| 意味 | 例文 (999件) |
Vapor Depositionの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 5223件
In the manufacturing method of the gas barrier film, an SiO_x film is formed at least on one surface of a base material film by electron beam vapor deposition method (EB) under an environment introducing no reaction gas while using an SiO vapor deposition material, wherein the SiO vapor deposition material is sintered in the presence of oxygen.例文帳に追加
基材フィルムの少なくとも一方の面に、ＳｉＯ蒸着材料を用い、反応ガスを導入しない雰囲気下でエレクトロンビーム（ＥＢ）蒸着方法によりＳｉＯｘ膜を形成するガスバリヤー性フィルムの製造方法であって、前記ＳｉＯ蒸着材料が酸素存在下において焼結されていることを特徴とするガスバリヤー性フィルムの製造方法。 - 特許庁
The coaxial vacuum arc vapor deposition source comprises a cylindrical anode electrode 6, a columnar vapor deposition material 7 arranged inside the anode electrode 6 with its center axis being substantially matched with the center axis of the anode electrode 6, a cylindrical insulating member 8 tightly fitted around the vapor deposition material 7, and a cylindrical trigger electrode 9 tightly fitted around the insulating member 8.例文帳に追加
筒状のアノード電極６と、中心軸線をアノード電極６の中心軸線と略一致させアノード電極６内部に配置された柱状の蒸着材料７と、蒸着材料７の周囲に密着配置された筒状の絶縁部材８と、絶縁部材８の周囲に密着配置された筒状のトリガ電極９を有する。 - 特許庁
In the vapor deposition method of the nitride semiconductor with the nonpolar surface as a main surface onto a substrate for vapor deposition of the nitride semiconductor, the pressure of an atmosphere in the vapor deposition is made to be 1-10kPa and the temperature of the substrate for growing the semiconductor is made to be ≥900°C and <1,100°C.例文帳に追加
無極性面を主面とする窒化物系半導体を半導体成長用基板上へ気相成長させる窒化物系半導体の気相成長方法であって、前記気相成長時における雰囲気の圧力を１〜１０ｋＰａとし、かつ、前記半導体成長用基板の温度を９００℃以上１１００℃未満とすること。 - 特許庁
The vapor deposition device includes: a substrate holding member 2 holding the plurality of substrates 3; a vapor deposition source 4 holding a vapor deposition material to be deposited onto the plurality of substrates 3; an ion gun 5 for radiating gas ions to the faces of the substrates 3; and a correcting plate 6 for rectifying the radiation direction D1 of the gas ions emitted from the ion gun 5.例文帳に追加
この蒸着装置は、複数の基板３を保持する基板保持部材２と、基板３上に成膜される蒸着物質を保持する蒸着源４と、基板３面にガスイオンを放射するためのイオン銃５と、イオン銃５から照射されるガスイオンの放射方向Ｄ１を整流するための補正板６とを有している。 - 特許庁
To provide a highly practical vapor deposition film for boil sterilization and retort sterilization which excels in transparency, has high gas barrier nature and does not undergo degradation of physical properties after boil sterilization or retort sterilization, which has boil resistance and retort resistance without generation of delamination or the like, a vapor deposition film for a packaging container which holds contents including moisture, and a packaging material using this vapor deposition film.例文帳に追加
透明性に優れ、且つ高いガスバリア性を有すると共にボイル殺菌やレトルト殺菌後も物性の劣化がなく、デラミネーション等の発生がないボイル耐性、レトルト耐性を持つ実用性の高いボイル殺菌、レトルト殺菌用蒸着フィルム、水分を含む内容物を収容する包装容器用、およびこれらの蒸着フィルムを用いた包装材料。 - 特許庁
In the film forming device in which plasma for vapor deposition 10 is generated by giving an electric impulse on a cathode target 2, target ions in the plasma for vapor deposition 10 are led onto a specimen substrate 4 on which bias voltage is applied and a thin film is formed, the plasma for vapor deposition 10 is generated by irradiating the cathode target 2 with an ion beam 9 generated in an ion source 3.例文帳に追加
陰極ターゲット２に電気的衝撃を与えて蒸着用プラズマ１０を生成し、蒸着用プラズマ１０中のターゲットイオンをバイアス電圧が印加された試料基板４に導いて薄膜を成膜する成膜装置において、イオン源３で生成されたイオンビーム９を陰極ターゲット２に照射して蒸着用プラズマ１０を生成する。 - 特許庁
By depositing the vertical vapor deposition films 33A, 43A as base films, electrical characteristics caused by the film structure can be improved, while keeping the alignment characteristics of the oblique vapor deposition films 33B, 43B; and further, conduction of ions or the like through the oblique vapor deposition alignment layers 33B, 43B is suppressed to achieve long-term reliability.例文帳に追加
垂直蒸着膜３３Ａ，４３Ａが下地膜として形成されていることで、斜方蒸着配向膜３３Ｂ，４３Ｂによる配向特性を維持したまま、その膜構造に起因する電気的な特性を改善し、イオン等が斜方蒸着配向膜３３Ｂ，４３Ｂを導通することを抑制して長期信頼性を実現することができる。 - 特許庁
The first alignment layer 41 is constituted principally of a polyimide alignment layer which is subjected to rubbing treatment and the second alignment layer 42 is constituted principally of an organic vapor deposition film formed by vapor deposition, to put it concretely, a polymer film formed by depositing an acrylic or a methacrylic liquid crystalline monomer in a thin film form by an ion vapor deposition method.例文帳に追加
第１配向膜層４１は、ラビング処理が施されたポリイミド配向膜を主体として構成され、第２配向膜層４２は蒸着により形成された有機蒸着膜、具体的にはアクリル系若しくはメタクリル系の液晶性モノマーをイオン蒸着法により薄膜形成した高分子膜を主体として構成されている。 - 特許庁
To enable a powder-sintering type silicon monoxide-based vapor deposition material, which is used for depositing a vapor-deposited film of silicon monoxide, to suppress occurrence of splash and to ensure the material strength durable to use.例文帳に追加
一酸化珪素の蒸着膜の形成に使用される粉末焼結型の一酸化珪素系蒸着材料において、スプラッシュの発生を抑制する。 - 特許庁
After the flexible substrate is extended in the predetermined direction by the predetermined amount and positioned to the mask, the material for vapor deposition is vapor-deposited to the predetermined pattern via the mask.例文帳に追加
可撓性基板を所定の方向に所定の量で延伸させてマスクとの位置合わせを行った後、マスクを介して蒸着材料を所定のパターンに蒸着させる。 - 特許庁
A substrate is obtained by vapor depositing a GaN single crystal on a substrate and then slicing a GaN single crystal ingot formed by the vapor deposition with a plane parallel to the growth direction.例文帳に追加
基板の上にＧａＮ単結晶を気相成長させ、気相成長でできたＧａＮ単結晶インゴットを成長方向と平行な面でスライス加工して基板とする。 - 特許庁
To provide a vapor deposition device using a coaxial type vacuum arc vapor depositing source capable of forming a film of materials other than electrically conductive materials, particularly of insulating materials.例文帳に追加
導電性材料以外の材料、特に絶縁材料を用いた膜を形成することが可能な同軸型真空アーク蒸着源を用いた蒸着装置を提供する。 - 特許庁
By a heating section 2 for heating the bottom of the crucible 1, the vapor deposition material 6 is heated and is evaporated to release the generated vapor from the evaporation port 3 of an upper lid 1a.例文帳に追加
ルツボ１の底部を加熱する加熱部２によって、蒸着材料６を加熱して、蒸発させ、発生した蒸気を、上蓋１ａの蒸発口３から放出する。 - 特許庁
The metallic luster layer 3 is a metallic vapor-deposited layer formed on the back of the transparent sheet 2 by vapor deposition or a printed layer formed by printing in a mirror ink.例文帳に追加
金属光沢層３は、透明シート２の背面に蒸着により形成された金属蒸着層、又はミラーインキを用いた印刷により形成され印刷層である。 - 特許庁
During vapor deposition process of the organic layer, the structure is moved to the vapor distributor, so that the organic layer with improved uniformity is provided on the structure.例文帳に追加
有機層の蒸着工程中、構造体を蒸気ディストリビュータに対して移動させることにより、構造体の上に均一性の改良された有機層が設けられる。 - 特許庁
To provide a beam position monitoring device controllable so that an electron beam is always applied to the central part of a vapor depositing material region inside a crucible on vapor deposition.例文帳に追加
蒸着中、電子ビームが常に坩堝内の蒸着物質領域の中央部分を照射するように制御可能なビーム位置監視装置を提供すること。 - 特許庁
A hybrid coating process to combine the characteristics of a thermal spraying method with the characteristics of the reactive vapor phase vapor deposition is performed by applying a thermal process jet 2 to a substrate 3.例文帳に追加
基板３に対し、熱プロセス・ジェット２を用いて、熱溶射法の特性を反応性気相蒸着の特性と組合せることを可能にするハイブリッド被覆法を実行する。 - 特許庁
Because the mask part 13 is formed of a photosensitive emulsion, the formation of micropattern is facilitated and the cathode vapor deposition pattern A can be vapor deposited into micropattern.例文帳に追加
マスク部１３は、感光性をもつ乳剤から形成されているので、微細パターンの形成が容易であり、カソード蒸着パターンＡを微細パターンに蒸着することができる。 - 特許庁
To provide vapor phase deposition equipment and a method, which are capable of vapor phase depositing a thin film that is superior in uniformity on the whole surface of a wafer.例文帳に追加
ウェハの面内全域において良好な均一性を有する薄膜を気相成長させることができる気相成長装置および気相成長方法を提供する。 - 特許庁
To provide a plastic film having an inorganic oxide vapor deposition layer not deteriorated in its gas barrier properties and water vapor barrier properties even if stress such as printing processing or the like is applied.例文帳に追加
印刷加工などのストレスを加えてもガスバリア性や水蒸気バリア性が劣化しない無機酸化物蒸着層を有するプラスチックフィルムを提供すること。 - 特許庁
To deposit a fluorine modified titanium dioxide film having a low clouding degree on hot glass by atmospheric pressure chemical vapor deposition(APCVD) using TiCl4 vapor.例文帳に追加
ＴｉＣｌ_4 蒸気を使用する大気圧化学的蒸着（ＡＰＣＶＤ）によって熱いガラスに低い曇り度の弗素変性二酸化チタンフィルムを付着させる方法を提供する。 - 特許庁
The electroconductive woven fabric with vapor-deposited aluminum is obtained by treating the surface of a plain woven fabric in which intersectional spots of warp and weft yarns are jointly fixed, by aluminum vapor deposition treatment.例文帳に追加
経糸と緯糸が交差する部分が接合固定されている平織物の表面に、アルミニウム蒸着処理をして、導電性のアルミニウム蒸着織物を得る。 - 特許庁
METHOD FOR DEPOSITION OF FILM ON SiC/Si COMPOSITE MATERIAL, MATERIAL TO BE TREATED FOR FILM DEPOSITION, AND FILM TO BE DEPOSITED ON SiC/Si COMPOSITE MATERIAL AT VAPOR GROWTH例文帳に追加
Ｓｉ−ＳｉＣ複合材料への膜の形成方法、膜形成用の被処理材および気相成長の際にＳｉ−ＳｉＣ複合材料を被覆する被膜 - 特許庁
The light shielding film 2 is composed of a metal-containing thin film deposited by a vacuum deposition process, a sputtering process, or a plasma CVD (Chemical Vapor Deposition) which hold the treatment temperature of ≤150°C.例文帳に追加
遮光膜２は１５０℃以下の処理温度を維持できる真空蒸着法、スパッタ法又はプラズマＣＶＤ法にて成膜された金属を含む薄膜からなる。 - 特許庁
To provide a vapor deposition method for organic thin films which is capable of easily controlling a deposition rate and simultaneously depositing the films with stable and high controllability.例文帳に追加
簡易に成膜速度を制御することができると同時に安定した高い制御性で成膜することが可能な有機薄膜の蒸着方法を提供する。 - 特許庁
To suppress the intrusion of garbage such as decomposed matter and by-products causing a black point defect during film deposition; and to prevent the reduction of a vapor deposition rate.例文帳に追加
暗点欠陥の原因となる分解物質や副生成物などのゴミが成膜中に混入することを抑制し、さらに蒸着レートの低下を防ぐことを目的とする。 - 特許庁
This thin-film manufacturing method is provided with a forming process for forming an amorphous semiconductor thin film on a substrate (5), by a PVD (Physical Vapor Deposition) method which uses a rare gas.例文帳に追加
本発明による薄膜製造方法は、希ガスを用いたＰＶＤ（PhysicalVapor Deposition）法によって基板（５）に非晶質半導体薄膜を形成する形成工程を備えている。 - 特許庁
As a result, the fall off of an average free stroke due to the rise of the internal pressure of the chamber is suppressed and the improving in the vapor deposition efficiency and the deposition rate is made possible.例文帳に追加
これにより、チャンバ内圧力の上昇による平均自由行程の低下を抑えられ、蒸着効率及び成膜レートの向上を図ることができる。 - 特許庁
To provide metal source containing precursor liquid solutions for chemical vapor deposition processes, including atomic layer deposition, for fabricating conformal metal containing films on substrates.例文帳に追加
基材上においてコンフォーマル金属含有皮膜を製作するための、原子層堆積を含む化学蒸着法用の金属源含有前駆体溶液を提供する。 - 特許庁
The vapor deposition system 1 has a vacuum chamber 2 whose inside is disposed with film deposition mechanisms (an evaporation source 6, a gas introduction tube 10b, a substrate holder 4 and a rotation supporting frame 12a).例文帳に追加
蒸着装置１は、内部に成膜機構（蒸発源６、ガス導入管１０ｂ、基板ホルダ４、回転支持枠１２ａ）が配置してある真空チャンバ２を有する。 - 特許庁
To provide a film deposition method capable of stably depositing a silicon oxide thin film having excellent gas barrier properties in a short time utilizing a CVD (Chemical Vapor Deposition) process.例文帳に追加
本発明は、ＣＶＤ法を利用してガスバリア性に優れる酸化珪素薄膜を安定して、しかも短時間に成膜できるようにした成膜方法の提供を目的とする。 - 特許庁
To provide a substrate conveying apparatus in which a flow of raw material gas is not changed by putting in or taking out a substrate and reproducibility of deposition conditions is satisfactory, and a vapor deposition apparatus.例文帳に追加
基板出し入れによっても、原材料ガスの流れが変わらず、成膜条件の再現性が良い基板搬送装置および気相成長装置を提供する。 - 特許庁
The pattern film deposition is performed by the Physical Vapor Deposition (PVD) method by using a mask M having a plurality of wires arrayed at the spacing corresponding to the width of the line-like pattern.例文帳に追加
ライン状パターンの幅に合わせた間隔で配列された複数のワイヤを有するマスクＭを用いて、物理気相成長（ＰＶＤ）法によりパターン成膜を行う。 - 特許庁
To provide a sputtering method and a film deposition apparatus which, during a process for depositing a layer on a substrate by a physical vapor deposition (PVD) method, control properties of the layer.例文帳に追加
物理的気相成長法（ＰＶＤ）により基板上に層を形成するプロセス中に、層の特性を制御可能なスパッタリング方法及び成膜装置を提供する。 - 特許庁
Further, when the carbon film is deposited by using plasma CVD(chemical vapor deposition), a self-bias on the film deposition is reduced on the side close to the face to be deposited, so that its adhesion is increased.例文帳に追加
さらに、プラズマＣＶＤを用いて炭素膜を形成する場合は、被形成面に近い側では、成膜時のセルフバイアスを低くすることで密着性を高める。 - 特許庁
To provide a simple substrate fixing tool capable of performing offset film deposition without polluting a substrate in the deposit-up type sputtering vapor deposition.例文帳に追加
本願発明は、デポアップ型スパッタ蒸着において、基板を汚染することなく、また、オフセット成膜も可能である簡便な基板の固定器具を提供するものである。 - 特許庁
In the vacuum deposition method where an alloy film composed of at least two kinds of metals is deposited, a vapor deposition source is provided by an amount larger than that consumed in one batch.例文帳に追加
少なくとも２種類の金属からなる合金膜を成膜する真空蒸着法であって、蒸着源は、１バッチで消費する量より大きな量を備える。 - 特許庁
When manufacturing a mask member 10 for film deposition for the mask vapor deposition, plasma is applied to a substrate contact surface 20a of a chip 20 joined with a supporting substrate 30.例文帳に追加
マスク蒸着用の成膜用マスク部材１０を製造する際、支持基板３０に接合されたチップ２０の基板接触面２０ａにプラズマを照射する。 - 特許庁
To provide an organic metal vapor deposition apparatus and its deposition method for preventing contamination of impurity in a MOVPE process using a material gas of doped chlorine.例文帳に追加
有機金属気相成長装置及び有機金属気相成長方法に関し、Ｃｌ添加原料ガスを用いたＭＯＶＰＥ工程における不純物の混入を防止する。 - 特許庁
To provide a stainless steel vapor deposited glass container having a stainless steel vapor deposited layer with a uniform thickness formed by a vacuum deposition and a method for stably manufacturing such a stainless steel vapor deposited glass container.例文帳に追加
真空蒸着法によって形成される、均一な厚さを有するステンレス蒸着層を備えたステンレス蒸着ガラス容器及び、そのようなステンレス蒸着ガラス容器の安定的な製造方法を提供する。 - 特許庁
The vapor deposition material can be obtained by providing an air-permeable plug to the tubular base material, mixing powder of binder metal, the metal powder with higher vapor pressure, and the metal powder with lower vapor pressure, filling the base material with the resultant powder mixture, and then carrying out wire drawing.例文帳に追加
管状基体に通気性の栓を設け基体内にバインダー金属粉末と高蒸気圧金属粉末、低蒸気圧金属粉末を混合した後充填し、線引き加工を行い複合蒸着材を得る。 - 特許庁
To realize a vacuum vapor deposition apparatus which can achieve a uniform vapor-deposited film thickness distribution and an improved evaporant utilization efficiency, does not give a thermal damage to the vapor-deposited film formed on a substrate, and can prevent nozzle plugging.例文帳に追加
均一な蒸着膜厚分布と材料利用効率向上を実現し，かつ熱による基板に形成された蒸着膜へのダメージを与えず，ノズルつまりも防止する真空蒸着装置を実現する。 - 特許庁
In the method for depositing a fluoride film on a substrate, at the time of vapor-depositing a fluoride by a vapor deposition method so as to deposit a film, the vapor depositing face is irradiated with fluorine based gas cluster ion beams.例文帳に追加
基板上にフッ化物膜を成膜する方法であって、蒸着法によりフッ化物を蒸着させて成膜を施す際に、蒸着面にフッ素系ガスクラスターイオンビームを照射することを特徴とする。 - 特許庁
The vacuum deposition system 1 includes a vacuum chamber 2 which can be reduced in pressure, a substrate holder 4 which is disposed in the upper part of a vacuum deposition space 10 within the vacuum chamber 2, and a vapor deposition source 5 which is disposed in the vacuum chamber 2.例文帳に追加
減圧可能な真空槽２と、この真空槽２内の蒸着空間１０上部に設けられた基材ホルダ４と、真空槽２内に設けられた蒸着源５と、を備えた真空成膜装置１である。 - 特許庁
To provide a vapor deposition apparatus where the frequency of the maintenance in a film deposition detector is reduced, and further, the generation of fault by heat from a cylindrical heating element at the film deposition detector can be suppressed.例文帳に追加
成膜速度検出器のメンテナンスの頻度を低減すると共にこの成膜検出器に筒状加熱体からの熱による不具合が発生することを抑制することができる蒸着装置を提供する。 - 特許庁
Using the iridium-containing film deposition material as the raw material, an iridium-containing film is produced by a CVD (Chemical Vapor Deposition) process, an ALD (Atomic Layer Deposition) process, a spin coating process or the like.例文帳に追加
このイリジウム含有膜形成材料を原料として、ＣＶＤ法、原子層蒸着法（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ法：ＡＬＤ法）、スピンコート法などによりイリジウム含有膜を製造する。 - 特許庁
The flattened dielectric film 14a is a glass film of low melting point formed by a paste method, and the high withstand voltage dielectric film 14b is a silicon oxide film formed by a sputtering method, a vapor deposition method, or a chemical vapor deposition method.例文帳に追加
平坦化誘電体膜１４ａが、ペースト法により形成される低融点ガラス膜であり、高耐電圧誘電体膜１４ｂが、スパッタリング、蒸着法、または化学気相成長法により形成される酸化シリコン膜である。 - 特許庁
To provide a vacuum vapor-deposition apparatus which can form a film of high quality even if the film is formed repeatedly, and also can easily remove foreign matters deposited on a filter from the filter, and to provide a vacuum vapor-deposition method therefor.例文帳に追加
繰返し膜を形成する場合であっても、膜質が高い膜を形成することができるとともに、フィルタに付着した異物を容易に除去できる真空蒸着装置および真空蒸着方法を提供する。 - 特許庁
A vapor deposition method and an ion beam sputtering method are adopted at a time so as to form a film in which a structure of low denseness is formed by the vapor deposition method and vacancies of this structure are filled with a structure of high denseness formed by the ion beam sputtering method.例文帳に追加
蒸着法とイオンビームスパッタ法とを同時に適用して、蒸着法によって形成された緻密度の低い構造の隙間にイオンビームスパッタ法によって形成された緻密度の高い構造のものを埋めた膜を形成する。 - 特許庁
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