意味 | 例文 (999件) |
Vapor Depositionの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 5223件
PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS AND METHOD OF PRODUCING CARBON NANOTUBE USING THE SAME例文帳に追加
プラズマ化学気相蒸着装置及びこれを用いた炭素ナノチューブの製造方法 - 特許庁
In the stage of the vapor deposition, the thin film 16 is irradiated with ions from an ion source 18.例文帳に追加
蒸着の工程において、イオン源18からイオンを薄膜16に照射する。 - 特許庁
METHOD OF MANUFACTURING SOLAR CELL UTILIZING INDUCTION COUPLED PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION例文帳に追加
誘導結合プラズマ化学気相蒸着法を利用した太陽電池の製造方法 - 特許庁
Then, the mask 210 is moved to a mask discharge chamber 204, and the next vapor deposition is carried out.例文帳に追加
その後マスク210はマスク排出室204に移動し、次の蒸着を行う。 - 特許庁
In a vapor deposition vessel 31b for exchange, the inside space is sealed with a cover 33.例文帳に追加
交換用の蒸着容器31bは内部空間が蓋33で密閉されている。 - 特許庁
To obtain a raw material for chemical vapor deposition consisting of a mixture of a tantalum compound and a titanium compound, and to provide a method for producing a tantalum oxide thin film to which titanium atoms are added by a chemical vapor deposition method using the raw material for chemical vapor deposition.例文帳に追加
タンタル化合物とチタニウム化合物との混合物からなる化学気相成長用原料、及び該化学気相成長用原料を用いた化学気相成長用法によるチタニウム原子を添加した酸化タンタル薄膜の製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a new film-forming vapor deposition material capable of forming a heat resistant coating film sufficiently excellent in heat resistance and thermal shock resistance even by EB-PVD method, and to provide a vapor deposition method using the vapor deposition material.例文帳に追加
本発明の目的はEB−PVD法によっても十分に耐熱性および耐熱衝撃性に優れている耐熱性被覆が形成できる新規な被覆用蒸着材およびその蒸着材を使用する蒸着方法を提供することにある。 - 特許庁
To provide a roll-up type electron beam vapor deposition apparatus having an improved yield and productivity of a vapor deposition film by avoiding a problem of uneven heating due to geometric limitation of an electron beam and by stabilizing vaporization and forming a uniform vapor deposition film.例文帳に追加
電子ビームの幾何学的制約によって加熱が不均一になる問題を回避し、蒸発安定化及び蒸着膜の均一化を図ることで、蒸着フィルムの収率及び生産性が向上する巻取式電子ビーム蒸着装置を提供する。 - 特許庁
To provide a vapor phase deposition apparatus and a vapor phase deposition method, capable of uniformizing the surface temperature of a substrate as compared with the conventional art when performing a film formation treatment by using the vapor phase deposition method for the substrate as a processing object to be held by a holding member.例文帳に追加
保持部材に保持される処理対象物としての基板に対して気相成長法を用いて成膜処理を行なうときに、基板の表面温度を従来よりも均一化することが可能な気相成長装置および気相成長方法を提供する。 - 特許庁
To obtain a vacuum vapor-deposition apparatus that can form a high-purity metal film by suppressing the release of an impure gas such as moisture adsorbed on a surface of a shutter, which occurs due to the heating of the shutter by a radiant heat emitted from a vapor-deposition source in an early period of heating of the vapor-deposition source.例文帳に追加
蒸着源の加熱初期時に蒸着源からの輻射熱によりシャッターが加熱され、シャッター表面に吸着した水分等を不純ガスとして放出するのを抑制して、高純度の金属膜形成ができる真空蒸着装置を得る。 - 特許庁
To provide a method for producing SiO_x (x<1) which has excellent cycle properties when used as a negative electrode active material for a lithium ion secondary battery, and which enables a vapor deposition film to be deposited, the vapor deposition film having excellent gas barrier properties when used as a vapor deposition material for a barrier film.例文帳に追加
リチウムイオン二次電池の負極活物質として用いた場合に優れたサイクル特性を有し、バリアフィルムの蒸着材料として用いた場合にガスバリア性に優れた蒸着膜を形成できるSiO_x(x<1)の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a vacuum vapor deposition apparatus having the function of preventing deposits on a back side of a shutter plate from being dropped in a crucible and from staining raw material for vapor deposition in the crucible during the gradual cooling after a degassing work and a vapor deposition work.例文帳に追加
本発明の目的は、ガス出し作業や蒸着作業後の徐冷の際に、シャッタ板裏面に付着する付着物がルツボ内に落下して、ルツボ内の蒸着原料を汚染することを防止できる機能を有する真空蒸着装置を提供することである。 - 特許庁
A strong adhesion gas barrier transparent laminate is obtained by laminating a metal vapor deposition thin film layer with a thickness of 10 nm or less on at least one surface of a base material comprising a transparent plastic material and further laminating an inorganic oxide vapor deposition thin film layer with a thickness of 5-300 nm on the metal vapor deposition layer.例文帳に追加
透明プラスチック材料からなる基材の少なくとも片面に、厚さが10nm以下の金属蒸着薄膜層と、該金属蒸着薄膜層上に厚さが5〜300nmの無機酸化物蒸着薄膜層を順次積層する。 - 特許庁
Then, even though the vapor deposition material 43 is vaporized by trigger discharge to form a cavity and constituent particles of the vapor deposition material 43 are emitted from the inside of the cavity, the emitted constituent particles hardly redeposit on the vapor deposition material 43.例文帳に追加
このため、トリガ放電により蒸着材料43が蒸発して空洞が形成され、空洞内部から蒸着材料43の構成粒子が放出されても、空洞内部から放出された構成粒子が蒸着材料43に再付着しにくくなる。 - 特許庁
The optically anisotropic member (e.g. the polarizing plate) having a metal light absorbing body grown on a vapor deposition surface is manufactured by vapor depositing particles to be deposited (e.g. Al) on the vapor deposition surface of a transparent substrate with ≥82° deposition angle with respect to the normal.例文帳に追加
透明基材の被蒸着面の法線に対して82°以上の蒸着角度から蒸着粒子(例えば、Al)を蒸着させて、被蒸着面上に金属系光吸収体を成長させた光学異方性部材(例えば、偏光板)を製作した。 - 特許庁
In the strong adhesion vapor deposition film obtained by providing at least the vapor deposition membrane layer comprising the inorganic oxide on the base material film, a polyester film is used as the base material film and the crystallizing degree of the surface of the base material film, on which the vapor deposition membrane layer is provided, is set to 30% or below.例文帳に追加
基材フィルム上に無機酸化物からなる蒸着薄膜層を少なくとも設けてなる蒸着フィルムにおいて、基材フィルムはポリエステルフィルムとする共に、蒸着薄膜層を設ける基材フィルムの表面は結晶化度を30%以下とする。 - 特許庁
To provide a vacuum vapor deposition apparatus with which one or two of a plurality of mutually different kinds of vapor deposition sources each holding an organic compound can be simultaneously opened and mutual contamination between the plurality of mutually different kinds of vapor deposition sources can be prevented.例文帳に追加
有機化合物を保持する互いに種類の異なる複数個の蒸着源の内の一個、または二個を同時に開放することを可能とすると共に、複数個の蒸着源の相互間での汚染の発生を防止した真空蒸着装置を提供する。 - 特許庁
The trigger discharge is performed between the trigger electrode 9 and the vapor deposition material 7 to induce the arc discharge between the anode electrode 6 and the vapor deposition material 7, and particles emitted from a side surface of the vapor deposition material 7 are emitted from an aperture of the anode electrode 6.例文帳に追加
トリガ電極9と蒸着材料7の間でトリガ放電を行いアノード電極6と蒸着材料7との間にアーク放電を誘起させ、蒸着材料7側面から放出された微小粒子をアノード電極6の開放口から放出させる。 - 特許庁
To prevent the phenomenon that, at the time when a vapor deposition and an exhaust gas detoxifying device are changed from a normal operation to an energy saving operation, exhaust gas reversely flows from the exhaust gas detoxifying device to the vapor deposition system, and adverse influence is exerted on the vapor deposition system.例文帳に追加
気相成長装置および排ガス除害装置を通常運転から省エネルギー運転に切り替える際に、排ガス除害装置から排気ガスが気相成長装置に逆流しないようにし、気相成長装置に悪影響を与えないようにする。 - 特許庁
The vapor phase deposition apparatus 1 provided with the nozzle 7 for supplying gas which is salient in a reactive atmosphere during vapor phase deposition and supplies gas for vapor phase deposition onto a principal plane of a substrate, and the method of cleaning the nozzle 7 (103) for supplying gas are provided.例文帳に追加
気相成長の際に反応雰囲気内に突出して気相成長用ガスを基板の主表面上に供給するガス供給用ノズル7を備える気相成長装置1およびガス供給用ノズル7(103)の清浄化方法である。 - 特許庁
A plurality of vapor discharging outlets 3B are formed on an vapor-outlet end of the third vapor branching part 3 so as to discharge the vapor of the evaporation material in a planar form toward the deposition target.例文帳に追加
第3蒸気分岐部3の蒸気放出側端部に、蒸発材料の蒸気を蒸着対象物に向って面状に放出する複数の蒸気放出口3Bが設けられている。 - 特許庁
To provide a method of controlling deposition rate, a mechanism for controlling deposition rate and an electron-beam physical vapor deposition (EB-PVD) apparatus capable of depositing a film onto an object to be deposited at a low deposition rate while quantitatively-stably generating vaporized particles.例文帳に追加
蒸発粒子を量的に安定発生させつつ、被成膜対象に低成膜レートで成膜する成膜レート制御方法、成膜レート制御機構、およびEB−PVD装置を提供する。 - 特許庁
The first alignment film 4a aligns the liquid crystal molecules 6 perpendicular to the orientation direction of the vapor deposited molecules 4, and for example, the film is obtained by oblique vapor deposition by supplying the vapor deposition molecules 4 at an angle of about 60° (vapor deposition angle θ1) with respect to the normal line Lv of the substrate W surface.例文帳に追加
このうち、第1の蒸着膜4aは、蒸着分子4の配向方向に対して液晶分子6が垂直に配向される膜で、例えば基板W表面の法線Lvに対して60°程度の角度(蒸着角度θ1)から蒸着分子4を供給する斜方蒸着によって得られる。 - 特許庁
In the vapor deposition apparatus, a vapor deposition material 17 is vapor deposited on a lower surface of a resin film base material 12 by irradiating the vapor deposition material 17 with an electron beam 19 from an electron gun 16 while continuously transferring and winding the resin film base material 12 in a vacuum chamber 11.例文帳に追加
本発明の蒸着装置は、真空チャンバー11の内部において樹脂フィルム基材12を連続的に搬送して巻き取りながら、電子銃16による電子ビーム19を蒸着材料17に照射して蒸着材料17を樹脂フィルム基材12の下面に蒸着するものである。 - 特許庁
To provide an oxide tablet for vapor deposition (oxide vapor deposition material) containing indium oxide as a main component, containing cerium and having a same composition from the surface to the inside, and to provide a vapor deposited thin film produced using the oxide vapor deposition material, and a solar battery in which the thin film is used for an electrode.例文帳に追加
酸化インジウムを主成分としセリウムを含むと共に表面から内部まで同一の組成を有する蒸着用酸化物タブレット(酸化物蒸着材)を提供し、かつこの酸化物蒸着材を用いて製造される蒸着薄膜とこの薄膜を電極に用いた太陽電池を提供すること。 - 特許庁
The method for producing the silicon film is a method of vapor-depositing the silicon film on a substrate by using a vapor-deposition source formed of Si or the Si compound, and includes controlling a temperature of the vapor-deposition source to 1,700 K or higher, and controlling a temperature of the substrate so as to be lower than the temperature of the vapor-deposition source by 700 K or more.例文帳に追加
SiまたはSi化合物からなる蒸着源を用いてシリコン膜を基板に蒸着するシリコン膜の製造方法であって、蒸着源の温度を1700K以上とし、基板温度を蒸着源の温度より700K以上低くすることを特徴とするシリコン膜の製造方法。 - 特許庁
A large number of vapor deposited materials, each of which is obtained by laminating a vapor deposition layer comprising a metal or an alloy on the surface of a base material comprising a high-molecular resin, are preliminarily produced and a plurality of vapor deposition materials are laminated so that the base materials and the vapor deposition layers are always laminated alternately to obtain the metallized film.例文帳に追加
高分子樹脂よりなる基材の表面に金属又は合金よりなる蒸着層を積層してなる蒸着材予め多数製造しておき、そしてそれらを、常に前記基材と前記蒸着層とが交互に積層された形態となるように複数積層してなる構成を有した金属蒸着フィルムとした。 - 特許庁
In the vapor deposition apparatus characterized in that the first container filled with the vapor deposition material and a means for removing low boiling point substances connected to the first container are provided, the low boiling point substances are removed before starting vapor deposition, and the material after removing the low boiling point substances is vapor-deposited on a substrate without being exposed to the outside air.例文帳に追加
又、蒸着材料を充填した第1の容器と、第1の容器に連結された低沸点物質を除去する手段を持つことを特徴とする蒸着装置において、蒸着開始前に低沸点物質を除去し、低沸点物質除去後の材料を外気に暴露させないで基板に蒸着する。 - 特許庁
The apparatus 2 of oblique vapor deposition comprises a chamber 4 for vapor deposition having an evaporation source 8 inside, and a substrate holder 12 on which at least one substrate 10 to be deposited in the chamber 4 for vapor deposition is arranged at a predetermined distance from and in approximately parallel to a central axis C1 of a vapor flow F1 generating from the evaporation source 8.例文帳に追加
斜め蒸着装置2は、内部に蒸着源8が配置される蒸着用チャンバ4と、蒸着用チャンバ4内で蒸着処理される少なくとも一つの基板10を、蒸着源から8の蒸気流F1の中心軸C1に対して所定距離離れて略平行に配置する基板ホルダ12と、を有する。 - 特許庁
In the vapor deposition system where an organic film is vapor-deposited on a substrate using a planar vapor deposition source 10 having two-dimensionally distributed crucibles 11, regarding the planar vapor deposition source 10, the arrangement density of the crucibles 11 in the peripheral region 10b is made higher than the arrangement density of the crucibles 11 in the inside region 10a.例文帳に追加
2次元的に分布する坩堝11を有する平面蒸着源10を用いて基板上に有機膜を蒸着する蒸着装置において、平面蒸着源10の内部領域10aにおける坩堝11の配置密度より、周辺領域10bの坩堝11の配置密度の方を高くする。 - 特許庁
To provide a method for forming a vapor-deposited film at a superior deposition rate, by applying an electron beam onto a vaporizing point of a vapor deposition material at a high incidence angle and optimizing a beam profile, when forming the vapor-deposited film on the surface of a substrate by using an electron-beam vapor deposition apparatus with the use of a piercing type electron gun.例文帳に追加
ピアス式電子銃を用いた電子ビーム蒸着装置を使用して基板の表面に蒸着被膜を形成するに際し、電子ビームを蒸着材料の蒸発ポイントに高い入射角で照射してビーム形状を最適化し、蒸着被膜を優れた成膜速度で形成する方法を提供すること。 - 特許庁
To solve such a problem that a deposition material jetted from a vapor deposition head recoils between a processed substrate and a processing chamber or another vapor deposition head, adheres to a part different from the part of evaporation coating, or vapor from respective deposition material jetting sections is mixed and enter an adjoining film as impurities.例文帳に追加
蒸着ヘッドから噴射された成膜材料が被処理基板と、処理室又は他の蒸着ヘッドとの間で反跳し、蒸着されるべき箇所とは異なる部位に成膜材料が付着したり、各成膜材料噴出部からの蒸気が混じりあい隣接する膜中に不純物として混入する。 - 特許庁
As for the evaporation source container 1 for a vacuum deposition system where a sublimable vapor deposition material is stored and heated by a heating means so that the sublimable vapor deposition material is evaporated and is vacuum-deposited, the evaporation source container is provided with diaphragms 2 for dividing and storing the sublimable vapor deposition material.例文帳に追加
昇華性蒸着材料を収容して加熱手段で加熱することにより該昇華性蒸着材料を蒸発させ、真空蒸着する真空蒸着装置における蒸発源容器1であって、前記蒸発源容器に昇華性蒸着材料を仕切って収容するための仕切り板2を設ける。 - 特許庁
Since the vacuum deposition system 100 is provided with a heating means 91 of heating a correction plate 92, the correction plate 92 can be heated, the sticking of a vapor deposition material to the heated correction plate 92 is reduced and the vapor deposition material reaches a plastic lens 10, thus the yield of the vapor deposition material can be improved.例文帳に追加
真空蒸着装置100は、補正板92を加熱する加熱手段91を備えているので、補正板92を加熱でき、蒸着物質は加熱された補正板92に付着することが少なくプラスチックレンズ10に到達し、蒸着物質の収率を向上させることができる。 - 特許庁
To solve the problem of vapor by making the distance between a target and a feed port of vapor freely controllable, and further, to achieve satisfactory vapor deposition without depending on spacing.例文帳に追加
本発明は、このような実情に鑑み、ターゲットと蒸気の供給口との距離を自由に調整できるようにして蒸気問題を解決することを目的とする。 - 特許庁
To provide a method for vapor depositing an O_3-TEOS (Tetraethylorthosilicate) oxide film, and a vapor deposition apparatus for vapor depositing a prescribed substance film containing an O_3-TEOS oxide film.例文帳に追加
O_3−TEOS酸化膜の蒸着方法及びO_3−TEOS酸化膜を含む所定の物質膜を蒸着するための蒸着装置を提供する。 - 特許庁
By using a plasma CVD (chemical vapor deposition) system capable of feeding negative bias power to a substrate when the film deposition is performed, film deposition time can be further shortened as well.例文帳に追加
成膜を行う際には基板に負のバイアス電力を供給できるプラズマCVD装置を用いることにより、成膜時間を更に短くすることもできる。 - 特許庁
To provide a crucible which can form a vapor-deposition film having satisfactorily uniform film thickness and few defects due to bumping; a vacuum deposition method; and a vacuum deposition apparatus.例文帳に追加
膜厚均一性が良好で、かつ、突沸に起因する欠陥等の少ない蒸着膜が成膜できるルツボ、真空蒸着方法、および真空蒸着装置を提供する。 - 特許庁
To provide a method and a system for vacuum deposition by which the deposition rate of a vapor deposition material can be controlled with greater follow-up properties than heretofore.例文帳に追加
従来より蒸着物質の蒸着速度を追従性良く制御することができる真空蒸着方法及び真空蒸着装置を提供することにある。 - 特許庁
The silica deposition layer or the alumina deposition layer is formed by vapor deposition of silica or alumina on a base material that is used for forming the insulator layer.例文帳に追加
シリカ蒸着層又はアルミナ蒸着層は、絶縁体層の形成に用いられる基材上に、シリカもしくはアルミナを蒸着させることにより形成される。 - 特許庁
To provide an electrode member which makes stable deposition possible by suppressing the reaction with a material for vapor deposition composed of a zinc oxide as a principal component and a deposition system equipped therewith.例文帳に追加
酸化亜鉛を主成分とする蒸着材料との反応を抑制し、安定した成膜を可能とする電極部材、及びこれを備えた成膜装置を提供する。 - 特許庁
The aperture 2a consists of a vapor-deposited member side aperture 2a1 and a vapor deposition source side opening part 2a2 having different sizes, and the vapor deposition source side aperture 2a2 is formed larger than the vapor-deposited member side aperture 2a1.例文帳に追加
開口部2aは、大きさの異なる被蒸着部材側開口部2a1と蒸着源側開口部2a2とからなり、蒸着源側開口部2a2は被蒸着部材側開口部2a1より大きく形成されてなることを特徴とする蒸着用マスクである。 - 特許庁
One or a plurality of kinds of pigments are disposed in the first vapor deposition source 21, and a colored layer is deposited on the surface of an object 50 to be colored by the vapor of the first vapor deposition material composed of pigment vapor.例文帳に追加
第1の蒸着源21内には1種類又は複数種類の顔料が配置され、顔料蒸気によって構成された第1の蒸着材料蒸気によって着色対象物50の表面に着色層を形成するようになっている。 - 特許庁
The heating temperature of the host vapor deposition material 2 is controlled so that the ratio of the thickness of the vapor-deposited film per unit time of the guest vapor deposition material 3 to be measured by the film thickness gauge 6 to that of the host vapor deposition material 2 agrees with the doping ratio of the guest vapor deposition material 3 to the host vapor deposition material 2.例文帳に追加
次にゲスト蒸着材料3の加熱温度を保持したまま、ホスト蒸着材料2を加熱して蒸発させると共に膜厚計6で時間当りのホスト蒸着材料2の蒸着膜厚を測定し、膜厚計6で測定されるホスト蒸着材料2の単位時間当りの蒸着膜厚に対する上記のゲスト蒸着材料3の単位時間あたりの蒸着膜厚の比がホスト蒸着材料2に対するゲスト蒸着材料3のドーピング比率に一致するよう、ホスト蒸着材料2の加熱温度を制御する。 - 特許庁
To provide a polyester thin film for vapor deposition satisfying the workability under processing even if subjected to the processing after preserved for a long period in a roll after put to vapor deposition, and standing high-level various characteristics.例文帳に追加
蒸着後、ロール状で長期間保存後に加工しても、加工時の作業性を満足するとともに、高度な諸特性に耐えうる蒸着用薄膜ポリエステルフィルムを提供する。 - 特許庁
A distance (h) between the vapor deposition source (20) and the substrate holding means (13) shall be less than 1 by a ratio with respect to the maximum width (d) of the substrate-holding means (13) facing the vapor deposition source (20).例文帳に追加
蒸着源(20)に対峙した基体保持手段(13)の最大幅(d)に対して、蒸着源(20)のと基体保持手段(13)の距離(h)の比率が1未満である。 - 特許庁
The optical thin film manufacturing apparatus comprises a lens holder H to rotatably hold a lens L1, a support holder P, and a vapor deposition source S to evaporate a vapor deposition material S1 for forming a thin film toward a surface of the lens L1.例文帳に追加
レンズ(L1)を自転可能に保持するレンズホルダー(H)と支持ホルダー(P)、レンズ(L1)の表面に向けて薄膜形成用の蒸着材料(S1)を蒸散させる蒸着源(S)を設けた。 - 特許庁
To provide a vapor deposition mask structure with high pattern definition at an opening or the like, without changing a base plate structure, in relation to the vapor deposition mask and a manufacturing method of an organic EL display device.例文帳に追加
蒸着マスク及び有機EL表示デバイスの製造方法に関し、基板構造を変更することなく、開口部等におけるパターン精度の高い蒸着マスク構造を提供する。 - 特許庁
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