「Vapor Deposition」に関連した英語例文の一覧と使い方(96ページ目) - Weblio英語例文検索

The antibacterial thin film is formed by forming an Ag-Sn multilayered thin film on the surface of the article through plating or physical vapor deposition and subjecting it to a heat-treatment in which this Ag-Sn multilayered thin film is heated and kept at 200-300°C and then cooled at a cooling rate of ≤50°C/min.例文帳に追加

物品の表面に、めっきあるいは物理蒸着によりＡｇ−Ｓｎ積層薄膜を形成し、このＡｇ−Ｓｎ積層薄膜を２００℃以上３００℃以下の温度で加熱・保持し、５０℃／ｍｉｎ以下の冷却速度で冷却する熱処理をすることにより、抗菌性薄膜を形成させる。 - 特許庁

In an atmospheric pressure CVD (Chemical Vapor Deposition) system 10A, at the time of depositing a thin film on the surface of a substrate 20A, the substrate 20A is arranged inside a reaction chamber 11A, and further, the substrate 20A is heated from the outside of the reaction chamber 11A by a heater 12A to hold the substrate 20A to a fixed temperature.例文帳に追加

減圧ＣＶＤ装置１０Ａにおいて、基板２０Ａの表面に薄膜を形成するときには、反応室１１Ａの内部に基板２０Ａを配置するとともに、ヒータ１２Ａによって、基板２０Ａを反応室１１Ａの外部から加熱して、基板２０Ａを一定温度に保つ。 - 特許庁

To improve utilization efficiency deposition gases, particularly a gaseous starting material at formation of a thin film on a semiconductor substrate by vapor phase growth, and in addition, to reduce the clogging of an exhaust pipe with an unreacted gaseous starting material by improving the utilization efficiency of the gaseous starting material.例文帳に追加

半導体基板上に薄膜を気相成長させるにあたり、成膜用ガス、特に、原料ガスの利用効率を向上させることを目的とし、さらに、原料ガスの利用効率向上により、未反応原料ガスによる排気管のつまりを減少させることを目的とする。 - 特許庁

The vapor deposition film is formed by heating a metallic part 3 arranged inside the neck part 10 from the outside by means of a high frequency coil 4 arranged on the outside after high voltage is supplied so as to carry out a knocking process for improving withstand voltage performance.例文帳に追加

蒸着膜の形成は、高電圧を供給して耐電圧性能の向上を図るためのノッキング処理を行った後で、ネック部１０の内部に配置された金属部品３を外部に配置した高周波コイル４によって外部から加熱処理することによって行う。 - 特許庁

To perform favorable various processing without generating large amount of elongation even though a general tension of 3-10 kg/overall width is applied when a gravure printing various vapor deposition and various coating dry laminate processing is applied to the film having large amount of elongation such as a PE film or the like.例文帳に追加

ＰＥフィルム等の伸びが大きいフィルムをグラビア印刷各種蒸着、各種コーティングドライラミネートの加工をする際、一般的な張力である３〜１０ｋｇ／全巾を掛けたとしても、大きな伸びが発生することなく、良好な各種加工を行うことが出来るようにする。 - 特許庁

The method includes (1) depositing or growing a dielectric material in intrinsic and extrinsic regions of a device, (2) patterning the dielectric material by a dry or wet etching process or a lift-off process, and (3) performing vapor deposition of a field plate on the patterned dielectric material.例文帳に追加

（１）デバイスの真性および外因性領域に誘電性材料を堆積または成長させ、（２）乾式または湿式エッチングプロセス、あるいはリフトオフプロセスで誘電性材料をパターニングし、（３）パターニングされた誘電性材料上にフィールドプレートを蒸着させるステップを包含する方法。 - 特許庁

In the metallic tubular body, a film containing at least any one of nitride, carbide, oxide of titanium or aluminum and a complex compound thereof is deposited by a physical vapor deposition method on a surface of the metallic tubular body having the inside diameter of ≤ 1.0 mm.例文帳に追加

本発明の金属製管状体は、内径1.0ｍｍ以下の金属製管状体の表面にチタンまたはアルミニウムの窒化物、炭化物、酸化物およびこれらの複合化合物の少なくともいずれか一つを含む皮膜を物理蒸着法により形成することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing and recycling method of a ceramic semiconductor manufacture part for improving corrosion and polymer vapor deposition, which occur in the existent ceramic semiconductor manufacture part, through the reforming of the dielectric surface of a part having insulation characteristics, and recycling the part, after its use.例文帳に追加

絶縁特性を有する部品の誘電体表面の改質を通じて既存のセラミック半導体製造用部品で発生する侵食及びポリマー蒸着を改善して使用後にリサイクル可能にしたセラミック半導体製造用部品の製造及びリサイクル方法を提供する。 - 特許庁

Furthermore, a process is provided, where an oxide film 301 as an interlayer insulating film is formed on an insulating film 102 and the gate electrode 201, so as to form a space with the undercuts of the gate electrode 201 through a CVD(chemical vapor deposition) method, which is carried out in an atmosphere of substantially one atmospheric pressure.例文帳に追加

さらに、実質的に１気圧の雰囲気下のＣＶＤ法により、ゲート電極２０１のアンダーカット部との間に空間を形成するように、１０２絶縁膜およびゲート電極上２０１に層間絶縁膜としての酸化膜３０２を形成する工程を有している。 - 特許庁

When the inside of a vacuum vessel 10 is exhausted while an exhaust means 11 is held at a predetermined pressure-reducing capacity, and the pressure in the vacuum vessel 10 is higher than a standard pressure value after the passage of a predetermined exhaust time, vapor deposition substances in the vacuum chamber 10 are removed.例文帳に追加

排気手段１１を所定の減圧能力に保持した状態で、真空容器１０内を排気し、所定の排気時間経過後の真空容器１０内の圧力が基準圧力値よりも高い場合に、真空容器１０内の蒸着物の除去を行う。 - 特許庁

By using the granular material 19 or calcinated powder 24 obtained by calcinating the granular material, and then, disintegrating it, the first granulated powder 20 or the second granulated powder 29 is produced, and the ZnO vapor deposition material consisting of ZnO sintered compact 22 or 32 is produced through molding and sintering.例文帳に追加

粒状体１９又はこの粒状体を仮焼後に解砕して得られた仮焼粉末２４を用いて、第１造粒粉末２０又は第２造粒粉末２９を作製し、成形、焼結を経て、ＺｎＯ焼結体２２又は３２からなるＺｎＯ蒸着材を作製する。 - 特許庁

The dielectric multilayer film is formed by arranging the substrate such that its horizontal reference plane is inclined by a prescribed tilt angle ϕ from a horizontal direction H, making dielectric material incident along a fixed entrance direction by vacuum vapor deposition, and laminating and depositing it on the principal plane of the substrate.例文帳に追加

誘電体多層膜は、基板をその水平基準面が水平方向Ｈから所定のチルト角φ傾くように配置して、誘電体材料を真空蒸着により一定の入射方向に沿って入射させ、基板主面に積層成膜させて形成する。 - 特許庁

The conductive barrier film depositing material is used to deposit a conductive Ti-Zr barrier film by the chemical vapor deposition, and contains Ti halide compound (TiCl_4 or the like) or metal organic compound with Ti, and Zr halide compound (ZrCl_4 or the like) or metal organic compound with Zr.例文帳に追加

ケミカルベーパーデポジションにより導電性Ｔｉ−Ｚｒ系バリア膜を形成する為の材料であって、ハロゲン化Ｔｉ系化合物（ＴｉＣｌ_4 等）又はＴｉを持つ金属有機化合物と、ハロゲン化Ｚｒ系化合物（ＺｒＣｌ_4 等）又はＺｒを持つ金属有機化合物とを含む。 - 特許庁

The ceramic sintered compact includes a substrate having β-silicon nitride and/or β-sialon as a main component and α-silicon nitride and/or α-sialon as a coating alignment component, and a hard ceramic coating to cover at least a part of the substrate by physical vapor deposition.例文帳に追加

セラミックス焼結体を、β型窒化ケイ素および／またはβ型サイアロンを主体とし、α型窒化ケイ素および／またはα型サイアロンを被膜配向成分として含む基材と、物理蒸着法により、前記基材の少なくとも一部を被覆する硬質セラミックス皮膜とから形成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method which enables the stable manufacture of a high quality stimulable phosphor panel by eliminating an adverse influence of an impurity on a stimulable phosphor film, in a manufacture of the stimulable phosphor panel wherein a stimulable phosphor film is formed by a vacuum vapor deposition process.例文帳に追加

真空蒸着によって輝尽性蛍光体膜を成膜する輝尽性蛍光体パネルの製造において、不純物による輝尽性蛍光体膜への悪影響を排除でき、高品質な輝尽性蛍光体パネルを安定して製造できる製造方法を提供する。 - 特許庁

When carbon nanotubes 11 of catalyst particles 12 on an endless belt 3 reach from a chemical vapor deposition zone to a transferring zone by the movement of the belt and gradually fall over sideways as they turn round the outside of a driven drum 2, the carbon nanotubes 11 are pressed to a conductive film 8 from their tips.例文帳に追加

無端ベルト３ 上の触媒粒子１２のカーボンナノチューブ１１がベルトの移動により化学蒸着ゾーンから転写ゾーンへ達し、従動ドラム２ の外側を回るに伴い徐々横に倒れる時、カーボンナノチューブ１１をその先端から導電性フィルム８ に押し付けた。 - 特許庁

There are provide a polypropylene molding prepared by forming a ceramic thin film layer, by a plasma chemical vapor deposition(CVD) process, on either the inner or outer surface or on both the surfaces of a plastic molded article comprising an ethylene-polypropylene random copolymer, and a vacuum blood-gathering tube prepared therefrom.例文帳に追加

エチレン−ポリプロピレンランダム共重合体からなるプラスチック成形品の内面または外面の何れかの面もしくは両面にプラズマ化学蒸着（ＣＶＤ）法にてセラミック薄膜層を形成したことを特徴とするポリプロピレン成形体およびそれを用いた真空採血管である。 - 特許庁

In s substrate treatment system Sys, a substrate treatment device 10 including a vapor deposition device PM1 and a microwave plasma treatment device PM3 is arranged in a cluster structure and an organic electronic device is manufactured while maintaining the space where a substrate G moves from carrying-in to carrying-out of the substrate G in a desired reduced pressure state.例文帳に追加

基板処理システムＳｙｓでは、蒸着装置ＰＭ１、マイクロ波プラズマ処理装置ＰＭ３を含む基板処理装置１０がクラスタ構造に配置され、基板Ｇの搬入から搬出までに基板Ｇが移動する空間を所望の減圧状態に保ちながら有機電子デバイスを製造する。 - 特許庁

An aluminum vapor deposition stage can be omitted by forming reflection mirror members in two forms into which a reflection mirror is divided by press-molding an aluminum plate and mounting the two divided reflection mirror members on a protector in a form with built-in a halogen lamp to manufacture an integrated light.例文帳に追加

アルミニュウムをプレス成型して反射鏡を２分割した形態の反射鏡部材を作成し、これら２分割した反射鏡部材をハロゲンランプを内蔵した形でプロテクタに組み込むことによって内蔵ライトを製造することにより、アルミ蒸着工程を省略することができる。 - 特許庁

In a mouthpiece member having a molding groove and a ceramic body supply hole communicating with the groove, the member is formed of a quenching hardening type martensite stainless steel, and the inner surfaces of the groove and the hole are covered with a wear resistant material by means of a chemical vapor deposition method.例文帳に追加

成形溝とこの成形溝へ連通するセラミック坏土供給孔を有する口金部材において、部材が焼入硬化型マルテンサイト系ステンレス鋼から形成され、成形溝及び供給孔の内面が化学蒸着法によって耐摩耗性材料で被覆されている。 - 特許庁

The method is for manufacturing the porous thin film disposed on the surface of a glass base material and includes a step of forming the thin film by vapor deposition on the surface of the glass base material, and a step of forming holes in the thin film, formed on the surface of the glass base material.例文帳に追加

多孔性薄膜の製造方法は、ガラス基材の表面に設けられた多孔性薄膜の製造方法であって、ガラス基材の表面に蒸着によって薄膜を形成するステップと、ガラス基材の表面に形成した薄膜に空孔を形成するステップと、を備える。 - 特許庁

The plastic container has a compound thin film of gas barrier properties consisting of a plurality of layers of thin films 2 of gas barrier properties deposited on an inner surface of the container by a plasma chemical vapor deposition method and mainly comprising silicon oxide in which the degree of oxidation of each layer is successively increased from the first layer to the uppermost layer.例文帳に追加

プラスチック容器はその内面に、プラズマ化学気相成長法によって形成した、複数層の酸化珪素を主体とするガスバリア性薄膜からなり、第１層から最上層にかけて各層の酸化度が順次増加した、酸化珪素を主体とする複層ガスバリア性薄膜を備える。 - 特許庁

The method comprises depositing a graphite nanofiber on the surface of a base material by a chemical vapor deposition method using a carbon atom-containing gas, wherein at least the surface layer of the base material is comprised of an Fe-containing metal catalyst layer having a crystal orientation of (001), (111), (110), (211) or (310).例文帳に追加

少なくとも表層が(００１)、(１１１)、(１１０)、(２１１)、(３１０)の結晶方位を有するＦｅを含有する金属触媒層からなる基材を使用して、炭素原子含有ガスを用いる化学気相成長法により基材表面にグラファイトナノファイバを成長させる。 - 特許庁

To provide a film-forming method and a film-forming device which is capable of intermittent film forming without degrading any evaporation source even when repeating the opening to the atmosphere to take out products in a unit for vapor deposition, and without damaging the reliability in operation of a mechanism such as a gate valve.例文帳に追加

蒸着を行うユニットにおいて、製品を取り出すための大気開放の繰り返しを行っても蒸発源を立ち下げることなく、かつゲートバルブ等の機構の動作信頼性を損なうことなしに断続成膜ができる成膜方法および成膜装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

A buffer layer 102, a high carrier concentration n+ type layer 103 and a multiple quantum well structure light emitting layer 104 are formed on a sapphire substrate 101, P type layers 105, 106 and a first thin film metal layer 111 of metal vapor deposition are formed thereon, and a negative electrode 140 is formed on the layer 103.例文帳に追加

フリップチップ型の III族窒化物系化合物半導体発光素子において、ｐ型半導体層に接続され、光をサファイア基板側へ反射する厚膜正電極を銀（Ａｇ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、または、これらの合金より形成する。 - 特許庁

To provide a surface treating agent which is suited for a liquid crystal display element equipped with a vertical alignment layer composed of an oblique vapor deposition film of an inorganic oxide, and with which secular stability of alignment, and light fastness of the alignment layer are improved through surface treatment of the alignment layer, and a method for treating the alignment layer.例文帳に追加

無機酸化物の斜方蒸着膜からなる垂直配向膜を備えた液晶表示素子に好適で、配向膜の表面処理により配向の経時安定性及び耐光性を向上させることが可能な表面処理剤及びその処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing an alloy film in which the surface roughness of an alloy film can be improved when an alloy film is deposited by a physical vapor deposition process, to provide a method for producing a nonlinear element in which the lower electrode is composed of an alloy film, to provide a nonlinear element, and to provide an electrooptical device.例文帳に追加

物理気相堆積法で合金膜を成膜する際に合金膜表面の表面粗さを改善可能な合金膜の製造方法、下電極が合金膜からなる非線形素子の製造方法、非線形素子、および電気光学装置を提供すること。 - 特許庁

(d) Among plasma breeding chemical vapor deposition systems having cassette-to-cassette functions and load lock functions or systems designed to be connected to and used with equipment falling under (e), those that are used in the manufacture of semiconductor devices with a minimum line width of 180 nanometers or less 例文帳に追加

ニ　プラズマ増殖型の化学的気相成長装置であって、カセットツウカセット機能及びロードロック機能を有するもの又はホに該当するものに接続して使用するように設計したもののうち、最小線幅が一八〇ナノメートル以下の半導体素子の製造に使用されるもの - 日本法令外国語訳データベースシステム

The surface hydrophilization method for the polyurea membrane deposited by the vapor deposition polymerization method on the object to be deposited comprises depositing the polyurea membrane by exposing an oligomer formed from a raw material polymer to an ozone atmosphere while causing the solid phase polymerization thereof at 50 to 150°C.例文帳に追加

被成膜処理物に蒸着重合法により成膜するポリ尿素膜の表面親水化方法であって、原料ポリマーから生成されるオリゴマーを５０〜１５０℃の温度下で固相重合させながら、オゾン雰囲気に曝すことによりポリ尿素膜を成膜することを特徴とする。 - 特許庁

The conductive layers include conductive materials, such as metals, metal oxides or carbon, formed on the film by a technique, such as vapor deposition or ion sputtering and the conductive resins, such as resins containing the conductive materials and conductive high polymers, formed as multilayers.例文帳に追加

また導電層としては、金属や金属酸化物あるいはカーボンなどの導電性材料を蒸着、イオンスパッタリングなどの手法によりフィルム上に形成したもの、導電性材料を含有する樹脂、導電性高分子などの導電性樹脂を多層化したものなどが挙げられる。 - 特許庁

This method comprises a step of preparing a reactor (including an etching apparatus and a vapor deposition apparatus) using chlorine-based gases, and a step of removing residues present in a reaction tube by forming plasma containing at least one of hydrogen and nitrogen in the reactor.例文帳に追加

塩素系列の気体を用いる反応装置（エッチング装置、蒸着装置を含む）を用意するステップと、前記反応装置内に、水素及び窒素の内の少なくとも１つを含むプラズマを形成して反応管内に存在する残留物を除くステップと、を含んでなることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor substrate manufactured with an organic metal chemical vapor deposition method with which carbon is doped in the higher concentration, and non-activation of holes by hydrogen is reduced particularly in the semiconductor layer to which carbon is doped.例文帳に追加

有機金属気相成長法で作製する化合物半導体基板に関し、特にカーボンをドープする半導体層において、高濃度にカーボンをドープすることができ、尚且つ水素によるホールの不活性化を低減させることができる化合物半導体基板を提供する。 - 特許庁

The optical member comprises a plastic base material and a multilayer antireflection film formed by vacuum vapor deposition, wherein at least one layer in the multilayer antireflection film is an antistatic layer comprising one kind or more of inorganic substances selected from metal carbides, metal nitrides and metal carbide-nitrides.例文帳に追加

プラスチック基材と、真空蒸着で形成された多層反射防止膜とを有する光学部材であって、該多層反射防止膜中の少なくとも１層が、炭化金属、窒化金属、及び炭・窒化金属から選ばれる1種以上の無機物質よりなる帯電防止層である光学部材とする。 - 特許庁

The carbon nanotube production method comprises forming a colloidal metallic catalyst on a substrate and feeding a feedstock gas over the catalyst while allowing moisture to be present in a reaction atmosphere to grow the gas into carbon nanotubes by a chemical vapor deposition (CVD) technique.例文帳に追加

基板上に触媒としてコロイド状金属触媒を配置し、原料ガスを供給するとともに、反応雰囲気中に水分を存在させて化学気相成長（ＣＶＤ）法によりカーボンナノチューブを成長形成させることを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。 - 特許庁

The structure is manufactured by orienting and growing a plurality of carbon nanotubes, exposing a part of the obtained carbon nanotubes to a liquid and then drying in a chemical vapor deposition method (CVD) of carbon nanotubes in the presence of a metal catalyst.例文帳に追加

このような構造体は、金属触媒の存在下にカーボンナノチューブを化学気相成長（ＣＶＤ）させる方法において、複数のカーボンナノチューブを配向成長させ、得られた複数のカーボンナノチューブの一部を液体にさらした後、乾燥させることにより、製造することができる。 - 特許庁

Disclosed is a platinum-ruthenium-containing mixed particulate thin film obtained by substantially simultaneously feeding an organic platinum complex and an organic ruthenium complex, so as to form a platinum-ruthenium-containing thin film by a chemical vapor deposition process.例文帳に追加

本発明の課題は、有機白金錯体及び有機ルテニウム錯体を、実質的に同時に供給して、化学気相蒸着法により白金及びルテニウムを含有する薄膜を形成させることによって得られる白金及びルテニウム含有混合微粒子薄膜によって解決される。 - 特許庁

This scintillator plate is provided by forming a phosphor film on a substrate 1 by vapor deposition, after filling a resistance heating crucible 23, as a supply source with a raw material containing respectively 0.01mol% or more of two kinds or more of additives containing at least thallium iodide and copper iodide, with respect to the CsI.例文帳に追加

ＣｓＩに対して、少なくともヨウ化タリウム及びヨウ化銅を含む２種以上の添加剤をそれぞれ０．０１ｍｏｌ％以上含んでなる原材料を、供給源として抵抗加熱ルツボ２３に充填し、蒸着により基板１上に蛍光体膜を形成したシンチレータプレートとする。 - 特許庁

To provide a small size, a high capacity and a high moisture resistance to a thin film capacitor and reduce the capacitance increase ratio in moisture absorption by flowing the vapor of an org. silane through a microwave electromagnetic field to form an org. silane before and after forming an Al deposition layer.例文帳に追加

小形・大容量で高耐湿性が要求される有機薄膜コンデンサ用の積層シートの製造方法において、さらに耐湿性を向上させるために、界面を酸化させずに層間接着強度を高める必要が生じ、従来困難であった有機シラン層の形成を目的とする。 - 特許庁

Thus, the method can employ the organometallic complex having the ligand of β-diketone, which has been difficult to employ in a conventional method for forming the atomic layer with vapor deposition, and can remove an organic material which has been a problem in employing the organometallic complex, with the oxygen free radicals generated in plasma.例文帳に追加

従来の原子層蒸着方法では使用が困難であったβ−ジケトンの配位子を有する有機金属錯体を使用することができ、しかもこの有機金属錯体の使用時に問題となっていた有機物をプラズマで生成された酸素ラジカルで除去することができる。 - 特許庁

To provide a method for producing a silicon carbide member with excellent productivity where, as a base material for CVD (Chemical Vapor Deposition)-SiC, a repeatedly usable base material which is easily removable from the CVD-SiC, and does not generate cracks, fractures and impurity contamination on the CVD-SiC is adopted.例文帳に追加

本発明は、ＣＶＤ−ＳｉＣの基材として、繰り返し使用でき、ＣＶＤ−ＳｉＣから簡単に除去でき、ＣＶＤ−ＳｉＣにクラック、割れ、不純物汚染を発生させたりしない基材を採用した、生産性に優れた炭化ケイ素部材の製造法を提供する。 - 特許庁

At least a peeling layer 5 comprising an ink coating or a pattern layer 4 is laminated on the front face of a transparent substrate 2, a front low reflection layer 6 formed by vapor deposition is further laminated on the layer 5 or 4 and a rear low reflection layer 8 comprising a low reflection film is disposed on the rear face of the substrate 2.例文帳に追加

透明基板２の表面にインキ皮膜からなる剥離層５または図柄層４が少なくとも積層され、その上に蒸着法により形成された表面低反射層６が積層され、透明基板２の裏面に低反射フィルムからなる裏面低反射層８が積層される。 - 特許庁

In this film deposition method, gaseous organometallic compound containing a carbonyl group and a gaseous silicon starting material are mixed in an introduction tube 20, this mixture is thereafter charged into a vacuum tank 2, and a metallic silicide thin film is vapor-phase-grown on the surface of a preheated silicon substrate 12.例文帳に追加

本発明の成膜方法では、カルボニル基を含む有機金属化合物ガスと、シリコン原料ガスとを導入管２０内で混合させた後、真空槽２内に注入し、予め加熱したシリコン基板１２の表面に金属シリサイド薄膜を気相成長させている。 - 特許庁

In the vacuum vapor deposition apparatus having a print roller having projecting parts with a masking agent adhered thereto and a backup roller to press a traveling film against the print roller, the projecting parts are provided on both ends of the print roller in the direction of the axis of rotation.例文帳に追加

マスキング剤を付着させた凸部を有する印刷ローラと、走行するフィルムを該印刷ローラに押し当てるバックアップローラを有するマスクパターン形成機を設けた真空蒸着機において、前記印刷ローラの回転軸方向の両端に凸部を有することを特徴とした真空蒸着装置。 - 特許庁

To provide a color filter conversion device and in particular, an organic electroluminescent display device applying the same in which vapor deposition frequency of the organic light emitting unit is effectively reduced, and transmittance of color light source generated by the organic light emitting unit to a photoresist and conversion efficiency of the color conversion layer are improved.例文帳に追加

カラーフィルタ変換装置、特にそれを応用した有機電界発光表示装置において、有機発光ユニットの蒸着回数を有効に低減しかつ有機発光ユニットが発生する色光源のフォトレジストに対する透過率及びカラー変換層の変換効率を向上させる。 - 特許庁

The chemical vapor deposition equipment in which a film 13 is formed on the surface of a substrate 11 by using a treatment gas, is provided with the reaction chamber 1, a gas supply pipe 4, a gas supply valve 5, a gas disposal pipe 6, a gas disposal valve 7, and a gas flowmeter 9.例文帳に追加

本発明の化学気相成長装置は、処理用ガスを用いて基板１１表面に薄膜１３を形成する化学気相成長装置であって、反応室１と、ガス供給管４と、ガス供給バルブ５と、ガス廃棄管６と、ガス廃棄バルブ７と、ガス流量計９とを備えている。 - 特許庁