「Vapor Deposition」に関連した英語例文の一覧と使い方(38ページ目) - Weblio英語例文検索

After a discharge hole forming process of making a plurality of the ink discharge holes 100a penetrate a substrate 100 is carried out, a vapor deposition process of vapor depositing an upper layer 101 to the substrate 100 by an ion beam assisting vapor deposition method is carried out.例文帳に追加

基板１００に複数のインク吐出孔１００ａを貫通せしめる吐出孔形成工程を実施した後、イオンビームアシスト蒸着法によって基板１００に上層１０１を蒸着せしめる蒸着工程を実施するようにした。 - 特許庁

To provide a vapor deposition coating fluid which excels in the adhesion to a printing ink and printability and prevents the reduction of the lamination strength and gas barrier properties of a composite material obtained by laminating a vapor deposited film coated with the vapor deposition fluid and another film through an adhesive.例文帳に追加

印刷インキの密着性と印刷適性が優れ、蒸着液が塗布された蒸着フィルムと他のフィルムを接着剤を介してラミネートした複合材料のラミネート強度およびガスバリア性の低下を防止する蒸着塗布液の提供。 - 特許庁

Regarding the vacuum deposition system, a plurality of evaporation sources 2 and the body 3 to be vapor-deposited are arranged in a vacuum chamber 1, materials vaporized from the respective evaporation sources 2 are made to reach the surface of the body 3 to be vapor-deposited, and are subjected to vapor deposition.例文帳に追加

真空チャンバー１内に複数の蒸発源２と被蒸着体３とを配置し、各蒸発源２から気化した物質を被蒸着体３の表面に到達させて蒸着させるようにした真空蒸着装置に関する。 - 特許庁

Nanostructures (12) of semiconductor materials can be grown on foreign substrates (10) by molecular beam epitaxy (MBE), chemical vapor deposition (CVD), metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) or hydride vapor phase epitaxy (HVPE).例文帳に追加

半導体材料のナノ構造（１２）は、分子線エピタキシャル成長（ＭＢＥ）、化学気相成長（ＣＶＤ）、有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）又はハイドライド気相エピタキシャル成長（ＨＶＰＥ）によって基板（１０）上に成長させることができる。 - 特許庁

To provide a metal vapor deposition film manufacturing method in which problems of insufficient insulation or insufficient dielectric losses are solved, and a margin with sufficient insulation property on a vapor-deposited film during high-speed vapor deposition is formed.例文帳に追加

絶縁が不十分となることや、誘電損失が不十分となることを解消させるとともに、高速蒸着における蒸着金属膜に十分な絶縁性を付与したマージンを形成する蒸着フイルムの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a vapor deposition mask for consistently depositing electrodes of an organic EL display device having sectional shapes not to be raised from a surface to be vapor-deposited and preventing a vapor deposition film from going around with high accuracy, and the organic electroluminescence display device.例文帳に追加

被蒸着面から浮き上がることのない断面形状を有し、蒸着膜の回り込みがなく、有機ＥＬ表示装置の電極を精度良く、且つ、安定して形成できる蒸着用マスク、および有機ＥＬ表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide an oxide superconductive target for laser vapor deposition where, in an oxide target used for a laser vapor deposition system, the extension of the crack of a target caused by high laser output and a high temperature atmosphere is prevented, and stable film deposition can be performed for a long time.例文帳に追加

レーザ蒸着装置に用いる酸化物ターゲットにおいて、高レーザー出力および高温雰囲気によるターゲットの割れの伸展を防いで、安定した成膜を長時間行うことができるレーザー蒸着用酸化物ターゲットの提供。 - 特許庁

To provide a vapor deposition material for producing an optical thin film having a refractive index in the range of 1.6 to 2.1 on an optical substrate by vacuum deposition in which the change in the film composition and splashes on the vapor deposition are reduced.例文帳に追加

真空蒸着により屈折率が１．６〜２．１の範囲の光学薄膜を光学基体上に作製するための蒸着材料であって、蒸着の際、膜組成の変化やスプラッシュの少ない蒸着材料を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a mask assembly capable of improving vapor deposition accuracy by preventing its pattern from deforming due to the weight of a substrate during a deposition process, and to provide a vapor deposition apparatus for a flat panel display device using the assembly.例文帳に追加

蒸着工程時基板の重量によりマスク組立体のパターンが変形されることを防止して、蒸着精密度を向上させることができるマスク組立体及びこれを利用した平板表示装置用蒸着装置を提供する。 - 特許庁

To provide a metal vapor deposition heat transfer ribbon having well-balanced adherence with a support body while obtaining the glossiness and transferability of a printed matter obtained by the metal vapor deposition heat transfer ribbon having a uniform metal deposition layer.例文帳に追加

本発明では、均一な金属蒸着層を有する金属蒸着熱転写リボンにより得られる印字物の光沢性と転写性を得つつ、支持体との密着性等とのバランスが取れている金属蒸着熱転写リボンを得ることを課題とする。 - 特許庁

To provide a transparent polyester film for vapor deposition which stably imparts and extremely improves gas barrier properties and dampproofness with a thin deposition film and a transparent vapor deposition film.例文帳に追加

本発明の透明蒸着用ポリエステルフイルムは、薄い蒸着膜厚さで高いガスバリア性能及び防湿性能を安定して付与し格段に向上させる透明蒸着用ポリエステルフイルム及びその透明蒸着フイルムを提供せんとするものである。 - 特許庁

At this time, a filter 41 for capturing splash particles provided with filter opening parts 410 through which the film deposition material flow can pass, and having an opening width narrower than that of each mask opening part 310 is arranged between the mask 31 for vapor deposition and the vapor deposition source 12.例文帳に追加

その際、蒸着用マスク３１と蒸着源１２との間には、成膜材料流が通過可能かつマスク開口部３１０より開口幅の狭いフィルタ開口部４１０を備えたスプラッシュ粒子捕捉用フィルタ４１を配置する。 - 特許庁

In the step of the vapor-depositing operation with the use of the vapor-deposition mask 8, the buffer layer 7 contacts with the substrate to be vapor-deposited, to prevent a damaging of an element such as an organic semiconductor film provided on the substrate to be vapor-deposited.例文帳に追加

蒸着マスク８を用いて蒸着作業を行うときには、緩衝層７が被蒸着基板に接触することにより、被蒸着基板上に設けられている有機半導体膜などの素子の破損が防止される。 - 特許庁

A plurality of deposition-preventive covers are used, and one of the plurality of deposition-preventive covers is arranged at the position facing the evaporation source, and the deposition-preventive cover arranged at the position facing the vapor deposition source is exchanged by a drive source.例文帳に追加

ここで、複数の防着カバーを用いて、その複数の防着カバーのうちの１つが蒸発源に対向する位置に配置され、蒸着源に対向する位置に配置される防着カバーが駆動源によって交換される構成とした。 - 特許庁

The superconductive thin film material 1 is provided with a metal-orienting substrate 10 and an oxide superconductive film 30 formed on the metal-orienting substrate 10, in which the oxide superconductive film 30 includes a physical vapor deposition HoBCO layer 31 formed by a physical vapor deposition method and an organic metal deposition HoBCO layer 32 formed on the physical vapor deposition HoBCO layer 31 by an organic metal deposition method.例文帳に追加

超電導薄膜材料１は、金属配向基板１０と、金属配向基板１０上に形成された酸化物超電導膜３０とを備え、酸化物超電導膜３０は、物理蒸着法により形成された物理蒸着ＨｏＢＣＯ層３１と、物理蒸着ＨｏＢＣＯ層３１上に有機金属堆積法により形成された有機金属堆積ＨｏＢＣＯ層３２とを含んでいる。 - 特許庁

A method for depositing a film includes arranging a substrate in a plasma enhanced chemical vapor deposition chamber.例文帳に追加

プラズマ化学気相成長チャンバ内に基板を配置する段階を備える成膜方法を開示する。 - 特許庁

The MOCVD (metal organic chemical vapor deposition) method for growing the nitride semiconductor layer employing ammonium (NH_3) as a V-group material can be utilized.例文帳に追加

V族原料としてアンモニアNH_3を用いて窒化物半導体層を成長させるMOCVD法を利用できる。 - 特許庁

Cat-PECVD (CATALYTIC PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION) METHOD, FILM FORMED USING THE SAME, AND THIN FILM DEVICE EQUIPPED WITH THE FILM例文帳に追加

Ｃａｔ−ＰＥＣＶＤ法、それを用いて形成した膜、およびその膜を備えた薄膜デバイス - 特許庁

To provide a polyester resin composition excellent in the capability for direct metal vapor deposition and in imparting good surface appearance.例文帳に追加

直接金属蒸着性に優れ、表面外観の良好なポリエステル樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

In the chamber, a substrate holder is located at the position where a vapor deposition material 115 is sublimed by the laser beam irradiation.例文帳に追加

チャンバ内において、蒸着材料115がレーザ照射により昇華する位置に基板ホルダーを設ける。 - 特許庁

To provide an alignment system capable of embodying perpendicular vapor deposition by fixing and supporting a substrate and sufficiently securing flatness of a mask by minimizing the influence of fine particles during transfer in a thin film vapor deposition system of an in-line form, a vertical tray transfer apparatus, and a vapor deposition system including the same.例文帳に追加

インライン形態の薄膜蒸着システムにおいて、基板を固定及び支持して鉛直蒸着を具現し、移送中微細粒子の影響を最小化してマスクの平坦度を充分に確保することができる整列システム、垂直型トレイ移送装置及びこれを具備した蒸着装置を提供すること。 - 特許庁

APPARATUS FOR CARRYING OUT PLASMA CHEMICAL VAPOR DEPOSITION AND METHOD OF MANUFACTURING OPTICAL PREFORM例文帳に追加

プラズマ化学蒸着法を実行するための装置および光学的予備成形品を製造する方法 - 特許庁

Such compounds are suitable for use as vapor deposition precursors including direct liquid injection.例文帳に追加

かかる化合物は、直接液体注入をはじめとする蒸着前駆体としての使用に好適である。 - 特許庁

PLASMA TREATMENT APPARATUS, SUBSTRATE TREATMENT METHOD FOR THE SAME, AND PLASMA CHEMICAL VAPOR DEPOSITION SYSTEM, AND FILM MAKING METHOD FOR THE SAME例文帳に追加

プラズマ処理装置とその基板処理方法、及びプラズマ化学蒸着装置とその製膜方法 - 特許庁

Further, the amount of the alloy to be supplied is equivalent to the one consumed by the vapor deposition treatment.例文帳に追加

また、補充する合金の量は、蒸着処理で消費した量と等量であることを特徴とする。 - 特許庁

To securely suppress the contamination of the object to be vapor-deposited caused by particles generated within a vacuum deposition system.例文帳に追加

真空蒸着装置内で発生するパーティクルによる被蒸着物の汚染を確実に抑えること。 - 特許庁

RAW MATERIAL FOR CHEMICAL VAPOR DEPOSITION, AND METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM CONTAINING ALUMINUM ELEMENT USING IT例文帳に追加

化学気相成長用原料及びこれを用いたアルミニウム元素を含有する薄膜の製造方法 - 特許庁

The raw material is pulverized and fired at 800-1,100°C to prepare the vapor deposition raw material.例文帳に追加

そして、これを原料として粉砕し、プレス後、８００〜１１００℃で焼成することにより製造される。 - 特許庁

A heat radiating member 5 is added to a surface opposite to a vapor deposition surface of the work 3.例文帳に追加

この際に、被蒸着体３の蒸着面と反対側の表面に放熱部材５を付設する。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING CRYSTALLINE THIN FILM OF DIAMOND BY PULSE LASER BEAM VAPOR DEPOSITION, AND THIN FILM MANUFACTURED BY THE METHOD例文帳に追加

パルスレーザ蒸着によるダイアモンドの結晶薄膜の作製方法及び同方法で作製した薄膜 - 特許庁

When producing the strongly bonded vapor deposition film by providing at least the vapor deposition layer comprising the inorganic oxide on at least one side of the film base material comprising the plastic material, plasma post-treatment using magnetron discharge is applied to the surface of the vapor deposition layer under treatment unit pressure of 8-100 Pa.例文帳に追加

プラスチック材料からなるフィルム基材の少なくとも一方の面に、無機酸化物からなる蒸着層を少なくとも設けてなる蒸着フィルムを製造方するに際し、蒸着層形成後にその表面にマグネトロン放電を使用したプラズマ後処理を処理ユニット圧力８Ｐａ〜１００Ｐａにて施す。 - 特許庁

RAW MATERIAL FOR METAL ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION AND METHOD FOR PRODUCING METAL-CONTAINING FILM USING THE RAW MATERIAL例文帳に追加

有機金属化学蒸着法用原料及び該原料を用いた金属含有膜の製造方法 - 特許庁

An SiO2 film 7 is formed so as to be filled into the trench 5 through an HDP-CVD(high density plasma- chemical vapor deposition) method.例文帳に追加

ＨＤＰ−ＣＶＤ法によりトレンチ５の内部に埋め込むようにＳｉＯ_2 膜７を形成する。 - 特許庁

The method of fabricating display device is characterized in that a substrate 101 is conveyed to a vapor deposition chamber, thin film material is vaporized from a vapor deposition source 104 and, while the thin film material is vaporized, the position of the vapor deposition source with respect to the substrate is moved and, thereby, a thin film is formed on the substrate.例文帳に追加

本発明に係る表示装置の作製方法は、基板１０１を蒸着室に搬送し、蒸着源１０４から薄膜材料を気化させ、前記薄膜材料を気化させている間、前記基板に対する前記蒸着源の位置を移動させることにより、前記基板上に薄膜を成膜することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a vapor deposition apparatus in which a thin film, which does not possess film defects to be generated by sudden boiling or re-evaporation, can be deposited when a phosphor of a radiation image transformation panel is deposited by a vapor deposition method and to provide a method for depositing the phosphor of the radiation image transformation panel by using the vapor deposition apparatus.例文帳に追加

放射線画像変換パネルの蛍光体を蒸着法で成膜するときに、突沸や再蒸発による膜欠陥がない薄膜を作製することを可能とする蒸着装置、及び、該成膜方法を用いた放射線画像変換パネルの蛍光体の成膜方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a vapor deposition material for an organic device which is excellent in stability of vapor deposition speed and can uniformly deposit a film including an organic compound of a large area and can reduce fluctuation of performance of the organic device, to provide an organic device using the vapor deposition material for an organic device, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

蒸着速度の安定性に優れ、大面積の有機化合物を含む膜を均一に成膜することができるとともに、有機デバイスの性能がバラつくことを低減させる有機デバイス用蒸着材料、並びに該有機デバイス用蒸着材料を用いた有機デバイス及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

NOZZLE FOR SUPPLYING SOURCE GAS IN CHEMICAL VAPOR DEPOSITION TREATMENT, FILM-FORMING METHOD AND GRAIN-ORIENTED ELECTROMAGNETIC STEEL SHEET例文帳に追加

化学蒸着処理の原料ガス供給用ノズルと被膜形成方法および方向性電磁鋼板 - 特許庁

The substrate 200 is positioned in a tilted state in such a manner that the distance d1 between the edge part 200a of the substrate 200 located near the direct upper part of the vapor deposition source 20 and the vapor deposition material supply part 21, and the distance d2 between the edge part 200b of the substrate 200 and the vapor deposition material supply part 21 are almost made the same.例文帳に追加

蒸着源２０の直上寄りに位置する基板２００の端部２００ａと蒸着材料供給部２１との距離ｄ１、及び基板２００の端部２００ｂと蒸着材料供給部２１との距離ｄ２が略同一となるように、基板２００を傾斜させた状態に位置させる。 - 特許庁

SOLUTION RAW MATERIAL FOR FORMING COPPER THIN FILM FOR ORGANOMETALLIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION AND COPPER THIN FILM MADE THEREFROM例文帳に追加

有機金属化学蒸着用の銅薄膜形成用溶液原料及びこれから作られた銅薄膜 - 特許庁

To provide an electron gun apparatus for electron beam vapor deposition which can easily perform a flattening operation for melt marks.例文帳に追加

容易に溶け跡の平坦化作業を行える電子銃蒸着用電子銃装置を提供する。 - 特許庁

A substrate 34 passed through the vapor deposition and crystallization acceleration step is annealed under predetermined temperature conditions.例文帳に追加

蒸着・結晶化促進工程を経た基板３４は、所定の温度条件下においてアニールされる。 - 特許庁

To provide a vacuum vapor deposition device for stably controlling a temperature of a substrate on which a film is formed.例文帳に追加

膜を形成する基板の温度制御を安定して行なう真空蒸着装置を提供する。 - 特許庁

(3) The IR absorbing metal layer in the photosensitive resin laminate described in (1) comprises an aluminum vapor deposition layer.例文帳に追加

▲３▼ＩＲ吸収性金属層がアルミ蒸着層である前記▲１▼記載の感光性樹脂積層体。 - 特許庁

In particular, the slurry containing boron nitride is used to deposit a dummy wall on an inner surface of a vacuum vapor deposition chamber.例文帳に追加

とくに、真空蒸着室の内面にダミー壁を形成させるための窒化硼素含有スラリーである。 - 特許庁

These heteroleptic organometallic compounds have more improved properties than conventional vapor deposition precursors.例文帳に追加

これらのヘテロレプティック有機金属化合物は、従来の蒸着前駆体よりも改善された性質を有する。 - 特許庁