「Vapor Deposition」に関連した英語例文の一覧と使い方(51ページ目) - Weblio英語例文検索

On a top surface of a semiconductor substrate 1, an emitter electrode 6 is formed by sequentially laminating aluminum and nickel by vapor deposition or sputtering.例文帳に追加

半導体基板１のおもて面に、アルミニウム、ニッケルを蒸着またはスパッタで順次積層し、エミッタ電極６を形成する。 - 特許庁

The vapor deposition source material feeding facility includes a rotary cassette wheel 216 and a crucible 218 immediately below the rotary cassette wheel.例文帳に追加

そして蒸着源材料供給設備が、回転式カセットホイール２１６と回転式カセットホイール真下の坩堝２１８とを含む。 - 特許庁

To provide a vapor deposition device that simultaneously performs crystal growth on a plurality of substrates and performs the growth with high productivity.例文帳に追加

多数の基板に対して同時に結晶成長を行い、高い生産性で成長を行う気相成長装置を提供する。 - 特許庁

The vapor deposition material 40 in the crucible 10 is evaporated by the heating and discharged into a vacuum chamber from an opening part 141.例文帳に追加

坩堝１０内の蒸着材料４０は、その加熱によって蒸発し、開口部１４１から真空室内へ放出される。 - 特許庁

SOLUTION MATERIAL FOR ORGANIC METAL CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD AND FORMING METHOD OF COMPOSITE OXIDE SERIES DIELECTRIC THIN FILM USING THE MATERIAL例文帳に追加

有機金属化学蒸着法用溶液原料及び該原料を用いた複合酸化物系誘電体薄膜の製造方法 - 特許庁

As a result, even if the prisms are vibrated during vapor deposition, each prism vibrates only vertically but will not overlap with others.例文帳に追加

この結果、蒸着中に振動が伝わっても、各プリズム１１が上下に振動して、相互に重なり合うことを防止できる。 - 特許庁

To provide a chemical vapor deposition method by which a film is stably formed, and a ruthenium film of high quality can be obtained.例文帳に追加

安定した成膜を行うことができ、かつ高品位のルテニウム膜を得ることができる化学気相成長方法の提供。 - 特許庁

To provide a method for producing a thin film capable of obtaining an excellent stoichiometric thin film high in density by an atom-layer vapor deposition.例文帳に追加

原子層蒸着法で膜密度が高くて、優秀な化学量論的な薄膜を得ることができる薄膜製造方法。 - 特許庁

SOLUTION RAW MATERIAL FOR ORGANIC METAL CHEMICAL VAPOR DEPOSITION AND COMPLEX OXIDE DIELECTRIC THIN FILM FORMED BY USING SUCH RAW MATAERIAL例文帳に追加

有機金属化学蒸着法用溶液原料及び該原料を用いて作製された複合酸化物系誘電体薄膜 - 特許庁

The apparatus includes a plasma gun 30 for evaporating the vapor deposition material, an atmosphere gas supply source 106, and a main control unit 80.例文帳に追加

蒸着材料を蒸発させるプラズマガン３０と、雰囲気ガス供給源１０６と、主制御装置８０と、を備える。 - 特許庁

A GaN semiconductor layer 2 is formed on the GaN monocrystal board 1 by a metalorganic chemical vapor deposition method.例文帳に追加

このＧａＮ単結晶基板１上に、有機金属化学気相成長法によって、ＧａＮ半導体層２が形成される。 - 特許庁

ORGANIC AMINOTANTALUM COMPOUND, SOLUTION RAW MATERIAL CONTAINING SAME FOR ORGANIC METAL CHEMICAL VAPOR DEPOSITION AND TANTALUM NITRIDE FILM MADE THEREOF例文帳に追加

有機アミノタンタル化合物及びこれを含む有機金属化学蒸着用溶液原料並びにこれから作られる窒化タンタル膜 - 特許庁

ORGANIC TANTALUM COMPOUND, RAW MATERIAL FOR ORGANO- METALLIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION CONTAINING THIS AND TANTALUM-CONTAINING THIN FILM MADE THEREFROM例文帳に追加

有機タンタル化合物及びこれを含む有機金属化学蒸着用原料並びにこれから作られるタンタル含有薄膜 - 特許庁

To improve power generation performance by improving the bondability of an interface between an electrolyte film and a catalyst layer formed by vapor deposition.例文帳に追加

電解質膜と蒸着形成された触媒層との界面における接合性を改善し、発電性能を向上させる。 - 特許庁

To provide a method of forming an outwardly grown aluminide diffusion coating on a superalloy substrate by CVD (Chemical Vapor Deposition).例文帳に追加

ＣＶＤにより、超合金基材の上に、外方に向けて成長するアルミナイド拡散コーティングを形成する方法を提供する。 - 特許庁

TITANIUM COMPLEX-CONTAINING SOLUTION RAW MATERIAL FOR ORGANOMETALLIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD AND TITANIUM-CONTAINING THIN FILM PRODUCED BY USING THE SAME例文帳に追加

チタン錯体を含む有機金属化学蒸着法用溶液原料及びそれを用いて作製されたチタン含有薄膜 - 特許庁

The target for physical vapor deposition is made by means of integrally compacting a mixed powder of an Al powder and a nitrogen- containing Cr powder.例文帳に追加

Ａｌ粉末および窒素含有Ｃｒ粉末を含む混合粉末を緻密一体化した物理的蒸着用ターゲットである。 - 特許庁

Multilayer films composed of a plurality of organic material layers can collectively be formed even without performing the exchange of the vapor deposition sources.例文帳に追加

蒸着源の交換を行うことなく複数の有機材料層からなる多層膜を一括で形成することができる。 - 特許庁

To provide an apparatus to produce carbon nanotubes (CNTs) of optional length using a chemical vapor deposition (CVD) process reactor furnace.例文帳に追加

化学蒸着（ＣＶＤ）プロセス反応器炉を使用して、任意の長さのカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）を生成する装置を提供すること。 - 特許庁

A preliminary film is deposited by a chemical vapor deposition (CVD) method from organosilane and/or organosiloxane precursors and pore-forming precursors.例文帳に追加

予備的な膜が、オルガノシラン及び／又はオルガノシロキサン前駆体と細孔形成前駆体とからＣＶＤ法によって堆積される。 - 特許庁

The member can be manufactured by a physical vapor deposition process under an inert gaseous atmosphere introduced into a vacuum chamber.例文帳に追加

この部材は、真空槽内に導入した不活性ガス雰囲気下における物理蒸着法によって製造することができる。 - 特許庁

Thereby, a function of wide-band 1/2 wavelength plate is materialized by using the stractural birefringence of oblique vapor deposition films.例文帳に追加

これにより、斜め蒸着膜の構造複屈折性を用いて広帯域な１／２波長板の機能を実現したものである。 - 特許庁

MASK CLEANING LIQUID COMPOSITION USED AT VACUUM VAPOR DEPOSITION PROCESS OF LOW MOLECULE TYPE ORGANIC EL ELEMENT, AND CLEANING METHOD例文帳に追加

低分子型有機ＥＬ素子製造の真空蒸着工程において使用するマスクの洗浄液組成物および洗浄方法 - 特許庁

Vapor deposition is carried out selectively in one chamber and three different luminous layers (layers containing organic compound) are formed.例文帳に追加

本発明は、１つのチャンバーで選択的に蒸着を行い、異なる３つの発光層（有機化合物を含む層）を形成する。 - 特許庁

Cross-talk is avoided by directing the opening part 4a when measuring the vapor deposition rate in the direction different from the substrate direction.例文帳に追加

蒸着レートを測定するときの開口部４ａを基板方向と異なる方向に向かせることでクロストークを回避する。 - 特許庁

SOLUTION RAW MATERIAL FOR ORGANOMETALLIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD CONTAINING TANTALUM COMPLEX AND TANTALUM-CONTAINING THIN FILM PRODUCED BY USING THE SAME例文帳に追加

タンタル錯体を含む有機金属化学蒸着法用溶液原料及びそれを用いて作製されたタンタル含有薄膜 - 特許庁

PROCESS AND SYSTEM FOR METAL ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION(MOCVD) FOR LEAD GERMANIUM OXIDE (PGO) THIN FILM AND ANNEALING例文帳に追加

ゲルマニウム酸化鉛（ＰＧＯ）薄膜の金属有機化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）およびアニーリングのための方法およびシステム - 特許庁

METHOD OF FORMING PrxCa1-xMnO3 THIN FILM HAVING PrMnO3/CaMnO3 SUPERLATTICE STRUCTURE BY METAL-ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION例文帳に追加

有機金属化学気相成長法によるＰｒＭｎＯ３／ＣａＭｎＯ３超格子構造を有するＰｒｘＣａ１−ｘＭｎＯ３薄膜の形成方法 - 特許庁

RAW MATERIAL FOR CVD AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME AND METHOD FOR CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF RUTHENIUM OR RUTHENIUM COMPOUND THIN FILM例文帳に追加

ＣＶＤ用原料化合物及びその製造方法並びにルテニウム又はルテニウム化合物薄膜の化学気相蒸着方法 - 特許庁

The sheet made from the metal 34 is used as the vapor deposition mask 20 after having been separated from the sheet made from the resin 32.例文帳に追加

前記金属製シート３４は、前記樹脂製シート３２と分離された後に、蒸着マスク２０として用いられるようになる。 - 特許庁

LANTHANUM TRIS(DIISOBUTYRYLMETHANATE), METHOD FOR PRODUCING THE SAME AND METHOD FOR PRODUCING PLZT FILM USING THE SAME BY CHEMICAL VAPOR DEPOSITION例文帳に追加

トリス（ジイソブチリルメタナート）ランタンとその製法およびそれを用いた化学気相成長法によるＰＬＺＴ薄膜の製造方法 - 特許庁

EXHAUST GAS CLEANING SYSTEM, SEMICONDUCTOR MANUFACTURING APPARATUS, CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD OF COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL, AND COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL例文帳に追加

排ガス浄化システム、半導体製造装置、化合物半導体結晶の気相成長方法、および化合物半導体結晶 - 特許庁

To provide a method for dry etching without re-vapor deposition of etching residues, when a ferroelectric substance capacitor structural body is formed.例文帳に追加

強誘電体キャパシタ構造体を形成する際の蝕刻残留物の再蒸着のない乾式蝕刻方法を提供する。 - 特許庁

The vapor deposition system is composed of: an electron beam irradiation apparatus (2) arranged in a vapor deposition chamber (4) and irradiating the upper face (11) of a vapor depositing material (9) with an electron beam; and an irradiating area controller controlling the irradiating area of the upper face (11) of the vapor depositing material or controlling the physical volume corresponding to the irradiating area.例文帳に追加

蒸着室（４）の中に配置され蒸着材料（９）の上面（１１）に電子ビームを照射する電子線照射装置（２）と、上面（１１）に照射される照射面積を制御し、又は、照射面積に対応する物理量を制御することによりその上面（１１）に照射される照射面積を制御する照射面積制御装置とから構成されている。 - 特許庁

It is preferred that the inorganic substance is vapor-deposited in the different film deposition regions on the substrate at the different film deposition rates by successively changing the film deposition regions on the substrate by continuously changing the relative positional relation between the substrate and a deposition-preventive member having an opening portion for limiting the film deposition regions on the substrate.例文帳に追加

前記基板と、基板上の成膜領域を制限するための開口部を有する防着部材との相対的位置関係を連続的に変化させることによって基板上の成膜領域を連続的に変化させて、前記基板上の異なる成膜領域に、異なる成膜速度で無機物を蒸着することが好ましい。 - 特許庁

To provide a vapor deposition method for thin films capable of increasing the rate of vapor deposition while making film thicknesses more uniform in depositing the thin films on a substrate by evaporation, an organic electroluminescence device, a method for manufacturing the organic electroluminescence device, and electronic apparatus.例文帳に追加

本発明は、基板に薄膜を蒸着させるときに、その膜厚の均一化を図りながら蒸着速度を高めることができる薄膜の蒸着方法、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法及び電子機器を提供する。 - 特許庁

The barrier metal film is formed within chemical vapor deposition process chambers P11, P12, P13 which are attached to the first transfer chamber T1, and the metal film is formed within chemical vapor deposition process chambers P21, P22 which are attached to the second transfer chamber T2.例文帳に追加

また、障壁金属膜は、前記第１トランスファーチャンバーＴ１に付着されたＣＶＤ工程チャンバーＰ１１，Ｐ１２，Ｐ１３内で形成され、金属膜は第２トランスファーチャンバーＴ２に付着されたＣＶＤ工程チャンバーＰ２１，Ｐ２２内で形成される。 - 特許庁

Since the barrier vapor deposition layer and the protective layer both of which have smooth surfaces become low in oxygen or moisture adsorbability, high gas barrier properties are imparted to the whole of the gas barrier film and the protective layer protects the barrier vapor deposition layer from an acidic liquid such as an etching liquid or the like.例文帳に追加

表面が平滑なバリア性蒸着層と保護層での酸素や水分の吸着性が低いものとなり、これにより、ガスバリアフィルム全体に高いガスバリア性が付与され、保護層がエッチング液等の酸性液からバリア性蒸着層を保護する。 - 特許庁

A first epitaxial growth step of forming a buffer layer 3 on a base plate and a second epitaxial growth step of forming a compound semiconductor layer 4 on the buffer layer 3 are carried out at a growth temperature of ≤600°C by an MOCVD (metal organic chemical vapor deposition) method.例文帳に追加

基体上にバッファ層３を形成する第１のエピタキシャル成長工程と、このバッファ層３上に化合物半導体層４を形成する第２のエピタキシャル成長工程とを、６００℃以下の成長温度におけるＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法によって行う。 - 特許庁

A degassing cutout part 11 to connect an upper face 10a of a crucible to a lower face 10b thereof is formed in an outer circumferential surface of a crucible 10 for vapor deposition which is opened upwardly and downwardly and has a cavity part 6 to store sintered body pellets 2 consisting of the vapor deposition material.例文帳に追加

上方および下方に開放し、蒸着材料からなる焼結体ペレット２を収容する空洞部６を有する蒸着用るつぼ１０の外周面に、るつぼの上面１０ａと下面１０ｂを接続するガス抜き用切欠部１１を形成する。 - 特許庁

The print having the double-sided decoration properties is produced by laminating a metallic gloss layer on one surface of a transparent plastic film by applying multi-color printing, and applying printing by vapor deposition, sputtering, or a metallic ink or laminating a vapor deposition film on the printed surface.例文帳に追加

本発明の両面装飾性を有する印刷物は、透明なプラスチックフィルムの片面に、多色印刷を施し、更にその印刷面に、蒸着、スパッタリング、金属インキでの印刷、或いは蒸着フィルムのラミネートにより、金属光沢層を積層させてなる。 - 特許庁

A lithium ion secondary battery is manufactured by forming a positive electrode layer on a base material with a flat surface by a chemical vapor deposition method, specifically an metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) method, forming an electrolyte layer on the positive electrode layer, and forming a negative electrode layer on the electrolyte layer.例文帳に追加

平面を有する基材上に化学気相成長法、具体的には有機金属気相成長法により正極層を形成し、正極層上に電解質層を形成し、電解質層上に負極層を形成するリチウムイオン二次電池を作製する。 - 特許庁

To provide a vacuum vapor deposition apparatus where, when vapor deposition is performed in such a manner that a plurality of vaporization materials are mixed using a plurality of linear-shaped vaporization sources, a homogeneous thin film in which the mixing ratio of the vaporization materials is made constant in the film thickness direction can be deposited.例文帳に追加

ライン状の蒸発源を複数用い、複数の蒸発材料を混合して蒸着を行う際、膜厚方向において、蒸発材料の混合比が一定となる均質な薄膜を形成することができる真空蒸着装置を提供する。 - 特許庁

Then, a cleaning liquid is sprayed to the first surface of the vapor deposition mask 2 with the help of a first cleaning means 6 with a nozzle, and the cleaning liquid to which ultrasonic wave is applied, is sprayed to the second surface of the vapor deposition mask 2 by a second cleaning means 6 with a nozzle.例文帳に追加

ノズルを有する第１の洗浄手段６によって蒸着マスクの第１の面に洗浄液を照射し、ノズルを有する第２の洗浄手段６によって超音波を印加した洗浄液を蒸着マスクの第２の面に照射する。 - 特許庁

To manufacture a vapor deposition mask for obtaining a prescribed shape and a prescribed circuit pattern by sticking and fixing a metallic mask 4 impossible to keep a prescribed dimension and shape in the metallic mask single body to a vapor deposition fixture frame for an organic electroluminescence element.例文帳に追加

本発明は、メタルマスク単体にて所定の寸法形状を維持できないメタルマスク４を、有機エレクトロルミネセンス素子用蒸着治具枠へ接着固定し、所定の寸法形状および所定の回路パターンを実現する蒸着マスクを作成することを目的とする。 - 特許庁