「"formation region"」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

Even when the thermal conductive grease 14 overflows from the formation region of the grid-shaped groove 16 since the amounts of the applied thermal conductive grease 14 are too much, the overflowing thermal conductive grease 14 is stored in the circular ditch 15 so that the thermal conductive grease 14 can be prevented from overflowing to the outside.例文帳に追加

当初、塗布した熱伝導グリス１４の量が多すぎて、格子状溝１６の形成領域から熱伝導グリス１４がはみ出しても、そのはみ出した熱伝導グリス１４は環状堀１５に溜められ、外部にはみ出すことはない。 - 特許庁

The barrier rib 25A which is adjacent to the both sides of the intermediate part 24 is enabled to be locked by being overlapped with the both side faces of the stage part 14 protruding in the lower face side of the housing 11 corresponding to the formation region of the lock arm 13.例文帳に追加

中間部分２４の両側に隣接する隔壁２５Ａは、リテーナ２１の本係止位置において、ロックアーム１３の形成領域に対応してハウジング１１の下面側に突出した段差部１４の両側面に重って係止可能としている。 - 特許庁

To prevent unwanted pattern fragments remaining in a region, except for the formation region for a cylinder type stacked capacitor from causing various defects at its formation.例文帳に追加

シリンダ型スタックドキャパシタを形成する際に、その形成領域以外の領域に不要なパターン片が残存して種々の欠陥を発生させる原因となることを防止することが可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The oxide film 112 in an unnecessary part is removed by etching, and drain/source formation regions wherein a drain region and a source region are to be formed are opened each in an element formation region of a high withstand voltage nMOS region HVn.例文帳に追加

レジストＲ１５Ａを用いて、不要な部分の酸化膜１１２をエッチングにより除去して、高耐圧ｎＭＯＳ領域ＨＶｎの素子形成領域に、ドレイン領域およびソース領域を形成すべきドレイン／ソース形成領域をそれぞれ開口する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, together with its manufacturing method, wherein, by devising the hole shape which is a formation region for a capacitor, a planar shape of the hole, and layout, the surface area of a capacitor lower-part electrode is increased for increased capacitor capacitance.例文帳に追加

キャパシタの形成領域であるホールの形状とホールの平面的な形状およびレイアウト配置を工夫し、キャパシタ下部電極の表面積を増やし、キャパシタ容量を増大化する半導体装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

A separation groove 7 whose sidwall makes an acute angle of θ a with the surface of an n-type matrix 1 is formed on a isolation area of the surface of the n-type matrix 1 by etching, and a p-type diffusion region (emitting part) 5, etc., is formed on an LED array formation region.例文帳に追加

ｎ型基材１表面の分離領域に、エッチングにより、側壁がｎ型基材１表面に対し鋭角θａをなす分離溝７を形成し、またＬＥＤアレイ形成領域に、ｐ型拡散領域（発光部）５等を形成する。 - 特許庁

To provide an electronic circuit module that can fix the leg piece of a sheet metal cover reliably, can utilize the entire bottom surface of a wiring board as the formation region of a land for external connection, and can promote miniaturization easily, and to provide a method of manufacturing the electronic circuit module.例文帳に追加

板金カバーの脚片を確実に固定できると共に、配線基板の底面全体を外部接続用ランドの形成領域として利用できて小型化が促進しやすい電子回路モジュールと、その製造方法を提供すること。 - 特許庁

In order to prevent diffusion of aluminum atoms into a channel formation region, a first conductive layer consisting of Ti or Mo is provided, and a second conductive layer consisting of an aluminum simple substance (pure aluminum)having a low electric resistance is provided thereon.例文帳に追加

本発明は、アルミニウム原子のチャネル形成領域への拡散を防止するために、ＴｉまたはＭｏからなる第１導電層を設け、その上に電気抵抗値の低いアルミニウム単体（純アルミニウム）からなる第２導電層を設ける。 - 特許庁

In a method for manufacturing a semiconductor device including a thin film transistor including an oxide semiconductor layer as a channel formation region, the oxide semiconductor layer is heated under a nitrogen atmosphere to lower its resistance, thereby forming a low-resistance oxide semiconductor layer.例文帳に追加

チャネル形成領域として酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、酸化物半導体層を窒素雰囲気下で加熱して低抵抗化し、低抵抗な酸化物半導体層を形成する。 - 特許庁

Then, the electrode layer 6 in a formation region of the insulating protection layer 5 (excluding the openings 5A, 5B) is irradiated with a laser beam L, and the electrode layer 6 is selectively removed by laser ablation to form a source electrode and a drain electrode.例文帳に追加

こののち、絶縁性保護層５の形成領域（開口部５Ａ，５Ｂを除く）における電極層６にレーザＬを照射し、その電極層６をレーザアブレーションにより選択的に除去してソース電極およびドレイン電極を形成する。 - 特許庁

The trenches 45A, 45B have strip shapes parallel to the cleavage line L, and are formed on a non-formation region of an upper electrode 32 and between ridge parts 20A formed on a wafer W of surfaces of wafer W.例文帳に追加

溝４５Ａ，４５Ｂは、へき開ラインＬと平行な帯状の形状となっており、ウェハＷの表面のうち、ウェハＷ上に形成されたリッジ部２０Ａ同士の間であって、かつ上部電極３２の未形成領域に形成されている。 - 特許庁

To achieve a TFT that can operate speedily by manufacturing a crystalline semiconductor film where the position and size of a crystal grain have been suppressed and further using the crystalline semiconductor film for the channel formation region of the TFT.例文帳に追加

結晶粒の位置とその大きさを制御した結晶質半導体膜を作製し、さらにその結晶質半導体膜をＴＦＴのチャネル形成領域に用いることにより、高速動作可能なＴＦＴを実現することを目的とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor substrate which has a region whose surface is flattened having a trench groove wherein an epitaxial film is buried and also has an alignment mark of higher recognition property in the alignment mark formation region thereof, and its manufacturing method.例文帳に追加

エピタキシャル膜が埋設されたトレンチ溝を有してその表面が平坦化される領域を有していながら、そのアライメントマーク形成領域に、より認識性の高いアライメントマークを備える半導体基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

By adopting gettering sites using ion doping at the same time, impurity elements such as heavy metals can be removed from the channel formation region of a TFT (amorphous silicon) and the depletion layer region of a p-n junction, thereby enhancing the gettering capability and the gettering efficiency.例文帳に追加

さらにイオンドーピングを用いたゲッタリングサイトと併用することで、TFTのチャネル形成領域および、PN接合における空乏層領域から重金属等の不純物元素を取り除くことができ、ゲッタリング能力、ゲッタリング効率を高めることができる。 - 特許庁

A semiconductor layer comprises a channel formation region, an LDD region, and source and drain regions, the LDD region overlapping a first gate electrode through a gate insulation film.例文帳に追加

半導体層は、チャネル形成領域と、ＬＤＤ領域と、ソース領域及びドレイン領域とを有しており、ＬＤＤ領域はゲート絶縁膜を間に挟んで前記第１のゲート電極と重なっていることを特徴とする半導体表示装置 - 特許庁

In an embodiment 1 of this invention, each pixel formation region 10A_2n+1 divided in the drawing direction (X direction) of the droplet discharge head is drawn by a group 54_2n+1 of nozzles of pitch 2P' of a nozzle corresponding to a drawing pitch Pp.例文帳に追加

この発明の実施の形態１においては、液滴吐出ヘッドの描画方向（Ｘ方向）に区画したそれぞれの画素形成領域１０Ａ_２ｎ＋１が、描画ピッチＰｐに対応するノズルのピッチ２Ｐ’のノズル群５４_２ｎ＋１によって描画される。 - 特許庁

Boring process, using the first pin fastening hole 51 as position reference, is carried out, after the completion of lamination wiring parts 31, 32, a through-hole formation process for forming a through-hole 30 through in a product formation region 15 is carried out, and a multilayer wiring substrate 10 is completed.例文帳に追加

積層配線部３１，３２の完成後に第１ピン止め用孔５１を位置基準とする穴明け加工を行い、製品形成領域１５に貫通孔３０を透設する貫通孔形成工程を行い、多層配線基板１０を完成させる。 - 特許庁

To provide a manufacturing device of a display device capable of forming a luminescent function layer (organic EL layer) having a uniform film thickness in nearly the whole area of a pixel formation region of display pixels, and to provide a manufacturing method of a display device using the manufacturing device.例文帳に追加

表示画素の画素形成領域の略全域に膜厚が均一な発光機能層（有機ＥＬ層）を形成することができる表示装置の製造装置、及び、当該製造装置を用いた表示装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

At the boundary of a bottom wall 13 and a sidewall 11A, a slit 15 including a region that corresponds to at least the information range of a pressure welding blade 11B is formed, and a bending part 16 is formed within the formation region of the slit 15 on the bottom wall 13.例文帳に追加

底壁１３と側壁１１Ａとの境界部には、少なくとも圧接刃１１Ｂの形成範囲と対応する領域を含むスリット１５が形成され、底壁１３におけるスリット１５の形成領域内には屈曲部１６が形成されている。 - 特許庁

To provide an electro-optical apparatus such as liquid crystal display apparatus which is capable of suppressing the production of shavings of alignment layer upon rubbing to the utmost by flattening the formation region of an external circuit connecting terminal as much as possible and, thereby, can display a higher quality image.例文帳に追加

電気光学装置において、外部回路接続端子の形成領域を可能な限り平坦にすることで、ラビングする際に発生する配向膜の削り滓を極力発生させないようにし、もってより高品質な画像を表示する。 - 特許庁

The interval between a plurality of the LED elements 18 is 1.5 mm or less, and the width W2 of the mounting region 17 of a plurality of the LED elements 18 in a place where the width of the light-emitting part 16 is widest, is 80% or more the width W1 of the formation region of the phosphor layer 19.例文帳に追加

複数のＬＥＤ素子18間の間隔は１．５ｍｍ以下で、かつ発光部16の幅が最も広い箇所での複数のＬＥＤ素子18の実装領域17の幅W2は蛍光体層19の形成領域の幅W1に対して８０％以上である。 - 特許庁

Therefore, even if foreign particles such as the crushed particles of burrs of the leads 26 and resin burrs are produced in this QFN semiconductor device 21, the foreign particles are positioned in the recess 25 formation region, so that the mounting failures can be avoided.例文帳に追加

そのことで、本発明のＱＦＮ型の半導体装置２１では、リード２６ばりの破砕くずや樹脂バリ等のゴミが発生しても、それらのゴミを凹部２５形成領域に位置させることで、実装時の実装不良を回避することができる。 - 特許庁

To provide a fabricating method for a substrate for an electronic device in which a pixel electrode is formed in a wide formation region even when the number of pixels per unit length is increased, and also to provide the substrate for the electronic device, the electronic device, and electronic equipment.例文帳に追加

単位長さ当りの画素数の増大を図った場合でも、画素電極を広い形成領域に形成することができる電子デバイス用基板の製造方法、電子デバイス用基板、電子デバイスおよび電子機器を提供すること。 - 特許庁

Then an uncured first optical material resin is charged between the second lens member and a formation region of the diffraction grating form and further the first lens member and the second lens member are stuck to each other by curing the first optical material resin.例文帳に追加

そして、回折格子形状の形成領域と第２レンズ部材との間に未硬化の第１光学材料樹脂を充填するとともに、該第１光学材料樹脂を硬化させて第１レンズ部材および第２レンズ部材を貼り合わせる。 - 特許庁

In a semiconductor wafer 101 (semiconductor substrate), a post 26 for defense to defense an alignment mark 24 (pillar member for alignment) is arranged together with the alignment mark 24 surrounding the circumference of the alignment mark 24 in an alignment mark formation region 14.例文帳に追加

半導体ウエハ１０１（半導体基板）において、アライメントマーク形成領域１４に、アライメントマーク２４（アライメント用柱状部材）と共に、アライメントマーク２４の周囲を取り囲んで、アライメントマークを防御するための防御用ポスト２６が配設させる。 - 特許庁

In a P-channel MOS transistor 50 having an SOI structure, an element formation region 20 the surrounding of which is isolated by an element isolation region is provided with a gate electrode 7, a P^+ drain layer 8, a P^+ source layer 9, a P^+ source layer 11, and an N^+ layer 10.例文帳に追加

ＳＯＩ構造Ｐｃｈ ＭＯＳトランジスタ５０は、周囲を素子分離領域で分離された素子形成領域２０に、ゲート電極７、Ｐ^＋ドレイン層８、Ｐ^＋ソース層９、Ｐ^＋ソース層１１、及びＮ^＋層１０が設けられる。 - 特許庁

A punching region which is positioned on the side surface of a lead formation region 12 is divided into a plurality of regions, and two or more regions positioned diagonally among the plurality of regions having been divided are punched at the same time to form a lead.例文帳に追加

本発明の特徴は、リード形成領域（１２）の側面に位置する打ち抜き領域を複数の領域に分割し、該分割した複数領域のうち、対角に位置する２以上の領域を同時に打ち抜いて、リードを形成することにある。 - 特許庁

To provide an electro-optic device, a projection type display device, and an electronic appliance, in which the deterioration in amount of emission light of display light and disorder of potential distribution in the vicinity of an end part of a pixel electrode are difficult to occur even when a formation region of a storage capacitor is expanded.例文帳に追加

蓄積容量の形成領域を広げても、表示光の出射光量の低下や画素電極の端部付近での電位分布の乱れが発生しにくい電気光学装置、投射型表示装置、および電子機器を提供すること。 - 特許庁

In top view, substrate residual regions 131 wherein the silicon substrate 101 remains and scatters like islands in the element isolation oxide film are selectively formed in a plurality of number immediately below a polysilicon 105 in the spiral inductor 120 formation region.例文帳に追加

そして、平面視において、素子分離酸化膜中にシリコン基板１０１が島状に残存してなる基板残存領域１３１が、スパイラルインダクタ１２０の形成領域においてはポリシリコン１０５の直下に選択的に複数設けられている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an optical waveguide which uses a wet etching method and by which an optical waveguide having uniform polarization polarity within an optical waveguide formation region and producing no irregularity is manufactured.例文帳に追加

ウェットエッチング方法による光導波路の製造方法であって、光導波路形成領域内の分極極性が一様であって不均一性が生じていない光導波路を製造することができる光導波路製造方法を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor device having an MIS transistor provided with an FUSI gate electrode and the polysilicon resistor, a part provided in a contact formation region of the polysilicon resistor is silicified simultaneously with the gate electrode or an impurity diffusion region.例文帳に追加

ＦＵＳＩゲート電極とポリシリコン抵抗体とを有するＭＩＳトランジスタを備えた半導体装置において、ポリシリコン抵抗体のうちコンタクト形成領域に設けられた部分は、ゲート電極または不純物拡散領域と同時にシリサイド化される。 - 特許庁

A conductive via-hole 5 penetrating the upper surface (main surface) and the lower surface (back surface) of an insulator layer of each circuit board is connected with a metal wiring pattern 7 at the main surface side, and a solder plate formation region 8 is formed at the metal wiring pattern 7.例文帳に追加

個別の回路基板の、絶縁体層の上面（主面）と下面（裏面）とを貫通する導電ビア５が、主面側において金属配線パターン７と接続し、その金属配線パターン７上にはんだめっき形成領域８を形成する。 - 特許庁

In the liquid crystal device, extended parts of reset signal lines 81, 82 and the extended part of a constant potential wiring 84 and the formation region of a sealing material GS overlap each other via a dielectric film 4 and the overlapped region is arranged on the recessed part 110 of a first substrate 1.例文帳に追加

シール材ＧＳの形成領域にリセット信号線８１，８２の延在部と定電位配線８４の延在部が誘電体膜４を介して重なるとともに、その重なりの領域は第１基板の凹部１１０上に配置されてなる - 特許庁

An exposure mask 26 for columnar electrode formation is configured of a light shielding section 26a as a section corresponding to a columnar electrode formation region, a transparent section 26b as the periphery of the light shielding section 26a, and a semi-transparent section 26c as the other region.例文帳に追加

柱状電極形成用露光マスク２６は、柱状電極形成領域に対応する部分を遮光部２６ａとされ、遮光部２６ａの周囲を透過部２６ｂとされ、それ以外の領域を半透過部２６ｃとされたものからなっている。 - 特許庁

In addition, as compared with a thin film transistor in which a microcrystalline semiconductor is included in a channel formation region, off-current of a thin film transistor can be reduced.例文帳に追加

非晶質半導体をチャネル形成領域に有する薄膜トランジスタと比較して、薄膜トランジスタのオン電流を高めると共に、微結晶半導体をチャネル形成領域に有する薄膜トランジスタと比較して、薄膜トランジスタのオフ電流を低減することができる。 - 特許庁

The tip of the cleaning gas supply pipe 10 is formed to be lower than a position P in an exhaust port 3a provided at the lowest position in a plurality of exhaust ports 3a, and is formed to be lower than a film formation region S in a semiconductor wafer W.例文帳に追加

クリーニングガス供給管１０の先端は、複数の排気口３ａのうち最も下に設けられた排気口３ａの位置Ｐより下方となるように形成されているとともに、半導体ウエハＷの成膜領域Ｓより下方となるように形成されている。 - 特許庁

On a channel forming member 12, a sub-through hole 16 is so formed as to partially overlap a through-hole 15 (through-hole for side through), which is a scheduled formation region for a wiring channel of a side part which is formed for electrical connection path to a rear surface side.例文帳に追加

溝形成用部材１２上には、裏面側への電気的接続経路のために形成される側部の配線溝（１０５）の形成予定領域としての貫通孔１５（サイドスルー用貫通孔）に、一部重なるようにして副貫通孔１６が形成されている。 - 特許庁

In a semiconductor device, the thin-film resistor 49 shown in a Fig. 4(b) forms aluminum electrodes 45a, 45c, and forms a trench 50 on a silicon substrate 33 so that the formation region of a CrSi film 41 is surrounded simultaneously when the aluminum electrode of a first layer is formed.例文帳に追加

図４（ｂ）の薄膜抵抗体４９は、アルミ電極４５ａ、４５ｃを形成すると共に、第１層のアルミ電極を形成する際に、同時にＣｒＳｉ膜４１の形成領域を囲むようにシリコン基板３３にトレンチ５０を形成した構成としている。 - 特許庁

The boundary of the first and second stress films 4 and 5 and the contact hole formation region 9 are displaced from each other, thereby effectively suppressing etching damage on a silicide region 2 and the gate electrode 1 during the formation of the contact hole and the occurrence of a faulty opening.例文帳に追加

第１，第２の応力膜４，５の境界とコンタクトホール形成領域９をずらしてレイアウトすることにより、コンタクトホール形成時のシリサイド領域２やゲート電極１へのエッチングダメージや開口不良の発生を効果的に抑制することが可能になる。 - 特許庁

By arranging a plurality of starting points of crystal growth around the channel formation region, flocculation latent heat of silicon abbreviation single crystal grain which grows from each starting point is utilized, and a large silicon abbreviation single crystal grain is obtained also in a thin semiconductor layer of thickness.例文帳に追加

チャネル形成領域の周囲に複数の結晶成長の起点部を配置することにより、各起点部から成長するシリコン略単結晶粒の凝固潜熱を利用し、膜厚の薄い半導体層においても、大きなシリコンの略単結晶粒を得る。 - 特許庁

A p-type well area 8 and an n-type collector region 6 are separately formed in a p-type element formation region 3a that is a portion of a p-type silicon layer 3 as a semiconductor layer, and an n-type emitter region 5 is formed at the surface side of the well region 8.例文帳に追加

半導体層たるｐ形シリコン層３の一部のｐ形の素子形成領域３ａ内に、ｐ形のウェル領域８とｎ形のコレクタ領域６とを離間して形成し、ｎ形のエミッタ領域５をウェル領域８の表面側に形成してある。 - 特許庁

In a transistor used as a MOS capacitative element, impurities having mutually opposite polarities are added to two impurity regions existent with a channel formation region in between, which are used as a source region or a drain region.例文帳に追加

本発明は、ＭＯＳ容量素子として用いるトランジスタにおいて、チャネル形成領域を間に挟んで存在する２つの不純物領域に、互いに極性の異なる不純物を添加し、ソース領域またはドレイン領域として用いることを特徴とする。 - 特許庁

Further, the nitride semiconductor layer 20 formed on the n-type GaN substrate 10 has: a layer thickness-inclined region 5 decreasing in layer thickness inclinedly toward the dug region 5; and a light-emitting part formation region 6 having extremely small variation in layer thickness.例文帳に追加

また、ｎ型ＧａＮ基板１０上に形成された窒化物半導体層２０は、掘り込み領域３に近づくにしたがって層厚が傾斜的に減少する層厚傾斜領域５と、層厚変動の非常に小さい発光部形成領域６とを有している。 - 特許庁

A nickel silicide layer 114 is formed on the gate electrode in a silicide formation region A and on the source drain diffusion layer, and the first side wall 108 has resistance to an etching material when the second side wall 109 is etched.例文帳に追加

シリサイド形成領域Ａにおけるゲート電極の上部及びソースドレイン拡散層の上部にはニッケルシリサイド層１１４が形成されており、第１のサイドウォール１０８は、第２のサイドウォール１０９をエッチングする際のエッチング材に対して耐性を有している。 - 特許庁

The wiring line 102 is led out of a bump electrode formation region where a bump electrode BP1 is formed, toward pad electrodes P1 and P1 for output, but the wiring width W1 of a lead-out portion is larger than the diameter R1 of the bump electrode R1.例文帳に追加

また、配線１０２は、バンプ電極ＢＰ１が形成されたバンプ電極形成領域から出力用のパッド電極Ｐ１，Ｐ１の方向へ引き出されるが、その引き出し部の配線幅Ｗ１はバンプ電極ＢＰ１の直径Ｒ１よりも大きくなっている。 - 特許庁