「Passivation」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

The passivation film is arranged on the chip pads 105 and has first apertures which are internally defined so that at least a part of the each chip pad 105 is exposed.例文帳に追加

パシベーション膜は、チップパッド１０５上に配置され、チップパッド１０５の少なくとも一部を露出させるように内部に定義される第１開口を具備する。 - 特許庁

An inner surface of the heat treatment apparatus is covered with an oxide passivation film, and has a center average roughness Ra of ≤1 μm.例文帳に追加

加熱処理装置の内表面を酸化物不働態膜によって覆うと共に、当該内表面の表面粗さを中心平均粗さＲａで１μｍ以下にする。 - 特許庁

A metal film pattern 31T is formed so as to cover a stepped portion formed on the passivation film 30 in a region apart from a bump electrode 35.例文帳に追加

バンプ電極３５から離れた領域でパッシベーション膜３０に形成されている段差部分を被覆するように金属膜パターン３１Ｔが形成されている。 - 特許庁

The passivation film 14 has a recessed portion 18 on the side fronting the corrosion resistant film 16, and a metallic layer 20 is formed on this recessed portion 18.例文帳に追加

不動態膜１４には、耐食性皮膜１６に臨む側に凹部１８が形成されており、この凹部１８には、金属層２０が形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method which can improve the reliability of its TAB mount by a method, wherein crackings produced in a passivation film are suppressed.例文帳に追加

パッシベーション膜にクラックの発生を抑制することにより、ＴＡＢ実装の信頼性を向上させた半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The sweep is performed at a high rate from the natural potential 1 to the passivation potential 2 to activate the etching target part while suppressing the corrosion of the whole crystal grain.例文帳に追加

自然電位(1)から不動態化電位(2)までは早い速度で掃引し、結晶粒全体の腐食を抑制しつつ腐食対象部位を活性化させる。 - 特許庁

To provide a passivated topmost silver-containing solderable contact where migration of silver from a device electrode is prevented under passivation.例文帳に追加

装置電極からの銀のマイグレーションがパッシベーションの下で防止されている、パッシベートされた最上部銀含有はんだ付け可能コンタクトを提供することである。 - 特許庁

A wiring layer, not shown and regarding the memory cell, is formed in a multilayer via an interlayer insulating film, and a protective film (passivation film) 12 is formed thereon.例文帳に追加

このメモリセルに関係する図示しない配線層が層間絶縁膜を介して多層で形成され、その上に保護膜（パッシベーション膜）１２が形成されている。 - 特許庁

After under-filling the electronic module with a polymer material, the polyamine on the surface of the passivation 5 reacts with the under-fill material 15 while the under-fill material 15 is cured.例文帳に追加

ポリマー材料で電子モジュールをアンダーフィルした後、パッシベーションの表面上のポリアミンは、アンダーフィル材料の硬化中にアンダーフィル材料と反応する。 - 特許庁

For the package with a lead terminal, the passivation film 15 on the wire bonding pad areas 11 is selectively removed to form pad openings.例文帳に追加

リード端子付きパッケージに適用する場合はワイヤーボンディング用パッド領域１１のパッシベーション膜１５を選択的に除去してパッド開口部を形成する。 - 特許庁

By altering thickness of a passivation layer, dielectric layer or organic layer in the two sub-pixels, the total capacitances of the two sub-pixels are different.例文帳に追加

二つのサブ画素における保護層の厚さ、誘電層の厚さおよび有機層の厚さを変えて、二つのサブ画素の合計容量値を相違させる。 - 特許庁

The passivation film is formed thin and hot electrons 9 generated by a high electric field are discharged to a drain electrode through the semi-insulating film 7.例文帳に追加

パッシベーション膜を薄く形成することにより高電界によって発生したホットエレクトロン９を半絶縁膜７を介してドレイン電極に排出する。 - 特許庁

The photoresist layer patterned is used as an etching mask, and the passivation layer and the insulated layer are etched to expose a side wall of the drain terminal 208a.例文帳に追加

このパターン化したフォトレジスト層をエッチング・マスクとして、前記パシベーション層及び絶縁層をエッチングして、前記ドレイン端子２０８ａの側壁を露出させる。 - 特許庁

A pixel electrode is formed on the passivation layer, so that this pixel electrode is electrically connected with the drain terminal through the side wall of the drain terminal.例文帳に追加

前記パシベーション層上に画素電極を形成して、この画素電極と前記ドレイン端子とを、前記ドレイン端子の側壁を通して電気的に接続させる。 - 特許庁

A copper electrode 2 is formed on a semiconductor device 1, on which a passivation film 5 is formed so as to cover the peripheral part of the copper electrode 2.例文帳に追加

半導体装置１の上に銅電極２を形成し、その上に銅電極２の周縁部を覆うようにしてパッシベーション膜５を形成する。 - 特許庁

To provide a diode using a nitride semiconductor with sufficiently reduced reverse-direction leakage current even if a passivation film is formed.例文帳に追加

パッシベーション膜を形成した場合においても逆方向リーク電流を十分に低減した窒化物半導体を用いたダイオードを実現できるようにする。 - 特許庁

The semiconductor substrate 10 includes an electrode pad 20 and a passivation film 16 in which an opening 18 is formed for exposing the central region in the electrode pad 20.例文帳に追加

半導体基板１０は、電極パッド２０と、電極パッド２０の中央領域を露出させる開口１８が形成されたパッシベーション膜１６とを有する。 - 特許庁

METHOD OF FORMING METAL-INSULATOR-METAL (MIM)CAPACITOR TOGETHER WITH PASSIVATION FILM ON DIELECTRIC FILM, AND ITS ELEMENT例文帳に追加

誘電膜上のパッシベーション膜と共に金属−絶縁体−金属キャパシタ（ＭＥＴＡＬ−ＩＮＳＵＬＡＴＯＲ−ＭＥＴＡＬＭＩＭＣＡＰＡＣＩＴＯＲＳ）を形成する方法及びその素子 - 特許庁

To provide a method for fabricating a germanium-on insulator substrate capable of desired passivation and desired improvement regarding electron mobility by a GeO_xN_y layer.例文帳に追加

ＧｅＯ_ｘＮ_ｙ層によって、所望の不動態化と電子移動度に関する所望の改善とが可能なゲルマニウムオンインシュレータ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The second surface passivation film is formed of a material having a melting point higher than that of each of the gate electrode, the source electrode and the drain electrode.例文帳に追加

前記第２表面パッシベーション膜は、前記ゲート電極、前記ソース電極、および前記ドレイン電極よりも融点が高い材料で形成される。 - 特許庁

Gaseous ozone of 10-50 vol.% gaseous ozone concentration is allowed to act on a metal surface at 60-150°C to apply passivation treatment to the metal surface.例文帳に追加

オゾンガス濃度が１０〜５０vol％のオゾンガスを６０〜１５０℃の温度範囲で金属表面に作用させて、金属表面を不動態化処理するように構成した。 - 特許庁

A reflection film 17 has a reflectance which is larger than the reflectance of the passivation film 15, and is provided on the major surface 13a of the semiconductor region 13.例文帳に追加

反射膜１７は、パッシベーション膜１５の反射率より大きい反射率を有しており、半導体領域１３の主面１３ａ上に設けられている。 - 特許庁

Then, halogen elements are added near an interface between the luminous layer 108 and the anode 109 through the passivation film 110 and the anode 109.例文帳に追加

その後、パッシベーション膜１１０及び陽極１０９を通してハロゲン元素を発光層１０８と陽極１０９との界面近傍に添加する。 - 特許庁

The insulating board 1 is irradiated with an excimer laser beam or the like, from above to turn the a-Si film to a poly-Si film, then a source/ drain electrode is formed, and a passivation film is formed.例文帳に追加

次に、エキシマレーザ等を照射し、a−Ｓｉ膜をpoly−Ｓｉ膜に変換した後、ソース・ドレイン電極を形成し、パッシベーション膜を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is improved in TAB mounting reliability by a method wherein a passivation film is protected against cracking.例文帳に追加

パッシベーション膜へのクラックの発生を抑制することにより、ＴＡＢ実装の信頼性を向上させた半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The element such as a transistor, an interlayer insulating film, a wiring and a passivation film or the like are formed on the wafer 11 for forming the element for the laminated substrate 13.例文帳に追加

そして、貼合わせ基板１３の素子形成用ウエハ１１に、トランジスタ等の素子、層間絶縁膜、配線及びパッシベーション膜等を形成する。 - 特許庁

A passivation film removing pulse P_0 at an application time t_0 is applied before a plurality of machining pulses (P_1, P_2, P_3, etc.: on time t_1) of a predetermined frequency are applied.例文帳に追加

所定回数の複数個の加工パルス（Ｐ_１，Ｐ_２，Ｐ_３，・・・：オン時間ｔ_１）を印加する前に、印加時間ｔ_０の不動態膜除去パルスＰ_０を印加する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and the manufacture thereof by preventing a passivation film from cracking to improve reliability of tape automated bonding(TAB) mounting.例文帳に追加

パッシベーション膜へのクラックの発生を抑制することにより、ＴＡＢ実装の信頼性を向上させた半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a transistor excellent in a high withstand voltage characteristic by solving a problem of discontinuity due to mismatch in passivation films based on air layers.例文帳に追加

空気の層に基づくパッシベーションの膜の不整合性による不連続性の問題を解決し、高耐圧特性に優れたトランジスタの提供を課題とする。 - 特許庁

The passivation film is formed of a polymer containing fluorine having a repetitious unit expressed by an expression (1): -(X_2C-Ar-CX_2)-, where X represents hydrogen or fluorine and Ar represents a bivalent aromatic ring that may have been substituted with fluorine.例文帳に追加

下記式（１）で示される繰り返し単位を有するフッ素含有重合体からなることを特徴とするパッシベーション膜である。 - 特許庁

A plurality of electrode pads 24 are formed in arrays in a peripheral edge part of an active surface 121a of a semiconductor device 121, and a passivation film 26 as a protective film is formed throughout the active surface of the semiconductor device 121, and openings 26a of the passivation film 26 are formed on surfaces of respective electrode pads 24.例文帳に追加

半導体装置１２１の能動面１２１ａの周縁部には、複数の電極パッド２４が配列形成され、半導体装置１２１の能動面全体に保護膜としてのパッシベーション膜２６が形成されており、上述した各電極パッド２４の表面に、パッシベーション膜２６の開口部２６ａが形成されている。 - 特許庁

A plasma etching process is carried out using a process gas containing CF_4 and O_2 to simultaneously form a hole 111 which penetrates a passivation film 108 and a gate insulating film 103 to reach a gate electrode 102, and a hole 112 which penetrates the passivation film 108 to reach a drain electrode 107.例文帳に追加

ＣＦ_４とＯ_２を含む処理ガスを用いてプラズマエッチング処理を行なうことによって、パッシベーション膜１０８とゲート絶縁膜１０３を貫通し、ゲート電極１０２に到達するホール１１１と、パッシベーション膜１０８を貫通してドレイン電極１０７に到達するホール１１２とが一度に形成される。 - 特許庁

A film 10 constituted of the same material as a passivation film 6 formed on a circuit forming plane of a silicon substrate 2 is formed on a plane of an opposite side to the circuit forming plane of the silicon substrate 2 so that the thickness is equal to or larger than the thickness of a passivation film 6 formed on the circuit forming plane of the silicon substrate 2.例文帳に追加

シリコン基板２の回路形成面と反対側の面に、シリコン基板２の回路形成面に形成されたパッシベーション膜６と同一の材料によって構成された膜１０を、シリコン基板２の回路形成面に形成されたパッシベーション膜６の膜厚と同等若しくは厚くなるように形成する。 - 特許庁

The solid image-pickup device having on a silicon substrate 1 a light receiving portion 2 for performing a photoelectric conversion, a shielding film 4 so provided above the light receiving portion 2 as not to cover it, and a passivation film 5 for covering the shielding film 4 and the light receiving portion 2, wherein the top surface of the passivation film 5 is made flat.例文帳に追加

シリコン基板１上に光電変換を行う受光部２と、前記受光部２の受光面を覆うことなく設けられた遮光膜４とを有し、前記遮光膜４と前記受光部２とを覆うパッシベーション膜５を有する固体撮像装置に於いて、前記パッシベーション膜５の上面が平坦であることを特徴とする。 - 特許庁

A TFT layer including a semiconductor layer, a gate insulation film 104, a gate electrode, an insulation film 106 between layers, a drain electrode, a source electrode, an inorganic passivation film 109 and an organic passivation film 110 is formed on a glass substrate, and transfers the TFT layer and an etching stop layer 101 on a plastic substrate 10 through an adhesive 11.例文帳に追加

半導体層、ゲート絶縁膜１０４、ゲート電極、層間絶縁膜１０６、ドレイン電極、ソース電極、無機パッシベーション膜１０９、有機パッシベーション膜１１０を含むＴＦＴ層をガラス基板上に形成し、ＴＦＴ層およびエッチング停止層１０１を、接着材１１を介してプラスチック基板１０上に転写する。 - 特許庁

In the seal part, columnar spacers 205 are formed on the counter substrate 200 side and an organic passivation film 108 is formed opposite to the columnar spacers 205 on the TFT substrate 100 side to control the gap between the TFT substrate 100 and the counter substrate 200 by the columnar spacer 205 and the organic passivation film 108.例文帳に追加

シール部において、対向基板２００側には柱状スペーサ２０５を形成し、ＴＦＴ基板１００側には有機パッシベーション膜１０８を柱状スペーサ２０５と対向して形成し、柱状スペーサ２０５と有機パッシベーション膜１０８によってＴＦＴ基板１００と対向基板２００の間隔を制御する。 - 特許庁

When the antireflection film of silicon nitride films is formed with the surface-wave plasma, an H_2 gas (hydrogen gas) or NH_3 gas (ammonia gas) is used for a preprocess of a film forming process and a plasma process is carried out at a low frequency to promote H_2 passivation, thereby forming the antireflection film with high H_2 passivation effect.例文帳に追加

表面波プラズマによる窒化シリコン膜の反射防止膜の成膜において、成膜処理の前処理としてＨ_２ガス（水素ガス）又はＮＨ_３ガス（アンモニアガス）を用い、低周波数でプラズマ処理を行うことで、Ｈ_２パッシベーションを促進し、Ｈ_２パッシベーション効果の高い反射防止膜を形成する。 - 特許庁

A bonding layer is applied to bond a substrate and a metallic sheet structure with a central aperture in face-to-face orientation, and then a passivation layer is applied to partially cover the exposed surface of the metallic sheet structure and to divide the surface not covered with the passivation layer in the metallic sheet structure into two electrode zones.例文帳に追加

結合層により基材と中央に開口を有する金属片とを対向接合させ、保護層を該金属片の一部の表面に被覆することで、該金属片の表面が該保護層に被覆されていない部分を２つの電極領域に区画する開口定抵抗型のチップ抵抗器およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In a method of forming the protective film of a silicon nitride (SiNx) film on a semiconductor surface of low-temperature polysilicon, material gas containing gas for H_2 passivation and Si is introduced into the semiconductor surface and a low-temperature plasma process is carried out to achieve H_2 passivation and deposition with a silicon nitride (SiN_x) film.例文帳に追加

低温ポリシリコンの半導体表面に窒化シリコン（ＳｉＮ_ｘ）膜の保護膜を形成する成膜方法において、半導体表面にＨ_２パッシベーション用ガスとＳｉを含む材料性ガスとを導入し、低周波プラズマ処理により、Ｈ_２パッシベーションと窒化シリコン（ＳｉＮ_ｘ）膜の成膜とを行う。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with a fuse element 130 formed on a second insulating film 10, an alignment mark 140 for detecting the position of the fuse element 130, a passivation film 120 formed on the upper layer than the alignment mark 140, and an opening unit 122 on the alignment mark 140 formed on the passivation film 120.例文帳に追加

第２の絶縁膜１０上に形成されたヒューズ素子１３０と、ヒューズ素子１３０の位置を検出するためのアライメントマーク１４０と、アライメントマーク１４０より上層に形成されたパッシベーション膜１２０と、アライメントマーク１４０上に位置し、パッシベーション膜１２０に形成された開口部１２２とを具備する。 - 特許庁

A transparent insulating passivation film 19 is formed to cover all over an insulating substrate 11 including display pixels PIX, and then the passivation film 19 is subjected to heating processing in a nitrogen gas atmosphere under a predetermined condition so as to perform a stress relaxing treatment for relaxing internal stress of the film 19.例文帳に追加

表示画素ＰＩＸを含む絶縁性基板１１の全域を被覆するように透明な絶縁性のパッシベーション膜１９が形成され、その後、所定の条件の窒素ガス雰囲気中で当該パッシベーション膜１９を加熱処理して内部応力を緩和させる（低減する）応力緩和処理を行う。 - 特許庁

A semiconductor wafer 100 includes a plurality of semiconductor chip regions 50, and scribing regions 80, 82 which classify each of the semiconductor chip regions 50, wherein each of the semiconductor chip regions 50 has a passivation layer and the passivation layer has a slit 24 formed along the peripheries of the semiconductor chip region 50.例文帳に追加

本発明に係る半導体ウェハ１００は， 複数の半導体チップ領域５０と、 半導体チップ領域５０のそれぞれを区分するスクライブ領域８０，８２と、を含み、 半導体チップ領域５０は、パッシベーション層を有し、 パッシベーション層は，半導体チップ領域５０の周縁に沿って形成されたスリット２４を有する。 - 特許庁

A source electrode 7 formed with a source pad 7A is formed on a gate insulating film 3, first-third contact holes 20, 30, 40 are appropriately formed on a passivation layer 9 which is formed on the source electrode 7 and on the gate insulating film 3, and a pixel electrode 6 is formed from a transparent electrode layer which is provided on the passivation layer 9.例文帳に追加

ゲート絶縁膜３の上にソースパッド７Ａが形成されたソース電極７を形成し、ソース電極７の上に形成したパッシベーション層９とゲート絶縁膜３に第１〜第３コンタクトホール２０、３０、４０を適宜形成し、パッシベーション層９上に設けた透明電極層にて画素電極６を形成する。 - 特許庁

The storage capacitor 53 has a pixel potential side capacitance electrode 53A disposed on the passivation film 64 of the reflection region 50B and electrically connected to the pixel electrode 55 and a common potential side capacitance electrode 53B disposed opposite to the pixel potential side capacitance electrode 53A via the passivation film 64.例文帳に追加

蓄積容量５３は、反射領域５０Ｂのパッシベーション膜６４上に配置されかつ画素電極５５に電気的に接続された画素電位側容量電極５３Ａと、画素電位側容量電極５３Ａにパッシベーション膜６４を介して対向配置された共通電位側容量電極５３Ｂとを有する。 - 特許庁

The metal film comprises a metal material consisting of an insensitive area and a passivation area in an electric potential-pH diagram, and has no corrosion area or a very small corrosion area.例文帳に追加

そして、金属膜は、電位−ｐＨ図において不感域及び不動態域で構成され、腐食域を持たない又は腐食域が非常に小さい金属材料からなる。 - 特許庁