「Vapor Deposition」に関連した英語例文の一覧と使い方(70ページ目) - Weblio英語例文検索

The compound semiconductor crystal growing device 40 is provided with a planetary type substrate rotating mechanism and forms the compound semiconductor layer on a substrate W held by means of a susceptor 52 which is rotated by means of the rotating mechanism by vapor growth or vapor deposition.例文帳に追加

本化合物半導体結晶成長装置４０は、プラネタリー型の基板回転機構を備え、基板回転機構によって回転するサセプタ５２に保持された基板Ｗ上に化合物半導体層を気相成長又は蒸着させる。 - 特許庁

The invention refers to a copy protection paper which is constructed by overlaying a printing undercoat layer 50 having printability quality on top of an aluminum vapor deposition sheet 30 which vapor deposits aluminum on a PET film 10 and wavy lines 51 are formed in printing on the printing undercoat layer 50.例文帳に追加

ＰＥＴフィルム１０にアルミニウムを蒸着してなるアルミ蒸着シート３０に、印刷適性を有する印刷下地層５０を重ね合わせてなるコピー防止用紙であって、印刷下地層５０には波線５１が印刷により形成されている。 - 特許庁

The gas barrier laminate comprises a polyamide film formed by a vapor depositing synthetic method and the gas barrier thin film made of the metal or the metal compound formed by a physical vapor deposition method, sequentially formed on a resin film base.例文帳に追加

樹脂フィルム基材上に、蒸着合成法によりポリアミド膜が、物理蒸着法により金属又は金属化合物からなるガスバリア性薄膜が、順次形成されてなることを特徴とするガスバリア性積層体を提供するものである。 - 特許庁

To form a high quality copper thin film having a low impurity concentration by chemical-vapor deposition in a little latency time and at high deposition rate, uniformly over the whole area in the surface for a large-diameter substrate with a high efficiency of using material.例文帳に追加

化学気相成長法によって、不純物濃度の低い良質な銅薄膜を、潜伏時間が少なく、かつ高い成膜速度で、大口径の基板に対しても面内全域にわたって均一に、高い原料使用効率で成膜を行なう。 - 特許庁

The film deposition apparatus is used for depositing a film on the substrate (25) by a vapor-phase film deposition method and characterized by being provided with a holding means (10) for holding the substrate (25) slidably in the surface direction of the substrate (25).例文帳に追加

本発明に係る成膜装置は、気相成膜法により基板（２５）上に膜を成膜する成膜装置であって、基板（２５）を基板（２５）の面方向に摺動可能に保持する保持手段（１０）を備えることを特徴とするものである。 - 特許庁

To avoid a metal thin film from being in an electostatically charged state by preventing secondary electrons or the like from reaching to a surface to be film-deposited and preventing cations from reaching to the surface to be film-deposited in the deposition of the metal thin film by means of an electronic beam vapor deposition.例文帳に追加

電子ビーム蒸着による金属薄膜の形成において、２次電子等の被成膜面への到達を防止すると共に、陽イオンの被成膜面への到達を防止して、金属薄膜が帯電状態になることを回避する。 - 特許庁

To provide an improving method in field cleaning of deposition by-products in a low-temperature plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) chamber where the thermal budgets of a process require the minimization of the temperature rise of a susceptor and in the hardware in the chamber.例文帳に追加

プロセスの熱割当量がサセプタの温度上昇の最小化を必要とする低温プラズマ化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）チャンバ及び該チャンバ内のハードウェア内の堆積副生物の現場クリーニングにおける改善方法を提供する。 - 特許庁

To provide a thin film formation method and apparatus which can efficiently form a film by catalytic chemical vapor deposition, even if the film is formed by using a mixture of two or more kinds of material gases by increasing the generation of deposition species or its derivative species.例文帳に追加

堆積種又はその誘導種の発生量を増加させることによって、２種以上の原料ガス混合物の場合でも、触媒化学気相成長法により効率的に成膜しうる薄膜形成方法及び装置の提供。 - 特許庁

To provide a method and a system for depositing an AlOx film in which film characteristics are controlled in such a manner that, in a vacuum film deposition chamber, the film characteristics (the permeability of water vapor, the permeability of oxygen and the transmissivity of all rays) of the AlOx film are simultaneously controlled at the time of film deposition.例文帳に追加

真空成膜室内で、ＡｌＯｘ膜の膜特性（水蒸気透湿度、酸素透過率、全光線透過率）を同時に、成膜時に制御可能とし、膜特性の制御されたＡｌＯｘ膜を形成する方法および装置の提供。 - 特許庁

A flow rate adjusting mechanism 10 for adjusting the amount of emission of the vapor deposition material into the vacuum chamber 1 is provided on the pipe 9 with smaller conductance out of the pipes 8, 9 with different conductance, and capable of finely adjusting the film deposition rate.例文帳に追加

蒸着材料の真空チャンバー１内への放出量を調整する流量調整機構１０は、コンダクタンスの異なる配管８，９のうちのコンダクタンスの小さい配管９に設けられ、成膜速度を微細に調整することができる。 - 特許庁

At the time of depositing a thin film of chalcophylite type compound on a substrate by vacuum vapor deposition or sputtering, a thin compound film during deposition is irradiated with a first ion beam containing an chalcogenite element (Se or S) at ≤300 V accelerating voltage.例文帳に追加

カルコパイライト系化合物薄膜を真空蒸着又はスパッタ法によって基板上に堆積するに際し、堆積中の化合物薄膜にカルコゲナイト元素（Ｓｅ又はＳ）を含む第１のイオンビームを３００Ｖ以下の加速電圧で照射する。 - 特許庁

Since vapor not of oxygen or ozone having radical oxygen but of alcohol is used as the reactive gas for depositing a thin film, direct oxidation of a substrate or the deposition plane by the reactive gas is suppressed during the deposition process.例文帳に追加

本発明は薄膜の蒸着のための反応性ガスとして酸素、オゾンのようにラジカル酸素を有していないアルコールの蒸気を使用するため、蒸着過程中に反応性ガスによる基板または蒸着面の直接的な酸化を抑制する。 - 特許庁

In the process of making the germanium-antimony-tellurium alloy film using a process selected from the group consisting of atomic layer deposition and chemical vapor deposition, a silylantimony precursor is used as a source of antimony for the alloy film.例文帳に追加

原子層堆積及び化学気相成長からなる群より選択されるプロセスを用いてゲルマニウム−アンチモン−テルル合金膜を製造する方法であって、シリルアンチモン前駆体が該合金膜のためのアンチモン源として用いられる方法が提供される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor thin film pattern based on liquid phase deposition reaction by irradiating laser light to a solid-liquid boundary surface, differing from a known vapor phase deposition method, a semiconductor thin film pattern and a crystalline semiconductor thin film pattern.例文帳に追加

従来の気相成長法とは異なる、固液界面へのレーザー光照射による液相成長反応に基づく半導体薄膜パターンの製造方法、半導体薄膜パターンおよび結晶性半導体薄膜パターンを提供する。 - 特許庁

A metal film 4 formed on the entire surface of a wafer is formed on the surface of a protective film 3 while the metal film 4 is formed by deposition, spatter, or vapor deposition, so that an unrequired part of the metal film 4 is removed along with a part of the protective film 3.例文帳に追加

デポジション、スパッタもしくは蒸着によって金属膜４を形成しつつ、ウェハ全面に形成される金属膜４を保護膜３の表面に形成することで、保護膜３の一部と共に金属膜４のうちの不要部分を除去する。 - 特許庁

To provide a plasma CVD (Chemical Vapor Deposition) system where, in the case a thin film is deposited on a film by plasma discharge between a pair of electrodes, the return path of a plasma discharge current is secured at a position close to the electrodes, and a satisfactory film deposition state can be achieved.例文帳に追加

フィルムに一対の電極間のプラズマ放電によって薄膜を成膜する場合に、プラズマ放電電流の帰路を電極に近接した位置に確保し、良好な成膜状態を施すことができるプラズマＣＶＤ装置を提供する。 - 特許庁

According to such configuration the vapor deposition material 2 does not deposit on the inside of the guide way 7, and the film thickness measuring section 6 is hardly susceptible radiation heat from the cylindrical body 5, and if bumping occurs, the massive deposition material 2 does not adhere to the film thickness measuring section 6.例文帳に追加

この構成によれば、蒸着材料２が誘導路７内に堆積せず、膜厚計測部６は筒状体５からの輻射熱を受け難くなり、突沸が生じても塊状の蒸着材料２が膜厚計測部６に付着しない。 - 特許庁

The substrate holder 50 which holds a plurality of the substrates W on the planar inverting tools 57 holding the substrates and holds four sheets of the inverting tools 57 is arranged in a vacuum chamber in such a manner that the substrates W and a vapor deposition source face each other, and the vacuum deposition is started.例文帳に追加

板状の反転治具５７に基板Ｗを複数保持し、基板を保持する４枚の反転治具５７を保持する基板ホルダ５０を、真空チャンバー内に基板Ｗと蒸着源とが対向するように配置し、真空蒸着を開始する。 - 特許庁

To provide a method for depositing a thin film while monitoring film thickness and various spectral characteristics in real time when depositing an optical film of laminated structure in a film deposition process by means of sputtering and vapor deposition of various kinds.例文帳に追加

スパッタリングおよび各種蒸着による成膜プロセスにおいて、回転楕円体基盤表面へ積層構造の光学膜を形成する際にその膜厚と各種分光特性をリアルタイムでモニターしながら薄膜を形成する方法を提供する。 - 特許庁

Regarding the thin film deposition system 1 where a target 8 (vapor deposition raw material) is made into plasma in a vacuum furnace body 2, and a film is deposited on the surface of each sample 4, a gas feeding apparatus 6 for feeding nitrogen (inert gas) to the surface of each sample 4 is provided.例文帳に追加

真空の炉体２内でターゲット８（蒸着原料）をプラズマ化させ、試料４の表面に膜を形成する薄膜の成膜装置１で、試料４の表面に窒素ガス（不活性ガス）を供給するガス供給装置６を備える。 - 特許庁

The laminate at least comprises a construction made by an extrusion-lamination process comprising laminating an adhesive resin consisting of a polyolefin resin or an olefinic copolymer resin modified with a composite having an isocyanate group on a barrier base material such as a thermoplastic film, a metal vapor deposition film, an inorganic compound vapor deposition film, or a metal foil.例文帳に追加

熱可塑性樹脂フィルム、金属蒸着フィルム、無機化合物蒸着フィルム、金属箔等のバリア性基材上に、イソシアナート基を有する複合体により変性されたポリオレフィン樹脂あるいはオレフィン系共重合体樹脂からなる接着性樹脂を押出ラミネート法により積層させた構成を少なくとも含むことを特徴とする積層体である。 - 特許庁

The fluorine compound thin film production method for depositing a fluorine compound thin film on a film substrate is characterized in that the fluorine compound thin film is deposited by a plasma heating vapor deposition process using fluorine compound-containing material such as MgF_2-containing material as vapor deposition material.例文帳に追加

フィルム基材上にフッ素化合物薄膜を形成するフッ素化合物薄膜の製造方法において、 該フッ素化合物薄膜が、ＭｇＦ_2を含む材料などのフッ素化合物を含む材料を蒸着材料として用い、プラズマ加熱蒸着方法により形成することを特徴とするフッ素化合物薄膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

The non-oriented aluminum vapor deposition film has a base material consisting of at least two layers, and the two layers are constituted of: a resin composition A consisting of polypropylene; and a resin composition B being a mixture of cyclic polyolefin polymer 1 consisting of copolymer of norbornene and ethylene, and polyolefin 2, wherein an aluminum vapor deposition layer is provided on the layer consisting of the resin composition B.例文帳に追加

基材層が少なくとも２層からなり、ポリプロピレンからなる樹脂組成物Ａとノルボルネンとエチレンの共重合体からなる環状ポリオレフィン系高分子（１）とポリオレフィン（２）の混合物でる樹脂組成物Ｂを積層した構成からなる該基材層の樹脂組成物Ｂからなる層上にアルミ蒸着層を設けた無延伸アルミ蒸着フィルム。 - 特許庁

In a drill provided with the cutting blades 14 extending from the center part on an axis O side in an end toward the outer periphery in the end of a drill body 1 rotated centering the axis O, the center side of the cutting blades 14 is coated with physical vapor deposition coating layers 15, and the outer periphery side is coated with chemical vapor deposition coating layers 16.例文帳に追加

軸線Ｏ回りに回転されるドリル本体１の先端部に、この先端部における軸線Ｏ側の中心部から外周部に延びる切刃１４が設けられたドリルにあって、この切刃１４には、中心部側に物理蒸着コーティング層１５が被覆されるとともに外周部側には化学蒸着コーティング層１６が被覆されている。 - 特許庁

The vapor deposition film 1 is made of a transparent film having at least a metal oxide vapor deposition film on a base material, and the moisture absorption layer 2 is made of a transparent resin layer molded in the shape of a sheet by using a molten mixture in which a chemically moisture-adsorbable substance having a primary particle size of 100 nm or below is melted/kneaded to be dispersed in a binder resin.例文帳に追加

蒸着フィル１ムが、基材上に少なくとも金属酸化物の蒸着膜を有する透明フィルムよりなり、かつ、吸湿層２が、バインダ樹脂中に、１次粒子径が１００ｎｍ以下である化学的水分吸着性物質が溶融混練されて分散されてなる溶融混合物を用いて、シート状に成形された透明樹脂層よりなる。 - 特許庁

In the method of producing a metal oxide film on an object for film deposition using metal complex gas and water vapor by a chemical vapor deposition process, as the metal complex, the one with β-diketonate having silyl ether groups as a ligand is used.例文帳に追加

本発明の課題は、金属錯体ガスと水蒸気とを用いて、化学気相蒸着法により、成膜対象物上に金属酸化膜を製造する方法において、金属錯体として、シリルエーテル基を有するβ-ジケトナトを配位子とする金属錯体を使用することを特徴とする、金属酸化膜の製造方法によって解決される。 - 特許庁

In the method for producing a radiological image conversion panel, which comprises a process for forming a layer composed of a europium-activated cesium bromide-based photostimulable phosphor on a substrate by a vapor-phase deposition method, a vapor-phase deposition film composed of a columnar crystal of photostimulable phosphor is formed on the substrate in vacuum and heat-treated in a vacuum atmosphere.例文帳に追加

ユーロピウム付活臭化セシウム系輝尽性蛍光体からなる層を、気相堆積法により基板上に形成する工程を含む放射線像変換パネルの製造方法において、真空中で基板上に輝尽性蛍光体の柱状結晶からなる気相堆積膜を形成した後、真空雰囲気中で熱処理する。 - 特許庁

To provide a vapor deposition apparatus which surely eliminates flaky deposits that have fallen on a susceptor, without causing the turbulence and curling up of a purge gas on the susceptor regardless of a size of the susceptor, consequently keeps the uniformity of temperature of a substrate, can obtain a highly reproducible film quality and can enhance its availability factor, and to provide a vapor deposition method therefor.例文帳に追加

サセプタ上に落下したフレーク状の付着物を、サセプタのサイズに関係なく、サセプタ上のパージガスの乱れ及び巻き上がりを発生させることなく、確実に除去し、延いては、基板温度の均一性を保ち、再現性のよい膜品質を得ることができ、稼働率を高め得る気相成長装置及び気相成長方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a thin film by a laser vapor deposition method capable of preventing the reevaporation of a thin film deposited on the surface of a substrate and the damage to the inside face of an airtight chamber and capable of forming a thin film low in granular deposit density, and to provide a laser vapor deposition device used in this thin film forming method.例文帳に追加

基板の表面上に堆積した薄膜が再蒸発させられたり、気密チャンバの内面が損傷を受けたりすることを未然に防止でき、粒状堆積物密度の低い薄膜を形成することが可能なレーザ蒸着法による薄膜形成方法、及び、この薄膜形成方法で使用されるレーザ蒸着装置を提供する。 - 特許庁

In this manufacturing method for the radiation image transformation panel wherein a photostimulable phosphor layer on the support body is formed by a vapor deposition method (vapor phase deposition method), a magnetic material or a layer having the magnetic material is provided between a support holder for fixation-installing the support body, and the photostimulable phosphor layer.例文帳に追加

支持体上の輝尽性蛍光体層が気相堆積法（気相法）により形成される放射線画像変換パネルの製造方法において、該支持体を固定設置する支持体ホルダと該輝尽性蛍光体層との間に磁性材料又は磁性材料を有する層を設けることを特徴とする放射線画像変換パネルの製造方法。 - 特許庁

The coated turbine engine 100 components include the turbine engine components 102, 104, 106, 108, 110, 112, and the erosion resistant coatings arranged on at least a portion on the surface of the turbine engine components 102, 104, 106, 108, 110, 112 by using electron beam physical vapor deposition or ion plasma cathode arc vapor deposition.例文帳に追加

被覆されたタービンエンジン１００構成要素は、タービンエンジン構成要素１０２、１０４、１０６、１０８、１１０、１１２と、電子ビーム物理蒸着又はイオンプラズマカソードアーク蒸着を用いてタービンエンジン構成要素１０２、１０４、１０６、１０８、１１０、１１２の表面の少なくとも一部分上に配置された耐浸食性コーティングとを含んでいる。 - 特許庁

The mask frame combination is provided with a mask having a plurality of apertures for vapor deposition and having one or more pinholes between the plurality of apertures for vapor deposition, a mask frame arranged on one side of the mask and an alignment assisting means arranged on the side opposite to the side face which is one side of the mask frame and is provided with the mask.例文帳に追加

マスクフレーム組合わせ体は、複数の蒸着用開口部を有するほか、前記複数の蒸着用開口部の間に一つ以上のピンホールを有するマスクと、前記マスクの一方の側に配置されるマスクフレームと、前記マスクフレームの一方の側であって前記マスクが配置される側面の反対側に配置される整列補助手段とを備えル。 - 特許庁

To provide an actinic energy ray-reactive electrical insulation ink that has strong adhesion to a substrate such as a flexible printed circuit board, a polyethylene terephthalate film, a polyimide film, an ITO (indium tin oxide) vapor deposition film or an ITO vapor deposition glass and that is excellent in applicability and printability as well as electrical insulating properties, and to provide a laminate using the same.例文帳に追加

フレキシブルプリント配線板、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリイミドフィルムや、ＩＴＯ（インジウムチンオキシド）蒸着フィルム、ＩＴＯ蒸着ガラスなどの基材に対する高度な接着力を有し、かつ塗布、印刷性に優れる電気絶縁性に優れた活性エネルギー線反応型電気絶縁インキ及びそれを用いた積層体を提供する。 - 特許庁

A fine pattern formation method for semiconductor elements facilitates the pattern formation stage by implementing at least part of photoresist trimming by atomic layer vapor deposition together with spacer oxide film vapor deposition, thereby enabling the precision of trimming to be enhanced and photoresist footing, which may occur during the trimming, to be reduced.例文帳に追加

本発明の実施形態に係る半導体パターン形成方法によれば、フォトレジストのトリミングの少なくとも一部を原子層蒸着方法によってスペーサ酸化膜蒸着と共に実施することにより、段階が容易となり、トリミングの精密度を高めることができ、トリミング中に発生し得るフォトレジストフーチング（ｆｏｏｔｉｎｇ）を減らすことができる。 - 特許庁

The method for manufacturing the layered body provided with the multilayer thin film made from a metal and a metallic compound while running the long substrate in a vacuum includes forming a plurality of vapor deposition regions in a running direction of the substrate by installing partition plates in spaces between evaporation sources and cooling drums, and supplying a reactive gas to at least one region of the vapor deposition regions.例文帳に追加

真空中にて長尺の基材を走行させて金属および金属化合物からなる多層薄膜付き積層体を製造するに際し、蒸発源と冷却ドラムの間の空間に仕切板を設けて基材走行方向に複数の蒸着領域を形成し、蒸着領域のうち少なくとも一つの領域に反応性ガスを供給する。 - 特許庁

The method of forming a semiconductor film comprises a process S120a of placing a substrate in an organic metal vapor phase deposition apparatus, and a process S130 of supplying a gallium source material, a indium source material, a arsenic source material, a nitride source material, and a phosphorus source material to the organic metal vapor phase deposition apparatus, to form the III-V compound semiconductor film.例文帳に追加

半導体膜を形成する方法は、有機金属気相成長装置内に基板を置く工程Ｓ１２０ａと、ガリウムソース材料、インジウムソース材料、砒素ソース材料、窒素ソース材料、及び燐ソース材料を前記有機金属気相成長装置に供給してIII−Ｖ族化合物半導体膜を形成する工程Ｓ１３０と備える。 - 特許庁

Pretreatment using plasma of a reactive ion etching (RIE) mode is applied to at least one surface of a substrate consisting of an antistatic plastic material, and a vapor deposition layer with a thickness of 5-100 nm comprising a metal or an inorganic compound is provided on the treated surface of the substrate to constitute the vapor deposition film strong in adhesion having the antistatic capacity.例文帳に追加

帯電防止性を有するプラスチック材料からなる基材の少なくとも一方の面に、リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）モードのプラズマを利用した前処理を施し、その上に厚さ５〜１００ｎｍの金属もしくは無機化合物からなる蒸着層を設けることを特徴とする帯電防止性能を有する強密着蒸着フィルムである。 - 特許庁

When vapor deposition is carried out at a substrate temperature close to room temperature, amorphous Fe_3Si is formed and when vapor deposition is carried out at a substrate temperature close to 400°C, Fe_3Si containing monosilicide (C-FeSi) is formed, and by carrying out annealing at a suitable temperature in either case, crystal of iron silicide ferromagnetic material Fe_3Si can be obtained.例文帳に追加

室温付近の基板温度で蒸着させた場合にはＦｅ_３Ｓｉのアモルファスが形成され、４００℃に近い基板温度で蒸着させた場合には、モノシリサイド（Ｃ−ＦｅＳｉ）を含有したＦｅ_３Ｓｉが形成されるが、いずれの場合にも適正な温度でアニールすれば、鉄シリサイド強磁性体Ｆｅ_３Ｓｉの結晶が得られる。 - 特許庁

To provide a mask fixture for under coat and for vapor deposition which can be used both to a mask for under coat and to a mask for vapor deposition, can be repeatedly used, and also can deposit an electromagnetic wave shielding film at a low cost in high productivity without generating damage and garbage adhesion to a molding, and to provide a method for forming an electromagnetic wave shielding film using the same.例文帳に追加

アンダコート用マスクおよび蒸着用マスクとして兼用ができ、繰り返して使用することができて、かつ、成形品への傷やゴミの付着を発生させずに、低コストで、生産性が高く、電磁波シールド膜を成膜することができるアンダコート用および蒸着用マスク治具と、これを用いた電磁波シールド膜の成膜方法を提供する。 - 特許庁

This radiation image conversion panel has: the substrate formed of a metal or an alloy; an oxide layer formed on the substrate by a vapor phase deposition method such as a sputtering method, an ion plating method or an ion beam assist evaporation method; and a phosphor layer formed on the oxide layer by a vapor phase deposition method.例文帳に追加

本発明の放射線像変換パネルは、金属または合金により構成された基板と、この基板上に、例えば、スパッタリング法、イオンプレーティング法またはイオンビームアシスト蒸着法などの気相堆積法により形成された酸化物層と、この酸化物層上に気相堆積法により形成された蛍光体層とを有するものである。 - 特許庁

Moisture in the vacuum chamber 1 becomes water vapor, and hydrogen and oxygen float in the atmosphere as their degradation products, but, silicon evaporated from the second vapor deposition source 20 is bonded with oxygen floating at the inside of the vacuum chamber 1 so as to be consumed, is converted into silicon dioxide as a film deposition material, and is stuck to the substrate 2.例文帳に追加

真空チャンバ１内の水分が水蒸気となり、かつそれらの分解生成物として水素と酸素とが雰囲気中に浮遊するが、第２の蒸着源２０から蒸発したケイ素は真空チャンバ１の内部に浮遊している酸素と結合することにより消費され、成膜物質である二酸化ケイ素に変換されて基板２に付着する。 - 特許庁

To provide a vapor deposition method of a nitride semiconductor, capable of suppressing a pit to be generated in a growing nitride semiconductor layer concerning the vapor deposition of the nitride semiconductor on a nonpolar surface, and allowing the surface roughness of a root mean square in the nitride semiconductor layer to be not more than 5nm in manufacturing a semiconductor device with high performance.例文帳に追加

無極性面での窒化物系半導体の気相成長において、成長中の窒化物系半導体層に発生するピットを抑制し、かつ、高性能な半導体装置を作製する上で、窒化物系半導体層の自乗根平均の表面粗さを５ｎｍ以下となる窒化物系半導体の気相成長方法を提供する。 - 特許庁

In the method for manufacturing a carbon film provided on a metallic base material via an intermediate layer having the concentration gradient so that the metallic component concentration is higher toward the metallic base material side and the non-metallic component concentration is higher toward the carbon film side, the intermediate layer is prepared by the combination of a physical vapor deposition method with a chemical vapor deposition method.例文帳に追加

金属基材側ほど金属成分濃度が高く、炭素膜側ほど非金属成分濃度が高くなるような濃度勾配を有する中間層を介して、金属基材上に設けられた炭素膜の製造方法において、該中間層を物理的気相成長法と化学的気相成長法との組み合わせにより調製する。 - 特許庁

A reaction vessel for performing vapor deposition in a vacuum state comprises an outer wall at normal temperature to keep the vacuum and a heated inner wall 10 which surrounds a vaporizing source, and in a partition structure, the inner wall 10 is integrally guided in the vicinity of a vapor deposition surface, and a heated seal part 23 is formed inside the inner wall 10.例文帳に追加

真空状態で蒸着を行う反応容器において、真空を保持する常温の外壁９と蒸発源を包みかつ加熱された内壁１０とで構成されており、その内壁１０を蒸着面近傍まで一体で案内し、かつ内壁１０の内部に加熱されたシール部２３を作成した仕切り構造である。 - 特許庁

To provide a novel nano-structure making control method using an electron beam-inductive vapor deposition method, capable of expanding an application range, by enhancing a degree of freedom of making a nano-structure, including controlling of the incident axis direction of an electron beam without inclining the nano-structure in the middle when making the nano-structure by using the electron beam-inductive vapor deposition method.例文帳に追加

電子ビーム誘起蒸着法を用いてナノ構造を作成する際に途中でナノ構造物を傾けることなく電子ビームの入射軸方向の制御を行うことができることを含め、ナノ構造作成の自由度を高め、応用範囲を広げることのできる新規な、電子ビーム誘起蒸着法を用いたナノ構造作成制御方法を提供する。 - 特許庁