意味 | 例文 (999件) |
Vapor Depositionの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 5223件
To manufacture an optical element for laser at low cost which has high reliability by using Zr or Hf as a vapor deposition material.例文帳に追加
Zr又はHfを蒸着材料として、信頼性に優れ且つ安価なレーザー用光学素子を製造する。 - 特許庁
The vapor phase deposition device uses the temperature sensing element hereinbefore as a temperature sensing element for measuring a temperature of a susceptor.例文帳に追加
また、気相成長装置は、サセプタの温度を測定する測温体として、上記測温体を用いたものである。 - 特許庁
To provide a method for producing a metal ruthenium-containing thin film by a chemical vapor deposition process free from the intrusion of ruthenium oxide.例文帳に追加
酸化ルテニウムの混入がない、化学気相蒸着法による金属ルテニウム含有薄膜の製造法を提供する。 - 特許庁
MASK VAPOR DEPOSITION METHOD AND APPARATUS, MASK AND MASK MANUFACTURING METHOD, DISPLAY PANEL MANUFACTURING APPARATUS, DISPLAY PANEL AND ELECTRONIC EQUIPMENT例文帳に追加
マスク蒸着方法及び装置、マスク及びマスクの製造方法、表示パネル製造装置、表示パネル並びに電子機器 - 特許庁
It is preferable that the surface electrode 2 be formed, by using an electroless plating method or a sputtering method or a vapor deposition method.例文帳に追加
表面電極2は,無電解メッキ法,スパッタ法あるいは蒸着法により形成されていることが好ましい。 - 特許庁
The hologram is attached to the control board not by pasting but by vapor deposition, so that the hologram is undetachable.例文帳に追加
ホログラムは貼付するのではなく蒸着処理によって制御基板から離脱不能となるように構成されている。 - 特許庁
To provide a resin composition for metal vapor deposition with high adhesion to metallic coating film or metal oxide coating film.例文帳に追加
金属被膜又は金属酸化物被膜との密着性が高い金属蒸着用樹脂組成物を提供する。 - 特許庁
To prevent impurities from mixing into a thin film to be prepared in catalyst chemical vapor deposition using a heating element.例文帳に追加
発熱体を用いた触媒化学蒸着において、作成される薄膜中への不純物の混入を防止する。 - 特許庁
To keep heat away from these substances, the vapor deposition device includes an evaporator tube with a special nozzle bar.例文帳に追加
これらの基板から熱を遠ざけておくために、蒸着装置は、特殊なノズル棒を有する蒸発器チューブを含む。 - 特許庁
To provide a large-sized mask having high mask accuracy for the purpose of selectively performing vapor deposition on a large-area substrate.例文帳に追加
本発明は、大面積基板に対して選択的に蒸着を行うため、マスク精度の高い大型マスクを提供する。 - 特許庁
The film is formed of a metal nitride by a metallo-organic chemical vapor deposition method, and partially subjected to plasma treatment.例文帳に追加
この膜は、金属有機化学気相蒸着法による金属窒化物で形成され、部分的にプラズマ処理される。 - 特許庁
BIS(NONANE-2,4-DIONATO)PLATINUM, RAW CHEMICAL VAPOR DEPOSITION MATERIAL CONTAINING THE SAME, AND METHOD FOR PRODUCING THIN PLATINUM FILM例文帳に追加
ビス(ノナン−2,4−ジオナト)白金、これを含有してなる化学気相成長用原料及び白金薄膜の製造方法 - 特許庁
Compositions including germanium compounds suitable for use as vapor phase deposition precursors for germanium-containing films are provided.例文帳に追加
ゲルマニウム含有膜の蒸着前駆体として用いるのに好適なゲルマニウム化合物を含有する組成物が提供される。 - 特許庁
A metal jacket (16) added to the reinforced fibers (14) through a PVD processing (a physical vapor deposition) functions as the metal.例文帳に追加
PVD処理(物理蒸着)によって強化繊維(14)に付された金属ジャケット(16)は、金属として機能する。 - 特許庁
On the surface of the chromium vapor deposition film layer 14, a 2nd ultraviolet hardened coating film layer 15 has been formed as the outermost surface layer.例文帳に追加
クロム蒸着膜層14の上には、最表層として、第2紫外線硬化塗膜層15が形成されている。 - 特許庁
An undercoating layer (4) may be provided between the biodegradable polymer base material (1) and the inorganic oxide vapor deposition layer (2).例文帳に追加
生分解性高分子基材(1)と無機酸化物蒸着層(2)の間に下引層(4)を設けた構成としても良い。 - 特許庁
A manganese bead 17 and an antimony bead 19 which are vapor deposition sources are arranged nearby outside of the wall part 72.例文帳に追加
内側壁部72の外側近傍には蒸着源であるマンガンビード17およびアンチモンビード19が配置されている。 - 特許庁
The negative electrode layer 14 is a thin film containing at least lithium formed on the SE layer 15 by a vapor phase deposition method.例文帳に追加
負極層14は、気相堆積法によりSE層15上に形成された、少なくともリチウムを含む薄膜である。 - 特許庁
IMPROVED STABILIZING PROPERTIES OF AMORPHOUS SILICON SERIES ELEMENT MANUFACTURED BY HIGH HYDROGEN DILUTION LOW TEMPERATURE PLASMA VAPOR DEPOSITION例文帳に追加
高水素希釈低温プラズマ蒸着によって製造されるアモルファスシリコン系素子の向上せしめられた安定化特性 - 特許庁
Vapor deposition through holes of the predetermined pattern may be formed by executing the scanning movement of the laser beam L while the mask blank 3 is fixed.例文帳に追加
マスク素板3を不動とし、レーザービームLを走査移動させて所定パターンの蒸着通孔を形成してもよい。 - 特許庁
A vapor deposition layer of titanium nitride or titanium carbide is formed on the surface of a metal collector of smooth aluminum.例文帳に追加
平滑なアルミニウムからなる金属集電体の表面に窒化チタンまたは炭化チタンの蒸着層を形成する。 - 特許庁
Raw material gas which is used in this chemical vapor deposition is acetylene (C_2H_2), and it is supplied in a diluted condition with helium gas.例文帳に追加
この化学蒸着法の原料ガスはアセチレン(C_2H_2)ガスで、ヘリウムガスで希釈された状態で供給した。 - 特許庁
The first frequency adjustment chamber 102 is provided with a vapor-deposition mechanism 121, a contact part 122, and a metal mask 123.例文帳に追加
第1周波数調整室102には、蒸着機構121,コンタクト部122,及びメタルマスク123が設けられている。 - 特許庁
To provide a heating evaporation apparatus and a multi-component vapor deposition method capable of considerably enhancing the uniform heatability.例文帳に追加
均一加熱性を大幅に改善することが可能な加熱蒸発装置および多元蒸着方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a process for stably depositing a film including a noble metal on a substrate using a chemical vapor deposition method.例文帳に追加
基板上に貴金属を含む薄膜を化学気相成長法を用いて安定的に堆積する方法を提供する。 - 特許庁
To perform the more controllable metering of a precursor substance for chemical vapor deposition that is less susceptible to fluctuations in processing parameters.例文帳に追加
処理パラメータの変動をあまり受けない、化学蒸着用の前駆体物質のより制御可能な計量を行う。 - 特許庁
To provide a high-density plasma chemical vapor deposition system capable of minimizing the reaction of a source gas in a nozzle.例文帳に追加
ノズル内でソースガスの反応を最小化することができる高密度プラズマ化学気相蒸着装置を提供する。 - 特許庁
The boat 6 is transferred to the inside of a vertical type pressure reducing (chemical vapor phase deposition) apparatus 11, and a thin film is formed on the substrate to be processed.例文帳に追加
ボート6は縦型減圧CVD装置11内部に移送され、被処理基板上には薄膜が成膜される。 - 特許庁
Then, LiF/Al is vaporized at a thickness of 1,000 Å by vacuum vapor deposition and the negative electrode 11e is made.例文帳に追加
その後、マスク真空蒸着により、LiF/Alを1000Åの厚みで蒸着し、陰極11eとした。 - 特許庁
To provide a molded product constituted by forming a thin film enhanced in adhesion on a molded product comprising a polycarbonate resin by vapor deposition.例文帳に追加
ポリカーボネート樹脂からなる成形品に密着性の向上した薄膜を蒸着した成形品を提供する。 - 特許庁
Next, a polar electrode 12 formed of copper is formed by a metal film forming method so-called the Metal Chloride Reduction Chemical Vapor Deposition (MCR-CVD) method on the upper surface of connecting pad of wiring 7 within the aperture 11 of the overcoating film 10.例文帳に追加
次に、オーバーコート膜10の開口部11内の配線7の接続パッド部上面に、塩化金属還元気相成長(MCR−CVD:Metal Clloride Reduction Chemical Vapor Deposition)法と呼ばれる金属成膜法により、銅からなる柱状電極12を形成する。 - 特許庁
This gas barrier laminate is characterized in that the gas barrier thin film formed of a metal or a metallic compound by a physical vapor deposition process and a polyimide film by a vapor deposition synthesizing process are laminated in that order on the resin film base material.例文帳に追加
樹脂フィルム基材上に、物理蒸着法により金属又は金属化合物からなるガスバリア性薄膜が、蒸着合成法によりポリアミド膜が、順次形成されてなることを特徴とするガスバリア性積層体を提供するものである。 - 特許庁
To provide a composite vapor deposition material used at the time of manufacturing a film for light reflection and heat radiation disposed adjacently to the phosphor of a color cathode ray tube in particular as for a composite vapor deposition material used for producing a film having high heat radiating effect.例文帳に追加
本発明は、放熱効果の高い膜の作製に用いる複合蒸着材に関し、特にカラー陰極線管の蛍光体に隣接して設ける光反射兼放熱用膜を製造する際に用いる複合蒸着材の提供。 - 特許庁
The film with metal foil to be easily peeled from a film is produced by forming a release layer on the film to serve as a base material, depositing metal on the release layer by vapor-deposition or the like, and growing the vapor-deposition metal into a metal film by the electrolytic plating method.例文帳に追加
基材となるフィルムの上に離型層を形成し、該離型層の上に蒸着等で金属を載せ、蒸着金属を電解メッキ法で金属膜を成長させることで、フィルムから容易に剥離できる金属箔つきフィルムとする。 - 特許庁
By changing a distance TS between the substrate 5 and an opening 3a provided at the vapor deposition source 3 by a vapor deposition source position control mechanism 4, change with elapse of time in the film thickness distribution of a thin film deposited on the substrate is controlled.例文帳に追加
蒸着源位置制御機構4により基板5と蒸着源3に備えられた開口部3aとの離間距離TSを変化させることにより、前記基板上に成膜された薄膜の膜厚分布の経時変化を抑制する。 - 特許庁
To provide a vacuum deposition system where the moving amount of a vaporizing material from an evaporation source to the body to be vapor-deposited can be correctly controlled, and the control of a vapor deposition rate can be easily performed without depending on radiation heat from a cylindrical body.例文帳に追加
蒸発源から被蒸着体への気化物質の移動量を正確に制御することができ、筒状体からの輻射熱に左右されることなく、蒸着速度の制御を容易に行なうことができる真空蒸着装置を提供する。 - 特許庁
To provide a gas supply tube for plasma treatment, wherein clogging is hardly caused by the sticking of vapor deposition components, and further, the peeling of the stuck vapor deposition components is effectively suppressed, and uniform gas supply can be performed stably over a long period.例文帳に追加
蒸着成分の付着による目詰まりを生じにくく、しかも付着した蒸着成分の剥がれが有効に抑制され、長期間にわたって安定に均一なガス供給を行うことが可能なプラズマ処理用のガス供給管を提供する。 - 特許庁
Preferably, the mixture layer is provided in such a manner that vapor deposition by resistance heating, using the Au-containing gold-based material as an evaporation source, and vapor deposition by an electronic beam, using Ti as an evaporation source, are performed in the same apparatus.例文帳に追加
また、混在層は、Auを含む金系材料を蒸発源として用いた抵抗加熱による蒸着と、Tiを蒸発源として用いた電子ビームによる蒸着とを同一装置内で行うことにより設けられたものであるのが好ましい。 - 特許庁
Before manufacture of an organic EL element, luminance distribution in the substrate of an element manufactured by a test vapor deposition is measured, and based on the result, the position of the substrate at the time of vapor deposition is adjusted and the thickness of an organic layer being the luminous layer is adjusted.例文帳に追加
有機EL素子の製造に先立って、テスト蒸着により製造した素子の基板内における発光輝度分布を測定し、その結果に基づいて蒸着の際の基板位置を調整して発光層である有機層の膜厚を調整する。 - 特許庁
A component of vapor deposition gas is accumulated at the detected defect place of the recording medium plane by introducing vapor deposition gas to the recording medium plane by a gas introducing means 9 irradiating the recording medium with electron rays, and a mark is formed.例文帳に追加
さらに、電子線を記録媒体に照射しながら、ガス導入手段9により記録媒体面に蒸着ガスを導入することにより、記録媒体面の検出された欠陥場所に蒸着ガスの成分を堆積させ、マークを形成する。 - 特許庁
The carriage control unit 7 switches the substrate 5 from a passing condition of the opening part 3a to a non-passing condition, and the operation switch control unit 6 switches the operation of the first vapor deposition source 2a and the second vapor deposition source 2b in the non-passing condition.例文帳に追加
搬送制御部7は、基板5を開口部3aを通過する通過状態から非通過状態に切り換え、作動切換制御部6は非通過状態において第1蒸着源2a及び第2蒸着源2bの作動を切り換える。 - 特許庁
To provide a vapor deposition material for forming a reflective film capable of stabilizing the vapor deposition state, preventing any fluctuation of the film composition, and reducing the dispersion of the reflectivity even when continuously depositing the reflective film on a resin film by the roll-to-roll method.例文帳に追加
ロール・ツー・ロール方式で樹脂フィルム上に反射膜を連続成膜する場合でも、蒸着状態を安定させ、膜組成の変動を防止し、反射率のバラツキを小さくすることができる反射膜形成用蒸着材を提供する。 - 特許庁
To provide a corrosion resistant member coated with a coating film free from generation of a film defect such as a crack and capable of enhancing corrosion resistance, to provide a vapor deposition device, to provide a vapor deposition method and to provide a coating method.例文帳に追加
クラック等の膜欠陥が発生するおそれが無く、耐食性を大きく向上させることができるコーティング膜が施された耐食性部材、気相成長装置、気相成長方法及びコーティング方法を提供することを目的とする。 - 特許庁
This gas barrier laminate is characterized in that the gas barrier thin film formed of a metal or a metallic compound by a physical vapor deposition process and a polyimide film by a vapor deposition synthesizing process are laminated in that order on the resin film base material.例文帳に追加
樹脂フィルム基材上に、物理蒸着法により金属又は金属化合物からなるガスバリア性薄膜が、蒸着合成法によりポリイミド膜が、順次形成されてなることを特徴とするガスバリア性積層体を提供するものである。 - 特許庁
This gas barrier laminate is characterized in that a polyimide film by a vapor deposition synthesizing process and the gas barrier thin film formed of a metal or a metallic compound by a physical vapor deposition process are laminated in that order on the resin film base material.例文帳に追加
樹脂フィルム基材上に、蒸着合成法によりポリイミド膜が、物理蒸着法により金属又は金属化合物からなるガスバリア性薄膜が、順次形成されてなることを特徴とするガスバリア性積層体を提供するものである。 - 特許庁
When a fine particle film of nano particle size is formed by using a coaxial type vacuum arc vapor deposition source 13, the discharge voltage between an anode electrode 21 and a cathode electrode 22 (a vapor deposition material 22A) is set in 50 to <100 V.例文帳に追加
同軸型真空アーク蒸着源13を用いたナノサイズの粒径の微粒子膜を形成するに際して、アノード電極21とカソード電極22(蒸着材料22A)の間の放電電圧を50V以上100V未満に設定する。 - 特許庁
The oblique vapor deposition alignment layers 33B and 43B are laminated via vertical vapor deposition films 33A and 43A on the surface sides in contact with a vertical alignment liquid crystal 45 of a transparent electrode substrate 30 and a pixel electrode substrate 40.例文帳に追加
透明電極基板30および画素電極基板40のそれぞれについて、垂直配向液晶45に接する面側に、垂直蒸着膜33A,43Aを介して斜方蒸着配向膜33B,43Bが積層形成されている。 - 特許庁
The protective film 25 is formed on one face 21a of the base 21 by PVD (physical vapor deposition) and CVD (chemical vapor deposition), it has mainly an amorphous structure having carbon as its main component and silicon added thereto, and has crystalline crystallized partially.例文帳に追加
保護被膜25は、PVDやCVD等によって台金21の一面21a上に形成されるものとし、その構成は、炭素を主体として珪素が添加された主としてアモルファス構造をなし一部に結晶質を析出させたものとする。 - 特許庁
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