「Passivation」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

In the middle of the passivation and the zinc substitution plating, activation suppression treatment with an aqueous solution comprising sodium pyrophosphate, sodium tetraborate and sodium fluoride can be performed.例文帳に追加

不働態化処理と亜鉛置換めっきの中間にピロリン酸ナトリウム、四ホウ酸ナトリウム及びフッ化ナトリウムを含有する水溶液による活性化抑制処理を行なうことができる。 - 特許庁

Two or more conical or trapezoidal protrusions 12a formed of passivation films 12 are previously formed on a wiring electrode 11 when the bump electrode 14 is formed.例文帳に追加

バンプ電極１４の形成に際して、配線電極１１上に予めパッシベーション膜１２からなる錐状あるいは台形状の凸部１２ａを複数設ける。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory having sufficient memory characteristics by protecting a ferroelectric capacitor against moisture generated during a manufacturing process, and to provide a ferroelectric memory which reduces effects of hydrogen generated in the case of forming a passivation film and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

製造工程中に発生する水分から強誘電体キャパシタを保護し、十分なメモリ特性を有する強誘電体メモリを提供する。 - 特許庁

On a substrate for liquid crystal panel which has a pixel area where reflecting electrodes are formed in a matrix on the substrate and its peripheral area, a 1st passivation film is formed of silicon oxide on the substrate and a 2nd passivation film is formed of silicon nitride on a side of a laminated structure in the peripheral area.例文帳に追加

基板上に反射電極がマトリックス状に配置されてなる画素領域とその周辺の周辺領域とを有する液晶パネル用基板において、前記反射電極上には酸化シリコンからなる第1のパシベーション膜を形成してなり、記周辺領域における積層構造の側面には窒化シリコンからなる第２のパシベーション膜を形成する。 - 特許庁

The slurry with a high selection ratio contains at least one or more kinds of metal oxide polishing particles, a passivation agent smaller in quantity than the passivation agent 20 included in the slurry with a high flattening rate, and a quaternary amine or its salt and a pH conditioner, and it has such a pH that is higher than an isoelectric point of a polishing target film 10 and lower than that of a polishing stopper 15.例文帳に追加

高選択比のスラリーは、少なくとも１種以上の金属酸化物研磨粒子、高平坦化度のスラリー剤に含まれたパッシベーション剤２０より小さい含量のパッシベーション剤、４次アミンまたはその塩及びｐＨ調節剤を含み、ポリシング対象膜１０の等電点より高くてポリシングストッパー１５の等電点より低いｐＨを有する。 - 特許庁

The interlayer insulating film 111 is formed only on the upper surface part of the organic passivation film 109, so that the stress resulting from the difference in thermal expansion coefficient between the organic passivation film 109 and the interlayer insulating film 111 can be prevented from becoming excessive, and the peel-off between the interlayer insulating film 111 and the common electrode 110 can be prevented.例文帳に追加

層間絶縁膜１１１は有機パッシベーション膜１０９の上面部にのみ形成されているので、有機パッシベーション膜１０９と層間絶縁膜１１１との熱膨張係数の差に起因するストレスが過大になること防止することが出来、層間絶縁膜１１１とコモン電極１１０と間の剥離を防止することが出来る。 - 特許庁

After the mesa-side face has been interrupted from atmosphere by the passivation film 18, the mesa-side face is irradiated with the laser beam before the electrode 19 opaque to the laser beam is formed, and the laser beam can reach the boundary between the mesa- side face and the passivation film; and substances or structures being the factor for leakage currents can be decomposed, and to reduce the leak currents.例文帳に追加

パッシベーション膜１８によりメサ側面が大気から遮断された後、レーザ光に対して不透明である電極１９が形成される前にレーザ光を照射することにより、レーザ光がメサ側面とパッシベーション膜との界面に到達し、リーク電流の原因となる物質や構造を分解し、リーク電流の低減が達成される。 - 特許庁

To improve a method for manufacturing a solar cell for attaining an improved surface passivation and volume passivation, besides excellent optical properties of a substrate in manufacturing a semiconductor element, with respect to the process for forming a layer containing a hydrogen-containing silicon on a substrate formed of silicon or a substrate containing silicon such as a wafer or a film substrate.例文帳に追加

本発明はシリコンからなる基板はシリコンを含む基板、例えばウエハ又はフィルムの基板上に水素含有シリコンを含む層を形成して半導体素子を製造する方法に関し、良好な光学的性質のほかに基板の良好な表面不動態化も体積不動態化も可能なように太陽電池の製造方法を改良することを課題とする。 - 特許庁

Furthermore, the third passivation film 45 prevents entrance of moisture and oxygen from the TFT side, disperses heat generated in the EL element 203, and suppresses deterioration of the EL element 203.例文帳に追加

さらに第３パッシベーション膜４５はＴＦＴ側からの水分や酸素の侵入を防ぎ、ＥＬ素子２０３で発生した熱を分散させてＥＬ素子２０３の劣化を抑制する。 - 特許庁

The resin layer 30 is formed such that an end part 34 forming the second opening 32 on the surface on the passivation film 20 side avoids the inner side face 24 of the first opening 22.例文帳に追加

樹脂層３０は、パッシベーション膜２０側の面における第２の開口３２を形成する端部３４が第１の開口３２の内側面２４を避けるように形成されてなる。 - 特許庁

The metal pattern 54a-n has a secured part and a free part 60a-n bent outward formed on the surface of the substrate 40 by removing a part of a passivation/release layer 48.例文帳に追加

メタルパターン５４ａ〜ｎは、パッシベーション／リリース層４８の一部を除去することで、基板４０の表面に固定された固定部と基板面に外に曲がったフリー部６０ａ〜ｎが形成される。 - 特許庁

The first moisture resistant ring 13 is constituted of a ring pad 31 which arrives from the surface of the semiconductor substrate 21 to a passivation film 28, a ring contact 32, and the structure of a ring plug 33.例文帳に追加

第１耐湿リング１３は、半導体基板２１の表面からパッシベーション膜２８まで達するリングパッド３１、リングコンタクト３２、およびリングプラグ３３の構造体から構成される。 - 特許庁

The test body whose corrosion resistance is maintained by passivation is kept in contact with a tetrathionate solution to generate and develop the intergranular stress corrosion cracking in the test body.例文帳に追加

不働態化により耐蝕性を維持する試験体をテトラチオン酸塩溶液と接触させて、前記試験体に粒界型応力腐食割れを発生、進展させることを特徴とする。 - 特許庁

A passivation film 17 is formed so that a film thickness D1 of a part which comes into contact with a common electrode 19 is larger than a film thickness D2 of a part which comes into contact with a pixel electrode 16.例文帳に追加

共通電極１９に接するパッシベーション膜１７の部分の膜厚Ｄ_1が、画素電極１６に接するパッシベーション膜１７の部分の膜厚Ｄ_2よりも厚く形成されている。 - 特許庁

Next, wiring 18 and a bonding pad 19 are formed on the interlayer insulating film 8, and a passivation film 20 is formed to form an opening 21 to expose an aluminium layer 16.例文帳に追加

次に、層間絶縁膜８上に配線１８及びボンディングパッド１９を形成し、パッシベーション膜２０を成膜し、開口部２１を形成してアルミニウム層１６を露出させる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device for eliminating irregularity caused by cutting dusts generated during the dicing of a bonding pad aperture on a passivation film and a protection film.例文帳に追加

パシベーション膜上や保護膜上、ボンディングパッド開口部などのダイシング時の切削屑による不具合をなくすことのできる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A magnetic sensor comprises a substrate, magnetoresistive elements 31 provided on the substrate, and a passivation film 60 provided on the substrate as a whole so as to cover the magnetoresistive elements 31.例文帳に追加

磁気センサは、基板と、同基板上に設けられる磁気抵抗素子３１と、磁気抵抗素子３１を覆うように同基板上全体に設けられるパッシベーション膜６０とを備える。 - 特許庁

To solve the problem of the conventional passivation method in the vicinity of a semiconductor bonding pad that, whichever the etching time of a polyimide film 38 is long or short, it causes a trouble in wire bonding, and the margin of the etching time is small in the etching process of the polyimide film 38, failure rate is high.例文帳に追加

従来の半導体のボンディングパッド付近のパッシベーション方法は、ポリイミド膜３８のエッチング時間が長くても短くてもワイヤボンディングに支障をきたす。 - 特許庁

Metal layers 3, 4 and a passivation 2 are provided in order to form electrode terminals on a semiconductor substrate 1 and exposed to irradiated with particles in order to regulate the lifetime of carrier.例文帳に追加

半導体基板(１)に電極端子を形成するために金属層(３，４)が設けられ、及びパッシベーション(２)が設けられ、且つキャリヤの寿命を調節するために粒子の照射に曝される。 - 特許庁

Furthermore, insulation properties of the ink jet die 104 can be enhanced by introducing an air gap 902 between the substrate and the passivation layer 308 by etching.例文帳に追加

さらに、エッチング等により、基板とパッシベーション膜３０８の間にさらに空隙９０２を導入することで、より絶縁性に優れたインク噴出ダイ１０４を提供することが可能である。 - 特許庁

A liquid crystal material layer 52 is formed on the passivation layer, and it is held between the lower base material and second semiconductor base material 56, thereby manufacture of a liquid crystal display integrated circuit device is finished.例文帳に追加

液晶材料層５２をパシベーション層上に形成し、下基材と第２半導体基材５６との間に挟み、液晶ディスプレー集積回路装置の製造を完了する。 - 特許庁

To improve adhesion between an insulation film and a resist while keeping passivation effects to improve device characteristics and reliability, relating to a compound semiconductor device and its manufacturing method.例文帳に追加

化合物半導体装置及びその製造方法に関し、パッシベーション効果を保ったままで絶縁膜とレジストとの密着性を改善して、デバイス特性及び信頼性を向上する。 - 特許庁

To obtain high surface passivation effect and to shorten a film deposition time, with respect to film depositing processing wherein a silicon nitride thin film is deposited on a semiconductor element by plasma CVD (Chemical Vapor Deposition).例文帳に追加

プラズマＣＶＤによって半導体素子上に窒化シリコン薄膜を形成する成膜処理において、高い表面パッシベーション効果を得ると共に、成膜時間を短縮する。 - 特許庁

In a scribe region 3, the cap metal layer 32 connected to the lower wire 25 is formed between the surface of the third interlayer insulating film 27 and the passivation film 33.例文帳に追加

一方、スクライブ領域３においては、第３層間絶縁膜２７表面とパッシベーション膜３３との間には、下配線２５に接続されるキャップメタル層３２が形成されている。 - 特許庁

To provide an epoxy resin composition for sealing a semiconductor which controls cracking of a passivation film, maintaining thermal conductivity, and in which resin seal excellent also in moldability is possible.例文帳に追加

熱伝導性を維持しつつパッシベーション膜のクラック発生を抑制するとともに、成形性にも優れた樹脂封止が可能な半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

Level differences corresponding to an insulating layer 30 and the wiring layer 31 are formed in a fourth insulating layer 33 covering the third wiring layer 31 and a passivation film 35.例文帳に追加

３層目の配線層３１上を被覆する第４の絶縁層３３及びパッシベーション膜３５にも、第３の絶縁層３０及び配線層３１に対応する段差が形成される。 - 特許庁

Four layers of low-permittivity films 4 and the same number of layers of wiring 5 are alternately formed on the upper surface of a semiconductor wafer 21, and a passivation film 7 formed of silicon nitride or the like is formed on top of it.例文帳に追加

半導体ウエハ２１の上面に４層の低誘電率膜４および同数層の配線５を交互に形成し、その上に窒化シリコン等からなるパッシベーション膜７を形成する。 - 特許庁

The semiconductor optical element comprises, on a substrate 101, an active layer 102, a clad layer 103, a contact layer 104, a passivation film 105, an upper part electrode 106, and a lower part electrode 107.例文帳に追加

半導体光素子は、基板１０１上に活性層１０２、クラッド層１０３、コンタクト層１０４、パッシベーション膜１０５、上部電極１０６、及び下部電極１０７から構成される。 - 特許庁

The golden stud bump 14 is electrically connected to the bonding pad 12 of the semiconductor chip side by using a golden bonding wire 16 through the second opening 13b of the passivation film 13.例文帳に追加

金スタッドバンプ１４は金ボンディングワイヤ１６によりパッシベーション膜１３の第２の開口部１３ｂを通して半導体チップ側のボンディングパッド１２と電気的に接続されている。 - 特許庁

To one bonding pad 12 of a semiconductor chip 10 side, a first opening 13a and a second opening 13b are formed in a passivation film 13 which covers the surface of the bonding pad 12.例文帳に追加

半導体チップ１０側の一つのボンディングパッド１２に対しその表面を覆うパッシベーション膜１３に第１の開口部１３ａと第２の開口部１３ｂが形成されている。 - 特許庁

The first dielectric layer may be omitted so as to form a wide and thick interconnection network on the surface of the passivation layer attached onto the surface of the substrate.例文帳に追加

第１の誘電体層はまた、基体の表面上に付着されたパシベーション層の表面上に幅広くて厚い相互接続ネットワークを形成するように、省略することができる。 - 特許庁

To provide a passivation film contributing ensuring long-term reliability of a semiconductor laser by suppressing the deterioration of an output end surface of the semiconductor laser whose oscillation wave length is of 980 nm band.例文帳に追加

発振波長９８０nm帯域の半導体レーザの出力端面の劣化を抑制し、当該半導体レーザの長期信頼性の確保に資するパッシベーション膜の提供を目的とする。 - 特許庁

To provide a flat panel display and its manufacturing method in which the flat panel display has a cathode electrode having a passivation function by forming an aluminum film provided with a dense thin film structure.例文帳に追加

アルミニウム膜を緻密な薄膜構造を持つように形成させてパッシベーション機能を有するカソード電極を具備する平板表示装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A device forming layer 18 is formed on the upper surface of a semiconductor element 14 of a semiconductor device 50, and a passivation layer 26 is laminated on the surface of the layer 18.例文帳に追加

半導体装置５０は、半導体素子１４の上面にデバイス形成層１８が形成されており、デバイス形成層１８の表面にはパッシベーション層２６が積層されている。 - 特許庁

A region of the contact layer 5 having neither the source electrode layer 6 nor the drain electrode layer 7 formed thereon and the high resistance layer 2 are coated with passivation layers 9a, 9b.例文帳に追加

コンタクト層５のうちソース電極層６およびドレイン電極層７が形成されていない領域の上と高抵抗層２の上とは、パッシベーション層９ａ，９ｂにより覆われている。 - 特許庁

Etching is performed from the epitaxy structure through the light-emitting layer by forming a ridge waveguide that has a large reflective index difference between the light-emitting layer and the dielectric passivation layer.例文帳に追加

エッチングはエピタキシー構造体から発光層を貫くように行われ、発光層と誘電性のパッシベーション層の間の大きな反射性傾向の相違を有するリッジ導光路を成形する。 - 特許庁

The semiconductor chip 20 is provided with an electrode 24 and a bump 26 installed on the electrode 24 and a passivation film 28 constituted of radio materials on a surface on which an integrated circuit 22 is formed.例文帳に追加

半導体チップ２０は、集積回路２２が形成された面に、電極２４及び電極２４上に設けられたバンプ２６並びに無機材料からなるパッシベーション膜２８を有する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device which can prevent such a phenomenon that shavings of an alignment film get into a terminal part to cause defective conduction in the liquid crystal display device using an organic passivation film on a TFT substrate.例文帳に追加

ＴＦＴ基板に有機パッシベーション膜を用いた液晶表示装置において、配向膜削り屑が端子部に入りこんで導通不良を引き起こす現象を対策する。 - 特許庁

The third passivation film 45 prevents water and oxygen from infiltrating from the TFT side, and dissipates the heat generated in the EL element 203 to suppress deterioration of the EL element 203.例文帳に追加

さらに第３パッシベーション膜４５はＴＦＴ側からの水分や酸素の侵入を防ぎ、ＥＬ素子２０３で発生した熱を分散させてＥＬ素子２０３の劣化を抑制する。 - 特許庁

The step of etching may include a step of supplying a passivation gas, for example, C_2H_4, and may further include a step of supplying a diluent gas such as a rare gas, for example, He.例文帳に追加

エッチングするステップは、パッシベーションガス、例えば、Ｃ_２Ｈ_４を供給するステップを含むことができ、希ガス、例えば、Ｈｅのような希釈ガスを供給するステップを更に含むことができる。 - 特許庁

A standoff 18 is provided between the first bottom electrode termination and second bottom electrode termination, and attached to the passivation layer so that it serves as a support of an electronic component at the time of packaging.例文帳に追加

第１ボトム電極成端部と第２ボトム電極成端部との間にスタンドオフ１８を設け、パシベーション層に装着し、これによって実装時、電子コンポーネントの支持体とする。 - 特許庁

A clad layer 102, an active layer 103, and a clad layer 104 are formed by selective growth, and further a p-InP burial layer 106, a p+- InGaAs contact layer 107, and a p-Inp cover layer 108 that is an oxygen passivation prevention film are selectively grown.例文帳に追加

選択成長によりクラッド層102、活性層103、クラッド層104を形成し、更にp-InP埋め込み層106、p^+-InGaAsコンタクト層107、水素パッシベーション防止膜であるp-InPカバー層108を選択成長させる。 - 特許庁

In this way, a passivation film is deposited onto the vertical sidewalls of the stack to be etched for protecting the vertical sidewalls from lateral attack, so that straight profiles can be obtained.例文帳に追加

これにより、真っ直ぐな断面が得られるように、側面の攻撃から垂直な壁面を保護するために、エッチングされるスタックの垂直な壁面に不動態化フィルムが堆積される。 - 特許庁

In one chip LSI with a logic region and a memory region, a passivation film of a chip surface has a two-layer structure (64, 65) in the memory region and a one-layer structure (65) in the logic region.例文帳に追加

ロジック領域及びメモリ領域を有する１チップＬＳＩにおいて、チップ表面のパッシベーション膜が、メモリ領域で２層構造（６４、６５）、ロジック領域で１層構造（６５）である。 - 特許庁

Sufficient protective strength and corrosion resistance can be given to the surface of the magnetic recording medium by the carbon protective film 4 and the passivation film of the magnetic layer 3.例文帳に追加

炭素保護膜４及び磁性層３の不動態皮膜により、保護層を極薄にしても十分な保護強度及び耐食性を磁気記録媒体表面にもたらすことができる。 - 特許庁