意味 | 例文 (999件) |
layer-insulationの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 5895件
In this manufacturing method of the photoelectric conversion device, a first electroconductor arranged in a first hole formed at the first interlayer insulation layer electrically connects a first semiconductor region to the gate electrode of an amplifying MOS transistor not through wiring included in a wiring layer.例文帳に追加
光電変換装置の製造方法において、第1の層間絶縁層に配された第1のホールに配された第1の導電体によって、第1の半導体領域と増幅用MOSトランジスタのゲート電極とが配線層に含まれる複数の配線を介さずに電気的に接続されている。 - 特許庁
Since a stopper insulation film 6 is formed of a silicon nitride film along the upper part 3b of the sidewall of a wiring layer 3, the capacitance value between the adjacent wiring layers 3 can be reduced when compared with a constitution having the silicon nitride film formed entirely on the sidewall of the wiring layer 3.例文帳に追加
ストッパー絶縁膜6がシリコン窒化膜により配線層3の側壁上部3bに沿って形成されているため、シリコン窒化膜が配線層3の側壁全面に形成されている構成に比較して隣接する配線層3間の容量値を低減することができる。 - 特許庁
In the EL luminescent element 17, an EL luminescent layer 10 is interposed between a translucent electrode 8 and an electrode 12 having translucence or made of a metal film, while insulation layers 9, 11 are disposed between the EL luminescent layer 10 and at least one of the electrodes 8, 12.例文帳に追加
EL発光素子17は、透光性を有する電極8と透光性を有するまたは金属膜から成る電極12との間にEL発光層10を介在し、少なくともいずれか一方電極8,12とEL発光層10との間に絶縁層9,11を配置して成る。 - 特許庁
A via hole 60A formed on a lid plating layer 36a and having the greater part of its bottom formed in a part other than on a through hole 36 is subjected to a larger stress during a heat cycle as compared with a via hole 160 being formed in a second interlayer resin insulation layer 150.例文帳に追加
蓋めっき層36aの上に形成されているバイアホール60Aであって、その底部の大部分がスルーホール36上以外の部分に形成されるバイアホール60Aは、第2の層間樹脂絶縁層150に形成されるバイアホール160よりヒートサイクル時に加わる応力が大きい。 - 特許庁
At least one sensor element is constituted by a layer structure, consisting of a flexible conductive layer and a flexible electrical insulation layer; conductive potential surfaces of the layers are arranged laterally separately on an insulating layer located between them; electric lines of force are formed among the conductive potential surfaces; and the electric line of force varies measurably, when a body or object approaches and/or touches it.例文帳に追加
少なくとも1つのセンサエレメントを、柔軟な導電層と電気的絶縁層から成る層構造体から構成し、層の導電性ポテンシャル面は側方で間隔を空けて、その間に位置する絶縁層上に配置され、導電性ポテンシャル面の間に電気力線が形成され、当該電気力線が、体または対象物が接近および/または接触した際に測定可能に変化すること。 - 特許庁
The heat transferred from the processing container 1 is reflected by an aluminum layer 33 toward the processing container 1 and when the heat of the processing container 1 cannot be fully reflected and the temperature of the aluminum layer 33 is raised, the dissipation of heat to the outside can be suppressed by laminating the aluminum layer 33 and a resin layer 34 in a heat insulation block 30 from the processing container 1 side in this order.例文帳に追加
また、断熱ブロック30の内部にアルミニウム層33と樹脂層34とを処理容器1側からこの順番で積層することによって、アルミニウム層33により処理容器1から伝熱される熱を当該処理容器1に向けて反射すると共に、処理容器1の熱を反射しきれずにアルミニウム層33が昇温した場合には樹脂層34により外部への放熱を抑えることができる。 - 特許庁
The manufacturing method of the semiconductor device includes steps of: forming the conductive plug connecting with an element on a semiconductor substrate on an insulation film of the semiconductor substrate; forming an oxygen barrier layer comprising titanium aluminum nitride on the conductive plug; forming a seed layer comprising titanium on the oxygen barrier layer, and forming a lower electrode film of the ferroelectric capacitor on the seed layer.例文帳に追加
半導体装置の製造方法は、半導体基板上の絶縁膜に、前記半導体基板上の素子に接続する導電性プラグを形成する工程と、前記導電性プラグ上に、チタンアルミナイトライドから成る酸素バリア層を形成する工程と、前記酸素バリア層上に、チタンから成るシード層を形成する工程と、前記シード層上に、強誘電体キャパシタの下部電極膜を形成する工程とを含む。 - 特許庁
The organic electroluminescent element comprises a luminous element 17 having an organic layer 13 including a luminous layer interposed between a lower electrode 12 formed on a substrate 11 and an opposing electrode 14, and a non-luminous part 18 with an inter-layer insulation film 15 formed on the substrate and the lower electrode 12, and a moistureproof layer 16 at the outer surface of the non-luminous part.例文帳に追加
基板11上に設けた下部電極12と対向電極14の間に、発光層を含む有機層13を有する発光素子部分17と、基板及び下部電極上にパターン加工された層間絶縁膜15が存在する非発光素子部分18とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、非発光素子部分の外表面に防湿性絶縁膜16を有する有機エレクトロルミネッセンス素子である。 - 特許庁
This method for manufacturing the stamper for molding the optical disk substrate comprises forming a Ni-electroformed layer of a film state having a transferring surface on a photoresist master disk provided with a transferring surface pattern by an electroforming unit 101 and forming a heat insulating layer of a film state having thermal insulation property on the Ni-electroformed layer by a heat insulating layer molding unit 106.例文帳に追加
転写面パターンを備えたフォトレジスト原盤上に転写面を有するNi電鋳層を成膜形成する電鋳ユニット101を設け、Ni電鋳層上に断熱性を有する断熱材を成膜形成する断熱材成形ユニット106を設け、これらの電鋳ユニット101と断熱材成形ユニット106とによって断熱材が形成された光ディスク基板成形用スタンパを製造する。 - 特許庁
The heating toilet seat device includes a base material, a cushion provided on the base material and having flexibility and insulation performance, a skin layer for covering the cushion, a heating part provided between the base material and the skin layer, and a shielding layer provided between the skin layer and the heating part, formed by a material with stab resistance higher than that of the skin layer and stretchable along with compressive deformation of the cushion.例文帳に追加
基材と、前記基材の上に設けられ、弾力性および絶縁性を有するクッション部と、前記クッション部を覆う表皮層と、前記基材と前記表皮層との間に設けられた発熱部と、前記表皮層と前記発熱部との間に設けられ、前記表皮層よりも高い耐刃性を有する材料により形成され、前記クッション部の圧縮変形に追従して伸縮変形する遮蔽層と、を備えたことを特徴とする暖房便座装置が提供される。 - 特許庁
The display includes an insulation substrate, a source electrode 50 and a drain electrode 60 disposed on the insulation substrate and distanced from each other and including a channel area interposed therebetween, a wall exposing portions of the source electrode and the drain electrode, and defining an opening area surrounding the channel area, and an organic semiconductor layer covering the channel area, and comprising a first sub layer and a second sub layer having different grain sizes.例文帳に追加
本発明による表示装置は、絶縁基板と、前記絶縁基板上に形成されておりチャンネル領域を介して離隔配置されているソース電極およびドレイン電極と;前記ソース電極および前記ドレイン電極を少なくとも一部分露出させながら、前記チャンネル領域を囲んでいる開口領域を定義する隔壁と、前記チャンネル領域を覆っており、結晶粒の大きさが互いに異なる第1サブ層と第2サブ層を有する有機半導体層と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁
The cryostat includes a net layer 41' equipped with an adsorbent, can maintain a high degree of vacuum by efficiently adsorbing gas inside the cryostat unremoved by a vacuum pump or generated at a metal irregularity pipe and a multilayer insulation film, and also, since a localized compression zone of the multilayer insulation film generated at an adsorbing position of a conventional adsorbent goes away, a better insulation property can be provided.例文帳に追加
本発明による低温維持装置は、吸着剤を備えたネット層41’が含まれ、真空ポンプにより除去されなかったり金属凹凸管及び多層断熱フィルムで発生した低温維持装置内の気体をより効率よく吸着して高真空度を維持することができ、従来の吸着剤の付着位置に生じる多層断熱フィルムの局部圧縮区間が無くなるため、より良い断熱性能を奏することができる。 - 特許庁
The communicating path h2 has a form in which a long axis and a short axis orthogonally crossing the long axis can be determined, with the long axis extending in such a direction as crossing the one surface and the other surface of the base insulation layer 2 at a predetermined angle.例文帳に追加
連通路h2は、長軸とその長軸に直交する短軸とを特定可能な形状を有し、長軸はベース絶縁層2の一面および他面に所定の角度で交差する方向に延びる。 - 特許庁
An insulation layer is formed on a first and a second gates 3, 4 for respectively forming the gates of the first and second driver MOS transistors Q1, Q2 and the gates of the first and second load MOS transistors Q3, Q4.例文帳に追加
第1と第2ドライバMOSトランジスタQ1,Q2のゲートと、第1と第2ロードMOSトランジスタQ3,Q4のゲートとをそれぞれ形成する第1および第2ゲート3,4上に絶縁層を形成する。 - 特許庁
To provide efficient heat radiation which is related to an SOI structure, by forming a semiconductor device located beneath an embedded insulation layer, which is in turn electrically connected to an electrical structure body formed on the SOI structure.例文帳に追加
SOI構造に関し、埋め込み絶縁層下に半導体装置を形成し、これにSOI構造上に形成した電気構造体を導電的に接続することにより、効率的な放熱を実現する。 - 特許庁
A method for driving a liquid crystal display unit comprises steps of disposing a drain electrode only on a gate electrode, and connecting a pixel electrode to the drain electrode via a thick insulation layer, so that a parasitic capacity between the gate and the drain can be held to be a fixed value.例文帳に追加
ドレイン電極をゲート電極上にのみ配置し、厚い絶縁層を介してドレイン電極に絵素電極を接続することでゲート・ドレイン間の寄生容量を一定の値に保つことができる。 - 特許庁
To provide a surface treatment method for copper by which adhesive strength between a copper surface and an insulating layer is secured without forming ruggedness of >1 μm on the copper surface of copper, and insulation reliability between wiring therefore can be improved, and to provide copper.例文帳に追加
銅表面に1μmを超す凹凸を形成することなく、銅表面と絶縁層との接着強度を確保し、配線間の絶縁信頼性を向上できる銅の表面処理方法及び銅を提供する。 - 特許庁
To provide an organic transistor with high electric characteristics by preventing an insulation layer of a channel interface from being damaged even with a strong organic solvent applied which can dissolve a highly movable low molecular weight material.例文帳に追加
チャネル界面の絶縁層が、高移動度の低分子系材料を溶解しうる強い有機溶剤を塗布しても破壊されないようにすることによって、高い電気的特性を有する有機トランジスタを提供する。 - 特許庁
In particular, the optical reflective layer RF includes a plurality of recessed parts 15 which are apart from the plurality of organic EL elements OLED through an optical transmissive insulation film 26, respectively, and which direct the reflected light toward the corresponding organic EL elements OLED, respectively.例文帳に追加
特に光反射層RFは複数の有機EL素子OLEDから光透過性絶縁膜26を介してそれぞれ離され各々対応有機EL素子OLEDに反射光を向かわせる複数の凹部15を含む。 - 特許庁
The angle θ (acute angle) is preferably in the range of 45°-80° between each side face of the first terminal 2a and the second terminal 2b with which the connection pin 21 comes into contact and the surface of a base insulation layer 1.例文帳に追加
接続用ピン21が接触する第1の端子部2aおよび第2の端子部2bの上記各側面と、ベース絶縁層1の表面とのなす角度θ(鋭角)は、例えば45°〜80°であることが好ましい。 - 特許庁
To provide a fuse structure which selectively blows only a fuse to reduce damage to a base layer insulation film in a method of manufacturing a semiconductor device including a redundant relieving fuse structure.例文帳に追加
冗長救済用のヒューズ構造を含む半導体装置の製造方法に係わり、下地層間膜へのダメージを低くしヒューズのみの選択的溶断が可能なヒューズ構造を提起することを目的とする。 - 特許庁
An insulation layer 15 covering the organic luminescence elements 10R, 10G and 10B is formed with a first opening 15A and a second opening 15B in each of the organic luminescence elements 10R, 10G and 10B.例文帳に追加
有機発光素子10R,10G,10Bを覆う絶縁層15には、有機発光素子10R,10G,10Bの各々ごとに、第1の開口部15Aおよび第2の開口部15Bが設けられている。 - 特許庁
Then columnar metallic posts 109 are formed on respective electrode pads 103, and further the MEMS elements 106 and fixed elements 107 are covered by a resin insulation layer 108 having a sufficient thickness.例文帳に追加
電極パッド103の上に柱状の金属ポスト109が形成された状態とした後、MEMS素子106及び固定素子107が、充分な厚さの樹脂絶縁層108に覆われた状態とする。 - 特許庁
The cover film 16 is covered with a topside-planarized silicon oxide lower layer insulation film 17 at a low directivity and a high coverage, and lower plugs 15a are included in this film 17.例文帳に追加
被覆絶縁膜16は、低指向性で高被覆率の酸化シリコンからなり、その上面が平坦化された下部層間絶縁膜17によって覆われており、下部プラグ15aは該下部層間絶縁膜17に含まれている。 - 特許庁
An insulation layer 18 with a slope (upper side 18a) is formed from the end of a pad 16, formed on an upper side of an LED 15 to an end of an electrode 12, formed on a wiring board 10.例文帳に追加
LED15の上面に形成されたパッド16の端部から配線基板10上に形成された電極部12の端部に至るまで、傾斜面(上面18a)を有する絶縁層18を形成する。 - 特許庁
Moreover, the anchors 30a, 30b, 30c are secured to the substrate 14 in such a manner that removal of the insulation layer has little to no affect on the anchoring of the mechanical structures 20a, 20b, 20c to the substrate 14.例文帳に追加
更に、アンカー30a、30b、30cは、絶縁層の除去が機械構造20a、20b、20cの基板14に対する固定にほとんど又は全く影響を及ぼさないように基板14に固定される。 - 特許庁
An insulation laminated membrane 18 formed on a side surface of a translucent electrode 4 opposite to the light-emitting layer 7 includes low refractive index layers 17a, 17b, 17c and high refractive index layers 16a, 16b, 16c.例文帳に追加
透光性電極4のうち発光層7と反対側の面に形成された絶縁体積層膜18は、低屈折率層17a,17b,17cと高屈折率層16a,16b,16cとを有する。 - 特許庁
The reliability of the terminal is improved by leading out a video signal line DL by connecting it to gate wiring GL of the lower part of an insulation layer PAS at the lower part of the sealing material SEL from drain wiring DL in a display region.例文帳に追加
映像信号線DLは表示領域のドレイン配線DLからシール材SEL下部では絶縁膜PAS下部のゲート配線GLに繋ぎ変えて引き出すことにより、端子の信頼性を大きくする。 - 特許庁
To provide an SIMOX substrate wherein strained stress caused in an interface between a partially buried insulation film and a bulk layer is reduced to suppress the occurrence of dislocation due to the strained stress, and also to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加
部分的な埋め込み絶縁膜とバルク層との界面に生じた歪み応力を低減し、この歪み応力による転位の発生を抑制するSIMOX基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
A gate insulation layer, whose film is formed through plasma CVD method, has a laminated structure comprised of a first silicon nitride film 3 and a second silicon nitride film 4 that is formed at a film formation speed which is than that of a first silicon nitride film.例文帳に追加
プラズマCVD法により成膜されるゲート絶縁層を、第1の窒化シリコン膜3及び該第1の窒化シリコン膜よりも低速の成膜速度で成膜した第2の窒化シリコン膜4の積層構造とした。 - 特許庁
To improve adhesion between a BPSG film and a resist film to suppress etching parts by wet etching from spreading sideways, in a step of forming connection holes into a BPSG film or similar layer insulation film.例文帳に追加
BPSG膜などの層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する際に、BPSG膜とレジスト膜との間の密着性を向上させて、ウェットエッチングによるエッチング部分の横方向への広がりを抑制すること。 - 特許庁
After a ceramic capacitor 101 and a core substrate 11 are prepared, a build-up material is jointed to a core rear surface 13 of the core substrate 11, so as to form an insulation layer and block one opening of a housing hole part 90.例文帳に追加
セラミックコンデンサ101とコア基板11とを準備した後、ビルドアップ材をコア基板11のコア裏面13側に接合することで、絶縁層を形成しかつ収容穴部90の一方の開口を閉塞する。 - 特許庁
The solder resistant resin layer 3 is formed, by hardening a thermosetting resin composition containing an elastomer for imparting flexibility, and a planer clay-based insulation filler having average grain size of 0.1-2 μm where the Erichsen value thereof is 3-10 mm.例文帳に追加
耐半田樹脂層3は、可撓性を付与するエラストマーと、平均粒径が0.1〜2μmである板状粘土系絶縁性フィラーとを含有する熱硬化性樹脂組成物を硬化させてなり、そのエリクセン値が3〜10mmである。 - 特許庁
The outside of an insulation section 20 of a capacitor 10 is coated with a conductive layer 30 formed from a conductive resin member which is mixed with 30-95 wt.% of a conductive filler, to shield the capacitor from electromagnetic waves.例文帳に追加
コンデンサ10の絶縁部20の外側を、導電性フィラーが30〜95重量%配合されている導電性樹脂部材によって形成された導電層30によってコーティングして、電磁波をシールドする。 - 特許庁
The stretched around wiring 9 on a lower substrate 3 is arranged inside the liquid crystal display region 102 under pixels 2 by making a double layered structure comprising a transparent electrode 12 of the lower substrate 3 and the stretched around wiring 9 with an insulation layer 21 interposed in-between.例文帳に追加
下基板3の透明電極12と引き廻し配線9とを絶縁膜21を挟んだ2層構造として、下基板3の引き廻し配線9を画素2の下の液晶表示領域102内に設ける。 - 特許庁
A closed space 61 is formed between the glasses 19, 46 by closing the opening and closing sliding paper door 4 to the door body 3, and an air layer in the closed space 61 is formed larger so as to improve a sound insulation effect.例文帳に追加
その開閉障子4のドア本体3に対する閉鎖状態でガラス19,46間に密閉空間61を形成し、密閉空間61内の空気層を大きく取って遮音効果を向上する。 - 特許庁
The stamp material layer of a cupola hearth 22 consists of first layers 24a and 24b on the upper surface side formed of a material high in corrosion resistance, and second layers 26a and 26b on the under surface side formed of a material high in heat insulation property.例文帳に追加
キュポラ炉床22におけるスタンプ材層は上面側の耐食性の高い素材にて構成された第1層24a, 24bと下面側の断熱性の高い素材にて構成された第2層26a, 26bとから構成される。 - 特許庁
A sheet 68 for a heat insulation section comprises a heat insulating member 6 comprising countless pores 7a and 13, and a protecting layer 9 having a thickness of a thinner part below 0.15 mm and being integrally provided on the surface of the heat insulating member 6.例文帳に追加
断熱部用シート68は、無数の気孔7a、13を有して構成された断熱部6と、断熱部6の表面に一体に設けられ、薄い部分の厚みが0.15mm未満の保護層9とからなる。 - 特許庁
A ground electrode 3 is formed on the lower face of a dielectric board 1, a line pattern 21 of a multiple spiral shape is formed on the upper face, and a radial line pattern 22 is formed on the line pattern 21 via an insulation layer 5.例文帳に追加
誘電体基板1の下面にグランド電極3を形成し、上面に多重スパイラル状の線路パターン21を形成し、さらに絶縁層5を介してその表面に放射状の線路パターン22を形成する。 - 特許庁
The discharge prevention member SSB has an electric conductive layer ECL on an insulation core material MBD for which glass is suitable, and its bottom face is fixed with the scanning signal wiring s with an adhesive agent FGL such as frit glass or the like.例文帳に追加
放電防止部材SSBはガラスを好適とする絶縁芯材MBDの上面に導電層ECLを有し、下面をフリットガラス等の接着剤FGLで走査信号配線sに固定してある。 - 特許庁
To provide a method for obtaining a glass ceramic substrate in which a sintering shrinkage of a glass ceramic green sheet is surely restricted, which has a high dimensional accuracy and high reliability without deteriorating an insulation of a glass ceramic coating layer.例文帳に追加
ガラスセラミック・グリーンシートの焼結収縮を確実に拘束して、寸法精度が高く、かつガラスセラミック被覆層の絶縁性の劣化がない高信頼性のガラスセラミック基板を得る方法を提供することである。 - 特許庁
To obtain a flame-retardant coating layer having satisfactory flame retardance which has high adhesion to a base material film, has no degradation of a mechanical characteristic and insulation, and is halogen-free in a printed wiring board such as a membrane switch.例文帳に追加
メンブレンスイッチなどのプリント配線板において、基材フィルムに対して接着力が高く、機械特性や絶縁性の低下がなく、ノンハロゲンで、十分な難燃性を有する難燃性の被覆層を得ることにある。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can suppress the penetration of boron into a substrate while suppressing an increase in thickness of a base interface layer and can reduce dopants in a gate insulation film.例文帳に追加
下地界面層の膜厚増加を抑制しつつ、ホウ素の基板への突き抜けを防止するとともに、ゲート絶縁膜中の不純物を低減させることのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
The group 50a has a constitution in which two sensors such as a piezoelectric sensor 51a and a piezoelectric sensor 53a are stacked with an insulation layer 52 interposed between them and the two sensors are connected in parallel.例文帳に追加
第1振動検出センサ群50aは、圧電センサ51aと圧電センサ53aといった2つの圧電センサを絶縁層52を挟んで積層配置した構成となっており、2つの圧電センサが並列接続されている。 - 特許庁
To prevent degradation of a refrigerating machine oil by an insulation layer formed in a coil end part, in a closed type electric compressor in which carbon dioxide refrigerant is sucked and compressed.例文帳に追加
二酸化炭素冷媒を吸入圧縮する密閉型圧縮機において、コイルエンド部に形成した絶縁層により冷凍機油が劣化することを防止することが可能な密閉型電動圧縮機を提供すること。 - 特許庁
A second wiring 57a connected to the electrode terminal 2T of a long distance mutually is formed thicker than the first wiring 56a through the another part of a first via and a second via on the second insulation layer 52.例文帳に追加
第2の絶縁層52上に、第1のビアの他の一部と第2のヴィアを介して、長距離の電極端子2T間同士を接続された第2の配線57aが、第1の配線56aより太く形成される。 - 特許庁
To provide a plasma display panel preventing insulation breakdown of a dielectric layer of a priming discharge cell, capable of carrying out a write-in operation with stability and high speed by stably generating priming discharge, and enabled to be made higher in definition.例文帳に追加
プライミング放電セルの誘電体層の絶縁破壊を防ぎ、プライミング放電を安定して発生させて書込み動作を安定かつ高速に行うことができ、高精細化も可能なプラズマディスプレイパネルを提供する。 - 特許庁
To achieve a method capable of manufacturing an image display device by a sealing process using a conventional frit glass at low cost by regulating material composition of a soda-lime glass substrate, a cathode wiring material, and an inter-layer insulation film material.例文帳に追加
ソーダライムガラス基板の材料組成の規定と、カソード配線材料、層間絶縁膜材料を規定することにより、従来のフリットガラスを用いた封着プロセスで安価に製造できる方法を実現する。 - 特許庁
Through this means, an air insulation layer corresponding to the spacing δ1 is provided between the relay 40 and the insulating board 15a to prevent the heat generated by the relay 40 affecting the insulating board 15a.例文帳に追加
これによってリレー40と絶縁板15aとの間に所定間隔δ1に相当する空気断熱層を設けて、リレー40の発熱が絶縁板15aに影響するのを防止するようになっている。 - 特許庁
The insulation rubber layer 7 includes a core covering portion 7A having a thickness T of 0.2-1.0 mm and ranging over along the inner and outer faces 5a, 5b of a bead core 5 in a tire axial direction and the lower face 5c in a tire radial direction.例文帳に追加
インシュレーションゴム層7は、厚さTが0.2〜1.0mmかつ前記ビードコア5のタイヤ軸方向の内外面5a、5b及び半径方向下面5cに沿って連続するコア覆い部分7Aを含む。 - 特許庁
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