「layer-insulation」に関連した英語例文の一覧と使い方(94ページ目) - Weblio英語例文検索

The semiconductor device has first level conductor layers 111-115 and a second level conductor layer 101 formed on a semiconductor substrate, an interlayer insulation film interposed between the first and second level conductor layers, and a plurality of through holes 121, 122 formed by opening the interlayer insulation film and applying the conductor therein.例文帳に追加

半導体基板上に形成された第１のレベルの導体層１１１〜１１５および第２のレベルの導体層１０１と、それらの第１、第２のレベルの導体層の間に介在する層間絶縁膜と、層間絶縁膜を開口して形成され、導電体が埋め込まれた同一レベルの複数のスルーホール１２１、１２２とを有する。 - 特許庁

To provide a heat expandable refractory material composition which is capable of preventing the occurrence of the dripping down in the application and the occurrence of crack of a formed heat insulation layer and has high reliability as a heat expandable refractory material in the heat expandable refractory material composition expanding by receiving heat in fire to exhibit flame shielding heat insulation function.例文帳に追加

火災時の受熱によって火災時の受熱によって発泡して遮炎断熱機能を発揮する熱発泡性耐火材組成物として、基材への塗工時に垂れ落ちを生じず、形成した耐火層の亀裂発生を防止でき、熱発泡性耐火材としての高い信頼性を備えるものを提供する。 - 特許庁

This thermal insulation Shoji 1 is partitioned in a grating shape in a frame body 2 framed in a rectangular shape by a vertical sash bar material 25a and a horizontal sash bar material 25b, and forms a thermal insulation air layer 30 blocked up in respective divisions, by sticking Shoji paper 3 to both surfaces of these frame body 2, vertical sash bar material 25a and horizontal sash bar material 25b.例文帳に追加

矩形に枠組みされた枠体２内に縦桟材２５ａと横桟材２５ｂとによって格子状に区画され、これら枠体２、縦桟材２５ａおよび横桟材２５ｂの両面に障子紙３が貼設され、各区画に閉塞された断熱空気層３０を形成するようになされた断熱障子１である。 - 特許庁

With the manufacturing method of the watertight insulated wire with an insulation layer coated around the outer periphery of a stranded conductor composed of a plurality of stranded wires and at same time, with a gap between the element wires of the stranded conductor and the gap between the stranded conductor and the insulation layer filled with a watertight compound, the surface of the element wires is subjected to plasma treatment.例文帳に追加

複数の素線が撚り合わせてなる撚線導体の外周に絶縁層が被覆し、前記絶縁層の被覆と同時に前記撚線導体の素線相互間の空隙部および前記撚線導体と絶縁層間の空隙部に水密コンパウンドを充填する水密絶縁電線の製造方法において、前記素線の表面をプラズマ処理することを特徴とする水密絶縁電線の製造方法で解決できる。 - 特許庁

The field emission display element includes a gate electrode 110 and an insulation layer 120 formed on a substrate sequentially; a cathode electrode 130 formed on the insulation layer 120 crossing the gate electrode 110; a carbon nanotube 150 formed on the cathode electrode 130 having a smaller width than that of the gate electrode 110; and an auxiliary electrode 140 formed in parallel with the cathode electrode 130.例文帳に追加

電界放出ディスプレイ素子は、基板上に順次形成されたゲート電極１１０及び絶縁層１２０と、前記絶縁層１２０上に形成され、前記ゲート電極１１０と交差するカソード電極１３０と、前記カソード電極１３０上に形成され、前記ゲート電極１１０の幅より小さい幅を有するカーボンナノチューブ１５０と、前記カソード電極１３０と平行に形成された補助電極１４０とを含む。 - 特許庁

The production process of FPC comprises a step for forming a desired circuit on the copper foil of a copper clad plate where a copper foil is laminated on one or both sides of the insulation film layer, a step for forming a bending groove by mechanical technique at least at one position of the insulation film layer, and a step for laminating a coverlay on the circuit forming surface after each step.例文帳に追加

絶縁フィルム層の一方の面又は両方の面に銅箔が積層された銅張積層板の該銅箔に所望の回路を形成する工程と、前記絶縁フィルム層の少なくとも１箇所に、機械的手法によって折り曲げ用の溝を形成する工程と、前記各工程の後に、前記回路形成面にカバーレイを積層してＦＰＣを得ることを特徴とするＦＰＣの製造方法。 - 特許庁

A non-planar display and a manufacturing method thereof include: an array substrate having a non-planar insulating substrate formed from a non-glass material, a ground insulation layer bonded to the insulating substrate, a switching element formed on the ground insulation layer and a pixel electrode connected to the switching element; and a counter substrate formed from a non-glass material and stuck to the array substrate.例文帳に追加

非ガラス素材によって形成された非平面形状の絶縁基板、前記絶縁基板に接着された下地絶縁層、前記下地絶縁層上に形成されたスイッチング素子、及び、前記スイッチング素子に接続された画素電極を備えたアレイ基板と、非ガラス素材によって形成され、前記アレイ基板に貼り合わせられた対向基板と、を備えたことを特徴とする非平面形状ディスプレイ及びその製造方法。 - 特許庁

Since an insulation layer part 4122 composed of an insulating material is provided at least on the surface at the electrode part 413 of an intermediate electrode 412 facing a print head 411, interval between the print head 411 and the intermediate electrode 412 is decreased while suppressing occurrence of leak between them by the insulation layer part 4122 thus enhancing ink ejection performance.例文帳に追加

中間電極４１２の電極部４１３の少なくともプリントヘッド４１１に対向する面に絶縁性材料からなる絶縁層部４１２２を設けることにより、絶縁層部４１２２の存在によってプリントヘッド４１１と中間電極４１２との間のリークの発生を抑制しつつ、プリントヘッド４１１と中間電極４１２との間隔を小さくしてインクの吐出性を向上するようにした。 - 特許庁

An overhung part 39 covering at least one part of the gate electrode 37 facing the fine carbonaceous fibers 38, is formed by arranging a second insulation layer 36 having an opening 36A gradually reducing its diameter as it becomes distant from the cathode 33 on a first insulation layer 34, of which, a minimum width of the opening is smaller than a width of the opening 37A formed on the gate electrode 37.例文帳に追加

第１の絶縁層３４上に、最小となる開口幅がゲート電極３７に設けられた開口部３７Ａの開口幅よりも大きく、かつカソード電極３３から離れるにつれて徐々に小さくなる開口部３６Ａを有した第２の絶縁層３６を設けることで、炭素系微細繊維３８と対向するゲート電極３７の面の少なくとも一部を覆う突出部３９を形成する。 - 特許庁

To provide a method for plating to filler via with high reliability by which hole filling can be completed in a short time in a plating step for filling a micro-diameter via hole connecting upper and lower conductor wiring layers when manufacturing a multilayer wiring board of a multilayer structure wherein an insulation layer made of an organic insulation material such as a polyimide resin and a wiring layer made of a conductor material such as cupper are alternately stuck.例文帳に追加

ポリイミド樹脂等の有機絶縁材からなる絶縁層と銅等の導体材料からなる配線層が交互に積層してなる多層構造を有する多層配線基板の製造における上下の導体配線層を接続する微小径ビアホールを穴埋めするめっき工程において、短時間で穴埋めが可能となり、かつ、接続信頼性の高い、フィルドビアめっき方法を提供する。 - 特許庁

In the mold material for cable coating used upon mold treatment, in which each terminal of cables 10a, 10b has an insulation coating layer consisting of polyolefin thermoplastic resin, and the insulation coating layer and a metal surface of the terminal are covered, polypropylene wax of 1 to 10 parts by weight is contained against 100 parts by weight of polyolefin thermoplastic resin mixed with the polyolefin thermoplastic resin denaturalized with carboxylic acid anhydride.例文帳に追加

ポリオレフィン系熱可塑性樹脂からなる絶縁被覆層を有するケーブル１０ａ，１０ｂの端末を、その絶縁被覆層と端末の金属面を覆ってモールド処理する際に用いるケーブル被覆用モールド材料において、カルボン酸無水物で変性されたポリオレフィン系熱可塑性樹脂が混合されたポリオレフィン系熱可塑性樹脂１００質量部に対して、ポリプロピレンワックスを１〜１０質量部含ませたものである。 - 特許庁

In an MIS(Metal Insulator Semiconductor) type semiconductor device by the manufacturing method of forming a mixed layer composed of Si and one or more kinds of metal elements, oxidizing the mixed layer, and forming a gate insulation film; a high capacity MIS transistor element with suppressed low dielectric constant SiO_2 formation is manufactured between an Si single crystal substrate and the gate insulation film.例文帳に追加

本発明は、ＭＩＳ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型半導体装置において、Ｓｉと一種以上の金属元素からなる混合層を形成し、前記混合層を酸化処理しゲート絶縁膜を形成する製造方法により、Ｓｉ単結晶基板とゲート絶縁膜間に低誘電率なＳｉＯ_２形成を抑制した高容量なＭＩＳトランジスタ素子を作製することができるものである。 - 特許庁

Inner electrodes 13 mutually opposed through a resistance layer 12a are provided in the interior of a thermistor element 12, composed of the resistance layer 12a having thermistor characteristics and insulation layers 12b laid on the upper and lower surfaces of the resistance layer 12a, and the electrodes 13 are electrically connected to outer electrodes formed on the thermistor element 12 ends.例文帳に追加

サーミスタ特性をもつ抵抗体層と、この抵抗体層の上下に配置された絶縁体層とからなる有機質サーミスタ素子の内部に、前記抵抗体層を介して互いに対向するように内部電極が設けられ、この内部電極は有機質サーミスタ素子端部に形成された外部電極にそれぞれ電気的に接続されている。 - 特許庁

The variable capacity element includes: a fixed electrode; an insulation part including an insulating layer laminated on the fixed electrode; a movable electrode including a movable part laminated on the insulating layer so as to be movable in the direction away from the insulating layer, and a fixed part for fixing one end of the movable part to the insulating part; and a counter electrode opposite to the movable electrode with a space.例文帳に追加

可変容量素子は、固定電極と、固定電極上に積層された絶縁層を含む絶縁部と、絶縁層上に絶縁層から離れる方向に移動可能に積層された可動部および可動部の一端を絶縁部に固定する固定部を含む可動電極と、可動電極に間隔を空けて対向する対向電極とを有している。 - 特許庁

To provide a method of detecting pin holes and cracks in the FRP layer of an exterior wall comprising a steel sheet, heat insulation layer, and the outermost FRP layer when inspecting the exterior wall of a repository buried in an underground, and to provide an underground repository structured suitable for the method when performing the inspection.例文帳に追加

地下に埋設された収納庫の外壁の検査方法及び当該検査をするのに適した構造の地下収納庫に関し、鉄板と、断熱層と、最外側のＦＲＰ層とを備えた外壁のＦＲＰ層のピンホールやクラックを検出する方法、及び当該方法を実施するのに適した構造の地下収納庫を提供する。 - 特許庁

The biaxially oriented film for electrical insulation comprises at least one layer including a substrate layer mainly composed of a crystalline thermoplastic resin, where the film contains at least 0.001 wt.% and at most 3 wt.%, based on the weight of the substrate layer, of a phenolic stabilizer and the phenolic stabilizer is an alkylenebisamide-type hindered phenol.例文帳に追加

結晶性熱可塑性樹脂を主たる成分とする基材層を含む少なくとも１層のフィルムであって、該基材層の重量を基準として０．００１重量％以上３重量％以下のフェノール系安定剤を含み、該フェノール系安定剤がアルキレンビスアミド型のヒンダードフェノールである電気絶縁用二軸配向フィルム。 - 特許庁

The wiring member 19 has a conductive part 19c1 for electrically connecting the conductive layer 19c with a wiring connection part 15a1 through a through-hole 19b1 disposed in the electrical insulation layer 19b, and an island-shaped terminal part 19a1 that is formed by electrically isolating the part of the conductive base material layer 19a that continues to the conductive part 19c1.例文帳に追加

配線部材１９は、電気絶縁層１９ｂに設けた貫通孔１９ｂ１を介して、導体層１９ｃと配線接続部１５ａ１との間を導通接続する導通部１９ｃ１と、導通部１９ｃ１に連なる導電性基材層１９ａの部分を電気的に隔離形成した島状端子部１９ａ１とを有する。 - 特許庁

A storage MISFET comprises a high resistance SiC layer 102 epitaxially grown on a SiC wafer 101, a P-type well region 103, an n-type storage channel layer 104 having a multiple δ dope layer formed on the surface region of the region 103, a contact region 105, a gate insulation film 108, and a gate electrode 110.例文帳に追加

蓄積型ＭＩＳＦＥＴは、ＳｉＣ基板１０１上にエピタキシャル成長された高抵抗ＳｉＣ層１０２と、ｐ型ウェル領域１０３と、ｐ型ウェル領域１０３の表面領域に形成された多重δドープ層を有するｎ型の蓄積チャネル層１０４と、コンタクト領域１０５と、ゲート絶縁膜１０８と、ゲート電極１１０とを備えている。 - 特許庁

A heat insulation layer 2 having heat conductivity smaller than that of a supporting substrate is formed by turning silicon into porous state from one side surface of the supporting substrate made of silicon, and non-porous silicon serving as a heating element layer 3 remains at the other side face of the supporting substrate, and a pair of pads 4 are formed on the surface of the heating element layer 3.例文帳に追加

シリコンからなる支持基板の一方の表面からシリコンを多孔質化することにより支持基板よりも熱伝導率の小さな断熱層２を形成するとともに、前記支持基板の他方の表面には多孔質化されていないシリコンが発熱体層３として存在し、該発熱体層３の表面に一対のパッド４が形成されてなる。 - 特許庁

A conductor layer having a metal wiring layer is expanded from a single crystal silicon substrate 1 and electrically insulated by an insulation film 9 from the silicon substrate 1 and the conductor layer is further electrically insulated by trenches 3 from other regions formed on the silicon substrate 1.例文帳に追加

単結晶シリコン基板１から金属配線層が形成されている導体層が引き出されて形成されており、この導体層は絶縁膜９によって単結晶シリコン基板８から電気的に絶縁され、さらにトレンチ３によって単結晶シリコン基板１より形成された他の領域から電気的に絶縁されるように構成する。 - 特許庁

The lower electrode 4 is patterned and the dielectric layer 5 is shaped to project therefrom and an insulation barrier layer 3 of more than one kind of composite metal oxide containing silicon or silicon nitride compound is interposed between the dielectric layer 5 projecting from the lower electrode 4 and the silicon oxide film 2.例文帳に追加

そして、下部電極４がパターニングされて誘電体層５がその下部電極４よりはみ出して形成されており、かつ、下部電極４よりはみ出した部分の誘電体層５と前記シリコン酸化膜２との間にＳｉを含む２種以上の複合金属酸化物またはシリコンチッ化物系化合物からなる絶縁バリア層３が介在されている。 - 特許庁

The recording and reproducing apparatus comprises: a recording medium 10 provided with a plurality of magnetic cells 14 including a magnetized recording layer 17 whose magnetization direction is changed and having information recorded; and a first head 20 arranged above the recording medium 10 through a space or an insulation layer and provided with a first magnetization fixed layer 22 whose magnetization direction is fixed.例文帳に追加

記録再生装置は、磁化方向が変化する磁化記録層１７を含みかつ情報が記録される磁気セル１４を複数個含む記録媒体１０と、記録媒体１０の上方に、空間もしくは絶縁層を介して配置され、かつ磁化方向が固定された第１の磁化固着層２２を含む第１のヘッド２０とを含む。 - 特許庁

To remove residues centering a nodule which is included in an Al (aluminum) alloy layer without increasing an overetched amount relating to an underlayer insulation film, when the Al alloy layer is etched in a laminated wiring containing the Al alloy layer, and its manufacturing method.例文帳に追加

Ａｌ合金層を含む積層配線及びその製造方法において、Ａｌ合金層をエッチング加工する際に、下地絶縁膜に対するオーバーエッチング量を増大させることなく、Ａｌ合金層に含有されるのノジュールを中心とする残渣を除去することが可能な積層配線及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the organic thin film transistor including a gate electrode, a source electrode, a drain electrode, an insulation layer, and an active layer consisting of an organic semiconductor at least on a plastic base material, a gas barrier layer is formed at least on the side of a surface on which the organic thin film transistor is formed of the surfaces of the plastic base material.例文帳に追加

少なくともプラスチック基材上に、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、絶縁層および有機半導体からなる活性層を含む有機薄膜トランジスタにおいて、該プラスチック基材の表面の少なくとも有機薄膜トランジスタを形成する面側にガスバリア層を形成してあることを特徴とする有機薄膜トランジスタを提供するものである。 - 特許庁

The non-volatile semiconductor memory device includes a memory cell, having a self-aligned two-layer gate structure which includes a gate insulating film formed on a semiconductor substrate, a first conductor 3 serving as a floating gate layer, a second conductor 7 serving as a control gate layer, and an insulation film 6 for electrically insulating the first conductor and the second conductor.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、半導体基板上に形成された、ゲート絶縁膜と、浮遊ゲート層となる第１の導電体３と、制御ゲート層となる第２の導電体７と、第１の導電体と前記第２の導電体を電気的に絶縁する絶縁膜６と、からなる自己整合的な二層ゲート構造を有するメモリセルを含む。 - 特許庁

The MOS transistor 10 includes the channel body 18, which is formed on the semiconductor layer 13 of an SOI substrate, where an insulation film 12 and the semiconductor layer 13 are laminated, in this order starting from the side of the semiconductor substrate 11, and is electrically floating in an immediately lower part of a gate electrode 15 in the semiconductor layer 13.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタ１０は、半導体基板１１上に絶縁膜１２および半導体層１３を半導体基板１１側からこの順に積層してなるＳＯＩ基板の半導体層１３に形成されており、半導体層１３のうちゲート電極１５直下の部位に、電気的に浮遊したチャネルボディ１８を有している。 - 特許庁

Once the quantity of re-adhesion of material in each layer comprising the multilayer T1 with conductivity can be reduced, electrical insulation between a free magnetic layer 2 and a fixed magnetic layer 25 is easily ensured to allow a magnetism detection element to demonstrate magnetic field detection capability, thereby improving the quality of the magnetism detection element to be formed.例文帳に追加

導電性を有する多層膜Ｔ１を構成する各層の材料の再付着量を低減することができると、磁気検出素子が磁界検出能を発揮するために重要となるフリー磁性層２３と固定磁性層２５間の電気的絶縁をとることが容易になり、形成される磁気検出素子の品質を向上させることができるようになる。 - 特許庁

In use of conductive resin compounds 6, 7 as layer interconnecting materials of a multilayer printed wiring board to be formed, without using through-holes, layer insulation films 3, 3' are set to 50 μm or less and metal foils for forming wiring layers 2, 4, 5, as required, are set to 18 μm or less in order to make the layer interconnection more strong in laminating.例文帳に追加

スルーホールを用いずに形成される多層プリント配線板の層間接続材料に導電性樹脂化合物６、７を用いる場合において、積層時に層間接続をより強固にするために層間絶縁膜３、３′を５０μｍ以下にし、必要に応じて配線層２、４、５を構成する金属箔の膜厚を１８μｍ以下にする。 - 特許庁

In the hearth roll for the heat treatment furnace which is disposed in the heat treatment furnace and the metal strip is heat-treated and carried, a heat insulation layer 4 formed of a porous metal of the porosity of ≥80%, a bonding metal layer 5 and an outermost layer 6 formed of a ceramic or cermet are successively layered on the surface of a roll base material 2.例文帳に追加

熱処理炉内に配設され、金属ストリップを熱処理して搬送する熱処理炉用ハースロールにおいて、ロール母材２の表面に、気孔率８０％以上の多孔質金属からなる断熱層４、結合用金属層５、およびセラミックスまたはサーメットからなる最表層６が順次積層されていることを特徴とする熱処理炉用ハースロール。 - 特許庁

The support layer having an electric insulation property has at least one contact window (7) to the connection conductor layer; at least two external electrical connection conductors (2, 3) are formed on the conductive connection conductor layer; and at least one of the connection conductors is electrically connected through the contact window (7).例文帳に追加

電気絶縁性の支持体層は接続導体層への少なくとも１つの接触窓（７）を有しており、導電性の接続導体層に、外部の電気的な少なくとも２つの接続導体（２，３）を形成してあり、該接続導体のうちの少なくとも１つの接続導体は接触窓（７）を介して電気的に接続されるようになっている。 - 特許庁

In the constitution, the image failure due to puncture of insulation of the charge injection preventing layer is reduced even when variation in divided voltage imparted to each layer of the photoreceptor is generated by damage to surface protective layer due to stripping discharge when stripping by a cleaning device 507 residue developer toner on the photoreceptor 501 after transferring of a toner image to transfer paper.例文帳に追加

この構成では、転写紙へのトナー像の転写後に感光体５０１に残留した現像剤トナーをクリーニング装置５０７で引き剥がす際に、剥離放電による表面保護層の損傷によって、感光体の各層にかかる分圧の変化が生じた場合でも、電荷注入阻止層の絶縁破壊による画像欠陥が低減される。 - 特許庁

Of the flat cable made by aligning in parallel, pinching and heat-sealing a plurality of conductors between two sheets of insulation base materials each composed of a thermoplastic resin film and an adhesive layer with each adhesive layer laid inside, a resin coated layer mainly composed of polyimide is made laminated on an outside surface of the outermost thermoplastic resin film.例文帳に追加

熱可塑性樹脂フィルムと接着層により構成された２枚の絶縁基材の間に、各接着層を内側にして、その接着層間に複数本の導体を並列して挟み込んで熱融着してなるフラットケーブルにおいて、該フラットケーブルの最外側の熱可塑性樹脂フィルムの外側表面にポリイミドを主成分とする樹脂塗布層を積層せしめた。 - 特許庁

An LCD driver IC 14 (semiconductor device) comprises: a transistor element 31; an STI separation layer 32 for separating the transistor element 31 electrically; gate wiring 34 formed over the STI separation layer 32 and the diffusion region 43; and an insulation film 41 formed between the gate wiring 34 and the STI separation layer 32.例文帳に追加

ＬＣＤドライバＩＣ１４（半導体装置）は、トランジスタ素子３１と、トランジスタ素子３１を電気的に分離するためのＳＴＩ分離層３２と、ＳＴＩ分離層３２及び拡散領域４３上に跨って形成されたゲート配線３４と、ゲート配線３４とＳＴＩ分離層３２との間に形成された絶縁膜４１とを有する。 - 特許庁

To realize stable processing for rough surface and prevent generation of deformation of a substrate due to defective close contact in order to improve electrical connection failure and defective external appearance of a via conductor through excellent close contact with a resin insulation layer, even when the wiring circuit layer is formed on the multilayer substrate.例文帳に追加

安定した粗面加工が可能であり、多層配線基板における配線回路層を形成した場合においても樹脂絶縁層との密着性に優れ、密着不良による基板の変形の発生を防止し、ビア導体の電気接続不良や外観不良を改善する。 - 特許庁

An insulating resin layer with an insulating coated conductive particle covered by an insulating resin layer composed of an insulation resin of which the surface of a conductive particle has a functional group is surface-treated with a polyfunctional compound having other functional groups which can react with a functional group of insulating resin.例文帳に追加

導電粒子の表面が官能基を有する絶縁性樹脂からなる絶縁性樹脂層で被覆されてなる絶縁被覆導電粒子の当該絶縁性樹脂層を、絶縁性樹脂の官能基と反応しうる他の官能基を有する多官能性化合物で表面処理する。 - 特許庁

Furthermore, the surface of the current collection member 20 on the fuel battery cell side is covered with a Cr diffusion preventative layer having conductivity, and the surface of the other current collection members such as the edge portion of the current collection member 20 is covered with the Cr diffusion preventative layer having insulation performance such as Al_2O_3.例文帳に追加

また、燃料電池セル側の集電部材２０の表面が導電性を有するＣｒ拡散防止層で被覆され、集電部材２０のエッジ部分等のその他の集電部材の表面が、Ａｌ_２Ｏ_３等の絶縁性を有するＣｒ拡散防止層で被覆されている。 - 特許庁

To provide a memory device which is not sensitive to the thickness of a charge barrier layer and never induces defects in an insulation film of the charge barrier layer and can write/read at a low voltage and never requires an expensive material and can remarkably reduce the manufacturing cost of a future large-capacity memory.例文帳に追加

電荷障壁層の厚さに敏感でなく、電荷障壁層の絶縁膜に欠陥を誘起することなく、低電圧で書き込み読み出しができ、高価な材料を用いる必要がなく、将来の大容量メモリの製造コストを格段に引き下げることができる記憶素子を実現する。 - 特許庁

A hand mirror 10 as the mirror with a lighting apparatus is provided with a transparent substrate 21, a transparent conductive layer 22 formed almost on the whole surface of the transparent substrate 21 and a transparent electrode 22a sectioned and formed on a peripheral part of the transparent conductive layer 22 via an insulation groove 23.例文帳に追加

照明装置付き鏡としての手鏡１０は、透明基板２１と、透明基板２１上のほぼ全面に形成された透明導電層２２と、透明導電層２２の周縁部に絶縁溝２３を介して区画形成された透明な透明電極２２ａとを備えている。 - 特許庁

An oxygen barrier layer 108A connected to the upper end of the plug 107 is formed on the first protective insulation film 103, and the oxygen barrier layer 108A is composed of multiple nitride which is the mixture of a first conductive nitride and a second insulating nitride or an alloy.例文帳に追加

第１の保護絶縁膜１０３の上には、プラグ１０７の上端と接続する酸素バリア層１０８Ａが形成されており、該酸素バリア層１０８Ａは、導電性を有する第１の窒化物と、絶縁性を有する第２の窒化物との混合物又は合金である複合窒化物からなる。 - 特許庁

A semiconductor chip 24 is mounted close to a wiring board, on one main face 30u of a substrate 40, comprising the wiring board 30 having an insulation property and the interconnection 32 having conductivity, via a die bonding layer 26, solder resist layer 34c and the interconnection 32a, and these are covered by a sealing resin 38.例文帳に追加

絶縁性を有する配線板30と導電性を有する配線３２とを含んで構成される基板40の一方の主面30uに、半導体チップ24が、ダイスボンド層26、ソルダーレジスト層34ｃ及び配線32aを介して配線板に密着されて搭載され、封止樹脂38でこれらを覆う構造とする。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory device which can store information by accumulating charges in a charge accumulation layer consisting of an insulation layer in order to assure dielectric strength between a source and a drain even when the effective channel length is short and also provide a method of manufacturing the same non-volatile semiconductor memory device.例文帳に追加

絶縁層よりなる電荷蓄積層に電荷を蓄積することにより情報を記憶する不揮発性半導体記憶装置において、実効的なチャネル長が短くてもソース−ドレイン間の耐圧を確保しうる不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Even when a leakage path is generated in the layer 14a of the larger Pb composition amount by a lead dioxide generated by electrochemical reaction under the highly humid environment, since the leakage path is not generated in the layer 14b of the smaller Pb composition amount, the decline is prevented in the insulation between upper and lower electrodes.例文帳に追加

Ｐｂ組成量の多い層１４ａに高湿度環境下で電気化学的な反応によって発生する二酸化鉛によるリークパスが発生したとしても、Ｐｂ組成量の少ない層１４ｂではリークパスが発生しないので、上下電極間での絶縁性の低下を防ぐことができる。 - 特許庁

To provide a printed wiring board thermosetting epoxy resin composition capable of forming a cured film which is superior in heat resistance, crack resistance, electric insulation properties, and adhesive properties to a conductor layer, a build-up multilayer printed wiring board equipped with an insulating resin layer formed by the use of the same, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

耐熱性、クラック耐性、電気絶縁性、導体層との密着性に優れる硬化塗膜を形成できるプリント配線板用熱硬化性エポキシ樹脂組成物、それを用いて絶縁樹脂層を形成したビルドアップ多層プリント配線板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a coating composition suitable for a material for forming dielectric layer of a PDP and an inter-layer insulation film of an SED made to have a relative dielectric constant of 5 or less by combination of a wet process and heating process of 600°C or less.例文帳に追加

ウェットプロセスと６００℃以下の熱処理の組み合わせによって、比誘電率が５以下である、ＰＤＰの誘電体層やＳＥＤの層間絶縁膜を形成する材料として好適なコーティング組成物、及びそれを用いた誘電体層や層間絶縁膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

After forming the gate electrode layer 24 of polysilicon or the like as indicated by a broken line on the insulating film 20, an n^+-type source region 28 and an n^+-type drain region 30 are formed by an ion implantation processing with the lamination of the electrode layer 24 and the insulation film 20 and the insulating film 16 as masks.例文帳に追加

絶縁膜２０の上に破線で示すようにポリシリコン等のゲート電極層２４を形成した後、電極層２４及び絶縁膜２０の積層と絶縁膜１６とをマスクとするイオン注入処理によりＮ^＋型ソース領域２８及びＮ^＋型ドレイン領域３０を形成する。 - 特許庁