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Vapor Depositionの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 5223件
CHEMICAL VAPOR DEPOSITION SYSTEM PROVIDED WITH SELECTIVE PUMP GROUP CONNECTED IN CASCADED WAY AND MONITORING DEVICE FOR SELECTIVE PUMP GROUP CONNECTED IN CASCATED WAY例文帳に追加
カスケード式に接続された選択的ポンプ群を備える化学気相蒸着装置と、カスケード式に接続された選択的ポンプ群のモニター装置 - 特許庁
Subsequently, at least one among sputtering method, vapor deposition method, plating method and printing method is applied to the surface of the filter membrane and forms a conductive membrane.例文帳に追加
次いで、前記ろ過膜の表面にスパッタリング法、蒸着法、メッキ法及び印刷法の少なくとも一つを用いて導電膜を形成する。 - 特許庁
To provide a process for forming silicon carbo-nitride films on a substrate through chemical vapor deposition of a silicon carbo-nitride film forming precursor.例文帳に追加
炭窒化ケイ素膜形成用前駆体の化学気相成長により基材上に炭窒化ケイ素膜を形成するための方法を提供する。 - 特許庁
Therein, the cooling is satisfactorily performed by travelling the substrate 6 such that both surfaces of the substrate 6 are brought into contact with a plurality of cooling rollers 7 immediately after vapor deposition.例文帳に追加
蒸着直後に複数の冷却ローラ7に基板6の両面が接触するように走行させて良好に冷却を行う。 - 特許庁
To provide a guide roll which is provided in a vacuum chamber of the vapor-deposition apparatus and does not form a fold in a film even when the film moves back and forth.例文帳に追加
蒸着装置の真空室内に設置するガイドロールにおいて、フィルムが往復してもフィルムに皺が発生しないガイドロールを提供する。 - 特許庁
To provide a CVD (Chemical Vapor Deposition)-SiC formed body having excellent light non-transmissibility and suitably used as a heat resistant member, and to provide its production method.例文帳に追加
耐熱部材として好適に用いられる光不透過性に優れたCVD−SiC成形体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a vacuum evaporation system and method for controlling a vapor deposition rate without using a quartz oscillator.例文帳に追加
この発明は、水晶振動子を用いることなく蒸着速度を制御する真空蒸着装置及び方法を提供することを課題とする。 - 特許庁
To provide a source gas feeding device capable of correctly adjusting the pressure of a source gas when a thin film is deposited by a chemical vapor deposition process.例文帳に追加
化学蒸着法による薄膜蒸着時に、ソースガスの圧力を正確に調節することができるソースガス供給装置を提供する。 - 特許庁
To provide a heating element for vapor deposition which is least deformed during the use, free from any cracks, and capable of performing the consistent use.例文帳に追加
使用中に極めて変形が少なく、亀裂、割れなども起こらず、安定使用することが出来る蒸着用発熱体を提供すること。 - 特許庁
An MgO added alumina film 9 is deposited by means of a plasma enhanced chemical vapor deposition method using aluminum alkoxide, organic magnesium compound and oxygen as raw materials.例文帳に追加
アルミニウムアルコキシド、マグネシウム有機物、及び、酸素を原料としたプラズマ化学気相堆積法によって、MgO添加アルミナ膜9を堆積する。 - 特許庁
A transmittance controlling film is formed by vapor deposition on the opposite face to the antireflection film of the plastic substrate or on the antireflection film.例文帳に追加
プラスチック基材における反射防止膜の反対側の面又は反射防止膜上に蒸着により透過率制御膜を形成する。 - 特許庁
The member can be stably manufactured by a physical vapor deposition method under an inert gas atmosphere introduced in a vacuum tank.例文帳に追加
この部材は、例えば、真空槽内に導入した不活性ガス雰囲気下における物理蒸着法によって安定して製造することができる。 - 特許庁
The sheet 60 provided with the vapor deposition mask is provided with a sheet made from a resin 32 and a sheet made from a metal 34 which is laminated with the sheet made from the resin.例文帳に追加
蒸着マスク付シート60は、樹脂製シート32と、前記樹脂製シートと積層された金属製シート34とを備えている。 - 特許庁
The total concentration of carbon, magnesium, silicon, manganese, aluminum and titanium contained in the cobalt-based stock for vapor deposition is controlled to 42 to 71 ppm.例文帳に追加
コバルト系蒸着用素材に含まれる炭素、マグネシウム、珪素、マンガン、アルミニウム、およびチタンの濃度を、合計で42〜71ppmとなるようにする。 - 特許庁
Such compositions have improved thermal stability and increased volatility as compared to the amido-group-containing vapor deposition precursor itself.例文帳に追加
このような組成物は、アミド基含有蒸着前駆体自体と比較したとき、改良された熱安定性及び増加した揮発度を有する。 - 特許庁
A method for attaching the dielectric film showing the low dielectric constant to the semiconductor and/or the integrated circuit is provided by chemical vapor deposition (CVD).例文帳に追加
化学蒸着(CVD)により半導体及び/又は集積回路に低誘電率を示す誘電性フィルムを付着する方法が提供される。 - 特許庁
The Si3N4 is deposited on the substrate 11 at 600-1,400°C by a chemical vapor deposition method using a silane (SiH4) and ammonia (NH3) as raw material gases.例文帳に追加
Si_3N_4は、シラン(SiH_4)とアンモニア(NH_3)を原料ガスとして化学気相堆積法により、600〜1400℃で基板上に堆積する。 - 特許庁
The vapor deposition agent is sucked from a suction nozzle 3 and separated from air by a cyclone 6 to be deposited on the bottom of cyclone 6.例文帳に追加
吸引ノズル3から蒸着剤を吸引し、サイクロン6で空気と蒸着剤を分離し、サイクロン6の底部に蒸着剤を堆積させる。 - 特許庁
SiO2-GeO2 glass is irradiated with electrons to form a SiO2-GeO2 thin film 12 by electron beam vapor deposition on the surface of a substrate 10.例文帳に追加
SiO_2−GeO_2ガラスに電子を照射し、基板10の表面に電子ビーム蒸着によりSiO_2−GeO_2薄膜12を形成する。 - 特許庁
A positive electrode 106 and a negative electrode 107 are film-formed by vapor-deposition, respectively, and both are so formed as to have an almost equal film thickness.例文帳に追加
正電極106と負電極107は、それぞれ蒸着により成膜されており、両者は略同じ膜厚に形成されている。 - 特許庁
The above alloy material can be produced by depositing the alloy having the above composition on a substrate with an electron-beam vapor-deposition method.例文帳に追加
上記合金材は、電子ビーム蒸着法によって基板上に上記組成を有する合金を堆積させることによって製造できる。 - 特許庁
To provide a hafnium precursor able to be used for heaping a hafnium metal oxide thin film by CVD or ALCVD (atomic layer chemical vapor deposition).例文帳に追加
CVDまたはALCVDによってハフニウム金属酸化物薄膜を堆積するために用いられ得るハフニウム前駆体を提供すること。 - 特許庁
This film of the amorphous carbon is formed by physical vapor deposition in which graphite is made as a raw material under the atmosphere not including hydrogen practically.例文帳に追加
この非晶質カーボン膜は、グラファイトを原料として実質的に水素を含まない雰囲気下の物理的蒸着法により形成する。 - 特許庁
The film of fluorine carbide substance molecule is formed on the substrate surface by a plasma chemical vapor-deposition method using a fluorine carbide substance as a material gas.例文帳に追加
炭化フッ素系物質を原料ガスとするプラズマ化学蒸着法により基板表面に炭化フッ素系物質分子の膜を形成する。 - 特許庁
The transparent inorganic membrane layer is preferably a silicon nitride membrane and preferably formed by a chemical gaseous phase vapor deposition method.例文帳に追加
上記の透明無機薄膜層は、窒化珪素膜であることが好ましく、更に化学的気相蒸着方法により形成されることが好ましい。 - 特許庁
The method for reducing a photoresist contamination from a silicon carbide film comprises a step of precoating a vapor deposition chamber using trimethylsilane and oxygen before forming a silicon carbide layer.例文帳に追加
この方法は、炭化ケイ素層を形成する前に、トリメチルシランと酸素とを含む蒸着室プレコート処理を実施することを含んでいる。 - 特許庁
This manufacturing method comprises sequentially electropolishing and ion-etching an uneven substrate as a pretreatment before forming a coating with a physical vapor-deposition (PVD) process.例文帳に追加
凹凸形状の基材を対象に、PVD法による皮膜形成の前処理として、電解研磨処理とイオンエッチング処理とを順に行う。 - 特許庁
A semiconductor substrate on which a polysilicon film is formed is positioned in a reaction chamber of a plasma chemical vapor deposition apparatus (step S10).例文帳に追加
その上にポリシリコン膜が形成された半導体基板をプラズマ化学気相蒸着装置の反応チャンバ内に位置させる(段階S10)。 - 特許庁
On the GaN substrates, an epitaxial substrate is manufactured by growing a plurality of epitaxial films for a laser diode by metal organic vapor deposition.例文帳に追加
該GaN基板上に、レーザダイオードのための複数のエピタキシャル膜を有機金属気相成長法で成長してエピタキシャル基板を作製した。 - 特許庁
TANTALUM COMPLEX AND SOLUTION RAW MATERIAL CONTAINING THE COMPLEX AND USED FOR ORGANIC METAL CHEMICAL VAPOR DEPOSITION METHOD AND TANTALUM-CONTAINING THIN FILM FORMED FROM THE SAME例文帳に追加
タンタル錯体及び該錯体を含む有機金属化学蒸着法用溶液原料並びにこれを用いて作製されたタンタル含有薄膜 - 特許庁
A thin film of plutonium 238 is formed between a conductive transparent film and a semiconductor layer P of the solar cell by a vapor deposition method or the like.例文帳に追加
太陽電池の透明導電膜と半導体のP層の間にプルトニウム238を蒸着等の方法で薄膜として形成する。 - 特許庁
An i-type amorphous silicon film 2 is then formed on the major surface of the n-type single crystal silicon substrate 1 by plasma CVD (chemical vapor deposition).例文帳に追加
次に、プラズマCVD(化学蒸着)法によりn型単結晶シリコン基板1の主面上にi型非晶質シリコン膜2を形成する。 - 特許庁
The pin hole detection layer 30 has a structure in which an organic material is doped with alkali metal or alkaline earth metal, and is formed by vapor deposition.例文帳に追加
ピンホール検出層30は、有機材料にアルカリ金属またはアルカリ土類金属がドープされた構成であり、蒸着によって形成される。 - 特許庁
The purity of the MgO vapor deposition material is 99.0% or higher, its relative density is 90.0% or higher and its outside volume is 35-1,500 mm^3.例文帳に追加
MgO純度が99.0%以上かつ相対密度が90.0%以上で、外形体積が35mm^3 〜1500mm^3 である。 - 特許庁
Besides, an adhesive layer 7 is laid in contact with the aluminum vapor deposition part 6 so that the medium 1 for judging authenticity is made stickable to an arbitrary article.例文帳に追加
また、アルミ蒸着部6と接して粘着剤層7を積層し、真贋判定用媒体1を任意の物品に貼付可能とする。 - 特許庁
The bright line frame 21 formed by printing is more inexpensive because it requires less manufacture man-hour than when it is formed by vapor deposition.例文帳に追加
輝線枠21を蒸着により形成する場合と比べ、印刷により形成された輝線枠21は製造工数が少なく、低コストである。 - 特許庁
To perform diamond coating controlled in film quality to a relatively thin film on a rugged surface of an industrial cutting tool by a hot filament CVD (Chemical Vapor Deposition) process.例文帳に追加
熱フィラメントDVD法より工業用刃物に凹凸面の比較的薄膜に膜質制御されたダイヤモンドコーティングを行うこと。 - 特許庁
An MgO purity of MgO vapor deposition material is 99.0% or more and relative density 90.0% or more, and outside volume is 35 mm-1,500 mm.例文帳に追加
MgO純度が99.0%以上かつ相対密度が90.0%以上で、外形体積が35mm^3 〜1500mm^3 である。 - 特許庁
This forming method includes dispersingly depositing an anchor metal 7 on the surface of a master mold (M) with an arc plasma method, and vapor-depositing a metal different from the anchor metal thereon with a physical vapor deposition method to form an electroconductive layer 8.例文帳に追加
マスター型Mの表面にアークプラズマ法によってアンカー金属7を離散的に付着させ、その後、アンカー金属とは異なる金属を物理的蒸着法によって蒸着して導電層8を形成する。 - 特許庁
After annealing, another organic film layer is formed on the surface of the organic film layer after the annealing by vapor of the organic vapor deposition material which has passed the holes 11.例文帳に追加
アニール後、マスク10と成膜対象物71との相対的な位置関係を変えずに、孔11を通過した有機蒸着材料の蒸気によって、アニール後の有機薄膜層表面に他の有機薄膜層を形成する。 - 特許庁
In the vapor deposition chamber 31, a crucible 37 confronted with the face 2a to be vapor-deposited in the front substrate 2, and a plurality of rods 40 located between the front substrate and the crucible and composing a plurality of slits 41 are arranged.例文帳に追加
蒸着室31内には、前面基板2の被蒸着面2aと対向したるつぼ37と、前面基板およびるつぼの間に位置し、複数のスリット41を構成した複数の棒40が配置されている。 - 特許庁
Preferably, one of the sheet-like members is metallic foil or a plastic film with a vapor deposition layer with a metal oxide or nonmetallic inorganic oxide vapor-deposited on at least one face of the plastic film.例文帳に追加
好ましくは、シート状部材の1つが、金属箔であるか、あるいは、プラスチックフィルムの少なくとも一方の面に金属酸化物もしくは非金属無機酸化物が蒸着されてなる蒸着層付きプラスチックフィルム。 - 特許庁
This thermal physical vapor deposition apparatus includes an elongated vapor distributor which is disposed in a chamber retained at a reduced pressure and spaced from a structure to be receiving an organic layer forming a part of the OLED.例文帳に追加
本発明による熱物理蒸着装置は、減圧下に保持されたチャンバ内に、OLEDの一部を形成する有機層を受容することとなる構造体から離して配置された細長い蒸気ディストリビュータを含む。 - 特許庁
Dispersion of a plurality of nanoparticles is conducted by a step of decompressing an internal pressure less than the atmospheric pressure using a vapor deposition apparatus so that the nanoparticles of nanoparticle precursors are vapor deposited on the ion gel.例文帳に追加
複数のナノ粒子の分散は、ナノ粒子分散イオンゲルは、内部気圧を大気圧よりも減圧させた蒸着装置を用いて、ナノ粒子前駆体のナノ粒子をイオンゲルに蒸着させる工程により行われる。 - 特許庁
A plasma treatment surface is provided on one surface of a polyamide resin film and a vapor deposition film of an inorganic oxide with a thickness of 4-10 nm due to a chemical vapor phase growing method is provided on the plasma treatment surface to constitute a transparent barrier film.例文帳に追加
ポリアミド系樹脂フィルムの一方の面に、プラズマ処理面を設け、更に、該プラズマ処理面の面に、化学気相成長法による膜厚4〜10nmの無機酸化物の蒸着膜を設けた透明バリア性フィルム。 - 特許庁
To provide a base film for vapor deposition having a clean surface greatly improving a gas barrier property of a vapor-deposited film used for packaging of pharmaceuticals, electronic materials, foods or cosmetics, requiring a high gas barrier property.例文帳に追加
医薬品、電子材料、食品、化粧品など高いガスバリア性を要求される包装に使用される蒸着フィルムのガスバリア性を大幅に改善できる清浄な表面を有する蒸着用ベースフィルムを提供する。 - 特許庁
To provide a vacuum deposition system where sufficient degassing can be performed, the perfect stop of the feed in the vapor of an evaporation material can be performed, and the evaporation material can be controlled to a desired vapor flow rate at high precision.例文帳に追加
十分な脱ガスができ、蒸発材料の蒸気の供給の完全停止を行うことができ、蒸発材料を所望の蒸気流量に高精度で制御できる真空蒸着装置を提供する。 - 特許庁
As a first method, tetraethylorthosilicate Si(OC2H5)4 is employed as a film deposition material in order to reduce crystal defects occurring as a silicon oxide film is grown by chemical vapor deposition.例文帳に追加
第1の方法として、化学気相成長によりシリコン酸化膜を成長させるに伴って発生してしまう結晶欠陥を少なくすべく、成膜の原料として、テトラエチルオルトシリケートSi(OC2H5)4を用いる方法を提供する。 - 特許庁
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