「Vapor Deposition」に関連した英語例文の一覧と使い方(95ページ目) - Weblio英語例文検索

The radiation image conversion panel having a support, which is made of metals, and a phosphor layer formed on the support with a vapor-phase deposition method is provided with a corrosion prevention layer consisting of a resin film on the surface of the phosphor layer surface side of the support.例文帳に追加

支持体およびその上に気相堆積法により形成された蛍光体層を有する放射線像変換パネルにおいて、該支持体が金属からなり、そして該支持体の蛍光体層側表面に樹脂フィルムからなる腐食防止層が設けられている放射線像変換パネル。 - 特許庁

To provide a thin film manufacturing apparatus for depositing a semiconductor thin film and an insulating thin film capable of reducing the take-in of fluorine atoms into the semiconductor film when manufacturing the thin film using a plasma chemical vapor phase deposition(CVD) method, and a thin film manufacturing method using the apparatus.例文帳に追加

プラズマ化学気相堆積（ＣＶＤ）方法を用いた薄膜製造において、フッ素原子の半導体膜中への取り込みを低減することが可能な、半導体薄膜および絶縁薄膜を形成する薄膜製造装置と、それを用いた薄膜製造方法を提供する。 - 特許庁

This base film for vapor deposition is produced by coating ethyl acetate or the like on one face of the base film, pressing a solvent scraping means to the base film while a washing solvent remains on the base film, and peeling and scraping down oligomer attached to the base film together with the solvent.例文帳に追加

ベースフィルムの片面に酢酸エチルなどを塗着した後、前記洗浄溶剤が前記ベースフィルム上に残存している間に溶剤掻き落とし手段をベースフィルムに押しつけることにより、前記溶剤とともに前記ベースフィルムに付着したオリゴマーを剥離させ掻き落としたこと特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for depositing thin films of metal oxides, metal nitrides and metals having excellent characteristics on a semiconductor substrate or a substrate of a flat display element by a time-divisional process gas supply in a CVD (Chemical Vapor Deposition) method using plasma synchronized with the process gas supply cycle.例文帳に追加

原料供給サイクルに同期させたプラズマを用いる時分割的な原料供給ＣＶＤ法により半導体またはフラット表示素子の基板上に優れた特性を有する金属酸化物、金属窒化物及び金属の薄膜を形成する方法を提供すること。 - 特許庁

A rapid thermal chemical vapor deposition (RTCVD) film produced by reacting a compound including silicon, nitrogen and carbon (e.g., bis-t-butylaminosilane (BTBAS)) with NH_3 can provide an advantageous characteristic such as performance excellent in high use or an etching stop application.例文帳に追加

シリコン、窒素および炭素を含む化合物（例えばビス−ｔ−ブチルアミノシラン（ＢＴＢＡＳ））をＮＨ_３と反応させることによって生成された急熱化学的気相堆積（ＲＴＣＶＤ）膜は、高い用途、エッチング・ストップ応用における優れた性能などの有利な特性を提供することができる。 - 特許庁

To form silicon which is a high-capacity electrode active material or its compound by a thin film forming method having high productivity to form an electrode which does not give rise to degradation of charging or discharging characteristics, and to perform film deposition of a vapor region of an evaporation raw material being a region near a high angle incident region.例文帳に追加

高容量電極活物質であるケイ素またはその化合物を、生産性の高い薄膜形成法で形成し、充放電特性劣化を起こさない電極とし、かつ蒸発原料の蒸気領域で、高角度入射近傍領域の成膜を行うこと。 - 特許庁

To provide a biaxially oriented polyester film, showing excellent winding ease and traveling performance and is free from thermal deformation and sticking to a cooling can in vapor deposition process, which is useful for obtaining a metallic thin film-type magnetic recording medium having outstanding electromagnetic conversion characteristics, and a magnetic recording medium using the biaxially oriented polyester film.例文帳に追加

巻取り性や走行性等に優れ、蒸着加工において、熱変形やクーリングキャンへの貼り付きが生じない、優れた電磁変換特性を有する金属薄膜型磁気記録媒体を得るのに有用な二軸配向ポリエステルフィルムおよびそれを用いた磁気記録媒体の提供。 - 特許庁

The method for manufacturing the radiation image conversion panel is characterized in that a phosphor layer is formed on a support by filling an evaporation source crucible which has at least two or more cells inside it with vapor deposition materials of two or more kinds which are different in temperature characteristics and dissolving and vaporizing the materials by heating them.例文帳に追加

内部に少なくとも２以上のセルを有する蒸発源ルツボに、温度特性の異なる２種以上の蒸着材料を充填し、加熱することにより溶解、蒸発させて、支持体上に蛍光体層を形成することを特徴とする放射線像変換パネルの製造方法。 - 特許庁

To provide a thermoplastic resin composition for lamp housings which gives a molded article excellent in impact resistance, heat resistance, molded appearance nature, and oscillating welding nature, in which outstanding welding nature with other resin molded articles and glossy brightness appearance after direct vapor deposition are acquired, and to provide a molded article.例文帳に追加

耐衝撃性、耐熱性、成形外観性及び振動溶着性に優れた成形品を与え、他の樹脂成形品との優れた溶着性、及び、ダイレクト蒸着後に美麗な光輝外観が得られるランプハウジング用熱可塑性樹脂組成物及び成形品を提供する。 - 特許庁

While a substrate K on which a thin MgO layer is formed by vapor deposition or sputtering is mounted and heated on a support table 541 equipped with a planar heater, a coating liquid 501 in which a MgO powder is dispersed in a solvent is applied by spraying thereon to form a single crystal MgO power layer.例文帳に追加

蒸着またはスパッタリングにより薄膜ＭｇＯ層を形成した基板Ｋを面状ヒータを備えた支持台５４１上に載置して加熱しつつ、ＭｇＯ粉体を溶剤に分散させた塗工液５０１をスプレー塗布し、単結晶ＭｇＯ粉体層を形成する。 - 特許庁

In the method for making the surface of the base material intio a super-hydrophilic state, an aggregate layer of a diagonal prismatic structure is formed on the surface of the base material by the oblique vapor deposition method with its angle of elevation from the surface being <90°.例文帳に追加

本発明の基材表面の超親水化方法は、基材の表面を超親水化させる方法であって、斜め蒸着法によって、該基材の表面に該表面からの仰角が９０度未満で突出した斜め柱状構造体の集合層を形成させる。 - 特許庁

On at least one side of a base film 1 made of a plastic material, a vapor deposition thin film layer 2 made of an inorganic oxide or an inorganic nitride, a gas-barrier coating film 3, and a strong adhesion processed layer 4 are formed, and a translucent metal thin film layer 5 is further provided thereon to obtain the gas-barrier laminated film.例文帳に追加

プラスチック材料からなる基材フィルム１の少なくとも一方の面に、無機酸化物または無機窒化物からなる蒸着薄膜層２、ガスバリア性塗布膜３、強密着処理層４を形成し、さらにその上に半透明金属薄膜層５を設けてガスバリア性積層フィルムとする。 - 特許庁

In a second embodiment, the core chuck nose is formed of a base material containing chromium, or the base material which is surface-treated with chromium, and has a nitrided layer on the surface of, or from the surface to the inside of the base metal, and a vapor deposition covered layer is provided on the nitrided layer.例文帳に追加

また、コアチャックノーズの母材がクロムを含有する該母材またはクロムを表面加工した該母材であって、該母材の表面または表面から内部に窒化処理した窒化処理層を設け、さらに該窒化処理層上に蒸着被覆層を設けたことを特徴とするコアチャックノーズ。 - 特許庁

To provide a semi-transmissive reflective film free from a print application pattern, not requiring a great capital investment as in metal vapor deposition, applicable easily to a large-sized product, having a low absorbance of visible rays, and optimum as application use for a semi-transmissive type display.例文帳に追加

印刷塗布パターンに制限がなく、また金属蒸着のような莫大な設備投資も要さず、したがって大型製品への適用も容易であり、しかも可視光線の吸収率が低く、半透過型ディスプレイへの用途に最適な半透過反射フィルムを提供する。 - 特許庁

To regulate the magnetic field of one or a plurality of magnets located at one end side of a curving or inflecting duct from a terminal magnet located closest to an injection hole of the duct, to prevent deterioration in film forming characteristics due to the magnetic field characteristics of a magnetic filter, and to attain vacuum arc vapor deposition with uniform film forming characteristics.例文帳に追加

湾曲又は屈曲したダクトの放出口に最も近い終端磁石よりダクトの一端側の１又は複数個の磁石の磁場を調整し、磁気フィルタの磁場特性による成膜特性の劣化を防止して均一な成膜特性の真空アーク蒸着を実現する。 - 特許庁

The preheeling method for a metalized film (21), formed with a metal film (23) on one face or both faces of a film body (22) by vapor deposition, includes a voltage application process for applying an AC voltage between the both faces of the metalized film (21) to melt an insulation defective part (25) for removal.例文帳に追加

フィルム体（22）の一方の面又は両面に蒸着によって金属膜（23）が形成された金属化フィルム（21）のプレヒーリング方法において、金属化フィルム（21）の両面間に交流電圧を印加し、絶縁欠陥部（25）を溶融させて除去する電圧印加工程を設ける。 - 特許庁

By repeatedly performing the process for a plurality of times (S_9), CVD (Chemical Vapor Deposition) reaction occurs between the former gas adsorbed on the surface of the substrate and the other gas introduced later, thus a barrier film grows inside a contact hole in a conformal way, and the barrier film having a satisfactory step coverage can be obtained.例文帳に追加

この工程を複数回繰り返して行うと(Ｓ_9)、基板表面に吸着された一方のガスと、後から導入された他方のガスとの間でＣＶＤ反応が生じるので、コンタクトホール内にバリア膜がコンフォーマルに成長し、ステップカバレージのよいバリア膜を得ることができる。 - 特許庁

This method for improving the half-life of a coated electroluminescent phosphor comprises placing the coated electroluminescent phosphor such as zinc sulfide coated with aluminium oxide or aluminum oxyhyroxide by a chemical vapor deposition method by using trimethylaluminum as a coating agent into a quartz boat and annealing the phosphor at 250°C for 30 min in air.例文帳に追加

被覆剤としてトリメチルアルミニウムを使用して化学蒸着法によって酸化アルミニウム又はオキシ水酸化アルミニウムで被覆された硫化亜鉛のような被覆エレクトロルミネセンス蛍光物質を、石英ボードに入れて空気中において２５０℃で３０分間焼なましすることを構成要件とする。 - 特許庁

The radiological image conversion panel having a metal sheet (support) and an overlying fluorescent layer formed by a vapor deposition method is characterized in that the surface roughness Ra of the surface of the fluorescent layer side of the metal sheet is ≤0.1 μm.例文帳に追加

金属シート（支持体）及びその上に気相堆積法により形成された蛍光体層を有する放射線像変換パネルにおいて、その金属シートの蛍光体層側の表面の表面粗さＲａが０．１μｍ以下であることを特徴とする放射線像変換パネル。 - 特許庁

The gas barrier film is composed by carrying out laminated integration of a vapor deposition film 20, alkoxysilane (A) that has radical polymerization radical, alkoxysilane (B) that does not have the radical polymerization radical, and a gas barrier resin layer 30 constituted by curing the composition including water, on a synthetic resin film 10.例文帳に追加

合成樹脂フィルム10上に、蒸着膜20と、ラジカル重合性基を有するアルコキシシラン（Ａ）、ラジカル重合性基を有しないアルコキシシラン（Ｂ）、及び水を含む組成物を硬化させてなるガスバリア性樹脂層30とが積層一体化されてなることを特徴とするガスバリア性フィルム。 - 特許庁

A split mask part and an end mask part, and a metal vapor deposition electrode having a split pattern formed of a plurality of split electrode parts and a plurality of fuse parts are successively formed on the dielectric film 12 wound around the first rotary drum 44.例文帳に追加

それにより、第一の回転ドラム４４に巻き掛けられた誘電体フィルム１２に対して、分割マスク部及び端部マスク部と、複数の分割電極部及び複数のヒューズ部からなる分割パターンを有する金属蒸着電極とを、順次形成し得るように構成した。 - 特許庁

To provide a vapor deposition method which can easily detect an adhesion, etc. of a solid CVD material in a material flow path in a carburetor, in the formation of a film of PZT, BST, SBT and PLZT, and can obtain a ferroelectric film having the superior quality and purity, without degrading the production yield.例文帳に追加

ＰＺＴ、ＢＳＴ、ＳＢＴ、ＰＬＺＴの成膜において、気化器内の原料流路における固体ＣＶＤ原料の付着等を容易に検知することができ、歩留りを低下させることなく、品質、純度が優れた強誘電体膜が得られる気相成長方法を提供する。 - 特許庁

The apparatus for manufacturing a single crystal 10 is equipped with a seed crystal 3, a container 1 which contains a raw material 5 of a single crystal 6, a main body 21 which composes a furnace 2 containing the seed crystal 3 and the container 1, a lid 22, and a holder 23, and the single crystal 6 is manufactured by a vapor phase deposition.例文帳に追加

単結晶製造装置１０は、種結晶３と、単結晶６の原料５が収容される容器１と、種結晶３及び容器１が収容される炉２を構成する本体部２１、蓋体部２２及び保持部２３とを備え、気相法により単結晶６を製造する。 - 特許庁

To provide a cutting tool insert coated by the chemical vapor deposition method and equipped with a TiC_xN_y layer having a low tensile stress of 10 to 300 MPa and an αAl_2O_3 layer having a high surface smoothness of 0.1 μm or less when measured in the inter-atomic force microscopic process.例文帳に追加

本発明は、１０〜３００ＭＰａの低引張応力を備えたＴｉＣ_ｘＮ_ｙ層と、原子間力顕微鏡技法によって測定したときに０．１μｍ以下の高表面平滑度を備えたαＡｌ_２Ｏ_３層と、を有する化学蒸着法で被覆した切削工具インサートに関する。 - 特許庁

A thin film prepared by dispersing metal and hetero-phase component incompatible with the metal is formed on the substrate composed of a material incompatible with the metal by a sputtering method or vacuum vapor deposition method in such a manner that the volume fraction of the hetero-phase component attains 20 to 65% and the thickness attains ≥1 μm.例文帳に追加

スパッタリング法または真空蒸着法により、金属と、該金属と相溶しない異相成分とが分散してなる薄膜を、前記異相成分の体積分率が２０〜６５体積％、厚さが１μｍ以上となるように、前記金属と相溶しない材質からなる基板上に形成する。 - 特許庁

The mask structure for vapor deposition comprises a mask consisting of a thin sheet, and in which opening parts with a prescribed pattern are formed, a frame supporting a state where tensile force is applied to the mask in one face of the mask, and a cover mask supporting the part of the mask corresponding to the frame on the other face of the mask.例文帳に追加

薄板よりなり、所定パターンの開口部が形成されたマスクと、前記マスクの一つの面にて前記マスクに引張り力が加えられた状態を支持するフレームと、前記マスクの他面にて前記フレームに対応するマスクの部分を支持するカバーマスクとを含んでなる。 - 特許庁

In particular, the barrier container according to Claim 1, which has the ceramic thin film formed by a CVD method or a PVD method such as sputtering method or vapor deposition method, or the barrier container with a composition of the ceramic thin film mainly containing silicon oxide, diamond-like carbon or alumina is preferable.例文帳に追加

特に、セラミック薄膜がＣＶＤ法またはスパッタ、蒸着等のＰＶＤ法で形成されていることを特徴とする請求項１記載のバリア性容器や、セラミック薄膜の組成が酸化珪素、ダイヤモンドライクカーボンまたはアルミナを主成分とすることを特徴とするバリア性容器が好ましい。 - 特許庁

Then, many second linear metal layers 22B, arranged in other directions different from the one direction, are formed on the transparent base 21 through mask vapor deposition, and the mesh-like metal layer 22 is formed of these first linear metal layers 22A and the second linear metal layers 22B.例文帳に追加

次に、透明基材２１上に、マスク蒸着により、一方向と異なる方向の他方向に並ぶ直線状の多数の第２直線状金属層２２Ｂを形成し、これら第１直線状金属層２２Ａと第２直線状金属層２２Ｂとによってメッシュ状金属層２２を形成する。 - 特許庁

Three-layered constitution can be also formed by laminating a flat liner film to the top surfaces of the projections of the cap film and, in this case, a film kneaded with a carbon powder is used as either one of the back film and the liner film and a plastic film having an aluminum vapor deposition layer provided thereon is used as the other one of them.例文帳に追加

突起の頂面に平坦なライナーフィルムを貼り合わせて３層構成とすることもでき、その場合は、バックフィルムとライナーフィルムのどちらか一方にカーボンの粉末を練りこんだフィルムを使用し、他方にアルミニウムの蒸着層を設けたプラスチックフィルムを使用する。 - 特許庁

This electrode comprising a perovskite oxide expressed by a general formula (A_1-xB_x)_yMnO_3+δ is formed by an electron beam vapor deposition method (Where, A is a rare earth element, B is an alkaline earth metal element, 0≤x≤1.1, 0.9≤y≤1.1).例文帳に追加

本発明の電極は、一般式（Ａ_１−ｘＢ_ｘ）_ｙＭｎＯ_３＋δで表されるペロブスカイト型酸化物からなり、電子ビーム物理蒸着法により形成されたことを特徴とする（但し、Ａは希土類元素、Ｂはアルカリ土類金属元素であり、０≦ｘ≦１、０．９≦ｙ≦１．１である。）。 - 特許庁

The film-forming apparatus is directed for forming a first metal film on the substrate by sputtering at 300°C or lower; subsequently forming a second metal film on the first metal film by sputtering at 500 to 1,000°C; and forming a third metal film on the second metal film with a vapor deposition process.例文帳に追加

前記成膜装置は、基板上に３００℃以下の温度で第１の金属膜をスパッタリング成膜した後に、第１の金属膜上に５００℃〜１０００℃の温度で第２の金属膜をスパッタリング成膜し、蒸着法により第２の金属膜上に第３の金属膜を成膜するものである。 - 特許庁

The output current and deflecting coil current of the electronic gun 2 are automatically changed with lapse of time by a time corrector 15 in association with the amount of the material 4 for vapor deposition sticking near to the electronic gun 2 with lapse of time, by which the intensity and irradiation position of an electron beam 3 is corrected.例文帳に追加

時間の経過と共に電子銃２付近に付着する蒸着材料４の量に関連して、時間補正装置１５により、電子銃２の出力電流と偏向コイル電流を時間の経過と共に自動的に変化させ、電子ビーム３の強さと照射位置を補正する。 - 特許庁

Thus, the loss of the optical signal is eliminated by making the optical signal to be made vertically incident on this module always while making the side face 101a of a silicon substrate 101 vertical with respect to a core forming surface and also forming the interference filter 107 by a vacuum vapor deposition on the side face 101a.例文帳に追加

シリコン基板１０１の側面１０１ａをコア形成面と垂直にし、且つ、この側面１０１ａに干渉膜フィルタ１０７を真空蒸着で形成することにより、常に光信号が垂直に入射されるようにして、光信号の損失を無くすことができる。 - 特許庁

An SiO_2 film 48A is formed by a sputtering process on the surface of a first plate 34 before forming a nozzle for discharging a liquid droplet, then a fluorine-based water repellent film 48B is formed on the SiO_2 film 48A by a vapor deposition method and polymerized by heat to form the water repellent layer 48.例文帳に追加

液滴を吐出するためのノズルを形成する前の第１のプレート３４表面に、スパッタ法でＳｉＯ_２膜４８Ａを形成し、このＳｉＯ_２膜４８Ａの上にフッ素系撥水膜４８Ｂを蒸着法で形成した後、加熱により重合処理して撥水層４８を形成する。 - 特許庁

Semiconductor granulated crystals 2-1, 2-2, and 2-3 in plural layers are arranged on a semiconductor substrate 1, and they are connected and fixed through mutual connecting points 4-1, 4-2, and 4-3 by heat treatment or a chemical vapor deposition method so that a substrate for manufacturing a semiconductor device can be formed.例文帳に追加

複数層の半導体粒状結晶２−１，２−２，２−３を半導体基板１の上に配置し、熱処理あるいは化学的気相成長法により、これらを相互の接続点４−１，４−２，４−３で接続固着し半導体装置製造用基板を形成する。 - 特許庁

Alternatively, the vapor deposition material for the optical thin film consists of a compound or a mixture of indium oxide (In_2O_3), tungsten oxide (WO_3), and magnesium oxide (MgO), and is formed of a sintered body thereof sintered in a high-temperature oxygen atmosphere or in a high-temperature air atmosphere.例文帳に追加

また、本発明は、酸化インジウム(In_2O_3)と酸化タングステン(WO_3)と酸化マグネシウム(MgO)の化合物又は混合物であって、高温酸素雰囲気あるいは高温大気雰囲気中において焼結させた焼結体であることを特徴とする光学薄膜用蒸着材料である。 - 特許庁

A vapor deposition material 34 composed of SiO is irradiated with an electron beam from an electron gun 36, this is heated and evaporated, and, further, in a state where rectangular current voltage having a negative polarity is applied to the substrate dome, an SiO_x film with a film thickness of ≥300 nm is deposited.例文帳に追加

ＳｉＯからなる蒸着材料３４に電子銃３６から電子ビームを照射してこれを加熱し蒸発させると共に負極性の矩形直流電圧を基板ドームに印加した状態で３００ｎｍ以上の膜厚のＳｉＯ_Ｘ膜を形成する。 - 特許庁

The vapor deposition sources 10 are tilted and moved at an angle θ toward the center of the base board W by an angle change means 23 to prevent the thickness of the center of the base board W from being thinned and to improve the utilization efficiency of the material at ends of the base board W.例文帳に追加

基板Ｗの中央部の膜厚が薄くなるのを防ぎ、かつ、基板Ｗの端部における材料の利用効率を向上させるために、角度変更手段２３によって、基板Ｗの中央に向かって角度θだけ各蒸着源１０を傾けて移動させる。 - 特許庁

In an ion plating apparatus 10, the center O2 of a substrate W is determined at a position deviated from the position immediately above the center O1 of a hearth 3a which has a vapor deposition material 6 filled in a through hole TH by a distance D which is one half of the length of one side of the substrate W.例文帳に追加

イオンプレーティング装置１０は、蒸着材料６を貫通孔ＴＨに装填したハース３ａの中心点Ｏ１の直上の位置から基板Ｗの１辺の半分の長さ分の距離Ｄだけずれた位置に基板Ｗの中心点Ｏ２が定められる。 - 特許庁

To provide a mask that can provide vapor deposition with high accuracy and be free from damage caused by an impact and the like, and a method for manufacturing such a mask, a method for manufacturing an organic electroluminescence device using the mask, and an organic electroluminescence device by the method, and electronic equipment.例文帳に追加

高精度にマスク蒸着ができると共に、衝撃等による破損がないマスクと、当該マスクの製造方法と、当該マスクを用いる有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法と、当該製造方法による有機エレクトロルミネッセンス装置、及び電子機器を提供する。 - 特許庁

To provide an original plate of a metal printed circuit board which has superior heat dissipation characteristics and electric characteristics by forming an insulating layer and a thick electric conductive layer of high density on a metal board by a sputtering method for physical vapor deposition, and to provide a method of manufacturing the original plate.例文帳に追加

金属基板上に物理気相蒸着のためのスパッタリング方法により絶縁層及び厚膜の高密度の電気伝導層を形成し、優れた放熱特性及び電気的な特性を有する金属印刷回路基板の原板及び原板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a composition for forming a metallic oxide thin film, which sufficiently inhibits a β-diketone metallic complex from decomposing when preserving it or evaporating it for vapor deposition, and forms little amount of evaporation residue and particles, and to provide a method for stabilizing a solution of the β-diketone metallic complex.例文帳に追加

保存時もしくは蒸着のための気化時においてβ−ジケトン金属錯体の分解を充分に抑制することができ、蒸発残渣やパーティクル量が少ない金属酸化物薄膜形成用組成物およびβ−ジケトン金属錯体溶液の安定化方法を提供する。 - 特許庁

Color marking or emission is performed to a metal surface/inside or a nonmetal inside/surface/back surface by utilizing heating by a heat treatment furnace, reaction of atmospheric gas, the embedding of a metal sheet, metal foil, metal powder, metal wire or glass fiber, metal vapor deposition or the like using the continuous or pulse oscillation of a laser.例文帳に追加

レーザの連続発振、パルス発振を用い、熱処理炉による加熱、雰囲気ガスの反応、金属板、金属箔、金属粉、金属線、ガラスファイバーの埋め込み、金属蒸着等を利用して、金属表面・内部又は非金属内部・表面・裏面へカラーマーキング又は発光を行う。 - 特許庁

To provide a film deposition device for producing a gas barrier laminated body having excellent oxygen and water vapor barrier properties by solving difficulties of long run stability of arcing and the like due to contamination of an electrode and a chamber wall surface, securement of a large area and roll-to-roll securement, which are problems when using a CVD method.例文帳に追加

ＣＶＤ法を用いる場合に問題となる電極やチャンバー壁面の汚染によるアーキング等のロングランの安定性、大面積化、ロール・ツー・ロール化の困難さを解決し、酸素バリア性および水蒸気バリア性に優れた、ガスバリア性積層体を生産する成膜装置を提供する。 - 特許庁

A first metal film 12A made of an indium tin oxide (ITO) and a second metal film 15 made of Al are successively laminated by vapor deposition on an organic EL layer 13, a photoresist 16 is applied on the second metal film 15, then the photoresist 16 is patterned to a mask pattern of an anode electrode by exposing and developing the photoresist 16.例文帳に追加

有機ＥＬ層１３の上に、ＩＴＯでなる第１金属膜１２Ａ、Ａｌでなる第２金属膜１５を順次蒸着により積層させ、第２金属膜１５の上にフォトレジスト１６を塗布し、露光・現像してフォトレジスト１６をアノード電極のマスクパターンにパターニングする。 - 特許庁