「"formation region"」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

Further, the supply of the power supply voltage to the basic blocks is controlled using a programming cell formed using a field effect transistor whose channel formation region is formed using an oxide semiconductor, the field effect transistor having extremely low off-state current or extremely low leakage current.例文帳に追加

さらに、基本ブロックへの電源電圧の供給を、オフ電流またはリーク電流が極めて小さい酸化物半導体を用いた絶縁ゲート電界効果型トランジスタを用いたプログラム素子によって、制御する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device capable of so forming the connection surface of a connection electrode that it does not lie off the formation region of metal wiring in a contact for conductive connection between wires.例文帳に追加

配線間を導通接続するコンタクト部において、接続電極の接続面が金属配線の形成領域からはみ出ることなく形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To eliminate damages to a transistor formation region when an insulating film is processed and to form a transistor and a capacitor which have stable characteristics on the same semiconductor substrate with high reliability.例文帳に追加

絶縁性の膜を加工する際にトランジスタ形成領域への加工ダメージを阻止できるようにすると共に、特性の安定したトランジスタとキャパシタを同一半導体基板に信頼性高く形成できるようにする。 - 特許庁

A photoreceptor drum 11 is electrostatically charged in a non-image-formation region to a potential exceeding a carrier attraction potential when no image is formed to transport a carrier from a magnet roll 16 to the side of a toner collection container 21.例文帳に追加

感光体ドラム１１は、非画像形成時に、非画像形成領域において、キャリア付着電位を超える電位の静電気を帯電し、マグネットロール１６からトナー回収容器２１側にキャリアを搬送する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a solid-state image pickup element where a silicon nitride film is not formed on the formation region of a light receiving part while suppressing the occurrence of dark current and white blemish by sufficient hydrogen annealing effect.例文帳に追加

十分な水素アニール効果を与えて暗電流や白キズの発生を抑制しながら、受光部の形成領域にシリコン窒化膜が形成されない固体撮像素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

The gate electrode 130 has, at each of both ends, a high work function region 124 having a higher work function than any other region at least on a part of the border between the element formation region and element isolation film 200.例文帳に追加

ゲート電極１３０は、両端それぞれにおいて、素子形成領域と素子分離膜２００の境界上の少なくとも一部に、他の領域より仕事関数が高い高仕事関数領域１２４を有する。 - 特許庁

The elevation mechanism 14 has a thread formation region S that is engaged with a support section 122 of a support rod 141 and the test head 12 at both ends, and is elevated accurately by rotary control at the side of the support rod 141.例文帳に追加

昇降機構１４は、両端の支持棒１４１及びテストヘッド１２の支持部１２２に互いに噛合うネジ目形成領域Ｓがあり、支持棒１４１側の回転制御により高精度に昇降する。 - 特許庁

A p-type well 101 is formed on the surface of a substrate 10, and a channel formation region 110 is prescribed on the surface of the p-type well 101 so that it is sandwiched by first and second n+ regions 121 and 122.例文帳に追加

基板１０の表面にはｐ型ウエル１０１が形成され、ｐ型ウエル１０１の表面では、第１のおよび第２のｎ^+ 領域１２１、１２２に挟まれるように、チャネル形成領域１１０が規定されている。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for treating the periphery of a substrate which is capable of precisely controlling an etching width and of providing a good treatment even to a substrate formed with an orientation flat, and which has no special need to protect a device formation region with a pure water or the like.例文帳に追加

エッチング幅を精密に制御可能で、かつ、オリフラが形成された基板であっても良好な処理を施すことができる基板周縁処理装置および基板周縁処理方法を提供する。 - 特許庁

In the channel formation region, a region where the impurity element for providing the conductivity is not added is provided between the impurity region, in which the impurity element is added, and a source region and a drain region.例文帳に追加

チャネル形成領域において該不純物元素の添加領域である不純物領域とソース領域及びドレイン領域との間には、該一導電型を付与する不純物元素の非添加領域が設けられている。 - 特許庁

A method for manufacturing a thin film transistor having an oxide semiconductor as a semiconductor layer including a channel formation region includes; forming an oxide insulating film to come into contact with the oxide semiconductor layer.例文帳に追加

チャネル形成領域を含む半導体層を酸化物半導体層とする薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、酸化物半導体層に接する酸化物絶縁膜を形成する。 - 特許庁

In the dummy microlens formation region 25, at least two microlens columns are formed, and dummy microlenses of adjacent dummy microlens columns are arranged to be shifted so that boundary lines between dummy microlenses are not linear.例文帳に追加

ダミーマイクロレンズ形成領域２５では、少なくとも２列のダミーマイクロレンズ列が形成され、隣接するダミーマイクロレンズ列同士では、ダミーマイクロレンズ間の境界線が一直線とならないようにダミーマイクロレンズの配置がずらされる。 - 特許庁

After that, the carrier tape is separated from the circuit pattern, the solder resist 22 is also formed at the external terminal formation side of the circuit pattern for patterning, and the external connection terminal formation region on the other surface of the circuit pattern is exposed.例文帳に追加

その後、キャリアテープを回路パターンから剥離し、回路パターンの外部端子形成側にもソルダレジスト（２２）を形成しパターニングを行って、回路パターンの他面の外部接続端子形成領域を露出させる。 - 特許庁

Conversely, a gate insulating film 14b and a gate electrode 15b are formed on the semiconductor substrate 11 surrounded by the groove type element separation region 13 at a second p-type MIS transistor formation region Tp2.例文帳に追加

一方、第２のＰ型ＭＩＳトランジスタ形成領域Ｔｐ２には、溝型素子分離領域１３に囲まれた半導体基板１１上にゲート絶縁膜１４ｂ及びゲート電極１５ｂが形成されている。 - 特許庁

The protective film 41 also covers a region R3 sandwiched between the formation area R1 of the first electrode layer 31 and the formation region R2 of the second electrode layer 31 in the surface of the dielectric layer 2.例文帳に追加

そして、保護膜４１は、誘電体層２の表面の内、第１電極層３１の形成領域Ｒ１と第２電極層３２の形成領域Ｒ２とによって挟まれた領域Ｒ３を被覆している。 - 特許庁

After that, a collector aperture 110 having a width W3 larger than the width W2 of an active region is formed in the film 108 and the layer 109 in an HBT formation region Rbp.例文帳に追加

その後、ＨＢＴ形成領域Ｒbpにおいて第１の堆積酸化膜１０８及びポリシリコン層１０９に活性領域の幅Ｗ２よりも広い幅Ｗ３を有するコレクタ開口部１１０を形成する。 - 特許庁

On a TMR lower electrode 28, a TMR element 5 (TMR film 29, TMR upper electrode 31) is selectively formed in the region corresponding to a part of the formation region of a digit line 25d in top view.例文帳に追加

ＴＭＲ下部電極２８上において、平面視してデジット線２５ｄの形成領域の一部に該当する領域にＴＭＲ素子５（ＴＭＲ膜２９，ＴＭＲ上部電極３１）が選択的に形成される。 - 特許庁

In the semiconductor device, a gate insulating film 14a and a gate electrode 15a are formed on a semiconductor substrate 11 surrounded by a groove-type element separation region 13 at a first p-type MIS transistor formation region Tp1.例文帳に追加

第１のＰ型ＭＩＳトランジスタ形成領域Ｔｐ１には、溝型素子分離領域１３に囲まれた半導体基板１１上にゲート絶縁膜１４ａ及びゲート電極１５ａが形成されている。 - 特許庁

To provide a high-performance TFT by manufacturing a crystalline semiconductor film wherein the position and size of crystal grain are controlled, and using the crystalline semiconductor film in the channel formation region for TFT.例文帳に追加

結晶粒の位置とその大きさを制御した結晶質半導体膜を作製し、その結晶質半導体膜をＴＦＴのチャネル形成領域に用いることにより高性能のＴＦＴを実現する。 - 特許庁

The semiconductor device further comprises a conductor pattern formed on the semiconductor substrate 11 in a formation region of the capacitative element 10 and a voltage clamp terminal 28 for clamping voltage of the conductor pattern.例文帳に追加

そして、容量素子１０の形成領域内の半導体基体１１上に形成されている導体パターンと、導体パターンの電位を固定するための電位固定端子２８とを備える半導体装置を構成する。 - 特許庁

An island region of an epitaxial layer is isolated by a high concentration side isolation layer and a low concentration side isolation layer, and breakdown voltage is improved by forming a channel formation region with the same impurity concentration as a low concentration side isolation layer.例文帳に追加

エピタキシャル層の島領域を高濃度側分離層と低濃度側分離層により分離し、低濃度側分離層と同じ不純物濃度をもったチャネル形成領域を形成して、素子耐圧の向上を図る。 - 特許庁

The pinching means B comprises ribs 27 and 28 on the inside wall of the left and right arms 23 and 24, and a spring piece 29 that is formed by cutting the formation region of the rib 27 of the arm 23 on one side in cantilever tab.例文帳に追加

挟持手段Ｂは、左右のアーム部２３，２４の内面のリブ２７，２８と、一方側のアーム部２３のリブ２７の形成領域を片持ち舌片状に切り抜くことによって形成されたばね片２９とを備える。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus and substrate processing method, capable of excellently removing contamination from the periphery of a substrate without causing adverse effect due to a processing liquid on a device formation region of the front surface of the substrate.例文帳に追加

基板の表面のデバイス形成領域に処理液による悪影響を与えることなく、基板の周縁部から汚染を良好に除去することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。 - 特許庁

The plurality of wiring patterns 2 are formed in one portion of the metal foil pattern formation region 4 so that the ratio of the width of the wiring pattern 2 to the interval between the wiring patterns 2 becomes not less than 1 and not more than 8.7.例文帳に追加

金属箔パターン形成領域４の一部では、配線パターン２同士の間隔に対する配線パターン２の幅の比率が１を越え且つ８．７以下となるように、複数の配線パターン２を形成している。 - 特許庁

The N^+ layer 10 is provided at the left side end part of the element formation region 20 so as to be surrounded by the element isolation region, the P^+ source layer 9, and the P^+ source layer 11 and also provided at the bottom of the P^+ source layer 11.例文帳に追加

Ｎ^＋層１０は、素子分離領域、Ｐ^＋ソース層９、及びＰ^＋ソース層１１に取り囲まれるように素子形成領域２０の左側端部に設けられ、Ｐ^＋ソース層１１の底部にも設けられる。 - 特許庁

To form an aperture exposing a PAD (pad) in one process and to reliably measure the contact resistance by specifying the vertical position of the PAD, a contact hole or the like in an inspection element formation region.例文帳に追加

検査素子形成領域におけるＰＡＤ及びコンタクトホール等の垂直位置を規定することによって、ＰＡＤを露出させる開孔部を１工程で形成すると共に、確実なコンタクト抵抗の測定を可能にする。 - 特許庁

In manufacturing the electronic parts, a base substrate body 6 of the substrate bodies is prepared, and hole parts 13 for forming the side conductive pattern are formed in the side formation region of each substrate body 2 of the base substrate body 6.例文帳に追加

この電子部品を製造する際には、まず、基板体の母材基板体６を用意し、この母材基板体６の各基板体２の側面形成領域には側面導体パターン形成用の穴部１３を形成する。 - 特許庁

In the second resist patterning step, a second resist pattern 12 having an opening pattern 112 in the first region R1 of the contact hole formation region, and having a third opening pattern 112 in the second region R2 is formed.例文帳に追加

第２のレジストパターン形成工程では、コンタクトホール形成領域の第１の領域Ｒ１に開口パターン１１２を有し、第２の領域Ｒ２に第３の開口パターン１１２を有する第２のレジストパターン１２を形成する。 - 特許庁

After an aluminium film 11 is formed on a silicon substrate 10, a hole 12 is formed in the wiring formation region of this aluminium film 11 so as to be vertically extended and afterwards, a copper layer 14 is embedded in this hole 12.例文帳に追加

シリコン基板１０上にアルミニウム膜１１を形成した後、該アルミニウム膜１１における配線形成領域に穴１２を上下方向へ延びるように形成し、その後、該穴１２に銅層１４を埋め込む。 - 特許庁

In the formation region of an electrode pad 7, N+ diffusion regions 19a, 19b, and 19c are formed on the surface of a P type semiconductor substrate 3 so as to be separated from each other by a field oxide film 21.例文帳に追加

電極パッド７の形成領域において、Ｐ型半導体基板３の表面にフィールド酸化膜２１によって互いに分離されてＮ＋拡散領域１９ａ，１９ｂ，１９ｃが形成されている。 - 特許庁

In the semiconductor device, a silicon oxide film 41 for dielectric films in the capacitor 3 is formed on an n-type diffusion layer 40 for the lower electrode of the capacitor at the formation region of the capacitor 3.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、キャパシタ３の形成領域において、キャパシタの下部電極用のＮ型の拡散層４０上には、キャパシタ３の誘電膜用のシリコン酸化膜４１が形成されている。 - 特許庁

To achieve a semiconductor device for preventing the characteristics of a transistor from deteriorating by preventing impurities implanted into a resist mask when implanting ions from being doped at an extension formation region in ashing.例文帳に追加

イオン注入の際のレジストマスク中に注入された不純物が、アッシングの際にエクステンション形成領域にドープされることを防止して、トランジスタの特性劣化が生じない半導体装置を実現できるようにする。 - 特許庁

To provide a coating apparatus capable of stably forming a film with a high quality by making the viscous property of a paste to be supplied to a film formation region close to the viscosity of the paste to be formed into a film and a method for supplying a paste to a coating apparatus.例文帳に追加

成膜領域に供給するペーストの粘性を成膜されるペーストの粘度に近づけて高品質の成膜を安定して行うことが可能な塗布装置及び塗布装置のペーストの供給方法。 - 特許庁

A non-volatile oil photosensitive material layer 2 and a volatile oil photosensitive material layer 3 applied onto the substrate 1 are developed corresponding to a bank formation region after exposed to a light of a single wavelength (I-beam) at the same time.例文帳に追加

基板１に塗布により形成された非撥油性感光材料層２と撥油性感光材料層３とをバンク形成領域に合わせて単一波長（Ｉ線）の光で同時に露光した後に現像する。 - 特許庁

In the solar cell 10, the rear surface of a solar cell substrate 20 has an electrode formation region Ra which is a rectangular region formed by connecting straight line segments along the outer edge of the plurality of rear-surface-side thin wire electrodes 30B.例文帳に追加

太陽電池１０において、太陽電池基板２０の裏面は、複数の裏面側細線電極３０Ｂの外縁を直線で結んだ矩形状の領域である電極形成領域Ｒａを有する。 - 特許庁

The minute drops 24 are positively charged by a variable DC power supply 26, and become fine particles of the solute since the solvent 28 evaporates during flight, and attach to the pattern formation region of the substrate 12, forming a pattern.例文帳に追加

微小液滴２４は、可変直流電源２６によってプラスに帯電し、飛翔中に溶媒２８が蒸発して溶質微粒子となって基板１２のパターン形成領域に付着し、パターンを形成する。 - 特許庁

The semiconductor apparatus 10 has the semiconductor substrate 12 having an element formation region 14 around which a scribe region 34 is arranged, at least one wiring layer formed on the semiconductor substrate 12 via the insulating layer, a seal ring 36 formed so as to surround the element formation region 14, a rewiring 48 connected with a pad consisting of the top-layer wiring layer, and a second resin layer 32 covering the rewiring 48.例文帳に追加

半導体装置１０は、スクライブ領域３４が周囲に配置される素子形成領域１４を有する半導体基板１２と、絶縁層を介して半導体基板１２上に形成される少なくとも１層の配線層と、素子形成領域１４を囲むように形成されるシールリング３６と、最上層の配線層から成るパッドと接続された再配線４８と、再配線４８を被覆する第２樹脂層３２とを備えている。 - 特許庁

In a channel protected thin film transistor in which an oxide semiconductor is used for a channel formation region, an oxide semiconductor layer which is dehydrated or dehydrogenated by heat treatment is used as an active layer, a crystal region formed of nanocrystals is included in a superficial portion of the channel formation region, and the other portion is amorphous or is formed of a mixture of amorphous materials and microcrystals, where an amorphous region is dotted with microcrystals.例文帳に追加

チャネル形成領域に酸化物半導体を用いたチャネル保護型の薄膜トランジスタであって、加熱処理により脱水化または脱水素化された酸化物半導体層を活性層に用い、チャネル形成領域の表層部にはナノクリスタルで構成された結晶領域を有し、その他の部分は非晶質、または非晶質領域中に微結晶が点在した非晶質と微結晶の混合物で形成されている。 - 特許庁

The method comprises processes for: forming a first metallic film 12 for an ohmic contact on a gate electrode 8 wherein a layer insulating film 10 is selectively removed and on an ohmic contact formation region; and leaving a first metallic film 12 only in the ohmic contact formation region by selectively removing the first metallic film 12 formed on the gate electrode 8 in the first metallic film 12 formed in the process.例文帳に追加

層間絶縁膜１０を選択的に除去した、ゲート電極８上、ならびにオーミック・コンタクト形成領域上に、オーミック・コンタクト用の第１の金属膜１２を形成する工程と、この工程で形成された第１の金属膜１２の内、ゲート電極８上に形成された第１の金属膜１２を選択的に除去し、オーミック・コンタクト形成領域にのみ第１の金属膜１２を残す工程とを備えて構成される。 - 特許庁

A magnetic sensor 10 includes a rectangular pattern formation region 21 having a first region 21d where a resistance change rate of a pattern 22 becomes high and a second region 21e where the resistance change rate becomes lower than that in the first region 21d.例文帳に追加

磁気センサ１０は、パターン２２の抵抗変化率が大きくなる第１領域２１ｄ、及び抵抗変化率が第１領域２１ｄよりも小さくなる第２領域２１ｅを有する矩形のパターン形成領域２１を備える。 - 特許庁

To provide an image display device and its manufacturing method wherein an influence of a magnetic field is reduced, brightness unevenness in an image formation region is less, and a timewise change of the brightness is less.例文帳に追加

本発明は、イオンポンプを用いた場合において、磁界の影響を低減し、画像形成領域内での輝度むらが少なく、輝度の経時変化の少ない画像表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The first and second ejection openings belong to two lines which are separated most in a lateral direction among 16 lines formed in an ejection opening formation region by many ink ejection openings to extend in a longitudinal direction.例文帳に追加

第１及び第２吐出口は、多数のインク吐出口によって吐出口形成領域に形成された長手方向に延在する１６本の行のうち、短手方向に最も離隔した２つの行にそれぞれ属している。 - 特許庁

A field-effect transistor has a first gate electrode 7, which is positioned at the central part of the transistor, and second gate electrodes 8, which are positioned on both sides of the electrode 7, and at least one part of each of the second gate electrodes 8 is positioned on a channel formation region.例文帳に追加

電界効果型トランジスタにおいて、中央部に位置する第一のゲート電極７と、その両側に位置する第二のゲート電極８を持ち、第二のゲートの少なくとも一部はチャネル形成領域上に位置する。 - 特許庁

Subsequently, a capacitor insulating film is formed on the whole surface of the substrate 201, a second conducting film 206 is formed on the capacitor insulating film, the layer 206 is made to remain on the alignment mark formation region and a plate electrode 206 is formed on the memory cell region.例文帳に追加

続いて、全面に容量絶縁膜を形成し、その上に第２の導電層２０６を形成し、位置合わせマーク形成領域に第２の導電層２０６を残存させ、メモリセル領域にプレート電極２０６を形成する。 - 特許庁

To manufacture a TFT capable of operating at a high speed by a method wherein a crystalline semiconductor film which controls a position and a size of crystal particles is manufactured and the crystalline semiconductor film is used for a channel formation region of the TFT.例文帳に追加

結晶粒の位置と大きさを制御した結晶質半導体膜を作製し、その結晶質半導体膜をＴＦＴのチャネル形成領域に用いることにより高速動作が可能なＴＦＴを作製する。 - 特許庁