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「Deposition」に関連した英語例文の一覧と使い方(330ページ目) - Weblio英語例文検索
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「Deposition」に関連した英語例文の一覧と使い方(330ページ目) - Weblio英語例文検索


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Depositionを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 17021



例文

This soot removing method consists in occasionally advancing and retreating planar scraping vanes 6 into and from a quartz pipe 1 from a soot adhesion and deposition side 4 at an arbitrary speed, scraping out the soot 2 in the quartz pipe 1 at the retreating stroke thereof and occasionally rotating the scraping vanes 6 coaxially with the quartz pipe 1 in a direction opposite thereto.例文帳に追加

石英管1内に、そのスート付着堆積側4から平板状の掻き出し羽根6を随時、任意の速度をもって進入・引退させてその引退ストロークに際して石英管1内のスート2を掻き出し、この掻き出し羽根6を石英管1と同軸的に、これとは反対方向に随時回転させるようにしたスート除去方法である。 - 特許庁

A pin fixedly disposed at a ring plate turnably supported to the turbocharger, to set the angle of a nozzle vane for controlling the amount of exhaust gas rotating a turbine rotor, is formed with a hard coating with a thickness of about 2 μm on austenite stainless steel used as a base material by physical vapor phase deposition of Al, Cr, Si and N.例文帳に追加

ターボチャージャに回動可能に支持されているリングプレートに固定配置され、タービンロータを回転させる排気ガスの量を制御するノズルベーンの翼角を設定するピンとして、母材であるオーステナイト系ステンレスにAl、Cr、Si、及びNからなる物理気相蒸着した厚さ約2μmの硬質皮膜を形成したものを用いる。 - 特許庁

The method comprises imparting a textile product with an antimicrobial component and at least one microbe deposition inhibitory component selected from the group consisting of a polyfluorohydrocarbon group-bearing polymer, methylhydrogensilicone, dimethylsilicone, amino-modified silicone, hydrocarbon wax, methylolfatty acid amide, alkylethyleneurea and pyridinium-based quaternary ammonium salt followed by carrying out a heat treatment at 60°C or higher.例文帳に追加

繊維製品に、ポリフルオロ炭化水素基を有する重合体、メチルハイドロジェンシリコーン、ジメチルシリコーン、アミノ変性シリコーン、炭化水素ワックス、メチロール脂肪酸アミド、アルキルエチレン尿素およびピリジニウム系第4級アンモニウム塩からなる群より選ばれる少なくとも1種の菌付着抑制成分と、抗菌成分とを付与した後に、60℃以上で熱処理する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, where two kinds of methods of physical deposition and plating are used for forming a bump electrode so that improvement in productivity is attained by improving the yield of manufacturing, while attaining miniaturization of the semiconductor device, high integration and lead-free handling, and ensuring high reliability.例文帳に追加

バンプ電極の形成にあたり物理的被着法とめっき法の2種類の方法を用いることによって、半導体装置の小型化、高集積化及び鉛(Pb)フリー化への対応を図りつつ製造の歩留まりを上げて生産性の向上を図るとともに、高い信頼性を確保した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

例文

To provide a formation method of a copper metal wiring of a semiconductor element which can improve burying of copper, by maximizing the suction site of chemical reinforcing agent on the surface of a diffusion barrier layer by carrying out a plasma treatment after chemical reinforcing agent deposition when a copper metal wiring is formed by using a CECVD method.例文帳に追加

CECVD法を用いて銅金属配線を形成する場合、化学的強化剤蒸着後プラズマ処理を行うことにより、拡散障壁層の表面に化学的強化剤の吸着サイトを極大化させ、これにより銅の埋込み特性を向上させることができる半導体素子の銅金属配線形成方法を提供すること。 - 特許庁


例文

In the scintillator plate with the scintillator layer consisting of deposition crystals on a substrate, the average roughness (Ra) of the central line on the contact surface of the substrate contacting the scintillator layer is 0.001≤Ra≤0.1 μm and the maximum roughness (Rt) of the contacting surface and the average roughness (Ra) have a relation of 5≤Rt/Ra≤150.例文帳に追加

基材上に蒸着結晶からなるシンチレータ層を有するシンチレータプレートにおいて、該基材の該シンチレータ層と接触する接触面の中心線平均粗さ(Ra)が、0.001≦Ra≦0.1μmであり、該接触面の最大粗さ(Rt)と該Raが、5≦Rt/Ra≦150である関係を有することを特徴とするシンチレータプレート。 - 特許庁

A mask body 6 in a vapor deposition mask 1 is composed of thin film-shaped first mask layers 3 provided with opening patterns 3a and second mask layers 5 having opening windows 5a including the opening patterns 3a and provided so as to be superimposed on the first mask layers 3, thus the film thickness of the mask body 6 is made large while holding the shape accuracy of the opening patterns 3a.例文帳に追加

開口パターン3aが設けられた薄膜状の第1マスク層3と、開口パターン3aを包含する開口窓5aを有し第1マスク層3に重ね合わせて設けられた第2マスク層5とで、蒸着マスク1におけるマスク本体6を構成することにより、開口パターン3aの形状精度を維持しつつマスク本体6を厚膜化した。 - 特許庁

In detail, the N type thermoelectric thin film layer 3, the insulating thin film layer 5, the P type thermoelectric thin film layer 7 and the electrode thin film layer 9 are conductive thin films manufactured by a vapor deposition process, and the N type thermoelectric thin film layer 3 is electrically connected to the P type thermoelectric thin film layer 7 by the electrode thin film layer 9 at a side end thereof.例文帳に追加

詳しくは、N型熱電薄膜層3、絶縁薄膜層5、P型熱電薄膜層7、電極薄膜層9は、気相成長プロセスによって作製された導電薄膜であり、N型熱電薄膜層3とP型熱電薄膜層7とは、その側端部にて電極薄膜層9により電気的に接続されている。 - 特許庁

Otherwise, oxygen is doped into the gallium nitride crystal via a non-C-plane facet face by using a seed crystal having a C-plane surface, supplying material gases including a gallium material, a nitrogen material and oxygen to be doped, generating the non-C-plane facet face, and growing the gallium nitride crystal in the direction of the c-axis with vapor deposition, while maintaining the facet face.例文帳に追加

または、C面を表面にもつ種結晶を使って、ガリウム原料と窒素原料とドーピングすべき酸素を含む原料ガスを供給しながらC面以外のファセット面を発生させ当該ファセット面を保ちつつ窒化ガリウム結晶をc軸方向に気相成長させることによりファセット面を通して窒化ガリウム結晶中に酸素をドーピングする。 - 特許庁

例文

As an actuator for the ink-jet head 1, the piezoelectric actuator 16 equipped with the piezoelectric film 18, which has a perovskite structure formed through sputtering operation containing Pb, Zr and Ti and which is formed by a manufacturing method at a deposition speed at film-forming of 0.5 μm/h or higher and lower than the sputtering gas pressure in the film formation of 0.5 Pa or lower.例文帳に追加

インクジェットヘッド1のアクチュエータとして、スパッタリングにより形成されたPb、ZrおよびTiを含むペロブスカイト型構造を有し、成膜時の堆積速度が0.5μm/h以上または成膜時のスパッタガス圧が0.5Pa以下による製造方法により作成された圧電膜18を備えた圧電アクチュエータ16を用いる。 - 特許庁

例文

The hole formation method includes: a hole formation step for forming a hole by etching a first film formed on a substrate; a second film deposition step of depositing a second film on the first film so that the upper side of the hole becomes thick and the bottom side becomes thin; and a shape correction step of correcting the shape of the hole by etching the first and second films.例文帳に追加

基板上に形成された第1膜をエッチングしてホールを形成するホール形成ステップと、前記第1膜上に、前記ホールの上部側が厚く底部側が薄くなるように、第2膜を堆積させる第2膜堆積ステップと、前記第1膜及び前記第2膜をエッチングして前記ホールの形状を補正する形状補正ステップと、を具備する。 - 特許庁

To provide a method of forming a film by a catalytic chemical vapor deposition method using a unit layer post-treatment, the method improving within-wafer nonuniformity of a silicon nitride film or the like, stepper coverage, and film quality such as an I-V breakdown voltage characteristic, and laminating and forming a thin film by forming films on a unit layer basis and thereafter executing surface treatment thereto.例文帳に追加

シリコン窒化膜などの面内均一性の向上、ステップカバレッジの向上及びI−V耐圧特性などの膜質の向上を図ることができるとともに、単位層ごとに成膜後、表面処理して薄膜を積層形成することができる単位層ポスト処理を用いた触媒化学蒸着法による成膜方法を提供する。 - 特許庁

The ultrasonic transducer 1 consists of the substrate 3 of which at least the film formation surface is composed of titanium metal or titanium oxide and the film formation surface has been roughened, the PZT piezoelectric crystal film 2 formed by deposition by hydrothermal synthesis on the roughened surface of the substrate 3, and an electrode 4 attached to the surface of the PZT piezoelectric crystal film 2.例文帳に追加

又、少なくとも成膜面がチタン金属又は酸化チタンで構成され、成膜面に粗面をなしている基板3と、水熱合成法により基板3の粗面上に積層形成されたPZT圧電結晶膜2と、PZT圧電結晶膜2の表面に取り付けられた電極4とを有することを特徴とする超音波トランスデューサ2である。 - 特許庁

At a position with deposition of urea aqueous solution, which is supplied by injection from an injection nozzle 6 into an exhaust pipe 2 upstream of an NOx reducing catalyst 4 in exhaust flow, a first temperature sensor 10 detects the outer wall temperature of the exhaust pipe 2 and a second temperature sensor 11 detects the exhaust temperature, allowing the difference of these temperatures to be calculated.例文帳に追加

噴射ノズル6からNOx還元触媒4の排気上流側の排気管2内に噴射供給された尿素水溶液が付着する部位において、第1の温度センサ10により排気管2の外壁温度を検出するとともに第2の温度センサ11により排気温度を検出し、その温度差を演算する。 - 特許庁

This method of purifying a diamine compound comprises a dissolution step of compounding a diamine compound of formula (1) with a good solvent for the diamine compound of formula (1) and heating the resulting compound to dissolve the diamine compound of formula (1) and a deposition step of cooling the solution obtained in the dissolution step to deposit a crystal of the diamine compound of formula (1).例文帳に追加

本発明のジアミン系化合物の精製方法は、ジアミン系化合物(1)と、ジアミン系化合物(1)の良溶媒とを配合して、加熱することにより、ジアミン系化合物(1)を溶解させる溶解工程と、溶解工程で得られた溶液を冷却して、ジアミン系化合物(1)の結晶を析出させる析出工程と、を含む。 - 特許庁

Alternatively, the hydrogen generating medium is obtained by immersing iron or iron oxide particles in an aqueous solution of a salt of a cationic element which is more cationic than oxygen, depositing the cationic element on the iron or iron oxide particles with an addition of a deposition agent, and firing the iron or iron oxide particles on which the cationic element is deposited in the presence of oxygen.例文帳に追加

または、酸素より陽性の陽性元素の塩の水溶液に、鉄または酸化鉄の粒子を浸漬するとともに、析出剤を添加して、陽性元素を鉄または酸化鉄の粒子上に析出させ、この陽性元素が析出した鉄または酸化鉄の粒子を酸素存在下で焼成することで、水素発生媒体を得る。 - 特許庁

The method includes a preparing process 14 of preparing a silicon wafer, a patterning process 16 of patterning the wafer with a blocking agent in selected regions where deposition of ZnO is to be inhibited, a depositing process 20 of depositing a layer of ZnO on the wafer by ALD, and a removing process 24 of removing the blocking agent from the wafer.例文帳に追加

上記方法は、シリコンウェーハを用意する工程14と、ZnOの堆積を抑制させることを選択した領域のパターンを、阻害作用物を用いることにより該ウェーハにパターン形成する工程16と、ALDにより該ウェーハ上にZnOの層を堆積させる工程20と、該ウェーハから該阻害作用物を除去する工程24とを含む。 - 特許庁

In the temperature history and moisture deposition history indicator composition, a granular or powder-like thermally melted substance having a melt point corresponding to temperature to be detected, and a coloring matter having a diffusion property to the granular or powder-like, thermally melted substance, and the granular or powder-like coloring matter that is dispersive to water are contained.例文帳に追加

温度履歴および水分付着履歴インジケータ組成物は、検知すべき温度に対応する融点を有する粒状または粉末状の熱溶融性物質と、粒状または粉末状であって熱溶融した該物質への拡散性の色素と、粒状または粉末状であって水への拡散性の色素とが、含まれている。 - 特許庁

In the semiconductor manufacturing method including repeating insertion of a wafer W into a chamber 1 of a CVD (chemical vapor deposition) treatment apparatus and filming treatment to form a film over a plurality of wafers W, a reduced gas is fed into the chamber 1 for every filming and conditioning treatment is applied into the chamber 1 with a plasma resulting from applying a high frequency power.例文帳に追加

CVD処理装置のチャンバ1内へのウエハW挿入と、成膜処理とを繰り返すことにより複数のウエハW上に成膜することを含む半導体製造方法において、成膜の毎にチャンバ1内に還元性ガスを供給し、高周波電力を印加して発生させたプラズマでチャンバ1内をコンディショニング処理する。 - 特許庁

With the manufacturing method of an electronic device or a plastic board for an organic EL element with a vapor barrier layer and a gas barrier layer, the vapor barrier layer and the gas barrier layer are made of inorganic/organic laminated films consisting of at least a pair of an inorganic layer and an organic layer, and that, the organic layer is formed by a thermochemical deposition method or a plasma polymerization method.例文帳に追加

水蒸気バリア層、及びガスバリア層を有する電子デバイス、又は有機EL素子用プラスチック基板の製造方法であって、水蒸気バリア層、及びガスバリア層を少なくとも一対の無機層と有機層とからなる無機/有機積層膜で形成し、且つ有機層を熱化学蒸着法、或いはプラズマ重合法を用いて形成することである。 - 特許庁

In a manufacturing method of a holding jig including an elastic member 6A provided with an adhesive part 7A and a non-adhesive part 8A on the surface thereof, a metal thin film 11 is formed on the surface by vapor deposition or sputtering, and laser 12 is irradiated on an area in which the adhesive part 7A is provided to remove the metal thin film 11.例文帳に追加

表面に粘着部7Aと非粘着部8Aとが配置された弾性部材6Aを備えて成る保持治具を製造する方法であって、蒸着又はスパッタリングで表面に金属薄膜11を形成し、粘着部7Aが配置される領域にレーザー12を照射して金属薄膜11を除去する保持治具の製造方法。 - 特許庁

According to the present invention, a film having a more smooth surface that is unaffected by an uneven deposition of catalysts can be produced because a diamond-like carbon film can be formed on the surface of a base material by a pyrolysis of a hydrocarbon gas by allowing the base material containing sapphire single crystals to be subjected to a heat treatment not lower than 1,000°C in an atmosphere containing a hydrocarbon gas.例文帳に追加

本発明によれば、サファイア単結晶を含む基体を、炭化水素ガス含有雰囲気中で1000℃以上に加熱することにより、基体の表面上に炭化水素ガスの熱分解によるダイヤモンドライクカーボン膜を形成することができるので、触媒の不均一な堆積に影響されない、より表面平滑な膜を作製することができる。 - 特許庁

In the method of manufacturing the adhesive tape having an aggregation layer of glancing pillar structures mounted on a surface of a support, each glancing pillar structure protruding at an angle of elevation of less than 90 degrees from the surface and having an aspect ratio of not less than 1, wherein the glancing pillar structure is formed by a glancing angle vapor deposition method.例文帳に追加

本発明の粘着テープの製造方法は、支持体の表面に該表面からの仰角が90度未満で突出した斜め柱状構造体の集合層を備え、該斜め柱状構造体のアスペクト比が1以上である粘着テープの製造方法であって、該支持体の表面に該斜め柱状構造体を斜め蒸着法によって形成する。 - 特許庁

This radiographic image conversion panel is provided with a photostimulable phosphor layer 12, containing a photostimulable phosphor formed on a support body 11 by a vapor-deposition method, and a Pb layer 15 having 50-300 μm of film thickness is provided at 0-3.0 mm of distance from the under face of the photostimulable phosphor layer 12 directed toward a support body 11 side.例文帳に追加

放射線像変換パネルは、支持体11上に気相堆積法により形成された輝尽性蛍光体を含有する輝尽性蛍光体層12を備えており、この輝尽性蛍光体層12の下面から支持体11側に向けて0mm〜3.0mmの距離に、50μm〜300μmの膜厚を有するPb層15を設ける。 - 特許庁

In the method where a base materia 14 is arranged inside a growth chamber 10, a gaseous starting material is fed thereto, and a carbon nanotube is oriented and grown on the base material 14 by a CVD (Chemical Vapor Deposition) method, both of electric fields and plasma are not used for the growth of the carbon nanotube, and heat emitted by a filament 12 arranged inside the growth chamber is utilized.例文帳に追加

成長室10内に基材14を配置し、原料ガスを供給してCVD法により基材14上にカーボンナノチューブを配向成長させる方法であって、カーボンナノチューブの成長に、電界及びプラズマのいずれも用いず、且つ成長室内に配置したフィラメント12の発する熱を利用する方法とする。 - 特許庁

Since the deposition or application process of the electrode films 4 and 5 and the EL emission layer 3, for forming the organic EL light source 1 and a sealing process for sealing the organic EL light source 1 in the vessel 2, can be considered as separate processes in terms of reaction and conduction, the flexibility in the sealing structure and the material are increased and a further simple method can be employed.例文帳に追加

有機EL光源1を形成する電極膜4、5およびEL発光層3の蒸着または塗布工程と、有機EL光源1を容器2に密閉するための封止の工程を反応や導通の面で別の工程として考えることができるので、封止構造、材料の自由度が増し、より簡易な方法が採用できる。 - 特許庁

To provide a low cost local clean type coating film forming apparatus prevented from the occurrence of coating unevenness, the incorporation of a foreign substance in a gas stream into a material to be coated by the effect of the gas stream flowing in a closed space or the deposition of a foreign substance produced by the coagulation of a solid portion in the coating material on the material to be coated.例文帳に追加

閉空間内に流れる気流の影響を受けて、塗装ムラが発生したり、前記気流中の異物が被塗工物に混入したり、また、塗料中における固形分の凝集によって発生した異物が被塗工物に付着したりすることを防止した、局所クリーン方式による塗膜形成装置を低コストで供給する。 - 特許庁

After forming a bonding part made of metal in a contour-like shape and etching (surface activation processing) the bonding part by plasma, by bonding objects to be bonded each other by pushing and breaking a deposition layer which re-adhered to the bonding part, a space formed by being surrounded in the contour-like shape by the bonding part between bonding surfaces can be sealed into a predetermined atmosphere.例文帳に追加

金属からなる接合部を輪郭状に形成し、該接合部をプラズマによりエッチング(表面活性化処理)した後、接合部に再付着した付着物層を押し破って被接合物どうしを接合することで、接合面間に接合部によって輪郭状に囲まれて形成される空間を所定の雰囲気に封止することができる。 - 特許庁

Since a precursor which becomes a nuclear of a deposit is formed in the first step low temperature heat treatment and the precursor is made grown in the deposit in the second strep high temperature heat treatment, deposition is advanced finely and quickly in spite of low Ca content of 0.06 mass% or lower, the grid having the highest strength is obtained and deformation during active material coating can be prevented.例文帳に追加

第1段階の低温熱処理で析出物の核となる前駆体を生成させ、第二段階の高温熱処理で前駆体を析出物に成長させるので析出が微細に且つ迅速に進み、Caの含有量が0.06質量%以下と低いにも係わらず、高強度の基板が得られ、活物質塗布時の変形が防止できる。 - 特許庁

The CVD system is, e.g., composed of a reaction chamber 10 capable of atmospheric control, a raw material vaporization tank 7 arranged therein with a raw material for thermal deposition reaction stored therein, a susceptor 2 holding a substrate 6 as the object for treatment to the upper direction of the raw material vaporization tank 7 so as to be close thereto, and a heater 3 controlling the temperature of the substrate 6.例文帳に追加

本発明のCVD装置は、雰囲気調整が可能な反応室10、その中に配置され熱分解反応の原料が収容される原料気化槽7、処理対象の基板6を原料気化槽7の上方にこれに近接させて保持するサセプタ2、基板6の温度を制御するヒータ3などから構成される。 - 特許庁

A cleaning flow generating section 20 is operated in a predetermined time stretch during exchange of a work piece W, and a pulsating cleaning flow P is sprayed from a spraying nozzle 30 into a stored cleaning solution L in a cleaning vessel 10 so that floating dirt D2 removed from a pit H is diffused and transferred without re-deposition to an uncleaned work piece W.例文帳に追加

ワークWが交換される間の所定範囲において、洗浄流生成部20を作動させ、噴射ノズル30から脈動洗浄流Pを洗浄槽10の貯留洗浄液L中に噴射して、袋穴Hから除去された浮遊汚れD2を未洗浄のワークWに再付着しないように拡散し移動させている。 - 特許庁

A nozzle 4a can thus be properly and smoothly inserted in the container 2, which is enlarged by the insertion of the plate 13, so the electrolyte (the liquid) is properly injected therein, the deposition of the liquid on the inner wall face of the opening portion 2b is avoided, and the opening portion 2b is satisfactorily sealed, resulting in the efficient production of the high quality secondary battery.例文帳に追加

ノズル4aは、プレート13の挿入により広げられた容器2内に適正かつ円滑に挿入できるので、電解液(液体)6の注入は適切に行われ、開口部2b内壁面への液付着等は回避され、開口部2bの密閉も良好に行われるので、高品質な二次電池を効率良く製造することができる。 - 特許庁

To provide a method for solving such problems that negative electric charge is charged on a plastic film, etc., by the incidence of a released secondary electron and abnormal discharge is generated just before winding and damage/fracture of deposited film is caused when an insulating evaporation material such as silicon oxide is vapor-deposited on a plastic film, etc., in a winding type electron beam vacuum vapor deposition device.例文帳に追加

巻き取り式電子ビーム真空蒸着法において、プラスチックフィルム等に酸化珪素等の絶縁性からなる蒸発物質を蒸着する際、放出される2次電子の入射により、プラスチックフィルム等に負の電荷が帯電し、巻き取る直前に異常放電が発生し、蒸着膜の損傷・破壊を招く問題を解決する方法を提供する。 - 特許庁

The oriented bulk structure of the double-walled carbon nanotubes, which is the assembly of a plurality of oriented double-walled carbon nanotubes and has a height of ≥0.1 μm, and the double-walled carbon nanotubes are produced by subjecting carbon nanotubes to chemical vapor deposition in the presence of a metal catalyst, whose particle diameter and film thickness have been controlled, and preferably in the presence of moisture.例文帳に追加

複数の配向二層カーボンナノチューブの集合体からなり、高さが0.1μm以上である配向二層カーボンナノチューブ・バルク構造体および二層カーボンナノチューブについて、金属触媒の存在下、該触媒の粒子径、膜厚を制御し、好ましくは水分の存在下にカーボンナノチューブを化学気相成長(CVD)させて製造する。 - 特許庁

To provide a method for producing a porous preform and an apparatus therefor by which centering of a starting preform rod and surface treatment throughout the whole area of the starting preform rod can be carried out in the apparatus for producing the porous preform and generation of a foam caused from the starting preform rod or a burner for flame processing can be suppressed to allow a high-speed deposition.例文帳に追加

多孔質ガラス母材の製造装置内で、出発母材ロッドの芯出しや出発母材ロッドの全域に渡って表面処理を行なうことができ、出発母材ロッドや火炎加工用バーナに起因する泡の発生を抑制することができ、高速度堆積を可能とする多孔質ガラス母材の製造方法およびその装置を提供する。 - 特許庁

The transparent polyester film for vapor deposition and the transparent vapor-deposited polyester film each comprises a biaxially oriented polyester film characterized in that it satisfies a thickness of 5 to 100 μm, a surface oligomer content of 20 mg/m^2 or lower, a film melting subpeak temperature Ts of 190 to 235°C, and a film diethylene glycol content of 2.0 wt.% or lower.例文帳に追加

本発明の透明蒸着用ポリエステルフイルム及びその透明蒸着ポリエステルフイルムは、2軸配向ポリエステルフイルムであって、表面オリゴマー量が20mg/m^2以下であり、フイルムの融解サブピーク Tsが190〜235℃であり、フイルム中のジエチレングリコール量が2.0重量%以下である厚さ5〜100μmを満たすことを特徴とするものである。 - 特許庁

The controller 206 sends, to the actuator 204, a command to move the pressure regulating means 20 to the open position of the exhaust port 29 when vacuumizing is performed by the exhaust system 4, and also sends a command to move the pressure regulating means 20 to the closed position of the exhaust port 29 to the actuator 204 when film deposition is performed in the vacuum vessel 2.例文帳に追加

コントローラ206は、排気系4による真空引きを行うに際し、圧力調整手段20を排気口29の開位置に移動させる指令をアクチュエータ204に送出するとともに、真空容器2内での成膜を行うに際し、圧力調整手段20を排気口29の閉位置に移動させる指令をアクチュエータ204に送出する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thermoplastic resin film of high quality causing no transfer of an adhering matter and excellent in surface appearance with good productivity by suppressing deposition of the adhering matter on the surface of a roll in a casting process for bringing the thermoplastic resin extruded into a film form in a molten state into contact with the surface of the roll to cool the same.例文帳に追加

フィルム状に溶融押出された熱可塑性樹脂を冷却ロールのロール面に接触させ冷却するキャスティング工程において、ロール面への付着物の発生を抑制することにより、付着物の転写がなく、表面外観に優れた高品質の熱可塑性樹脂フィルムを生産性よく製造する方法を提供する。 - 特許庁

The electrophotographic photoreceptor has a film deposition layer comprising at least a photosensitive layer on the outer surface 10A of a cylindrical substrate 10, wherein the cylindrical substrate 10 has chamfers 13, 14 formed between an end face 15 and the perimeter surface 10A, with an intersection angle θ3 of the chamfer 14 specified toto 25° with respect to the end face 15.例文帳に追加

円筒状基体10の外表面10Aに少なくとも感光層を含む成膜層が形成された電子写真感光体において、円筒状基体10は、端面15と外周面10Aとの間に形成された面取り面13,14を有しており、面取り面14は、端面15に対する交差角度θ3が3°以上25°以下とされている。 - 特許庁

To provide an active energy ray-curable resin composition which is excellent in storage stability, and whose cured coated film is excellent in appearance, heat resistance and base material adhesivity; and to provide an active energy ray-curable resin composition for FRP metal vapor-deposition, and a coated article having an undercoat layer excellent in heat resistance and base material adhesivity, using the resin composition.例文帳に追加

貯蔵安定性に優れ、かつ硬化塗膜が外観、耐熱性、及び基材密着性に優れる活性エネルギー線硬化型樹脂組成物、これを用いたFRP金属蒸着用活性エネルギー線硬化型樹脂組成物、及び耐熱性と基材密着性に優れるアンダーコート層を有する塗装物を提供すること。 - 特許庁

In the sputtering method where, to the film deposition face of a substrate 2, particles generated by the sputtering of a target 3 arranged so as to be confronted therewith are stuck, so that a film is deposited, high frequency pulse voltage of which the frequency is50 kHz and Off-Duty value is 40 to 50% is applied to the target, so that the sputtering is performed.例文帳に追加

基体2の成膜面にそれと対向配置したターゲット3のスパッタリングによって発生する粒子を付着させて成膜するスパッタリング方法において、前記ターゲットに、周波数50kHz以上、Off−Duty値が40〜50%である高周波パルス電圧を印加してスパッタリングを行うことを特徴とするスパッタリング方法。 - 特許庁

In the method of producing a selenium plane sensor where a selenium layer 5 is formed on a glass substrate 3 by vacuum heating vapor deposition, the glass substrate 3 is warped at a curvature radius (R) in the range of 1,000 to 10,000 mm in advance, and also, the temperature of the glass substrate is controlled to the range of 45 to 80°C to form the selenium layer 5.例文帳に追加

ガラス基板3上にセレン層5を真空加熱蒸着によって形成するセレン平面センサの製造方法において、前記ガラス基板3を曲率半径(R)=1000〜10000mmの範囲で予め反らせた状態とし、且つガラス基板温度を45〜80℃の範囲でセレン層5を形成することを特徴とする。 - 特許庁

This A-type heavy oil composition satisfying JIS first class heavy oil standards comprises a fluid catalytic cracking light cycle oil (LCO) wherein a content of 16-25C straight chain saturated hydrocarbon is 30 mass% or less, a content of bicyclic aromatic series is 40 vol.% or less, and a wax deposition quantity at -15°C is 2.5 mass% or less.例文帳に追加

炭素数16から25までの直鎖飽和炭化水素含有量が30質量%以下であり、2環芳香族分量が40容量%以下であり、−15℃における析出ワックス量が2.5質量%以下である接触分解軽油(LCO)を配合することを特徴とするJIS1種重油規格を満たすA重油組成物。 - 特許庁

The centrifugal separator 1 comprises: a rotor 10; a rotary mechanism part 3 including a rotary shaft 4 connected to the rotor 10 and a motor 13 for driving; and a suspension liquid discharge part 14 discharging a misted suspension liquid L to the internal space 12 of the rotor 10; and a scraper peeling mechanism 18 provided with a scraper 6 scraping a deposition layer 7.例文帳に追加

遠心分離装置1は、回転体10と、回転体10と連結された回転軸4及び駆動用モータ13を有する回転機構部3と、ミスト化した懸濁液Lを回転体10の内空間12に吐出する懸濁液吐出部14と、堆積層7を掻取るスクレーパ6を備えるスクレーパ剥離機構部18とを具備する。 - 特許庁

To provide a metallic component which is surely fixed, attached, assembled and sealed by depositing a to-be-plastically-deformed metal coating film using a high-speed jet coating method through a process which satisfies all requirements such as a film deposition speed, process simplicity and a low environmental load necessary for a composite metal excellent in film quality and adhesion of the coating film.例文帳に追加

膜質、皮膜の密着性に優れた複合金属を、成膜速度、プロセスの簡便性、環境低負荷などの要求特性を全て満足するプロセスによって、塑性変形させる金属を、高速噴射によるコーティング法により施工形成し、部材の固定、取付け、組立て、シール操作を確実に実施できる金属部品およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The film-forming method comprises: the first film-forming step of forming a film on a substrate, in a vacuum deposition apparatus; a transportation step of transporting the substrate having the film formed thereon in the first film-forming step to a sputtering apparatus, in a vacuum state; and the second film-forming step of forming a film on the transported substrate, in the sputtering apparatus.例文帳に追加

本発明は、基板を真空蒸着装置にて成膜する第1の成膜工程と、前記第1の成膜工程にて成膜された基板を、スパッタリング装置に真空状態で搬送する搬送工程と、前記搬送された基板をスパッタリング装置にて成膜する第2の成膜工程とからなる成膜方法を特徴とする。 - 特許庁

The (Zn, Al)O-based transparent electrode layer constituting the solar cell is formed by sputter deposition using a ZnO-Al_2O_3-based sputtering target consisting of a pressurized and molded sintered compact having a blended composition of 0.1-5 mass% aluminum oxide, 0.1-5 mass% metal Al, the residual of zinc oxide (wherein ≤0.1% inevitable impurity content).例文帳に追加

太陽電池を構成する(Zn,Al)O系透明電極層を、質量%で、 酸化アルミニウム:0.1〜5%、金属Al:0.1〜5%、酸化亜鉛:残り、からなる配合組成(ただし、不可避不純物含有量:0.1%以下)を有する加圧成形体の焼結体で構成されたZnO−Al_2O_3系スパッタリングターゲットを用いてスパッタ成膜する。 - 特許庁

The method for suppressing carbon deposition in a carbonization chamber of a coke oven is characterized by catching deposited carbon formed during coal carbonization by installing, in a carbonization chamber of a coke oven, a rectification box 1 which has a gas stream passageway consisting of a cavity 4 penetrating in the direction of oven length therein and a gas stream entrance consisting of an opening 5 on the bottom surface thereof.例文帳に追加

コークス炉の炭化室内に、内部に炉長方向に貫通する空洞4からなるガス流通路を有し、且つ、底面に開口部5からなるガス流入口を有する整流ボックス1を載置して、石炭乾留中に生成する付着カーボンを捕捉することを特徴とするコークス炉炭化室のカーボン付着抑制方法。 - 特許庁

To provide a jet-type microwave-excited plasma treatment device that causes low-temperature non-thermal equilibrium plasma to be stably jetted from a nozzle by microwave power at atmospheric pressure or a pressure near atmospheric pressure to perform CVD (chemical vapor deposition), etching, or ashing using plasma on a workpiece, or material processing such as fusing, welding or surface reforming on a workpiece.例文帳に追加

大気圧下で又は大気圧付近の圧力で、マイクロ波電力により低温の非熱平衡プラズマを安定して、ノズルから吹き出させ、被加工物にプラズマを使用したCVD(化学蒸着)、エッチング、アッシング、被加工物に溶断又は溶接、表面改質等の材料プロセシングを行う吹き出し形マイクロ波励起プラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

例文

The thermal transfer sheet is provided wherein a metallic luster layer area having a specular brightness equal to that of an aluminum vapor deposited film by applying or printing a highly bright coating agent onto one side of a substrate film of the thermal transfer sheet while a method for forming the metallic luster layer area is formed by not using the metal vapor deposition but coating or printing.例文帳に追加

熱転写シートの基材フィルムの片面に、高輝度コーティング剤を塗布または印刷することによって、アルミニウム蒸着膜と同等の鏡面状の輝度を持つ金属光沢層領域を形成した熱転写シート、および金属蒸着ではなく、塗布または印刷することによって該金属光沢層領域を形成する方法。 - 特許庁




  
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