「"formation region"」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

Furthermore, a light shielding film 11A is arranged to cover a non-pattern formation region 51 which is in a region between the pixel region 10P and the perpendicular driving circuit 40 and in which the gate line GL and the sustaining capacity line SC are not formed.例文帳に追加

そして、画素領域１０Ｐと垂直駆動回路４０の間の領域であって、ゲート線ＧＬ及び保持容量線ＳＣが形成されていない非パターン形成領域５１を覆う遮光膜１１Ａが配置されている。 - 特許庁

As compared with a thin film transistor in which an amorphous semiconductor is included in a channel formation region, on-current of a thin film transistor can be increased.例文帳に追加

薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁層と、ソース領域及びドレイン領域との間であって、且つ少なくともソース領域及びドレイン領域側に、窒素、ＮＨ基、またはＮＨ_２基を有する非晶質半導体層をバッファ層として有する。 - 特許庁

Moreover, an insulating film 207 is formed on the whole surface of the substrate 201, an upper wiring layer 208 is formed on a memory cell region on the film 207 and at the same time, alignment marks 208-a are formed on the alignment mark formation region.例文帳に追加

さらに、全面に絶縁膜２０７を形成し、絶縁膜２０７上のメモリセル領域に上層配線層２０８を形成すると同時に、位置合わせマーク形成領域に位置合わせマーク２０８−ａを形成する。 - 特許庁

In the view from the upper part, the shape of the body region 22 is a U shape, and a body part 22a extending in the short side direction of an FET formation region and an extension part 22b extending in a long side direction from the body part 22a are formed.例文帳に追加

上方から見て、ボディ領域２２の形状はコ字状であり、ＦＥＴ形成領域の短辺方向に延びる本体部２２ａと、本体部２２ａから長辺方向に延出した延出部２２ｂとが形成されている。 - 特許庁

The protective film 10 has an opening 11 for exposing a terminal formation region of the backside wiring layer 9, a first projection 12 provided at its periphery, and a second projection provided on an outer-edge side of the first projection 12.例文帳に追加

保護膜１０は裏面配線層９の端子形成領域を露出させる開口部１１と、その周囲に設けられた第１の凸部１２と、第１の凸部１２より外縁側に設けられた第２の凸部とを有する。 - 特許庁

When an image area ratio of a visible image on a photoreceptor 1 surface computed by an image area ratio computing means is less than a predetermined value, toner is input in a non-image-formation region of the photoreceptor 1 surface.例文帳に追加

画像面積率算出手段により算出された感光体１表面の可視像の画像面積率が所定の値より少ないときに、感光体１表面の非作像領域でトナーを入力させることを特徴とする。 - 特許庁

The semiconductor device having an island semiconductor film which is to be a channel formation region, and a semiconductor film which contacts a side of the island semiconductor film and is to be a source region or a drain region and a preparing method of the same are provided.例文帳に追加

本発明は、チャネル形成領域となる島状半導体膜と、前記島状半導体膜の側面に接し、ソース領域又はドレイン領域となる半導体膜を有する半導体装置及びその作製方法に関する。 - 特許庁

An unbaked mask is formed in a first electrode formation region by forming a photosensitive material film on a first electrode material film and then subjecting the photosensitive material to first time exposure and first time development.例文帳に追加

第１電極材料膜の上に感光性材料膜を形成し、この感光性材料膜に対して１回目の露光および１回目の現像を行うことにより、第１電極形成予定領域に未焼成マスクを形成する。 - 特許庁

The semiconductor device whose IC chip thickness is 100 μm or less has a semiconductor substrate 1 of the total thickness of 5 μm or more and 100 μm or less constituting an element formation region 5 from the surface to a depth of about 5 μm or less.例文帳に追加

ＩＣチップの厚みが１００μｍ以下の半導体装置であって、その表面から約５μｍ以内の深さまでを素子形成領域５とし、総厚みが５μｍ以上１００μｍ以下の半導体基板１を備える。 - 特許庁

On the outer peripheral surface of the dielectric layer 13, an insulating layer 16 having an electric insulation property is formed in a region nearby an anode terminal 3, and the first cathode layer 14 is formed in a region different from the formation region of the insulating layer 16.例文帳に追加

誘電体層13の外周面には、陽極端子３の近傍領域に、電気絶縁性を有する絶縁層16が形成され、第１陰極層14は、絶縁層16の形成領域とは異なる領域に形成されている。 - 特許庁

An identification of a low-defect density region and a positioning of a semiconductor device formation region are performed by using alternate and periodical formation of a low-defect density region and a high-defect density region.例文帳に追加

横方向成長工程において、低欠陥密度領域と高欠陥密度領域とが交互に周期的に形成されることを利用して、低欠陥密度領域の特定、および半導体素子形成領域の位置決めを行う。 - 特許庁

An opening 28 is formed by a photolithography method in the plating resist film 27 for upper columnar electrode formation at a part corresponding to the lower columnar electrode 10 and its surrounding (a formation region for the upper column electrode 11).例文帳に追加

下部柱状電極１０およびその周囲（上部柱状電極１１形成領域）に対応する部分における上部柱状電極形成用メッキレジスト膜２７には、フォトリソグラフィ法により、開口部２８を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device can solve a problem by electrically connecting a battery as a power supply source to a specific circuit through a transistor in which a channel formation region is composed of an oxide semiconductor.例文帳に追加

当該半導体装置は、電力供給源となる電池と、特定の回路とがチャネル形成領域が酸化物半導体によって構成されるトランジスタを介して電気的に接続することによって解決することができる。 - 特許庁

In a predetermined conductor layer of the intermediate product 10, a conductor layer 11 for products corresponding to a plurality of products is formed in the product formation region R1, and a dummy conductor layer is formed in the region R2 outside products.例文帳に追加

中間製品１０の所定の導体層においては、製品形成領域Ｒ１には複数の製品に対応する製品用導体層１１が形成され、製品外領域Ｒ２にはダミー導体層が形成される。 - 特許庁

In this case, the EL element formation region Rel of each display pixel PIX is defined by the partition wall layer 17 provided with an opening 17a from which only a pixel electrode (for instance, an anode electrode) 14 of the display pixel PIX is exposed.例文帳に追加

ここで、各表示画素ＰＩＸのＥＬ素子形成領域Ｒelは、各表示画素ＰＩＸの画素電極（例えばアノード電極）１４のみが露出する開口部１７ａが設けられた隔壁層１７により画定されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of securing electrical connection stability by improving connection strength to a mother board without decreasing the formation region of a circuit, or the like in a semiconductor IC for packaging bare chips.例文帳に追加

ベアチップ実装する半導体ＩＣにおいて、回路等の形成領域を減少させること無く、マザー基板に対する接続強度を向上させて、電気的接続の安定性が確保できる半導体デバイスを提供する。 - 特許庁

When Cu wires 36 and 37 connected to pn junctions are formed in a chip formation region of a semiconductor wafer 1, first and second Cu electrodes 38 and 39 connected to the pn junction are also formed in a TEG region.例文帳に追加

半導体ウエハ１のチップ形成領域に、ｐｎ接合に接続されたＣｕ配線３６、３７を形成する際、ＴＥＧ領域にもｐｎ接合に接続された第１Ｃｕ電極３８、および第２Ｃｕ電極３９を形成する。 - 特許庁

The buffer layer is provided between the source electrode layer and the drain electrode layer, and the semiconductor layer forming the channel formation region, and is provided particularly for relaxing the electric field in the vicinity of a drain edge and improving the withstanding voltage of the transistor.例文帳に追加

バッファ層は、チャネル形成領域を形成する半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間にあって、特にドレイン端近傍の電界を緩和して、トランジスタの耐圧を向上させるように設けられる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can obtain a thin film transistor having superior electric property, when a thin film transistor is manufactured by using crystal grain of semiconductor material for a channel formation region.例文帳に追加

半導体材料の結晶粒をチャネル形成領域に用いて薄膜トランジスタを製造する場合において、優良な電気的特性を有する薄膜トランジスタを得ることを可能とする半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

At the time, through the crystal defects 8 are recovered at positions where the silicide films are formed, since the acquisition layer formation region Y is masked with the silicon oxide film 10, the crystal defects 8 are not recovered in the region.例文帳に追加

このとき、シリサイド膜が形成された位置において結晶欠陥８が回復するが、捕捉層形成領域Ｙをシリコン酸化膜１０によってマスクしているため、この領域においては結晶欠陥８が回復しない。 - 特許庁

Thereby, a region of ceramic raw material ejected by means of the thermal spray gun 13 can be enlarged and the second working apparatus 2 enables the working processing (ejection processing) of a protective coated film even for the oxygen sensor having a large formation region of the protective coated film.例文帳に追加

これにより、溶射ガン１３によるセラミックス原料の噴射領域を拡大でき、第２加工装置２は、保護被膜の形成領域の大きい酸素センサに対しても保護被膜の加工処理（噴射処理）が可能となる。 - 特許庁

In order to prevent the failure in contact formation an element isolation film 2 of a capacitor formation region 3 is dug down by etching in advance before the capacitor 16 is formed, and the capacitor 16 is arranged on the element isolation film 2 dug down.例文帳に追加

コンタクト形成不良を防止するために、キャパシタ１６の形成前にキャパシタ形成領域３の素子分離膜２を予めエッチングにより掘り下げ、このキャパシタ１６は、この掘り下げられた素子分離膜２上に設けられている。 - 特許庁

Then the colored parts 31A to 35A present in the pixel formation region 54 are left as pixel parts 51 to 53, colored parts 34A and 35A present in the gap region 55 are removed, and a light shield part 50 is formed in the gap region 55.例文帳に追加

次に画素形成領域５４に存在する着色部３１Ａ〜３３Ａを画素部５１〜５３として残して、間隙領域５５に存在する着色部３４Ａ，３５Ａを除去し、間隙領域５５に遮光部５０を形成する。 - 特許庁

To provide an image display device and a manufacturing method wherein an influence of a magnetic field is reduced, irregularities in brightness in an image formation region is less, and a timewise change of the brightness is less.例文帳に追加

本発明は、イオンポンプを用いた場合において、磁界の影響を低減し、画像形成領域内での輝度むらが少なく、輝度の経時変化の少ない画像表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

After a surface of an N-type epitaxial layer 12 of a wafer 20 is covered with a first oxide film 13 and a formation region of a vertical hole 16 is removed, the vertical hole 16 is formed by RIE by using the first oxide film 13 as a mask.例文帳に追加

ウエハ２０のＮ型エピタキシャル層１２表面を第１酸化膜１３で被覆し、垂直穴１６形成領域を除去した後、第１酸化膜１３をマスクとしてＲＩＥにより垂直穴１６を形成する。 - 特許庁

To prevent the breakdown voltage between an emitter and a collector and a breakdown yield from lowering by forming a base region on the surface of a semiconductor substrate other than a selective oxidation silicon film formation region and forming a second-conductive type emitter region in the base region.例文帳に追加

超高速動作用の微細な構造とするために、選択酸化シリコン膜とエミッタ領域が接してもエミッタ−コレクタ間の耐圧や耐圧歩留りが劣化することがない半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

An anode plate 34 is formed so as to be higher than a passage formation region in which a passage is formed between a manifold hole 30a and a passage to expand, and a support part 40 supporting an electrode body 21 of a fuel cell is formed.例文帳に追加

アノードプレート３４は、マニホールド孔３０ａと流路との間に流路が形成された流路形成領域よりも高く形成されて膨出するとともに燃料電池の電極体２１を支持する支持部４０が形成されている。 - 特許庁

Ni is introduced to the growth source region 1, and heat treatment is carried out at a temperature of 550 to 650°C, thus allowing a crystal grain generated in the growth source region 1 to be subjected to crystal growth to the element formation region 2 via the path 3.例文帳に追加

成長源領域１にＮｉを導入した後、５５０〜６５０℃の温度で熱処理を施すと、成長源領域１で発生した結晶粒が経路３を経由して素子形成領域２まで結晶成長する。 - 特許庁

A field oxide film 23 is formed on an N-type silicon substrate 21 by a selective oxidation method and thereafter, gate oxide films 24 are respectively formed by lamination on a transistor formation region on the above substrate 21 excluding said oxide film 23 by a thermal oxidation.例文帳に追加

Ｎ型のシリコン基板（２１）上に、選択酸化法によりフィールド酸化膜（２３）を形成した後、該酸化膜（２３）を除く前記基板（２１）のトランジスタ形成領域上に熱酸化によりゲート酸化膜（２４）を夫々積層形成する。 - 特許庁

Further, a portion L3 where the drain electrode 8 and the side edge part 2B of the gate electrode 2 cross, when viewed from above, does not overlap a portion LD of the drain electrode 8 in contact with the channel formation region 13 in the channel length direction Y.例文帳に追加

さらに、平面視において、ドレイン電極８とゲート電極２の端辺部２Ｂとが交差する部分Ｌ３は、チャネル形成領域１３に接するドレイン電極８の部分ＬＤと、チャネル長方向Ｙにおいて重ならない。 - 特許庁

To achieve a TFT that can be operated speedily by manufacturing a crystalline semiconductor film where the position and size of crystal particles are controlled, and using the crystalline semiconductor film for the channel formation region of the TFT.例文帳に追加

結晶粒の位置と大きさを制御した結晶質半導体膜を作製し、該結晶質半導体膜をＴＦＴのチャネル形成領域に用いることにより、高速動作の可能なＴＦＴを実現させることを目的とする。 - 特許庁

A polyimide resin film 3 of a heat resistant resin layer is applied to the surface of a gallium arsenide(GaAs) substrate 1, and a stripe-shaped opening 4 is formed at a position corresponding to the formation region of the ridge of the polyimide resin film 3.例文帳に追加

砒化ガリウム（ＧａＡｓ）基板１の表面上に、耐熱性樹脂層であるポリイミド樹脂膜３を塗布し、このポリイミド樹脂膜３のリッジ部の形成領域に対応する位置にストライプ状の開口部４を形成する。 - 特許庁

A semiconductor chip 11 includes an element formation region 12 and a chip position identification pattern 13 outside the region 12, and the pattern 13 consists of the position information in an exposure shot 14 and the exposure shot position information 15.例文帳に追加

半導体チップ１１には素子形成領域１２とその素子形成領域１２外にチップ位置識別パターン１３があり、このチップ識別パターン１３は露光ショット内位置情報１４と、露光ショット位置情報１５とからなっている。 - 特許庁

In the case of forming a thin film transistor, impurities are implanted to the crystallized silicon film and after that, heat treatment is performed on the crystallized silicon film, whereby a defect density in a channel formation region is reduced and the doped impurities can be activated.例文帳に追加

薄膜トランジスタを作製する場合には、結晶化された珪素膜に不純物をドーピングした後に、加熱処理を行うことで、チャネル形成領域の欠陥密度を減らし、ドーピングされた不純物を活性化させることができる。 - 特許庁

The shape pattern formation region 2 is made thinner than the frame portion 5 by half-etching, while being provided with shapes such as an inner lead 7, an outer lead 8, and a die pad 9 formed by further etching.例文帳に追加

そして、形状パターン形成領域２は、ハーフエッチング加工で枠体部５より薄く形成されていて、そこにはさらにエッチング加工をすることによって、インナーリード７、アウターリード８、ダイパッド９等の形状が形成されている。 - 特許庁

In a photo diode 40 formation region, the first p-type semiconductor layer 12 constitutes part of an anode region, and the n-type semiconductor layer 14 constitutes a cathode region 42 and a high concentration cathode region 45.例文帳に追加

フォトダイオード４０が形成される領域において、第１のｐ型半導体層１２はアノード領域の一部分を構成し、ｎ型半導体層１４はカソード領域４２及び高濃度カソード領域４５を構成している。 - 特許庁

After this, a second heating treatment is performed and the catalyst element is gettered in the gettering region, whereby the catalyst element can be efficiently moved from a semiconductor layer, specially a region which is used as a channel formation region, to the gettering region.例文帳に追加

この後、第２加熱処理を行い、前記ゲッタリング領域に触媒元素をゲッタリングすることにより、効率的に触媒元素を半導体層、特にチャネル形成領域となる領域からゲッタリング領域に移動させることができる。 - 特許庁

To provide an epitaxial silicon wafer which can surely remove a heavy metal which is contaminated after a semiconductor device is formed from a formation region of a device even if the epitaxial silicon wafer has a plurality of epitaxial layers on a silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板上に複数のエピタキシャル層を備えたエピタキシャルシリコンウェーハであっても、半導体デバイスの形成後に汚染された重金属を確実にデバイスの形成領域から除去可能なエピタキシャルシリコンウェーハを提供する。 - 特許庁

Portions L1, L2 where the source electrode 7 and the side edge parts 2A, 2B cross, when viewed from above, do not overlap a portion LS of the source electrode 7 in contact with a channel formation region 13 in a channel length direction Y.例文帳に追加

また、平面視において、ソース電極７とゲート電極２の端辺部２Ａ，２Ｂとが交差する部分Ｌ１，Ｌ２は、チャネル形成領域１３に接するソース電極７の部分ＬＳと、チャネル長方向Ｙにおいて重ならない。 - 特許庁

The planar shape of the hole is, for example, L-like shape where 2-dimension plane is effectively used while its layout is of L-like shape disposed in face to face, thus the formation region for capacitor is effectively used in plane.例文帳に追加

ホールの平面的な形状を２次元平面を有効的に活用した例えばＬ字型形状とし、そのレイアウト配置をＬ字型形状の対面配置とすることで、平面的にもキャパシタの形成領域を有効利用する。 - 特許庁

To provide a semiconductor strain-sensitive sensor that is superior in temperature stability by separating a formation region of an electrode from a diaphragm forming a piezoresistant element, and is less likely to receive influence of thermal stress from the electrode by the piezoresistant element.例文帳に追加

この発明は、電極の形成領域をピエゾ抵抗素子が形成されているダイヤフラムから離間させて、ピエゾ抵抗素子が電極からの熱応力の影響を受け難くし、温度安定性に優れた半導体感歪センサを得る。 - 特許庁

In a process of previously protecting the device formation region with a thin protective film 10 upon forming a shallow trench portion 20 serving as a device isolation region in the semiconductor substrate 1, the protective film 10 comprises a harder material than a nitrided film (Si_3N_4).例文帳に追加

半導体基板１に素子分離領域となる浅溝部２０を形成する際に、素子形成領域をあらかじめ薄膜の保護膜１０で保護する工程において、保護膜１０は窒化膜（Ｓｉ_３Ｎ_４）よりも硬い材料からなる。 - 特許庁

A weight (4) whose thickness is increased to that of a printed wiring board (1) is integrally molded using a resin (5) with a section other than a winding type air core coil arrangement region and the commutator member formation region of a commutator base material composed of the printed wiring board.例文帳に追加

印刷配線基板（１）で構成されるコミュテータ基材の巻線型空心コイル配置領域と整流子片形成領域以外の部分に、印刷配線基板の厚み分まで厚みを増したウエイト（４）を樹脂（５）で一体成型する。 - 特許庁

A barrier layer 7 comprising an impurity region of the same conductive type as source-drain regions 4 and 5 is provided, just under the source-drain regions 4 and 5 of transistor 10, 20 formation region subject to element separation by an STI2 comprising an embedded insulating film.例文帳に追加

埋め込み絶縁膜からなるＳＴＩ２により素子分離されたトランジスタ１０、２０形成領域のソース・ドレイン領域４、５の直下に、ソース・ドレイン領域４、５と同一導電型の不純物領域からなるバリア層７を設ける。 - 特許庁

The rubber test piece has a cut formation region, where a plurality of cuts extending downward from an upper surface at right angles to the direction of an axis (i) are provided at equal intervals in the direction of the axis (i), formed at front upper corner parts of the front and upper surface.例文帳に追加

ゴム試験片は、前面と上面との前上コーナ部に、前記上面から下方に向かって軸心ｉ方向と直角にのびる複数の切れ込みが、軸心ｉ方向に等間隔で隔設される切れ込み形成領域が設けられる。 - 特許庁