「Vapor Deposition」に関連した英語例文の一覧と使い方(64ページ目) - Weblio英語例文検索

A laminated structure excellent in gas barrier properties is constituted by applying a metal oxide sol to the vapor deposition surface of a vapor deposition plastic film wherein a membrane comprising metal oxide is formed on at least one surface of a base material film to provide a coating layer and laminating a sealnt layer on the coating layer.例文帳に追加

金属酸化物から成る薄膜を基材フィルムの少なくとも一方の面に形成した蒸着プラスチックフィルムの蒸着面上に、金属酸化物ゾルをコーティングしてなるコーテイング層を設け、該コーティング層上にシーラント層を積層してなることを特徴とするガスバリア性に優れた積層構造体。 - 特許庁

To provide a magnesium oxide powder which is a raw material for manufacturing a polycrystalline magnesium oxide vapor deposition material usable in industrially advantageously depositing a protective film of a dielectric layer of an AC (Auxiliary Channel) type plasma display panel by an electron beam vapor deposition process by developing a method capable effectively granulating the magnesium oxide powder by using water.例文帳に追加

酸化マグネシウム粉末を水を用いて効率良く造粒できる方法を開発して、工業的に有利に、電子ビーム蒸着法によりＡＣ型プラズマディスプレイパネルの誘電体層の保護膜を成膜する際に用いる多結晶の酸化マグネシウム蒸着材を製造することができる方法を提供すること。 - 特許庁

In the case thin films are deposited by generating the plasma of a gas which has diffused into a reaction vessel 10, high voltage pulses with a peak voltage VP of 1 kV to about 40 kV are applied to a supporting base ST on which a vapor-deposition object WO is placed, and cations in the plasma reach the vapor-deposition object WO with a comparatively high energy.例文帳に追加

反応容器１０中に拡散したガスをプラズマ化して成膜を行なう際には、被蒸着物ＷＯを載置する支持台ＳＴに１ｋＶ〜４０ｋＶ程度のピーク電圧ＶＰの高電圧パルスが印加されて、プラズマ中の陽イオンが比較的高エネルギーで被蒸着物ＷＯに入射する。 - 特許庁

When cleaning a mask by irradiating a vapor deposition material deposited on the mask with laser beam emitted from a laser beam source, the shape of the laser beam is changed from a circular shape to an elliptical shape, and the vapor deposition material deposited on the mask is irradiated with the laser beam of the elliptical shape for cleaning.例文帳に追加

本発明はレーザ光源から出射されるレーザ光をマスクに付着した付着蒸着材料に照射し該マスクを洗浄する際に、前記レーザ光を円形状から楕円形状に変更し、該楕円形状のレーザ光を前記マスクの前記付着蒸着材料に照射し洗浄することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a catalytic chemical vapor deposition device that can form a film with desired precision while suppressing twisting of a catalyst line suspended in a chamber to be folded back in a vertical direction, especially, a catalytic chemical vapor deposition device which is effective for forming the film in a film formation region of large area.例文帳に追加

垂直方向に折り返すようにチャンバの内部に吊り下げられた触媒線のねじれを抑制し、所望の精度で成膜を行うことが可能な触媒化学気相成長装置、特に、大面積の成膜領域に成膜を行う場合に有効な触媒線化学気相成長装置を提供すること。 - 特許庁

The metal vapor deposition heat transfer ribbon is the heat transfer ribbon constituted by making at least a removing layer, a colored ink layer, a metal vapor deposition layer, and an adhering layer in series overlie the support layer and is characterized in that the removing layer contains a certain amount of an acetophenoneketon resin and a derivative of the same having a specified softening point.例文帳に追加

支持体上に少なくとも離型層、着色インク層、金属蒸着層、接着層を順次積層してなる熱転写リボンであって、前記離型層が特定の軟化点を有するアセトフェノンケトン樹脂及びその誘導体を特定量含むことを特徴とする、金属蒸着熱転写リボン。 - 特許庁

A coating layer of inorganic compound deposited by performing vapor phase deposition with the vapor deposition speed per one side being in a range of 0.02-50 nm/sec. in the atmosphere of ≥0.1 atm. in the total pressure on the surface of the grain oriented silicon steel sheet in which generation of forsterite is suppressed or generated forsterite is removed.例文帳に追加

フォルステライトの生成を抑止するかまたは生成したフォルステライトを除去した方向性電磁鋼板の表面に、全圧が0.1atm以上の雰囲気中で、片面あたりの蒸着速度を0.02〜50nm／秒の範囲とする気相蒸着を施すことにより、無機化合物の被覆層を形成することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a dense surface-treated aluminum material excellent in corrosion resistance to corrosive gaseous chlorine and plasma introduced into a vacuum system such as a CVD (chemical vapor deposition) system and a PVD (physical vapor deposition) system, wear resistance and the capacity of suppressing out gas, and capable of reaching a prescribed vacuum at a high speed, and to provide its production method.例文帳に追加

緻密で、ＣＶＤ装置やＰＶＤ装置等の真空装置内に導入される腐食性の塩素ガスやプラズマに対する耐食性、耐摩耗性及びアウトガスの抑制能力に優れ、高速で所定の真空度に到達することのできる表面処理アルミニウム材とその製造方法を提供することである。 - 特許庁

In the packaging material for wiener, a vapor deposition film of an inorganic oxide is formed on one side of a substrate film, and at least a primer layer, an adhesive layer, and a heat-sealable resin layer are laminated in turn on the vapor deposition film.例文帳に追加

基材フィルムの一方の面に、無機酸化物の蒸着膜を設け、更に、該無機酸化物の蒸着膜の上に、少なくとも、プライマー剤層、接着剤層およびヒートシール性樹脂層を順次に積層したことを特徴とするウィンナ用包材およびそれを使用したウィンナ充填包装用袋に関するものである。 - 特許庁

When a vapor deposition material is ionized by the plasma beam, collides against the substrate W and is deposited thereon, the kinetic energy on the collision of the ions of the vapor deposition material against the substrate is remarkably relaxed since the electric fields of the potential to be a reverse bias to the hearth are generated in the vicinity of the surface of the substrate W.例文帳に追加

蒸着物質が、プラズマビームによりイオン化され、基板Ｗに衝突し、付着するとき、基板Ｗの表面近傍には、さらにハースに対して逆バイアスとなる電位の電界が生成されているため、蒸着物質のイオンが基板に衝突するときの運動エネルギーは、大きく緩和される。 - 特許庁

In the vapor deposition source container for depositing a thin film having a recessed part 2 (a cavity) to store a vapor deposition substance and clamp parts 1 to connect an electrode at both ends of the cavity, the sectional area of the clamp part 1 is constant, and the electric resistance of the clamp part 1 is higher than that of the cavity part 2.例文帳に追加

蒸着物質を収容する窪み（キャビティー）部２とその両端に電極を連結するクランプ部１を有する蒸着源容器において、クランプ部１の断面積が一定であり、且つクランプ部１がキャビティー部２よりも電気抵抗が高いことを特徴とする薄膜形成用蒸着源容器。 - 特許庁

This vapor deposition film comprises a primer layer made of a composite material containing a polyol, an isocyanate compound and an aluminum complex and a thin film vapor deposition layer made of an inorganic oxide which meets the required thickness limits of 5-300 nm, sequentially laminated on at least one of the sides of a plastic base made of a plastic material.例文帳に追加

プラスチック材料からなるプラスチック基材の少なくとも片面に、ポリオール、イソシアネート化合物およびアルミニウム錯体を含む複合物からなるプライマー層と、厚さが５〜３００ｎｍの範囲を満たす無機酸化物からなる蒸着薄膜層とを順次積層したことを特徴とする蒸着フィルムである。 - 特許庁

The method of manufacturing the heteroepitaxial wafer includes the steps of homoepitaxially growing an SiC epitaxial layer 9 by a hydride vapor deposition directly on the main surface of the SiC substrate 1 made of an SiC single crystal, and heteroepitaxially growing the GaN compound semiconductor layer 3 by an organic metal vapor deposition on the SiC epitaxial layer 9.例文帳に追加

ＳｉＣ単結晶からなるＳｉＣ基板１の主表面直上に、ハイドライド気相成長法にてＳｉＣエピタキシャル層９をホモエピタキシャル成長させ、該ＳｉＣエピタキシャル層９の上に、有機金属気相成長法にてＧａＮ系化合物半導体層３をヘテロエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

To provide an anode structure and material capable of correcting into a vapor deposition method with weak attacking property such as a thermal vapor deposition and also provide an anode structure capable of controlling so that the anode and/or an OLED may be made reflective in substance by adjusting the transmittance or non-transmittance of the anode.例文帳に追加

熱蒸着などの攻撃性の弱い蒸着法に修正可能なアノード構成および材料を提供するとともに、アノードの透過度または不透過度を調整してアノードおよび／またはＯＬＥＤが実質的に反射性に作られるように制御できるようなアノード構成も提供する。 - 特許庁

To provide a ZnO vapor deposition material excellent in compositional uniformly by suppressing the segregation of rare axide containing one element selected from the rare earth element in a ZnO sintered compact to be used for the vapor deposition material.例文帳に追加

蒸着材に用いられるＺｎＯ焼結体において、希土類元素群から選ばれた１種の元素を含む希土類元素酸化物の偏析を抑制し、組成均一性に優れたＺｎＯ蒸着材を提供するとともに、蒸着膜の組成が均一なＺｎＯ膜が得られるＺｎＯ蒸着材を提供する。 - 特許庁

The radiation image conversion panel manufacturing method comprises a step of checking the surface state of a substrate before vapor deposition after a vacuum chamber is evacuated while a substrate is set in the vacuum chamber of a vacuum vapor deposition apparatus, and a step of depositing a fluorescent body layer on the surface of the substrate.例文帳に追加

真空時蒸着装置の真空チャンバ内に基板がセットされた状態で、前記真空チャンバ内を真空に排気した後に、蒸着前の前記基板の表面状態を確認する工程と、前記基板表面に蛍光体層を形成する工程とを有することを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法。 - 特許庁

In a laminate constituted by laminating a vapor deposition thin film layer 2 on at least one surface of a transparent base material film 1, a ratio of x:y of aluminum oxide (AlxOy) constituting the vapor deposition thin film layer 2 changes to x:y=2:2-2:4 continuously from the base material film 1 to a film thickness direction.例文帳に追加

透明な基材フイルム１の少なくとも一方の面に蒸着薄膜層２を積層した積層体において、該蒸着薄膜層２を構成するアルミニウムの酸化物（ＡｌｘＯｙ）のｘとｙの比が、基材フイルム１側から膜厚方向にｘ：ｙ＝２：２〜２：４に連続的に変化したものからなることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a gas barrier laminated polyester film having excellent adhesiveness with respect to a vapor deposition metal layer, excellent in gas barrier properties, especially steam barrier properties after vapor deposition and having excellent adhesiveness and gas barrier properties with respect to a base material film even after high temperature hot water treatment such as boiling treatment, retorting treatment or the like is applied, and its manufacturing method.例文帳に追加

蒸着金属層との優れた接着性を有し、それにより蒸着後のガスバリア性、とりわけ水蒸気バリア性に優れ、かつ、ボイル、レトルトなどの高温熱水処理を施した後も、基材フィルムとの優れた接着性、ガスバリア性を有するガスバリア性積層ポリエステルフィルムおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The first and the third optically anisotropic layers 37 and 39 are negative birefringent structures each comprising a vapor deposition thin film of an inorganic material formed by oblique vapor deposition while a substrate is rotated and an incident angle is changed, and compensate positive optical retardation generated by hybrid alignment regions A2.例文帳に追加

第１の光学異方性層３７及び第３の光学異方性層３９は、基板を回転させ、入射角度を変化させながら斜方蒸着した無機材料の蒸着薄膜からなる負の複屈折性構造体であり、ハイブリッド配向領域Ａ２により生じる正の位相差を補償する。 - 特許庁

The method for manufacturing a graphite material with coated surface comprises chemical vapor deposition of a raw material as a pyrolytic carbon source on a graphite material element to form a pyrolytic carbon coating layer and thereafter heat-treating of the coating layer at a temperature higher than the chemical vapor deposition temperature.例文帳に追加

表面が被覆された黒鉛材料の製造方法において、熱分解炭素源となる原料を黒鉛材料素材に化学蒸着させて、熱分解炭素被覆層を生成させた後、蒸着温度よりも高い温度で熱処理することを特徴とする黒鉛系炭素材料の製造方法。 - 特許庁

In this method, a layer of a low molecule compound is deposited on the face of a base material film, a metallic vapor deposition thin film is deposited on the low molecule compound layer, thereafter, solvent treatment with water or the like or mechanical peeling is performed by utilizing the solubility or peelability of the low molecule compound, and the metallic vapor deposition thin film layer is peeled and pulverized.例文帳に追加

基材フイルムの面に、低分子化合物の層を形成し、その低分子化合物層上に金属蒸着薄膜層を形成し、後該低分子化合物の可溶解性や剥離性を利用して、水等の溶媒処理や機械的剥離を施して、金属蒸着薄膜層を剥離し粉砕する方法。 - 特許庁

To provide a material for vapor deposition and a method for producing it with the removal of impurities on the surface of a Co-Ni metal or a Co-Cr metal to be charged to a crucible and the suppression of a partial boiling phenomenon and the formation of slag at the time of melting the material for vapor deposition composed of those metals as purposes.例文帳に追加

ルツボに投入されるＣｏ−Ｎｉ系金属またはＣｏ−Ｃｒ系金属の表面の不純物の除去を行い、これらの金属でなる蒸着用材料の溶解時の部分沸騰現象やスラグの生成を抑えることを目的とした蒸着用材料及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Continuously, a vapor deposition source is switched to titanium, pressure in the vacuum tub is increased, a side face protecting film 12 composed of titanium nitride is formed on the aluminium film 8 in a gaseous nitrogen atmosphere through electron beam vapor deposition, and the upper surface and both the side faces of the aluminium film 8 are covered with the side face protecting film 12.例文帳に追加

引き続き、蒸着源をチタンに切り替えると共に真空槽内の圧力を高くし、電子ビーム蒸着法により窒素雰囲気中でアルミニウム膜８の上に窒化チタンからなる側面保護膜１２を形成し、アルミニウム膜８の上面及び両側面を側面保護膜１２により覆う。 - 特許庁

The epitaxial multilayer film comprising titanium and copper or titanium and cobalt, being expected to be high in the reflectivity, is formed on a sapphire single crystal substrate excellent in heat resistance and chemical stability by a vacuum vapor deposition method for titanium, cobalt, copper or the like under ultra-high vacuum while controlling the crystal orientation, the substrate temperature and the vapor deposition speed.例文帳に追加

超高真空下でチタン、コバルト、銅などの真空蒸着法により、高反射率が期待されるチタンと銅、及びチタンとコバルトのエピタキシャル多層膜を耐熱性、化学的安定性に優れたサファイア単結晶基板上に結晶方位、基板温度、蒸着速度を制御して作製する。 - 特許庁

A capacitor 30 inside a tubular groove 14 has a lower electrode 31 formed of TiN, a capacity insulating film 32 formed of HfO_2, and an upper electrode 35 consisting of a PVD-TiN film 33 formed of TiN formed by a PVD (physical vapor deposition) method and a TiN film 34 formed by a CVD method.例文帳に追加

円筒状の溝１４内のキャパシタ３０は、ＴｉＮからなる下部電極３１と、ＨｆＯ_2からなる容量絶縁膜３２と、ＰＶＤ（physical vapor deposition）法により形成されたＴｉＮからなるＰＶＤ−ＴｉＮ膜３３およびＣＶＤ法により形成されたＴｉＮ膜３４からなる上部電極３５とを備えている。 - 特許庁

The laminated vapor deposition film is obtained by forming an inorganic oxide vapor deposition layer on one side of the biaxially stretched polypropylene film base material through a layer of a modified propylene polymer subjected to graft modification by an unsaturated carboxylic acid having a melting point of 140-150°C or a derivative thereof and a polyurethane resin layer.例文帳に追加

二軸延伸ポリプロピレンフィルム基材の片面に、融点が１４０〜１５０℃の範囲にある不飽和カルボン酸若しくはその誘導体でグラフト変性してなる変性プロピレン系重合体層及びポリウレタン系樹脂層を介して無機酸化物蒸着層が形成されてなることを特徴とする積層蒸着フィルムに関する。 - 特許庁

This scintillator plate has a scintillator layer comprising a vapor deposition columnar crystal containing cesium iodide and an activator, on a substrate, an in-plane concentration distribution of the activator is within ±20% in the scintillator layer, and a growth-directional concentration distribution of the vapor deposition columnar crystal is within ±40% therein.例文帳に追加

基板上に、ヨウ化セシウムと賦活剤を含有する蒸着柱状結晶からなるシンチレータ層を有するシンチレータプレートにおいて、該シンチレータ層における該賦活剤の面内濃度分布が±２０％以内であり、かつ該蒸着柱状結晶の成長方向濃度分布が±４０％以内であることを特徴とするシンチレータプレート。 - 特許庁

When a self-organized monolayer is fabricated on a base material by using chemical vapor deposition of a forming material for a self-assembled monolayer to the base material, chemical vapor deposition is carried out with cooling the base material so that the base material is kept at a temperature lower than the atmospheric temperature (e.g. temperature lower than the atmospheric temperature by 60°C).例文帳に追加

基材に自己組織化単分子膜形成材料を化学蒸着することによって該基材上に自己組織化単分子膜を作製するにあたり、前記基材が雰囲気温度よりも低い温度（例えば６０℃以上低い温度）に維持されるように該基材を冷却しつつ前記化学蒸着を行う。 - 特許庁

The device for manufacturing multilayered film optical filters which vapor-deposits a plurality of dielectric multilayered films is so constituted that the evaporation rate profile of a raw material is fed back to control an electron gun of a vapor-deposition source.例文帳に追加

複数の誘電体多層膜を蒸着する多層膜光学フィルターの形成装置であって、原料の蒸着速度分布をフィードバックし、蒸着源の電子銃を制御するように、多層膜光学フィルター形成装置を構成する。 - 特許庁

The metallic vapor-deposited transfer sheet for molding has a structure in which at least a separation layer, a metallic vapor deposition layer and a heat resistant layer are laminated in this order on the opposite side of a base material sheet having on one side a heat resistant sliding layer.例文帳に追加

一方の面に耐熱滑性層を有する基材シートの反対側の面に、少なくとも剥離層、金属蒸着層、耐熱性層をこの順序に積層した成型加工用金属蒸着転写シートの構成とした。 - 特許庁

To provide a method for producing a magnetic recording medium capable of improving the yield of the product and the efficiency of utilizing a vapor depositing material by reducing the distribution and variation of the thickness of a vapor deposition film in the film running direction and stabilizing it.例文帳に追加

蒸着膜厚のフィルム走行方向での分布やバラツキを低減して安定化を図ることにより、製品歩留まりと蒸着材料利用効率を向上させることができる磁気記録媒体の製造装置を提供する。 - 特許庁

A plurality of guide passages 4a, 4b, 4c are provided, and the film thickness distribution on the film deposition surface 9 of a substrate is improved by controlling the flow rate of the molecular vapor and the directionality of molecular vapor.例文帳に追加

複数の案内路４ａ、４ｂ、４ｃを設け、この案内路４ａ、４ｂ、４ｃにより分子蒸気の流量と分子蒸気の方向性を制御することで基板８の成膜面９上の膜厚分布を改善するものである。 - 特許庁

Gas of organosilicon compound is introduced into a vacuum vessel 20, at the same time, vapor of SiO_2 is released from a vapor deposition source 21 and a protective film made of silicon oxide thin film containing carbon is formed on the surface of a PC substrate 25.例文帳に追加

真空槽２０内に有機ケイ素化合物の気体を導入しながら蒸着源２１からＳｉＯ_2の蒸気を放出させ、ＰＣ基板２５表面に炭素を含有するシリコン酸化物薄膜から成る保護膜を形成する。 - 特許庁

In order to form the hydrogenated amorphous silicon film on the substrate 10 when vapor-depositing silicon on the substrate 10, the production method further includes irradiating the substrate 10 with an ion beam containing hydrogen ions while the silicon film is deposited, by an ion-beam-assisted vapor-deposition method.例文帳に追加

さらに、基板１０にシリコンを蒸着する際に、基板１０上に水素化アモルファスシリコン膜を形成するために、シリコン膜の堆積と同時にイオンビームアシスト蒸着法によって水素イオンを含むイオンビームを照射する。 - 特許庁

To provide silicon monoxide for a vapor deposition material with high bulk density and high hardness, which can inhibit a splashing phenomena occurring in a forming process of a vapor-deposited gas-barrier film of silicon oxide, and a manufacturing method therefor.例文帳に追加

高嵩密度・高硬度の一酸化けい素蒸着材料で、ガスバリア性けい素酸化物蒸着膜形成時に発生するスプラッシュ現象を抑制し得る一酸化けい素蒸着材料及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

This vacuum deposition apparatus has a tuning means 18 for controlling a peripheral velocity v1 of a coating roll 14 and a peripheral velocity v2 of an outlet-side guide roll 15 so as to satisfy v1=v2, to make the guide roll 15 not to rub the vapor depositing layer of the surface of the vapor deposited film f2.例文帳に追加

同調手段１８が、コーティングロール１４の外周速度ｖ１と出側ガイドロール１５の外周速度ｖ２とをｖ１＝ｖ２とすることにより、蒸着フィルムｆ２表面の蒸着層が出側ガイドロール１５に擦れない。 - 特許庁

To prevent the occurrence of crack on the inside surface of a glass tube base material in a process for vapor-depositing a glass component on the inside surface of the glass tube base material with the excitation of plasma inside the glass tube base material by a plasma CVD (Chemical Vapor Deposition).例文帳に追加

プラズマＣＶＤによりガラス管基材の内部にプラズマを励起させて当該ガラス管基材の内面にガラス成分を蒸着させるプロセスを行うに際して、ガラス管基材の内面にクラックを生じさせない。 - 特許庁

To provide an electrode structure for generating plasma which can improve the etching uniformity of a film to be etched, vapor deposition uniformity of a vapor deposited film, etc., by improving the uniformity of plasma, and a semiconductor device manufacturing facility provided with the structure.例文帳に追加

プラズマの均一度を向上させることでエッチング対象膜のエッチング均一度、蒸着膜の蒸着均一度等を向上させるプラズマ発生のための電極構造及びこれを備える半導体素子製造設備を提供する。 - 特許庁

The process unit 1 is a vacuum device such as a vapor deposition device, a molecular beam epitaxial device, or an ion beam spatter device, or a film growing device, a surface treatment device or the like such as an organic metal vapor phase growing device, a liquid phase epitaxial device or the like.例文帳に追加

プロセス装置１は、蒸着装置、分子ビームエピタキシャル装置、イオンビームスパッタ装置等の真空装置や、有機金属気相成長装置、液相エピタキシャル装置等の薄膜成長装置、表面加工装置等である。 - 特許庁

This metal like decorative film is constituted by applying hairline processing to one side of the polyester film, providing the metal vapor deposition layer on the hairline processing surface of the polyester and providing a thermoplastic resin film on the surface of the metal vapor depostion layer.例文帳に追加

本発明の化粧フィルムは、ポリエステルフィルムの片面にヘアライン加工が施され、該ヘアライン加工面に金属蒸着層が設けられ、その金属蒸着面に熱可塑性樹脂フィルムが設けられていることを特徴とする。 - 特許庁

A chemical vapor deposition method comprises providing a thin silicon layer on the surface of an insulation-coated substrate before a tantalum-based barrier layer is formed from a mixture of a vapor-phase reactant comprising a tantalum halide and reducing gas.例文帳に追加

化学気相成長方法は、ハロゲン化タンタル及び還元ガスを含む気相反応物質の混合物からタンタルを基礎とするバリア層を成膜する前に絶縁被覆された基板の表面に薄いシリコンの層を備えることを含む。 - 特許庁

To provide a gas-barrier material which is excellent in the strength of adhesion between a plastic film as a base and a vapor deposition film and in the gas barrier properties against oxygen gas, water vapor and the like, moistureproofness, etc., and is useful mainly as a material for packaging.例文帳に追加

基材としてのプラスチックフィルムと蒸着膜との密着強度に優れ、かつ、酸素ガス、水蒸気等に対するガスバリア性、防湿性等に優れ、主に、包装用材料として有用なバリア性材料を提供することである。 - 特許庁

In the light transmissive plastic molding with a vapor deposited film mainly consisting of metal deposited on the surface thereof, the light transmittance is set to be in a range of 98-50% of that before the vapor deposition film is deposited.例文帳に追加

表面に蒸着による金属を主体とする蒸着膜が形成された、光透過性のプラスチック成形品あって、光線透過率を蒸着膜形成前の光線透過率の９８〜５０％の範囲としたこと、にある。 - 特許庁

The raw material gas jetting nozzle 1 is installed in a film deposition chamber in a chemical vapor deposition apparatus so that the raw material gas jetting direction is orthogonal to the direction parallel to the plane of a substrate placed on a substrate placement table.例文帳に追加

また、原料ガス噴出用ノズル１は、原料ガスの噴出方向が基板載置台上に載置された基板の平面に平行な方向と垂直となるように、化学的気相成膜装置内の成膜室に設置されている。 - 特許庁

To provide a film of high accuracy by suppressing changes in mask flatness, opening accuracy or the like by deposition of foreign matters contained in cleaning solution even when a mask for vapor deposition is cleaned and recycled.例文帳に追加

蒸着用マスクを洗浄して再生する場合であっても、洗浄液に含まれる異物が滞留してマスク平面度や開口精度等の変化が生じてしまうのを抑止して、高精度な膜形成を実現可能とする。 - 特許庁