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「Vapor Deposition」に関連した英語例文の一覧と使い方(39ページ目) - Weblio英語例文検索
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Vapor Depositionの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 5223



例文

To provide a substrate fixing device for a thin-film vapor deposition device and a substrate fixing method using the substrate fixing device.例文帳に追加

薄膜蒸着装置用の基板固定装置とこれを利用した基板固定方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of plasma vapor deposition which can achieve a side wall covering rate by a metal.例文帳に追加

金属による高い側壁被覆率を達成することが可能なプラズマ蒸着方法を提供する。 - 特許庁

The charge collectors 15, 16 are each composed of an electrically conductive metal member layer formed by vapor deposition or plating.例文帳に追加

集電体15,16は蒸着またはメッキにより形成された導電性金属部材層からなる。 - 特許庁

In the laminated tube container of which the body part is formed of the laminated material having the hologram vapor deposition film in its constituent layers, a constitution comprising a biaxially stretched polyethylene terephthalate film layer 104, the hologram vapor deposition film 106 and a biaxially stretched polyethylene terephthalate vapor deposition substrate film layer 107 is provided in the constitution of the laminated material as an intermediate layer.例文帳に追加

構成層中にホログラム蒸着フィルムを有する積層材料で胴部を形成するラミネートチューブ容器において、積層材料の構成中に、中間層として二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム層104 /ホログラム蒸着層106 /二軸延伸ポリエチレンテレフタレート蒸着基材フィルム層107 構成を有する。 - 特許庁

例文

METHOD FOR ARRANGED VAPOR DEPOSITION OF METAL NANOPARTICLE AND METHOD FOR GROWING CARBON NANOTUBE USING METAL NANOPARTICLE例文帳に追加

金属ナノ粒子の配列蒸着方法及び金属ナノ粒子を用いたカーボンナノチューブの成長方法 - 特許庁


例文

The plurality of silicon nanocrystal embedded SiOx film layers are deposited using a high density plasma-enhanced chemical vapor deposition (HD PECVD) process.例文帳に追加

多層のシリコンナノ結晶を含むシリコン酸化膜層は、HDPECVDプロセスにより堆積する。 - 特許庁

METHOD AND EQUIPMENT FOR SOFT PLASMAENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (PECVD) OF DIELECTRIC FILM例文帳に追加

誘電膜の非攻撃的プラズマ強化化学気相成長法(PECVD)のための方法および装置 - 特許庁

To provide a method for producing hydrogenated silicon oxycarbide films having a low dielectric constant, by chemical vapor deposition.例文帳に追加

化学蒸着により水素化オキシ炭化珪素の低誘電率薄膜を製造する方法を与える。 - 特許庁

In the lustrous laminated film 10, a metal vapor deposition layer 20, wherein a vapor deposition layer 21 of a Hastelloy alloy and a vapor deposition layer 22 of chromium or a chromium alloy are formed succeessively and continuously as films, is formed on the rear surface of the transparent surface substrate 11.例文帳に追加

透明表面基材11の裏面側にハステロイ合金の蒸着層21及びクロム又はクロム合金の蒸着層22が順次連続して成膜された金属蒸着層20が形成されているともに、前記金属蒸着層が接着剤層14を介してバッキング材15と一体に積層されている。 - 特許庁

例文

The vapor phase deposition equipment includes a susceptor 5 as a holding member which mounts a substrate 7.例文帳に追加

気相成長装置としての処理装置は、基板7を搭載する保持部材としてのサセプタ5を備える。 - 特許庁

例文

To provide a method for producing a large area plate of single crystal diamond by chemical vapor deposition (CVD).例文帳に追加

化学蒸着(CVD)による大面積の単結晶ダイヤモンドプレートの製造方法を提供する。 - 特許庁

The diameter of the through-bore is preferably 5 to 20% of the outer diameter (D) of the vapor deposition material 10.例文帳に追加

その貫通孔の直径は蒸着材10の外径Dの5〜20%であることが好ましい。 - 特許庁

COMPOSITE VAPOR DEPOSITION MATERIAL AND MANUFACTURING METHOD, COMPOSITE DEPOSIT FILM, AND DISPLAY DEVICE HAVING COMPOSITE DEPOSIT FILM例文帳に追加

複合蒸着材およびその製造方法、複合蒸着膜、複合蒸着膜を有する表示装置 - 特許庁

To provide a thermochemical vapor phase deposition system and to provide a synthesizing method for carbon nanotubes using the same.例文帳に追加

熱化学気相蒸着装置及びこれを用いた炭素ナノチューブの合成方法を提供する。 - 特許庁

APPARATUS FOR CONTROLLING EVAPORATION QUANTITY OF MONOMER, VAPOR DEPOSITION POLYMERIZER, AND METHOD FOR CONTROLLING EVAPORATION QUANTITY OF MONOMER例文帳に追加

モノマー蒸発量制御装置及び蒸着重合装置並びにモノマー蒸発量の制御方法 - 特許庁

The surface-treatment surface is formed of titanium nitride given by physical vapor deposition (PVD).例文帳に追加

表面処理面は、物理的気相成長法(PVD)によって与えられた窒化チタンで構成される。 - 特許庁

VACUUM VAPOR DEPOSITION APPARATUS, PROTECTIVE FILM FORMED BY USING THE APPATRATUS, AND METHOD FOR FORMING THE PROTECTIVE FILM例文帳に追加

真空蒸着装置及びその装置を用いて形成された保護膜並びにその保護膜の形成方法 - 特許庁

To enable economical and advantageous CVD (Chemical Vapor Deposition) coating for a long coating time.例文帳に追加

長時間のコーティング時間を備えた経済的で有利なCVDコーティングを可能にすることを提供する。 - 特許庁

The vacuum vapor deposition apparatus 10 comprises a target chamber 100, a process chamber 200 and a flight chamber 300.例文帳に追加

真空蒸着装置10は、ターゲットチャンバ100、プロセスチャンバ200及び飛行チャンバ300を備える。 - 特許庁

MICROWAVE-SUPPLYING UNIT FOR PLASMA CVD AND APPARATUS FOR FORMING VAPOR DEPOSITION FILM WITH SAME例文帳に追加

プラズマCVD用マイクロ波供給装置及び該マイクロ波供給装置を備えた蒸着膜形成装置 - 特許庁

The gas barrier laminated film is formed by laminating a silicon compound vapor deposition film on one surface of a base material made of a plastic film, further a gas barrier coating film is provided on the silicon compound vapor deposition film and the silicon compound vapor deposition film has specific composition.例文帳に追加

プラスチックフィルムからなる基材の一方の面に、ケイ素化合物蒸着膜を積層したガスバリア性積層フィルムであって、ケイ素化合物蒸着膜の上にさらにガスバリア性塗布膜を設け、且つ、ケイ素化合物蒸着膜が特定の組成を有することを特徴とするガスバリア性積層フィルムを提供する。 - 特許庁

To provide a vapor growth device capable of suppressing deposition of reactant into exhaust system piping.例文帳に追加

排気系配管内への反応物の堆積を抑制することのできる気相成長装置を提供する。 - 特許庁

To provide a target for DC sputter deposition by which a transparent TiO_2 thin film can be vapor-deposited at high speed.例文帳に追加

透明なTiO_2薄膜を高速で蒸着できるDCスパッタ蒸着ターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a vapor deposition apparatus that can deposit a less-contaminated crystal film having high uniformities of film thickness and impurity concentration over the entire surface of a semiconductor substrate by quickly discharging a raw material gas after vapor deposition reaction from a chamber to the outside of the chamber, and to provide a vapor deposition method.例文帳に追加

チャンバ内において、気相成長反応後の原料ガスを速やかにチャンバ外へと排気し、半導体基板全面において膜厚及び不純物濃度の均一性が高く、汚染の少ない結晶膜を成長させられる高スループットの気相成長装置及び気相成長方法を提供する。 - 特許庁

The adhered vapor deposition material 111 is re-sublimed and evacuated therefrom by a vacuum pump.例文帳に追加

これにより付着した蒸着材料111を再び昇華させ、真空ポンプにより排気して除去する。 - 特許庁

To provide a metal vapor deposition polyester film which has high strength, is hardly to be cracked, and has no wrinkle.例文帳に追加

高強度でクラックになりにくく、更にシワのない金属蒸着ポリエステルフィルムを提供すること。 - 特許庁

To provide a vapor deposition material that gives, in a single deposition operation, a deposited film rich in higher vapor pressure materials in the early stage of the deposition, rich in lower vapor pressure materials in the ending stage, undergoing a small change in the composition in the thickness direction before and after annealing and absorbing reduced amount of electrons.例文帳に追加

1回の蒸着作業で蒸着初期の組成は蒸気圧の高い材料がリッチであり、蒸着終期の組成は蒸気圧の低い材料がリッチであり、アニール前後で膜厚方向の組成変化の少ない蒸着膜及び電子の吸収の少ない蒸着膜が得られる蒸着材を提供する。 - 特許庁

The present invention relates to a PVD target structure for use in physical vapor deposition.例文帳に追加

本発明は、物理的気相成長法が用いられるPVDターゲット構造体に関するものである。 - 特許庁

To provide a device and a method capable of producing a uniform layer in a vapor deposition process of a substrate.例文帳に追加

基板の蒸着処理において均一な層を得ることができる装置及び方法を提供する。 - 特許庁

The objective coaxial-type vacuum-arc vapor deposition source 3 has a vapor deposition material 43 formed into a cone shape, wherein a width of the vapor deposition material, which is a dimension in a perpendicular direction to the center axis 43b of the cone shape, is gradually reduced in the direction of an opening 30a of an tubular anode 30.例文帳に追加

本発明の同軸型真空アーク蒸着源3は、蒸着材料43が円錐状に形成され、その中心軸線43bと垂直な方向の大きさである蒸着材料の幅が、筒状のアノード電極30の開口30aの方向に向けて、徐々に小さくなるように構成されている。 - 特許庁

In a vapor deposition preparation step, an object to be treated and an evaporation source 10 including a crucible 13 for containing a vapor deposition material 30, a heating part 14 for heating the crucible 13, and a nozzle 12 for discharging the vapor deposition material 30 gasified in the crucible 13 toward the object to be treated are arranged in a vacuum chamber.例文帳に追加

蒸着準備工程では、蒸着材料30を収納する坩堝13、坩堝13を加熱する加熱部14、および坩堝13内で気体化した蒸着材料30を被処理物に向かって放出するノズル12、を備える蒸発源10、および被処理物を真空チャンバ内に配置する。 - 特許庁

To provide inner-wall screening components for an aluminum vapor deposition device, making aluminum deposited thereon resistant to peeling off.例文帳に追加

蒸着されたアルミニウムが剥がれ難いアルミニウム蒸着装置の内壁遮蔽部品を提供する。 - 特許庁

Next, the rod at which a plurality of the vapor deposition materials are arranged is inserted into the chamber, and is horizontally held.例文帳に追加

次に複数個の蒸着材を配置させたロッドをチャンバ内に挿入して水平に保持する。 - 特許庁

The coaxial type vacuum arc vapor deposition source comprises: a cylindrical anode electrode 6; a columnar vapor deposition material 7 whose central axis is nearly aligned with the central axis of the anode electrode 6, and arranged at the inside of the anode electrode 6; a cylindrical insulating material 8 arranged around the vapor deposition material 7; and a cylindrical trigger electrode 9 arranged around the insulating member 8.例文帳に追加

筒状のアノード電極6と、中心軸線をアノード電極6の中心軸線と略一致させアノード電極6部に配置された柱状蒸着材料7と、蒸着材料7の周囲に配置された筒状絶縁部材8と、絶縁部材8の周囲に配置された筒状のトリガ電極9を有する。 - 特許庁

Furthermore, the suboxide is formed by chemical vapor deposition(CVD) in an atmosphere containing oxygen.例文帳に追加

更に、亜酸化物物質は、酸素含有雰囲気において化学気相堆積(CVD)によって形成される。 - 特許庁

To provide a vacuum vapor deposition apparatus capable of enhancing the productivity of an organic electroluminescence element.例文帳に追加

有機エレクトロルミネッセンス素子の生産性を向上させることのできる真空蒸着装置を実現する。 - 特許庁

To provide an optical fiber preform and a method of manufacturing the same by the use of a method of vapor-phase axial deposition.例文帳に追加

気相軸蒸着法を利用して光ファイバー母材及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a solar cell by utilizing an induction coupled plasma enhanced chemical vapor deposition.例文帳に追加

誘導結合プラズマ化学気相蒸着法を利用した太陽電池の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an in-line type electron-beam vapor deposition apparatus which shortens a tact time.例文帳に追加

タクトタイムを飛躍的に向上することが可能なインライン式電子ビーム蒸着装置を提供すること。 - 特許庁

The supporting members 11 are heated in the temp. range from 0.5 times to 1.3 times of the temp. of the substrate at the time of vapor deposition.例文帳に追加

支持部材11は蒸着時の基板温度の 0.5倍以上 1.3倍以下の温度に加熱する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the display device, a thin film is deposited on a substrate 101 by carrying the substrate 101 into a vapor deposition cell 101, then vaporizing a thin film material from a vapor deposition source 104, and moving the position of the vapor deposition source 104 against the substrate while vaporizing the material for the thin film.例文帳に追加

本発明に係る表示装置の作製方法は、基板101を蒸着室に搬送し、蒸着源104から薄膜材料を気化させ、前記薄膜材料を気化させている間、前記基板に対する前記蒸着源の位置を移動させることにより、前記基板上に薄膜を成膜することを特徴とする。 - 特許庁

RUTHENIUM COMPOUND FOR ORGANOMETALLIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD, AND RUTHENIUM-CONTAINING THIN FILM OBTAINED FROM THE COMPOUND例文帳に追加

有機金属化学蒸着法用ルテニウム化合物及び該化合物により得られたルテニウム含有薄膜 - 特許庁

METHOD OF PRODUCING RARE EARTH BASED MAGNET POWDER HAVING SURFACE COATED WITH POLYIMIDE FILM BY VAPOR DEPOSITION POLYMERIZATION METHOD例文帳に追加

蒸着重合法によるポリイミド被膜で表面被覆された希土類系磁石粉末の製造方法 - 特許庁

To produce metallic ultra fine particles on a substrate having an optional shape by applying chemical vapor deposition treatment.例文帳に追加

化学気相堆積処理を適用して金属超微粒子を任意の形状の基板に作製する。 - 特許庁

To provide a vapor deposition source system comprising a crucible having the high absorptivity of radiation heat, and having high thermal efficiency.例文帳に追加

放射熱の吸収率が高いルツボを有し、熱効率が高い蒸着源装置を提供する。 - 特許庁

SILVER-BASE ALLOY AND ITS USE FOR FORMING REFLECTIVE LAYER, SPUTTERING MATERIAL AND VAPOR DEPOSITION MATERIAL例文帳に追加

銀をベースとする合金、反射層、スパッタ材料および蒸着材料を形成するためのその使用 - 特許庁

VAPOR DEPOSITION SOURCE, ORGANIC EL DEVICE MANUFACTURING APPARATUS AND OPERATING METHOD OF ORGANIC EL DEVICE MANUFACTURING APPARATUS例文帳に追加

蒸着源並びに有機ELデバイス製造装置及び有機ELデバイス製造装置の運転方法 - 特許庁

The crucible 3 is set so as to continuously rotate around its own central axis during vapor deposition.例文帳に追加

蒸着中、前記坩堝3はその中心軸線の周りに連続回転するように構成されている。 - 特許庁

To provide a method of depositing a ruthenium film on a substrate via liquid source chemical vapor deposition.例文帳に追加

液体供給源の化学気相堆積によりルテニウム膜を基板に堆積する方法を提供する。 - 特許庁

例文

Furthermore, the metal oxide film layers 6 and 7 are formed in a lot by a vacuum vapor deposition method.例文帳に追加

また、金属酸化物薄膜層6および7は真空蒸着法で一括に形成されている。 - 特許庁




  
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