意味 | 例文 (999件) |
Vapor Depositionの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 5223件
A membrane thickness correcting plate 23 having a vapor deposition source 20 and an open mouth 23a moves in X direction, relative to a substrate 1.例文帳に追加
蒸着源20と、開口23aを有する膜厚補正板23は、矢印で示すように、基板1に対して相対的にX方向へ移動する。 - 特許庁
COPPER COMPLEX, SOLUTION RAW MATERIAL FOR METAL ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION COMPRISING β-DIKETONATE COMPLEX OF COPPER (II) AND COPPER THIN FILM PREPARED BY USING THE SAME例文帳に追加
銅錯体、銅(II)のβ−ジケトネート錯体を含む有機金属化学蒸着法用溶液原料及びそれを用いて作製された銅薄膜 - 特許庁
A stripe-shaped first auxiliary wiring 11 extending in a direction parallel to a signal line is formed on the upper part transparent electrode by a precise mask vapor deposition method.例文帳に追加
上部透明電極上に、信号線と平行な方向に延びるストライプ状の第1の補助配線11を精密マスク蒸着法により形成する。 - 特許庁
Iron 3 is deposited as catalyst metal on a glass substrate 1 using a chemical vapor deposition apparatus 2, and thereby a thin film 4 consisting of iron particles is formed.例文帳に追加
ガラス基板1 上に化学蒸着装置2 を用いて触媒金属として鉄3 を蒸着させ、鉄粒子からなる薄膜4 を形成した。 - 特許庁
A film of a silicon oxide formed by vacuum vapor deposition or sputtering is formed on a surface of a current collector as a negative electrode active material layer.例文帳に追加
負極活物質層として、真空蒸着若しくはスパッタリングにより形成された珪素酸化物の薄膜を集電体の表面に形成する。 - 特許庁
The case 2 of the portable unit 1 is formed of covers 3, 4 whose surfaces have decorative films formed with metallic decorative layers by indium vapor deposition.例文帳に追加
この携帯機1のケース2を、インジウム蒸着による金属調加飾層を形成した加飾フィルムを表面に有するカバー3,4により形成する。 - 特許庁
To provide a method and apparatus for ion plating whereby the evaporation surface of a vapor deposition material is almost uniformly decreased in a film formation process.例文帳に追加
蒸着材料の蒸発面を成膜過程において略均一に減少させることができるイオンプレーティング方法およびその装置を提供する。 - 特許庁
The vapor deposition material consists of polycrystals having an MgO purity of ≥99.0% and a relative density of ≥90.0%, and having a phosphorus P content of 0.01 to 30 ppm.例文帳に追加
MgO純度が99.0%以上かつ相対密度が90.0%以上で、リンP含有量が0.01〜30ppmの多結晶とした。 - 特許庁
To provide a catalyst-assisted chemical vapor deposition apparatus that can make a low-temperature process possible by reducing heat radiation to a substrate.例文帳に追加
触媒化学蒸着装置において、基板への熱輻射を低減することでさらなるプロセスの低温化を可能にする蒸着装置を提供する。 - 特許庁
As coating work having the plasma etching resistance, there is alumite work (aluminizing) for instance and Al coating is by a thermal spray method or a sputter vapor deposition method.例文帳に追加
プラズマエッチング耐性を有する被膜加工としては例えばアルマイト加工(アルミナイズ)であり、溶射法やスパッタ蒸着法によるAlコーティングとしている。 - 特許庁
The tungsten filament 1 for vapor deposition comprises at least one tungsten wire containing no dopant and at least one dope tungsten which are twisted with each other.例文帳に追加
蒸着用タングステンフィラメント1は、少なくとも1本のドープ剤を含まないタングステン線と少なくとも1本のドープタングステン線を撚り合わせた線からなる。 - 特許庁
The photocatalyst members 6 are formed by performing vapor deposition of titanium dioxide on a stainless steel scrubbing brush, and the weight thereof is as heavy as tens grams.例文帳に追加
この光触媒部材6は、ステンレスたわしに二酸化チタンを蒸着させたものであり、重量は数十グラム程度の軽量なものである。 - 特許庁
The drip film comprises a carbon vapor deposition film 3 in an area of the diameter of 2 mm on a polypropylene film of 0.5 μm thick.例文帳に追加
本発明の点滴フイルムは、厚さ0.5μmのポリプロピレンフイルム上に、直径2mmの領域にてカーボン蒸着膜3を施したものである。 - 特許庁
In the vapor deposition method of silicon, semiconductor grade silicon is produced while producing solar cell grade silicon by converting a portion of trichlorosilane into the solar cell class silicon.例文帳に追加
トリクロロシランの1部を太陽電池用シリコンに変換して太陽電池級シリコンを製造しつつ半導体級シリコンを製造する、シリコンの蒸着法。 - 特許庁
The magnesium oxide vapor-deposition material contains metal oxide in which the valence of metallic elements is any of 3, 4 and 5 in the range of 0.01 to 6 mol%.例文帳に追加
金属元素の価数が3価、4価又は5価のいずれかである金属酸化物を0.01〜6モル%の範囲にて含む酸化マグネシウム蒸着材。 - 特許庁
To provide a method of detecting eccentricity in a susceptor in rotation in a vapor phase deposition apparatus having the susceptor for arranging a substrate at a prescribed position.例文帳に追加
所定の位置に基板を配置するためのサセプタを備えた気相成長装置において、回転時におけるサセプタの偏心を検知する方法を提供する。 - 特許庁
A process gas which includes a silane gas, a nitrogen gas, an ammonia gas, and a helium gas is introduced from a gas inlet tube 35 into a reaction chamber 10 of a plasma CVD(chemical vapor deposition) apparatus 1.例文帳に追加
プラズマCVD装置1の反応炉10内に、ガス導入管35からシラン系ガス、窒素ガス、アンモニアガス及びヘリウムガスを含むプロセスガスを導入する。 - 特許庁
The hydrogen separating membrane is obtained by disposing a porous ceramic layer on a metallic porous body and forming a palladium film or a palladium alloy film by CVD (chemical vapor deposition) on the porous ceramic layer.例文帳に追加
金属多孔体に多孔質セラミックス層を積層し、その上にCVD法でパラジウム膜またはパラジウム合金膜を形成して水素分離膜とする。 - 特許庁
To provide an organic light emitting element production apparatus which materializes high material utilization efficiency without losing the uniformity of film thickness even in long-term vapor deposition.例文帳に追加
有機発光素子の製造装置において、長時間の蒸着においても膜厚の均一性を失うことなく高い材料利用効率を実現する。 - 特許庁
When the charged particles generated by overheating and decomposition of the vapor deposition material 17 collide against the signal detection sensor 11, a weak current flows.例文帳に追加
蒸着材料17が過熱されて分解されたときに発生する荷電粒子が信号検出センサー11に衝突すると微弱電流が流れる。 - 特許庁
The color filter 4 can be formed by film formation of pigment on the immersed micro- convex lens 134 by a dry film formation method such as vapor deposition.例文帳に追加
カラーフィルター4は、たとえば蒸着重合法などのドライ成膜法により、顔料を層内マイクロ凸レンズ134上に成膜して形成することができる。 - 特許庁
In the structure, the titanium, tantalum or zirconium thin film and the protective thin film are formed on the surface of the substrate by performing a vapor deposition method or sputtering treatment to the substrate.例文帳に追加
その中、基板に対して、蒸着法やスパッタリング処理により、基板の表面に、チタンやタンタル或いはジルコニウム薄膜と保護薄膜が形成される。 - 特許庁
A vapor deposition material for an optical thin film consists of a compound or a mixture of indium oxide (In_2O_3), tungsten oxide (WO_3), and magnesium oxide (MgO).例文帳に追加
本発明は、酸化インジウム(In_2O_3)と酸化タングステン(WO_3)と酸化マグネシウム(MgO)の化合物又は混合物であることを特徴とする光学薄膜用蒸着材料である。 - 特許庁
To provide a method for producing an iridium thin film by chemical vapor deposition suitable for wide applications and capable of forming the dense and flat iridium thin film.例文帳に追加
広い用途に適し、緻密かつ平坦なイリジウム薄膜を形成できる化学気相成長法を用いたイリジウム薄膜の製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a new method for preparing nitrogen trifluoride which finds extensive application in the technology of semiconductors, high energy lasers and chemical vapor deposition.例文帳に追加
半導体、高エネルギーレーザおよび化学気相成長などの分野で広範な用途が見出される三フッ化窒素の新規な製造方法を提供すること。 - 特許庁
To provide a method and apparatus for manufacturing a cold mirror having excellent illuminance, heat resistance and durability and facilitating the control of vapor deposition rate and film thickness.例文帳に追加
照度、耐熱性及び耐久性に優れ、蒸着レート及び膜厚の制御が容易なコールドミラー製造方法及びその製造装置を提供する。 - 特許庁
An SiO_2 mask 2 is formed on a semiconductor element wafer 1 by vapor deposition and etching, and a ridge 1R is formed by etching a semiconductor layer (Figure 1.A).例文帳に追加
半導体素子ウエハ1に蒸着及びエッチングによりSiO_2マスク2を形成し、半導体層のエッチングによりリッジ1Rを形成する(図1.A)。 - 特許庁
The sealing part of glass is plated with gold, silver or nickel by vapor deposition or coated with a silver paste by screen printing for its undercoating and then heat-treated.例文帳に追加
ガラスのシーリング部に下地処理として蒸着鍍金により金、銀、ニッケルのいずれかを鍍金するか又はスクリーン印刷により銀ペイストを塗布、加熱処理する。 - 特許庁
It is preferable to form the amorphous carbon film by a physical vapor deposition method using graphite as a raw material in an atmosphere substantially free from hydrogen.例文帳に追加
この非晶質カーボン膜は、グラファイトを原料として実質的に水素を含まない雰囲気下の物理的蒸着法により形成することが好ましい。 - 特許庁
The vapor deposition material consists of polycrystals having an MgO purity of ≥99.9% and a relative density of ≥90.0%, and having a nitrogen N content of 0.01 to 200 ppm.例文帳に追加
MgO純度が99.0%以上かつ相対密度が90.0%以上で、窒素N含有量が0.01〜200ppmの多結晶とした。 - 特許庁
Since the oxide film formed by the vacuum vapor deposition acts as a barrier layer to prevent collision of ions on the base, optical absorption is prevented.例文帳に追加
真空蒸着法による酸化物膜がバリヤ層となって下地にイオンが衝突することを防ぐため、光学的な吸収が発生することがなくなる。 - 特許庁
This cosmetic composition is produced by the vapor deposition of an antioxidation substance and/or an antioxidation substance having tyrosinase suppressing function to vacuum-dried titanium oxide.例文帳に追加
真空乾燥処理酸化チタンに抗酸化物質およびまたはチロシナーゼ抑制機能をもつ抗酸化物質を蒸着した化粧料組成物とする。 - 特許庁
To provide a device and a method for forming a protective film on the surface of a tape (e.g. a vapor deposition tape) with a uniform film thickness without causing damage by a plasma.例文帳に追加
プラズマによる損傷を受けることなく、テープ(例えば蒸着テープ)表面に保護膜を均一な膜厚で形成する装置および方法を提供する。 - 特許庁
A heater 140 for heating the material feed unit 102 may be provided to raise the temperature of the vapor deposition material to be fed in the cylindrical cell 128.例文帳に追加
材料供給部102を加熱するヒータ140を設けて、筒状セル128内に供給する蒸着材料の温度を上げるようにしても良い。 - 特許庁
Thereby, the vapor deposition apparatus can perform film formation for a long period of time without opening the inner part to the atmosphere, and improves the productivity in producing an organic electroluminescence element.例文帳に追加
長時間に渡って大気解放することなく蒸着成膜を行うことが可能となり、有機EL素子の生産性の向上を図ることができる。 - 特許庁
A frequency adjustment part is provided in a vacuum chamber, and works mounted on carriers C1 are successively subjected to frequency adjustment by partial vapor deposition.例文帳に追加
真空室内には周波数調整部が設けられており、キャリアC1に搭載されたワークが順次パーシャル蒸着により周波数調整される。 - 特許庁
Step S101: a number of metal particles 12a are scattered/attached on/to an electrolyte 10 by PVD (physical vapor deposition), to form an adhesive layer 12.例文帳に追加
電解質10上に、PVDによって、多数の金属粒子12aを点在するよう付着させて、接着層12を形成する(ステップS101)。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a semiconductor device which method contains composition distribution analysis of a vapor deposition film stuck on an inner surface of a contact hole having an aperture of deep submicron order.例文帳に追加
ディープサブミクロンオーダーの口径のコンタクトホールの内面に付着した蒸着膜の組成分布分析を含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁
To provide a flash vapor-deposition method which can vaporize two or more kinds of liquid monomers by using different evaporators and mix them, and to provide an apparatus therefor.例文帳に追加
2種類以上の液体状のモノマーを異なるエバポレータで気化させて混合することができるフラッシュ蒸着方法及び装置を提供する。 - 特許庁
This temperature-controlling fibrous product is formed by forming an electroconductive exothermic vapor-deposited film homogeneously on the surface of the fibrous product by utilizing a physical vacuum deposition method.例文帳に追加
物理真空蒸着法を利用して、繊維製品の表面に均一的に導電発熱蒸着膜を形成させ、温度制御繊維製品を形成する。 - 特許庁
To provide a vacuum vapor deposition method capable of depositing a fluorescent layer excellent in crystallinity and uniform in film thickness distribution.例文帳に追加
結晶性が良好で、且つ、膜厚分布が均一である蛍光体層を形成することのできる真空蒸着方法を提供することにある。 - 特許庁
The outer layer is selected from among a group consisting of an arc spray layer, a frame spray layer, a plasma spray layer, an ion plating layer, a chemical vapor deposition layer, and an electroplating layer.例文帳に追加
外層はアークスプレー層、フレームスプレー層、プラズマスプレー層、イオンプレーティング層、化学気相堆積層及び電解プレーティング層よりなる群から選ばれる。 - 特許庁
To provide a CVD (Chemical Vapor Deposition) system by which the value of supplying power to plasma can be made the maximum, to provide a method for controlling supplying power, and to provide a solar battery.例文帳に追加
プラズマへの投入電力の値を最大にすることができるCVD装置、投入電力制御方法、及び、太陽電池を提供する。 - 特許庁
To provide a plasma generator in which an electromagnetic radiation is not caused and moreover a rigid vapor deposition film formation on a chamber inner wall does not occur.例文帳に追加
電磁輻射の起こらない、かつ、チャンバー内壁への強靭蒸着膜形成が起こらないプラズマ発生装置を提供することを目的としている - 特許庁
To provide an arrangement for supplying a gas for atomic layer vapor deposition, wherein a single heater can heat both a container which holds a powder material and a carrier gas.例文帳に追加
一つのヒーターで、粉末原料を収容する容器とキャリアガスとを、共に加熱できる原子層蒸着用ガス供給装置を提供する。 - 特許庁
To provide a plasma CVD (chemical vapor deposition) apparatus with which a thin film having uniform thickness can be formed on a large area substrate with a high frequency, and of which the constitution is simple.例文帳に追加
高周波で大面積基板に均一な膜厚の薄膜を成膜可能で、かつ装置構成が簡単なプラズマCVD装置を提供する。 - 特許庁
ORGANOMETALLIC COMPOUND FOR CHEMICAL VAPOR DEPOSITION, METHOD FOR PRODUCING THE ORGANOMETALLIC COMPOUND AND METHOD FOR PRODUCING THIN FILM USING THE ORGANOMETALLIC COMPOUND例文帳に追加
化学気相蒸着用の有機金属化合物及びその有機金属化合物の製造方法並びにその有機金属化合物を用いた薄膜の製造方法 - 特許庁
To form a silicon oxide film or a silicate film of a metal oxide film containing a silicon at a low temperature or 500°C or lower by a chemical vapor deposition method (CVD method).例文帳に追加
500℃以下の低温でシリコン酸化膜またはシリコンを含んだ金属酸化膜であるシリケート膜を化学気相成長法(CVD法)により形成する。 - 特許庁
The vapor guide tube 10 comprises a crucible 12 which houses a material for vapor deposition, and heats the material to generate the vapor of the material, a glass tube 11 in which the crucible 12 is installed therein, and the vapor generated from the crucible 12 is allowed to flow forwardly in the longitudinal direction, and a metal tube 13 for covering an outer circumferential surface of the glass tube 11.例文帳に追加
蒸気案内管10は、蒸着材料を収容し、その材料を加熱して材料の蒸気を発生させる坩堝12と、坩堝12をその内部に設置し、坩堝12から発生した蒸気を長手方向前方へ流動させるガラス管11と、ガラス管11の外周面を包被する金属管13とを有する。 - 特許庁
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