「Passivation」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

On the other hand, since the first terminal 56 and the second terminal 57 are short-circuited when there is not passivation film 15, the normal output signal VOUT can not be obtained.例文帳に追加

一方、パッシベーション膜１５が無い場合には、第１の端子５６と第２の端子５７は短絡されているので、正常な出力信号ＶＯＵＴが得られない。 - 特許庁

By incorporating P, Si and B in the magnetic layer 3 a passivation film is formed on the surface of the protective layer side of the magnetic layer to incorporate a protective function also in the magnetic layer 3.例文帳に追加

磁性層３にＰ、Ｓｉ、Ｂを含ませることにより、磁性層表面の保護層側に不動態皮膜を形成し、磁性層３にも保護機能を持たせる。 - 特許庁

An SiNx film 109 serving as a passivation film and an anti-reflective film for incident light is formed on the n^++ diffusion layer 107 and the n^+ diffusion layer 108.例文帳に追加

Ｎ＋＋拡散層１０７及びＮ＋拡散層１０８上に、パッシベーション膜および入射光の反射防止膜として機能するＳｉＮｘ膜１０９を形成する。 - 特許庁

The wiring 26 is formed so that it adheres to the resin section 24 for burying the projection 20 and the recess 22 in the passivation film 16 between the electrode 14 and the resin layer 18.例文帳に追加

配線２６は、電極１４と樹脂層１８の間で、パッシベーション膜１６の凸部２０及び凹部２２を埋める樹脂部２４に密着するように形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a highly reliable semiconductor element capable of suppressing the deterioration of withstand voltage after bonding processing by increasing the glass passivation film thickness of the semiconductor element.例文帳に追加

半導体素子のガラスパシベーション膜厚を増加させることにより、接合処理後の耐圧劣化を抑えた高信頼性の半導体素子の製造方法の提案。 - 特許庁

On the inter layer insulating film 107, a first passivation film 109 having an opening 131 is formed outside the seal ring 104 viewed from the chip area 102.例文帳に追加

層間絶縁膜１０７の上に、チップ領域１０２から見てシールリング１０４の外側に開口部１３１を有する第１のパッシベーション膜１０９が形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of decreasing the deformation or crack of a wafer when machining the semiconductor wafer in a predetermined thickness while maintaining a function of a passivation film.例文帳に追加

パッシベーション膜の機能を維持しつつ、半導体基板を所望の厚さに加工する際における基板の変形・割れなどを低減できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To form a wiring structure at a low cost and in a short lead time which has a passivation structure with a flat upper surface and is easily manufactured and excellent in insulating characteristics.例文帳に追加

製造が容易でかつ絶縁性に優れ、平坦な上面（表面）を持つパッシベーション構造を備えた配線構造を、低コストかつ短リードタイムで形成する。 - 特許庁

To provide a life time measurement method of a silicon wafer capable of maintaining and measuring the passivation effect for controlling surface recombination over a long time in measuring the lifetime of a silicon wafer.例文帳に追加

シリコンウェーハのライフタイムを測定するに際し、長時間にわたり表面再結合を抑制するためのパッシベーション効果を持続して測定する方法を提供する。 - 特許庁

Further, the fuse element can be cut using an optical system having small depth of focus, so that the fuse element can be cut without breaking the passivation film.例文帳に追加

また、焦点深度の小さい光学系を用いてヒューズ素子を切断できることから、パッシベーション膜を破壊することなくヒューズ素子を切断することが可能となる。 - 特許庁

The tight adhesion strength of the ITO layer 35 and the passivation film 33 is higher than the tight adhesion strength of the contact part S1 of the intervening metallic layer 40 and the ITO layer 35.例文帳に追加

ＩＴＯ層３５とパッシベーション膜３３との接触部Ｓ２の密着強度は仲介金属層４０とＩＴＯ層３５の接触部Ｓ１の密着強度より強い。 - 特許庁

To solve the problem of the conventional passivation method in the vicinity of a semiconductor bonding pad that, whichever the etching time of a polyimide film may be long or short, it causes a trouble in wire bonding, and the margin of the etching time is small in the etching process of the polyimide film, failure rate is high.例文帳に追加

従来の半導体のボンディングパッド付近のパッシベーション方法は、ポリイミド膜のエッチング時間が長くても短くてもワイヤボンディングに支障をきたす。 - 特許庁

To provide a manufacturing method whose process is simple more than a lithography process as a method removing the back passivation film of a back junction type solar batter partially.例文帳に追加

裏面接合型太陽電池の裏面パッシベーション膜を部分的に除去する方法として、フォトリソグラフィー工程よりもプロセスが簡易な製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a method of manufacturing semiconductor device which can prevent peeling and cracks of a passivation film on an element forming region of a semiconductor chip.例文帳に追加

半導体チップの素子形成領域上におけるパッシベーション膜の剥がれやひび割れを防止することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The re-distributed metal layer 260 is formed of the last metal layer in an integrated circuit in the manufacturing period of the integrated circuit before final passivation is applied.例文帳に追加

再分布メタル層２６０は最終的なパッシベーションを付与する前に集積回路の製造期間中に集積回路における最後のメタル層から形成する。 - 特許庁

A pad electrode 23 covered with a cap metal 24 is formed on the third interlayer insulating film 20, and the pad electrode 23 and the cap metal 24 are covered with first and second passivation films 25 and 26.例文帳に追加

第３の層間絶縁膜２０上には、キャップメタル２４に覆われたパッド電極２３が形成され、それらは第１及び第２のパッシベーション膜２５，２６に覆われる。 - 特許庁

A second insulation film 9, a semiconductor substrate 1, a first insulation film 2, and a passivation film 4 are sequentially etched and removed by using a resist layer and a protection layer 20 as a mask.例文帳に追加

レジスト層や保護層２０をマスクとして第２の絶縁膜９，半導体基板１，第１の絶縁膜２，及びパッシベーション膜４を順にエッチングして除去する。 - 特許庁

The protective film 38 is a passivation film (FeOOH) formed so as to be placed under an environment where a strong oxidizing agent is present or a strong alkali environment.例文帳に追加

保護皮膜３８は、鉄または鋼の薄膜を強酸化剤が存在する環境下や強アルカリ環境下に置いて形成した不動態膜（ＦｅＯＯＨ）である。 - 特許庁

To obtain an epoxy resin compsn. to give a semiconductor device being free from the occurrence of voids and having excellent curability, adhesiveness to a passivation membrane and moisture resistance on moisture absorption.例文帳に追加

ボイドの発生がなく、吸湿時の硬化性、パッシベーション膜との接着性、耐湿性に優れる半導体装置を与えるエポキシ樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

Accompanying this, as a measure of the mechanical strength and the humidity resistance of a wiring layer 4 consisting of Al alloy, this wiring layer 4 is covered with a passivation film 5 such as SiN or the like.例文帳に追加

これに伴って、Ａｌ合金から成る配線層４の機械的強度および耐湿性対策として、この配線層４をＳｉＮなどのパッシベーション膜５で被覆する。 - 特許庁

To provide an organic semiconductor device which can be easily formed without using a special material such as parylene and has a protective film with high passivation effects, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

パリレンなどの特殊な材料を用いず、容易に形成でき、パッシベーション効果の高い保護膜を有する有機半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The organic EL element has a passivation layer in which a layer including at least one selected from a nitride, an oxide, and an oxide-nitride and a layer including a fluoride are laminated.例文帳に追加

パッシベーション層が、窒化物、酸化物及び酸窒化物から選ばれる少なくとも１つを含む層と、フッ化物を含む層とを積層したものである有機ＥＬ素子とする。 - 特許庁

Also, judgment can be made that the step for passivation treatment over the entire area of the piping is completed when the ozone concentration is nearly flat based on the result of the analyses.例文帳に追加

また、この解析結果に基づき、オゾン濃度がほぼ平坦になったら、配管全域にわたる不動態化処理工程が完了したと判断することができる。 - 特許庁

The shape of passivation film in the CCD or MOS solid-state imaging element is formed into a shape having opening photoelectric converters above, respectively.例文帳に追加

ＣＣＤ型またはＭＯＳ型の固体撮像素子におけるパッシベーション膜の形状を、光電変換素子それぞれの上方に開口部を１つずつ有する形状にする。 - 特許庁

A passivation film 10, the interlayer dielectric film 8 and an underlay dielectric film 6 in an FET upper part are etched by an RIE method using CF_4 gas.例文帳に追加

次に、ＣＦ_４ガスを用いたＲＩＥ法により、ＦＥＴ上部におけるパッシベーション膜１０、層間誘電体膜８及び下敷き誘電体膜６をエッチングする。 - 特許庁

A wide-area surface at the end of an Aluminum layer 123 is exposed to the outside, from the opening part of a protection film (passivation film) 13 at a top layer, and a bonding wire (not shown) is connected to it.例文帳に追加

アルミニウム層１２３端部の広域表面が最上層の保護膜（パッシベーション膜）１３の開口部より外部に露出し、図示しないボンディングワイヤが接続される。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a solar cell which does not use a high-temperature process, such as thermal oxidation, and has the same surface passivation characteristic as thermal oxidation at low temperature.例文帳に追加

熱酸化法のような高温プロセスを用いず、低温で熱酸化法と同程度の表面パッシベーション特性をもつ太陽電池の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a printing mask and a flip chip-type IC, by which the surface of a passivation layer can effectively be prevented from being damaged at the time of printing paste.例文帳に追加

ペーストの印刷時にパッシベーション層の表面に傷がつくことを有効に防止することが可能な印刷マスク及びフリップチップ型ＩＣの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for continuing passivation effect for suppressing surface recombination for long time so as to measure an electric characteristic of a semiconductor wafer at the time of measuring it.例文帳に追加

半導体ウェーハの電気特性を測定するに際し、長時間にわたり表面再結合を抑制するためのパッシベーション効果を持続して測定する方法を提供する。 - 特許庁

A first resin molded body 30 is arranged closer to the outer periphery of the semiconductor chip 20 than an electrode 24 between the passivation film 28 and the substrate 10.例文帳に追加

第１の樹脂成形体３０は、パッシベーション膜２８と基板１０との間であって、電極２４よりも半導体チップ２０の外縁近くに配置されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that can have a passivation film prevented from cracking without causing problems of an increase in the number of manufacturing processes, an increase in thickness, etc.例文帳に追加

製造工程数の増加や厚さの増大などの問題を生じることなく、パッシベーション膜にクラックが生じるのを防止することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

At least two adjacent rewirings 135 are mutually separately arranged on the passivation film and are connected with the chip pads 105 through the corresponding first apertures respectively.例文帳に追加

少なくとも２つの隣接する再配線１３５は、パシベーション膜上に互いに離隔配置され、対応する第１開口を通じてチップパッド１０５とそれぞれ連結される。 - 特許庁

The conductive layer 30 is formed so as to cover the entire resin portion 22, and to contact the passivation film 16 in an entire peripheral region of the resin portion 22.例文帳に追加

導電層３０は、樹脂部２２の全体を被覆して形成され、樹脂部２２の全周辺領域においてパッシベーション膜１６と接触して形成されている。 - 特許庁

An insulating film comprising a gate insulating film GI and a passivation film PAS is formed on an upper layer of a gate wiring GL and a wiring inspection terminal GL-P to be a wide width part.例文帳に追加

ゲート配線ＧＬと幅広部である配線検査用端子ＧＬ−Ｐの上層には、ゲート絶縁膜ＧＩと保護膜ＰＡＳからなる絶縁膜が形成される。 - 特許庁

In Fig., an IC chip, a bonding pad, a protective film, copper rewiring, a copper post, a solder ball, passivation, and the barrier metal resistor are represented by 10, 11, 12, 14, 16, 17, 18, and R1, respectively.例文帳に追加

図中、１０はＩＣチップ、１１はボンディングバッド、１２は保護膜、１４は銅再配線、１６は銅ポスト、１７はハンダボール、１８はパッシベーション、Ｒ１はバリアメタル抵抗部である。 - 特許庁

Diffusion of alkali metals contained in EL devices or the like to TFT sides can be prevented by providing an insulating film (passivation film) on TFTs.例文帳に追加

このようにＴＦＴ上に絶縁膜（パッシベーション膜）を設けることによって、ＥＬ素子等に含まれるアルカリ金属がＴＦＴ側へ拡散することを防ぐことができる。 - 特許庁

A silane passivation process, carried out in-situ together with the formation of a subsequent dielectric film, converts the exposed Cu surfaces of the Cu interconnect structure, to copper silicide.例文帳に追加

その後の誘電体フィルムの形成とともに原位置に実行されるシラン・パッシベーション・プロセスは、Ｃｕ相互接続構造の露出したＣｕ表面をケイ化銅に転化する。 - 特許庁

The plurality of passivation layers are deposited on the semiconductor device layer 14, where at least two of the layers are made of different dielectric materials to provide an etch stop.例文帳に追加

複数の不動態化層が半導体デバイス層１４上に堆積され、少なくとも２つの層はエッチストップを提供し得るよう異なる誘電性材料にて出来ている。 - 特許庁

Relating to the field-effect transistor 10, the density of film quality of silicon dioxide constituting the passivation film 20 is rougher than that of silicon dioxide constituting the gate oxide film 14.例文帳に追加

電界効果トランジスタ１０では、パッシベーション膜２０を構成する二酸化シリコンの膜質が、ゲート酸化膜１４を構成する二酸化シリコンの膜質よりも密度が粗である。 - 特許庁

Then, an inorganic passivation layer and an organic EL element are formed in order on the overcoat layer 14b the surface of which has been flattened to manufacture the organic EL display.例文帳に追加

そして、この表面が平坦化したオーバーコート層１４ｂ上に無機パッシベーション層および有機ＥＬ発光素子を順次形成して有機ＥＬディスプレイを製造する。 - 特許庁

A metal wire 114 is formed above the semiconductor element 300 and in contact therewith, and a passivation layer 118, 902 is formed over the intermetal dielectric layer 112.例文帳に追加

金属ワイヤ［１１４］は半導体素子［３００］の上方にかつそれに接触して形成され、パッシベーション層［１１８］［９０２］は金属間誘電層［１１２］にわたって形成される。 - 特許庁

A first protection film 19 and a secoind protection film 20 are formed in this order on the interlayer insulating films 18, and the aluminum electrodes 17 as passivation films.例文帳に追加

層間絶縁膜１８及びアルミニウム電極１７上には、パッシベーション膜として、第１保護膜１９及び第２保護膜２０がこの順で形成されている。 - 特許庁

To provide a substrate treatment method, in which a semiconductor wafer after etching by using a halogen-containing etchant is subjected to treatment of passivation and stripping in a short time.例文帳に追加

ハロゲン含有エッチャントを用いたエッチング後の半導体ウェハに短時間でパシベーション及びストリッピングの処理を行なうことが出来る基板処理方法を提供する。 - 特許庁

To suppress separation between an anisotropic conductive resin which is used in fixing a semiconductor chip to a wiring board, and a resin film on the passivation film of the semiconductor chip.例文帳に追加

半導体チップを配線基板に固定する際に用いられる異方性導電性樹脂と、半導体チップのパッシベーション膜上の樹脂膜とを剥離しにくくする。 - 特許庁

A color filter layer is formed on the passivation layer and a first thickness of the color filter layer in the reflection region is smaller than a second thickness of the color filter layer in the transmission region.例文帳に追加

カラーフィルター層は、パッシベーション層上に形成され、反射領域のカラーフィルター層の第一厚さは、透過領域のカラーフィルター層の第二厚さより小さい。 - 特許庁