「layer-insulation」に関連した英語例文の一覧と使い方(93ページ目) - Weblio英語例文検索

Thus the occurrence of luminescent defect resulting from the short circuit of the pixel electrode 28 with an opposed electrode can be suppressed by covering the nonuniform portion of the pixel electrode 28 with insulation layer.例文帳に追加

画素電極２８の表面が平坦でない部分を絶縁層で覆うことにより、画素電極２８と対向電極とがショートすることに起因する発光不良の発生を抑えることができる。 - 特許庁

On the surface of a semiconductor substrate for which a circuit element is formed in a semiconductor layer, the electrode pad 13a for wire bonding is provided through an insulation film 17a or in contact with the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体層に回路素子が形成された半導体基板の表面に絶縁膜１７ａを介して、または半導体基板と接触してワイヤボンディング用の電極パッド１３ａが設けられている。 - 特許庁

Further, when the insulation film in contact with the oxide semiconductor film has a stacked-layer structure and a film containing aluminum is provided above and below the oxide semiconductor film, water intrusion into the oxide semiconductor film is prevented.例文帳に追加

また、酸化物半導体膜と接する絶縁膜を積層構造として、酸化物半導体膜の上下に、アルミニウムを含む膜を設けることで、酸化物半導体膜への水の侵入を防止する。 - 特許庁

Since the contact area is increased between the insulation layer 8 and the multilayer glass ceramic substrate 2, the shielding electrode 6 can be held more reliably on the upper surface of the multilayer glass ceramic substrate 2.例文帳に追加

これにより絶縁層８と多層型ガラスセラミック基板２との接触面積が拡大され、シールド用電極６をより確実に多層型ガラスセラミック基板２の上面に保持することが可能となった。 - 特許庁

A second coil conductor 13 having an inductance substantially identical to that of the first coil conductor 9 and slightly longer than the first coil conductor 9 is formed on the third insulation layer 11.例文帳に追加

第３絶縁層１１上には、第１のコイル導体９とほぼ同じインダクタンス値を有し、かつ、第１のコイル導体９よりも僅かに全長が長い第２のコイル導体１３が形成されている。 - 特許庁

A dielectric insulation layer 25 is interposed between a diaphragm 5 and an electrode 21 and arranged such that the thickness thereof is varied thus forming a nonparallel electric field between the diaphragm 5 and the electrode 21.例文帳に追加

振動板５と電極２１との間に誘電絶縁層２５を介在させ、その厚みが変化するように配置することにより、振動板５と電極２１との間で非平行な電界が形成される。 - 特許庁

To enable accurate voltage shift in gate electrode-drain current characteristics by controlling the dopant concentration of the active layer of a thin-film transistor in the thin-film transistor that is formed on an insulation substrate.例文帳に追加

絶縁基板上に形成された薄膜トランジスタにおいて、該薄膜トランジスタの活性層のドーパント濃度を制御することにより、ゲート電極−ドレイン電流特性の正確な電圧シフトを可能とする。 - 特許庁

A common back gate electrode 9 is formed beneath an n-type field effect transistor 1 and a p-type field effect transistor 2 constituting a complementary switch circuit through an insulation layer.例文帳に追加

相補型スイッチ回路を構成するｎ型の電界効果トランジスタ１とｐ型の電界効果トランジスタ２の下側に絶縁層を介して両トランジスタに共通のバックゲート電極９を形成する。 - 特許庁

To provide a silicon substrate etching method and a silicon substrate etching device capable of improving accuracy for processing a hole penetrating through a silicon insulation layer and a silicon substrate in an area including a wiring.例文帳に追加

シリコン絶縁層とシリコン基板とを貫通する孔の加工の精度を配線が含まれる領域にて高めることのできるシリコン基板のエッチング方法、及びシリコン基板のエッチング装置を提供する。 - 特許庁

To enhance the performance of an MOSFET by forming a gate insulation film only of a high permittivity material while preventing formation of an interface layer having a low permittivity on a substrate.例文帳に追加

基板上に誘電率の低い界面層が形成されることを防止しつつ、高誘電率材料のみからなるゲート絶縁膜を形成できるようにし、それによってＭＯＳＦＥＴの性能を向上させる。 - 特許庁

A wiring pattern is formed by the electroless copper plating method on a polyimide layer 3 forming an insulation film of semiconductor elements 1, and solder balls 11 are formed as external connection terminals for wiring patterns.例文帳に追加

半導体素子１の絶縁皮膜であるポリイミド層３上に、無電解銅めっき法により配線パターンを形成し、配線パターンに対して外部接続端子としてはんだボール１１を形成する。 - 特許庁

The porous nano-structure has a thick barrier layer in the bottom and can improve insulation properties compared to the conventional one, and accordingly can improve light emission intensity and reliability when used in an electroluminescence element.例文帳に追加

従来に比べ底部バリア層の膜厚が大きく、絶縁性を向上させることができるので、電界発光素子に用いると発光強度と信頼性を向上させることが可能となる。 - 特許庁

The metal with low melting point 4 is applied on a sealing face of a metal frame 3 through an insulation layer 6, and the metal with low melting point 4 is heated, fused, and sealed by supplying a current to the metal frame 3.例文帳に追加

金属枠３の封着面には絶縁層６を介して低融点金属４が塗布され、前記金属枠３に通電することで、前記低融点金属４を加熱溶融し、封着する。 - 特許庁

To provide an electroluminescent display device capable of reducing a manufacturing cost by obviating the need to use a first flattened insulation film, and of preventing the occurrence of display failure caused by stepped cut of an organic EL layer or moisture absorption from a stepped part.例文帳に追加

第１平坦化絶縁膜を用いる必要がなく製造コストを低減すると共に、有機ＥＬ層の段切れ、段差部からの吸湿等により表示不良が発生するのを防止する。 - 特許庁

To provide a building board capable of having lightweight and high heat insulation property, obtaining high bending strength, having difficulty in the occurrence of warp in the case of manufacturing and also having difficulty in the separation of a core from a cement layer.例文帳に追加

軽量で高い断熱性を持ち、かつ、高い曲げ強度が得られ、また、製造時に反りが発生しにくく、さらに芯材とセメント層とが剥がれにくい建築用板材を提供する。 - 特許庁

Temperature control is performed so that the surface temperature of the optical fibers 10 becomes 130° or lower by interrupting heat to be transmitted from the jacket 8 to the optical fibers 10 with the heat insulation effect of the heat insulating layer 7.例文帳に追加

そして、断熱層７の断熱効果によって、外被８から光ファイバ心線１０に伝わる熱を遮断して、光ファイバ心線１０の表面温度が１３０℃以下となるように温度管理する。 - 特許庁

The organic insulation layer 12 or the substrate 11 in contact with upper and lower sides of the short-circuit portion 23 are made to remain, and on the other hand, a cavity 25 is generated in the laser irradiation area 24 (a part where the short-circuit 23 disappears).例文帳に追加

短絡部２３の上下に接する有機絶縁層１２または基板１１は残されている一方、レーザ照射領域２４（短絡部２３が消失した部分）には空洞２５が生じる。 - 特許庁

The removal part 35 is disposed closer to the rear side than the internal conductor connection part 33 and is formed by removing a part of the external conductor 15 exposed from the external insulation layer 17 over the entire periphery.例文帳に追加

除去部３５は、内部導体接続部３３よりも後側に配設され、外部絶縁層１７から露出している外部導体１５の一部分が全周に渡って除去されることで形成される。 - 特許庁

The lower part magnetic shield 10 is formed so that it is arranged laterally symmetrically with respect to a track width region and have a hollow region, in which an insulating patch layer 18 for ensuring additional insulation is embedded.例文帳に追加

トラック幅領域に対して左右対象に配置され、付加的な絶縁性を確保するための絶縁パッチ層１８が埋め込まれた窪み領域を有するように、下部磁気シールド１０を形成する。 - 特許庁

To provide a nonaqueous electrolyte secondary battery that provides improved safety while maintaining the battery characteristics by uniformly providing an insulating porous layer that ensures insulation between a positive electrode and a negative electrode even at increased temperatures.例文帳に追加

昇温時にも正極と負極との絶縁を確保する絶縁性多孔質層を均一に設けて電池特性を維持しつつ安全性を向上した非水電解質二次電池を提供する。 - 特許庁

The insulating board 1 has a front surface and a rear surface of its square insulation layer 3 on which a surface material 4 and a rear material 5 are adhered respectively, and a folding portion 6 is provided in the central part in the width direction.例文帳に追加

断熱板１は、方形の断熱層３の表面と、裏面とにそれぞれ表面材４及び裏面材５が貼り付けられたものであり、幅方向の中央部に折り曲げ部６が設けられている。 - 特許庁

At the formation of the hole 38, only an interlayer insulating film 32 is etched, but at the formation of the hole 36, not only the insulation film 32 but also an etching delaying layer 28 are etched.例文帳に追加

コンタクトホール３８が形成される際には、層間絶縁膜３２のみエッチングされるが、コンタクトホール３６が形成される際には、層間絶縁膜３２のみならず、エッチング遅延層２８もエッチングされる。 - 特許庁

With the above arrangement, an incision can be easily formed in the abrasion resistant protection layer by knife or cutter, and the workability of removing the coating from the insulation cable resistant to abrasion by a tree is improved.例文帳に追加

こうすることにより、ナイフやカッター等で容易に耐樹木絶縁電線の耐摩耗保護層に切り込みを入れることができ、耐樹木絶縁電線における被覆除去作業の作業性が向上する。 - 特許庁

The structure is a water-proof structure of a film circuit 10 wherein a terminal 5 with a base part 5a is connected to one or more electrode parts 10a of the film circuit 10 wherein a conductor circuit formed of a conductive layer is formed on an insulation film.例文帳に追加

絶縁フィルム上に導電層からなる導体回路が形成されたフィルム回路の１以上の電極部10ａにベース部５ａを有する端子５が接続されるフィルム回路10の防水構造。 - 特許庁

A signal infiltrating from another part to the signal, obtained from the signal terminal 2 of the electric device 1, can be eliminated because the insulation layer 11 is formed in the length direction of the outer circumference of the plunger 10.例文帳に追加

このとき、プランジャー１０の外周の長さ方向に絶縁層１１を形成しているので、電子機器１の信号端子２から得られた信号に他の部分から入り込む信号を排除できる。 - 特許庁

To provide an adhesive composition for electronic parts capable of forming an adhesive layer excellent in adhesive durability under an elevated temperature and in insulation durability under an elevated temperature and an elevated humidity, as well as with less warpage.例文帳に追加

高温下における接着耐久性および高温高湿下における絶縁耐久性に優れ、反りの少ない接着剤層を形成する電子部品用接着剤組成物を提供すること。 - 特許庁

Then, a cover insulation layer 10 is formed so that a pad opening part 11 is opened, and a pad part 16 is formed at the pad opening part 11 by utilizing the supporting substrate 2 as the lead part of electroplating.例文帳に追加

その後、カバー絶縁層１０を、パッド開口部１１が開口されるように形成し、そのパッド開口部１１に支持基板２を電解めっきのリード部として利用してパッド部１６を形成する。 - 特許庁

To provide a thermal insulation wall structure for solving the problems of deteriorating durability by deteriorating timber by dew condensation in a wall body by a temperature difference between the room temperature and the outside air temperature, and causing large load stress such as machine screws and nails for fixing a thick thermal insulation layer to a framework.例文帳に追加

本発明は、室温と外気温の温度差による壁体内結露によって木材を腐朽させて耐久性を悪くしたり、厚い断熱層を軸組に固定するビス、釘類等の大きな加重ストレス等の問題点を解決する断熱壁構造を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

The multilayer circuit board, having an alternately stacked arrangement of conductor wiring layers and insulation layers with the conductor wiring layers electrically interconnected by vias penetrating through the insulation layers, wherein the vias are filled with conducting material and the filled-in conductor material and the conductor wiring layer are joined through alloy.例文帳に追加

導体配線層と絶縁層とが交互に積層され、絶縁層を貫通するビアを介して導体配線層間が電気接続されてなる多層回路基板において、ビアが導体物質にて穴埋めされており且つ穴埋めした導体物質と導体配線層とが合金にて接合されていることを特徴とする。 - 特許庁

The liquid crystal display device 1 has a pair of substrates 3, 4 which sandwich a liquid crystal layer 5, the light reflex film 22 provided on one substrate 3, an insulation film 23 provided on the light reflex film 22 and having a rugged pattern on the surface and a pixel electrode 24 provided on the insulation film 23.例文帳に追加

液晶層５を挟持する一対の基板３，４と、一方の基板３に設けられた光反射膜２２と、光反射膜２２上に設けられていて表面に凹凸パターンを有する絶縁膜２３と、絶縁膜２３上に設けられた画素電極２４とを有する液晶表示装置１である。 - 特許庁

The wiring board is provided with a wiring conductor 3 on at least either of the inside or the surface of an insulation base 1 made of non-magnetic ferrite, and a ferrite layer 2 formed of a ferrite sintered body covering the upper and lower surfaces of the wiring conductor 3 which are formed by simultaneous baking together with the insulation base 1.例文帳に追加

非磁性フェライトの焼結体から成る絶縁基体１の内部および表面の少なくとも一方に、配線導体３と、この配線導体３の上面および下面を覆うフェライトの焼結体から成るフェライト層２とが、絶縁基体１との同時焼成で形成されている配線基板である。 - 特許庁

This manufacturing method comprises a filling process of filling the light transmissive thermal insulation gel 2 in the recessed part 1d of the hollow block body 1a and a film covering process of covering the recessed part 1d with the resin film 3, and forms the thermal insulation layer 4 on the outside surface of the light transmissive part 1b of the hollow block body 1a.例文帳に追加

また、本発明の製造方法は、中空ブロック体１ａの凹部１ｄに透光性断熱ゲル２を充填する充填工程と、凹部１ｄを樹脂フィルム３で覆うフィルム被覆工程とを有し、中空ブロック体１ａの透光部１ｂの外面に断熱層４を形成するものである。 - 特許庁

This capacitive element has a lower electrode 22 formed on a substrate 10 through an interlayer insulation film 12, an upper electrode 24 opposed to the lower electrode 22 through the interlayer insulation film 12, and a lower wiring layer 14 that is formed between the substrate 10 and the lower electrode 22 and electrically connected with the upper electrode 24.例文帳に追加

基板１０上に層間絶縁膜１２を介して形成された下層電極２２と、下層電極２２に対して層間絶縁膜１２を介して対向する上層電極２４と、基板１０と下層電極２２の間に形成され、上層電極２４に電気的に接続された下部配線層１４とを有する。 - 特許庁

The interlayer insulation films 47 are formed by screen printing in a fine line shape after forming a high surface free energy region on the wettability changing layer by irradiating a region where the interlayer insulation films 47 are formed in the terminal part 40 with DeepUV rays at a wavelength 254 nm through a photomask with a pattern drawn thereon.例文帳に追加

層間絶縁膜４７は、端子部４０の層間絶縁膜４７を形成する領域にパターンが描画されたフォトマスク越しに波長２５４ｎｍのＤｅｅｐＵＶ光を照射し、濡れ性変化層上に高表面自由エネルギー領域を形成した後、微細なライン形状でスクリーン印刷法によって形成する。 - 特許庁

To provide a thermosetting resin composition suitable for forming a flexible coating film excellent in adhesiveness with a substrate, folding resistance, low warpage property, soldering heat resistance, electroless gold plating resistance, electric insulation property or the like, and to provide a flexible printed wiring board or the like having a protective film or an insulation layer comprising a cured product of the above composition formed therein.例文帳に追加

基材との密着性、耐折性、低反り性、はんだ耐熱性、無電解金めっき耐性、電気絶縁性等に優れた可撓性の被膜形成に適した熱硬化性樹脂組成物、及びその硬化物からなる保護膜や絶縁層を形成したフレキシブルプリント配線板等を提供する。 - 特許庁

Moreover, the cable is equipped with the conductor for power supply and the insulation layer consisting of the insulation covering and the corrosion preventive covering that are arranged on the outer peripheral side of the conductor and composed of the insulating material having flexibility, in which an organic light-emitting material is contained that is supplied with electric power from the conductor, and emits light by application of voltage.例文帳に追加

又、電力供給用の導体と、導体の外周側に配置され、可撓性を有する絶縁性材料で形成された絶縁被覆及び防食被覆から成る絶縁層とを備え、絶縁層には、導体から給電され、電圧の印加によって発光する有機発光材が含有されたケーブルである。 - 特許庁

Then, at least a part of the horizontal barrier rib 19b of the display region is formed on a dielectric layer 24 formed on the insulation substrate 1, and the horizontal barrier rib 19b of the non-display region and the longitudinal barrier ribs 19a of the display region and the non-display region are formed to be in contact with the insulation substrate 1.例文帳に追加

そして、表示領域の横隔壁１９ｂの少なくとも一部は絶縁基板１上に形成された誘電体層２４上に形成され、非表示領域の横隔壁１９ｂと、表示領域及び非表示領域の縦隔壁１９ａは絶縁基板１に接するように形成されている。 - 特許庁

To provide a method of forming contact plug of a semiconductor element which can suppress formation of voids in a metal layer forming process subsequent to a contact plug forming process by selectively etching a subsequent interlayer insulation film formation of a contact plug so that the surface of the uppermost portion of the contact plug is higher than the surface of the uppermost portion of the interlayer insulation film.例文帳に追加

コンタクトプラグの形成後、コンタクトプラグの最上部の表面が層間絶縁膜の最上部の表面より高くなるように層間絶縁膜を選択的にエッチングすることにより、後続の金属層形成工程の際にボイドの生成を抑制する、半導体素子のコンタクトプラグ形成方法を提供すること。 - 特許庁

The optical recording medium is manufactured by directly irradiating a thin film for the light absorption part or a thin film for forming the heat insulation part layered on the substrate with a laser beam to transform the thin film, removing unnecessary parts by an etchant and forming a thermal control region so that the light absorption parts and the heat insulation parts alternately come in contact with the recording layer.例文帳に追加

基板上に積層された光吸収部用薄膜もしくは断熱部形成用薄膜を直接レーザ光照射により変質させ、不要部分をエッチング液で除去し、光吸収部と断熱部が交互に記録層に接するように熱制御領域を形成し光記録媒体を作製する。 - 特許庁

A capacitive insulation film 23 and the upper electrodes 24 are sequentially formed on the upper side on the second inter-layer film 25 in a way of bridging over the openings and the peripheral region of the openings, and the effective region of the capacitive element is equal to a region of the capacitive insulation film 23 in contact with the lower electrodes 22.例文帳に追加

第２の層間絶縁膜２５の上面における開口部及び開口部の周辺領域に跨るように容量絶縁膜２３と上部電極２４とが順次形成されており、容量素子の有効領域は、容量絶縁膜２３が下部電極２２と接する領域と等しくなっている。 - 特許庁

The washing place 10 constituted by the floor panels 1 is composed of an FRP-made basic part 21, a thermal insulation part 22 provided integrally on a surface of the basic part 21 and having numerous pores 16b and 16c, and a protection layer 23 provided integrally on a surface of the thermal insulation part 22 and having a thin part less than 0.15 mm.例文帳に追加

この床パネル１の洗い場１０は、ＦＲＰ製の基部２１と、基部２１の表面に一体に設けられ、無数の気孔１６ｂ、１６ｃを有して構成された断熱部２２と、断熱部２２の表面に一体に設けられ、薄い部分の厚みが０．１５ｍｍ未満の保護層２３とからなる。 - 特許庁

This polyester film substrate for interlayer insulation is used as the substrate on which a thermosetting resin is applied to form an interlayer insulation layer, wherein a degree of thermal shrinkage of the film in a width direction after 120°C×5 min is in a range of 0-1.0%, and thickness of the film is in a range of 20-100 μm.例文帳に追加

層間絶縁層を形成する熱硬化性樹脂を塗布するための支持体として使用されるポリエステルフィルムであって、１２０℃×５分におけるフィルムの幅方向の熱収縮率が０〜１．０％の範囲であり、フィルムの厚さが２０〜１００μｍの範囲であることを特徴とする層間絶縁用支持体ポリエステルフィルム。 - 特許庁

To provide a multilayer ceramic capacitor which can inhibit decrease in insulation resistance, accompanying the temporal variations in high-temperature load test and can keep high insulation, even if reduction treatment is carried out, in a multilayer ceramic capacitor which is constituted of a dielectric porcelain, constituted of crystal particles of barium titanate and crystal particles of barium calcium titanate as the dielectric layer.例文帳に追加

チタン酸バリウム結晶粒子とチタン酸バリウムカルシウム結晶粒子とから構成される誘電体磁器を誘電体層とする積層セラミックコンデンサについて、高温負荷試験における時間変化に伴う絶縁抵抗の低下を抑制でき、還元処理を行っても高絶縁性の積層セラミックコンデンサを提供する。 - 特許庁

The memory cell array layer includes: first lamination part 410 and 410B having first insulation layers and first conductive layers alternately laminated therein; and second lamination parts provided on either the top or bottom surfaces of the respective first lamination parts and laminated so as to form second conductive layers between second insulation layers.例文帳に追加

メモリセルアレイ層は、第１絶縁層及び第１導電層が交互に積層された第１積層部４１０，４１０Ｂと、第１積層部の上面或いは下面に設けられ且つ第２絶縁層間に第２導電層が形成されるように積層された第２積層部４２０Ａ，４２０Ｂとを備える。 - 特許庁

In a conductor formation step, electrolytic copper plating is performed following to electroless copper plating and a through hole conductor 17 is formed by filling the through hole 16 of the core insulation material 13 entirely, and a conductor layer 19 is formed on the main surface 14 and the rear surface 15 of the core of the core insulation material 13.例文帳に追加

導体形成工程において、無電解銅めっき後に電解銅めっきを施すことにより、コア絶縁材１３のスルーホール用穴１６内全体が充填されてなるスルーホール導体１７が形成されるとともに、コア絶縁材１３のコア主面１４及びコア裏面１５の上に導体層１９が形成される。 - 特許庁