 formed on the buried insulation film, MOSFET 11 formed on the silicon layer, and triple well regions 17 and 18 which are locally formed in the support substrate 13 below the MOSFET 11.例文帳に追加

半導体装置１０は、支持基板１３と、前記支持基板上に設けられ、５−１０ｎｍの厚さを有する埋め込み絶縁膜１４と、前記埋め込み絶縁膜上に設けられたシリコン層１５と、前記シリコン層に設けられたＭＯＳＦＥＴ１１と、前記ＭＯＳＦＥＴ１１の下部にあって前記支持基板１３中に局所的に設けられたトリプルウエル領域１７、１８とからなる。 - 特許庁

The semiconductor device 1 comprises a non-insulation type semiconductor module 2 in which a semiconductor chip 5 is incorporated, a cooler 3 which cools the semiconductor chip, and an insulating layer 4 which is disposed between the cooler 3 and non-insulation type semiconductor module 2 and formed directly on the cooler 3, the insulating layer 4 containing a polymer and a filler having higher thermal conductivity than that of the polymer.例文帳に追加

半導体装置１は、半導体チップ５を内蔵した非絶縁型半導体モジュール２と、該半導体チップの冷却を行う冷却器３と、該冷却器３と非絶縁型半導体モジュール２との間に配置され、冷却器３に直接形成された絶縁層４を備え、該絶縁層４は、ポリマー及び該ポリマーよりも熱伝導率の高い充填材を含有したものである。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a substrate 1, a semiconductor region which is formed on a substrate surface is mainly formed of Ge, a non-metal Ge compound layer 2 formed on the semiconductor region, an insulation film 3 formed on the non-metal Ge compound layer, an electrode 4 formed on the insulation film, and a source-drain region formed on the substrate surface with the electrode between.例文帳に追加

第一の発明の半導体装置は、基板と、基板表面に形成され、Geを主成分とする半導体領域と、半導体領域上に形成された非金属Ge化合物層と、非金属Ge化合物層上に形成された絶縁膜と、絶縁膜上に形成された電極と、前記電極を挟む前記基板表面に形成されたソース・ドレイン領域とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

A first insulation layer 2 formed of a thermoplastic elastomer having clay mineral or synthetic mica distributed therein and a second insulation layer 3 formed of a thermosetting resin containing inorganic particulate filler or fiber filler are provided on the outer peripheral surfaces of a vacuum valve body 1 formed by sealing air-tight both end opening parts of a ceramic container by a fixed electrode 4 and a movable electrode 5.例文帳に追加

セラミック容器の両端開口部を固定電極４と可動電極５により気密に封止して形成された真空バルブ本体１の外側沿面に、粘土鉱物または合成マイカを分散させた熱可塑性エラストマーからなる第１の絶縁層２と、無機粒子状充填材または繊維状充填材を含有した熱硬化性樹脂からなる第２の絶縁層３とを設ける。 - 特許庁

The method of manufacturing the printed circuit board includes a step of adhering an electronic element 30 on the adhesive layer 20, a step of stacking insulation bodies 41, 43 on the upper side of the electronic element 30 and the lower side of the adhesive layer 20 to embed the electronic element 30 therein, and a step of forming a circuit pattern 45 and a via 46 in the insulation body 41.例文帳に追加

接着層２０の上面に電子素子３０を付着する工程と、電子素子３０が埋め込まれるように、電子素子３０の上側及び接着層２０の下側に絶縁体４１，４３をそれぞれ積層する工程と、絶縁体４１に回路パターン４５及びビア４６を形成する工程と、を含むことを特徴とする印刷回路基板及びその製造方法。 - 特許庁

Plate-shaped metal 1A where an adhesive is printed into a specific pattern is machined, a lead frame 1 where a plurality of leads 5 each having the adhesive layer 10 at each portion are arranged is formed, the insulation tape 8 is put onto the adhesive layer 10 for interlocking the plurality of leads 5 by the insulation tape 8, and the semiconductor chip is mounted to the lead 5 for sealing with resin.例文帳に追加

接着剤を所要のパターンに印刷した板状金属１Ａを加工し、各一部に接着剤層１０を有する複数本の配列されたリード５を有するリードフレーム１を形成し、接着剤層１０上に絶縁テープ８を貼り付けて複数本のリード５を絶縁テープ８により連結した後、リード５に半導体チップを搭載しかつ樹脂封止する。 - 特許庁

Since a number of transparent silicon particles 13 are dispersedly arranged on the liquid crystal layer 16 side surface of a transparent insulation substrate 12 with a nearly uniform density, without mutually overlapping and forming a single layer, the light radiated to the respective transparent silicon particles 13 is diffused with diffraction phenomena and the diffused light passes through the polarizing plate 4 from the transparent insulation substrate 12.例文帳に追加

このとき、透明絶縁基板１２の液晶層１６側の面には多数の透明シリコン粒子１３がほぼ均一な密度で互いに重なり合うこと無く１層に分散配置されているため、各透明シリコン粒子１３に照射された光は回折現象によって拡散され、その拡散された光が透明絶縁基板１２から偏光板４を透過する。 - 特許庁

This method for manufacturing a laminate for a circuit board includes steps of: transferring an insulation layer 3' which is formed on a support 5 and contains electrical insulating resin 3a', an electrical insulating inorganic filler 3b and arbitrarily contains solvent from the support 5 to metal foil; and sticking the metal foil and a metal substrate together by sandwiching the insulation layer 3' between them.例文帳に追加

本発明の回路基板用積層板の製造方法は、支持体５上に形成され、電気絶縁性の樹脂３ａ’と電気絶縁性の無機充填材３ｂと任意に溶媒とを含有した絶縁層３’を、前記支持体５から金属箔上へと転写する工程と、前記絶縁層３’を間に挟んで前記金属箔と金属基板とを貼り合せる工程とを含んでいる。 - 特許庁

In a metallic printed wiring board wherein an insulation layer is formed to one surface of a metal plate and a wiring pattern is formed on the insulation layer, a semiconductor element is placed, via a conductive bonding material, to a semiconductor element mounting portion formed on the wiring pattern and a pad formed in the wiring pattern and a semiconductor element are connected via a conductive connecting material.例文帳に追加

金属板材の一方面に絶縁層が形成され、絶縁層に配線パターンが形成されてなる金属プリント配線基板において、配線パターンに形成された半導体素子搭載部に導電性接着材を介して半導体素子が載置され、配線パターンに形成されたパッド部と半導体素子とが導電性接続材を介して接続されたものである。 - 特許庁

The dust core includes magnetic powders, fluoride particles and heat-denatured material of lubricant, wherein the magnetic powder has an oxide layer and/or an insulation layer on its surface as well as the fluoride particles and the heat-denatured material between the adjoining magnetic powders, and the adjoining oxide layers or insulation layers have a joined section with the fluoride particles in between.例文帳に追加

磁性粉末と、フッ化物粒子と、潤滑材の加熱変性物とを含む圧粉磁心であって、前記磁性粉末は、その表面に酸化層及び／又は絶縁層を有し、相隣る前記磁性粉末の間に前記フッ化物粒子及び前記加熱変性物を有し、相隣る前記酸化層又は前記絶縁層が、前記フッ化物粒子を介して結合している部分を有する。 - 特許庁

A semiconductor layer 19 of an MIS photoelectric transducer 2 and an n+ semiconductor layer 20 are formed on a second insulation layer 18 covering the TFT1 to fit a source/drain electrode 16 capable of functioning as a lower electrode, and a semiconductor layer 21 of a TFT sensor 3 is formed to fit an electrode 17 in plan view.例文帳に追加

読出用ＴＦＴ１を覆う第２の絶縁体層１８上には、ＭＩＳ型光電変換素子２の半導体層１９及びｎ^＋半導体層２０が、下部電極としても機能するソース・ドレイン電極１６と整合するようにして形成され、ＴＦＴ型センサ３の半導体層２１が、平面視でゲート電極１７と整合するようにして形成されている。 - 特許庁

In a laminated body formed by sequentially laminating, on an insulation material, a first electrode, a first impurity semiconductor layer having one conductivity type, an intrinsic semiconductor layer, a second impurity semiconductor layer having a conductivity type opposite to the one conductivity type, and a translucent second electrode, the translucent second electrode and the second impurity semiconductor layer have each one or more openings.例文帳に追加

絶縁体上に、第１電極と、一導電型を有する第１不純物半導体層、真性半導体層、一導電型とは逆の導電型を有する第２不純物半導体層、透光性の第２電極が順次積層された積層体であって、透光性の第２電極及び第２不純物半導体層は、１つ以上の開口部を有している。 - 特許庁

Thus, there is provided an SOI substrate provided with the implanted insulation layer 5 on the bottom surface of the trench 30, the P+type implanted collector layer 6, the Ntype buffer layer 7, the Ntype drift layer 8a and the like which are exposed on the substantially same level plane.例文帳に追加

埋め込み絶縁膜５上をポリシリコン膜３で被覆し、該ポリシリコン膜３と絶縁膜２を介してＰ型半導体基板１を貼り合わせた後、ダミー半導体基板１６を除去し、略同一平面状に露出するトレンチ３０底面の埋め込み絶縁膜５、Ｐ＋型埋め込みコレクタ層６、Ｎ型バッファ層７、Ｎ型ドリフト層８ａ等を具備するＳＯＩ基板を形成する。 - 特許庁

In the nonaqueous electrolyte secondary battery is quipped with a negative plate, a positive plate, and a separator or a lithium ion conductive layer, a porous insulation layer having a low compression deformation ratio is installed in at least one of an interface between the separator or the lithium ion conductive layer and the negative plate and an interface between the separator or the lithium ion conductive layer and the positive plate.例文帳に追加

負極板と、正極板と、セパレータまたはリチウムイオン導電性層と、非水電解液とを備えた非水電解液二次電池であって、セパレータまたはリチウムイオン導電性層と負極板との界面か、セパレータまたはリチウムイオン導電性層と正極板との界面の少なくとも一方に、圧縮変形率の小さい多孔質状の絶縁層を設ける。 - 特許庁

In this wiring board 10 including a first wiring layer 22 formed on a board 20, an insulator 31 for covering at least the first wiring layer 22, and a jumper wire 32 formed on the first wiring layer 22 through the insulator 31 and arranged to straddle the first wiring layer 22, the insulator 31 is formed by laminating a plurality of insulation layers 34, 35.例文帳に追加

基板２０上に形成された第１配線層２２と、少なくとも第１配線層２２を被覆する絶縁体３１と、第１配線層２２上に絶縁体３１を介して形成され、第１配線層２２を跨ぐように配置されたジャンパー配線３２とを備えた配線板１０において、絶縁体３１は、複数の絶縁層３４，３５が積層されてなることを特徴とする - 特許庁

The multi layer circuit board includes insulation boards each having layers and wiring patterns formed and stacked on each layer; and veer electrodes connecting in series the wiring patterns formed in each of the layers, in which one of the veer electrodes is formed as a veer group including a plurality of veer units which connect the wiring patters formed on one layer to the wiring patters on another layer.例文帳に追加

本発明の一実施形態の多層回路基板は各層に配線パターンが形成されて積層される絶縁基板と、上記各層に形成された配線パターンを直列連結するビア電極を含み、上記１つのビア電極は一層に形成された配線パターンと異なる層に形成された配線パターンを並列接続する複数の単位ビアで構成されたビア束で形成される。 - 特許庁

The method for manufacturing the laminated structure for the disk driving suspension assembly and the laminated structure uses the multilayer sheet having the first layer 50 made of the metallic spring material, the second layer 90 in between consisting of the electric insulation material and the third layer 70 consisting of the conductive material and uses only the wet etching process as the molding process of the second layer 90.例文帳に追加

金属ばね材からなる第１層５０と、電気絶縁材からなる中間の第２層９０と、導電材からなる第３層７０とを有する多層合わせシートを使用し、第２層９０の成形工程としてウェットエッチングのみを用いることを特徴とするディスク駆動サスペンションアセンブリ用の積層構造体の製造方法及びその積層構造体を提供する。 - 特許庁

The thin-film transistor forming method includes a first process of forming a source electrode and a drain electrode on an element-side substrate, a second process of forming a semiconductor layer for covering the source electrode and the drain electrode, a third process of forming a gate insulation layer overlapping the semiconductor layer, and a fourth process of forming a gate electrode on the semiconductor layer.例文帳に追加

薄膜トランジスタの形成方法が、素子側基板にソース電極およびドレイン電極を設ける第１の工程と、前記ソース電極およびドレイン電極を覆う半導体層を設ける第２の工程と、前記半導体層に重なるゲート絶縁層を設ける第３の工程と、前記半導体層に重なるゲート絶縁層を設ける第４の工程と、を包含している。 - 特許庁