「rate of deposition」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for manufacturing a glass rod-like body by which the deposition rate of glass fine particles on the outer periphery of a starting member is improved to efficiently manufacture the glass rod-like body such as an optical fiber preform without degrading the quality.例文帳に追加

ガラス微粒子の出発部材の外周部への堆積速度を向上させることができ、その結果、光ファイバ用母材等のガラス棒状体を品質を落とすことなくしかも効率良く生産することができるガラス棒状体の製造方法を提供する。 - 特許庁

Simultaneously with this, a dancer roller head 28 lowers to the lower part of the first sub chamber 10 in accordance with the carrying rate of the web 23, and the web 23 stored in the first sub chamber 10 is carried to the main chamber 11, and a state where film deposition is continued is made.例文帳に追加

これと同時にダンサーローラーヘッド２８はウェブ２３の搬送速度に合わせて、第１サブチャンバー１０の下部に下りて行き、第１サブチャンバー１０内に溜められたウェブ２３は、メインチャンバー１１へ搬送され、成膜が続行されている状態が出来る。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a thin-film semiconductor device which can maintain deposition speed, even at a low substrate temperature, can deposit a crystalline silicone thin film at a stable crystallization rate in the film thickness direction, can industrially put direct deposition of the crystalline silicone thin film onto a substrate to practical use and can be turned into high performance by using the silicon thin film.例文帳に追加

低い基板温度であっても成膜速度を維持して膜厚方向の結晶化率が安定した結晶性のシリコン薄膜を基板上に成膜可能で、これにより基板上への結晶性のシリコン薄膜の直接成膜を産業上において実用化すると共に、このシリコン薄膜を用いることで高性能化が図られた薄膜半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an air battery suppressing concentrated deposition of a discharge product by enhancing an oxygen diffusion coefficient in a nonaqueous electrolyte even during high rate operation, and obtaining high output and high capacity, and to provide an air battery stack.例文帳に追加

高負荷運転時にも非水系電解液内の酸素拡散率を向上させて放電生成物が集中的に析出することを抑制し、高出力および高容量を実現可能な空気電気と空気電池スタックを提供する。 - 特許庁

To provide a supporting body which is nearly free from thickness unevenness of a magnetic layer and has excellent adhesiveness between a metal vapor deposition layer and the magnetic layer and by which a high density magnetic recording medium nearly free from an error rate can be obtained when especially the magnetic recording medium is formed.例文帳に追加

磁性層の厚み斑が少なく、かつ、金属蒸着層と磁性層との密着性に優れた支持体であって、特に磁気記録媒体とした際に、エラーレートの少ない高密度磁気記録媒体とすることができる支持体を提供する。 - 特許庁

To provide a method for extending the life of a quartz oscillator used for a quartz-type thickness tester, in a thin-film-forming apparatus which employs the thickness tester to control a film thickness and a deposition rate, and to enable continuous film-forming over a long time.例文帳に追加

水晶式膜厚計により膜厚制御および成膜速度制御を行う薄膜形成装置において、この膜厚計に用いられる水晶振動子を長寿命化する方法を提供し、長時間にわたる連続成膜を可能にする。 - 特許庁

To provide a coating device capable of suppressing the film deposition rate on a small diameter tool without impairing the cleaning effect and performing the simultaneous treatment with a large diameter tool in a small diameter tool requesting a thin film small in difference between the dimensions before and after the coating.例文帳に追加

コーティング前寸法と後寸法の差が小さい薄膜が要求される小径工具において、クリーニングの効果を損なうことなく、小径工具への成膜速度を抑制し、大径工具との同時処理を可能とするコーティング装置を提供。 - 特許庁

To provide a method for forming an oxide superconductive film, which forms a thick oxide-superconductive film with high superconducting characteristics by improving a film-forming rate, in the method for forming the oxide superconductive film with the use of a laser vapor-deposition process.例文帳に追加

レーザー蒸着法を用いる酸化物超電導膜の成膜方法において、成膜速度を向上させて、高超電導特性の酸化物超電導膜の厚膜を成膜できる酸化物超電導膜の成膜方法の提供を課題とする。 - 特許庁

The first single crystal semiconductor layer is epitaxially grown to form a second single crystal semiconductor layer with the plasma chemical vapor deposition method using the silane system gas and hydrogen of 50 times or more in the flow rate ratio for the silane system gas as the raw material gas.例文帳に追加

シラン系ガスとシラン系ガスに対して流量比で５０倍以上の水素とを原料ガスとして、プラズマ化学気相成長法により第１単結晶半導体層をエピタキシャル成長させて第２単結晶半導体層を形成する。 - 特許庁

To produce an electroless plating bath capable of depositing a film to form into a barrier metal layer uniformly and also at a film deposition rate higher than the conventional case even in wiring and connecting holes fined or whose aspect ratio is made high and to provide a method for depositing an electrically conductive film using the same.例文帳に追加

微細化や高アスペクト比化した配線や接続孔においても均一に、かつ従来よりも速い成膜レートでバリアメタル層となる膜を成膜できる無電解メッキ浴およびそれを用いた導電層の形成方法を提供する。 - 特許庁

When the high frequency power supplied to the antenna coil 23 is equal to or greater than 2 kW, it is possible to obtain a stable deposition rate without dependenting on the operating time of a target 30 in comparison with the case where the high frequency power is less than 2 kW.例文帳に追加

アンテナコイル２３に供給する高周波電力が２ｋＷ以上の場合、当該高周波電力が２ｋＷ未満である場合と比較して、ターゲット３０の使用時間に依存しない安定した成膜レートを得ることが可能となる。 - 特許庁

To suppress the deposition and accumulation of sludge in blow-by gas on a measurement part or a spring to prevent damage to an engine by improving the flow rate of the blow-by gas in the measurement part formed in a body passage of a PCV valve and suppressing the turbulent flow thereof to smooth the flow of the blow-by gas in the body passage.例文帳に追加

ＰＣＶバルブ内の体内通路に形成された計量部でのブローバイガスの流速を高めるとともに乱流を抑制し、ブローバイガスの体内通路内での流れをスムーズにして、ブローバイガス中のスラッジが計量部やスプリングに付着堆積することを抑制し、エンジンの損傷を防止する。 - 特許庁

To provide a sintered body which forms a PZT (lead titanate zirconate) thin film capable of eliminating characteristic dispersion of a thin film itself by suppressing local dispersion of the Pb concentration, prevents generation of cracks even under the high power, and is used for a target suitable for high-rate film deposition, a manufacturing method thereof, and a sputtering target using the same.例文帳に追加

Ｐｂ濃度の局所的なばらつきを抑えることで薄膜自体の特性ばらつきを解消することができるＰＺＴ薄膜を形成でき、かつ高電力をかけても割れが発生せず高速成膜に好適なターゲットに用いる焼結体、その製造方法及びそれを用いたスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

Especially, the device for manufacturing multilayered film optical filters vapor-deposits a plurality of dielectric multilayered films on a substrate, and a plurality of film thickness monitors are installed in the peripheral direction of the substrate, and the evaporation rate profile is recognized by the plurality of film thickness monitors and is fed back to control the vapor-deposition source.例文帳に追加

特に、基板上に複数の誘電体多層膜を蒸着する多層膜光学フィルターの形成装置であって、基板周方向に複数個の膜厚モニターを設置し、前記複数個の膜厚モニターによって蒸着速度分布を把握し、フィードバックして蒸着源を制御することを特徴とする。 - 特許庁

In formation of the gate insulation film formed of high dielectric metal silicate, ALD deposition is carried out by using a time for saturating a film formation rate owing to a surface adsorption reaction for an exposure time of a precursor containing a metal and the like, and using a time for setting the composition of the metal oxide film 97% or more of a stoichiometric value for an exposure time of an oxidizer.例文帳に追加

高誘電体金属シリケートからなるゲート絶縁膜の形成において、金属等を含む前駆体の暴露時間には、表面吸着反応により成膜レートが飽和する時間を用い、酸化剤の暴露時間には、金属酸化膜の組成が化学量論値の９７％以上となる時間を用いてＡＬＤ堆積を行う。 - 特許庁

A synthetic quartz glass preform 4 is manufactured by manufacturing a quartz glass fine particle deposited body by controlling at least one of a hydrogen gas flow rate, an exhaust pressure and a depositional surface temperature so that the growth rate fluctuation in the growth axial direction during soot deposition becomes less than ±5%, and intercalating the fine particle deposited body into a sintering furnace B and sintering the body.例文帳に追加

スス付け中の成長軸方向での成長速度変動が±５％以内になるように、水素ガス流量、排気圧、及び、堆積面温度の少なくとも１つを制御して石英ガラス微粒子堆積体を製造し、この微粒子堆積体を焼結炉Ｂに挿入、焼結して合成石英ガラス母材４を製造する。 - 特許庁

To provide a sputtering target which is used for depositing a high refractive index thin film by a DC sputtering process, and allows a high film deposition rate of the high refractive index thin film and high productivity, and to provide a method of depositing the high refractive index thin film using the target.例文帳に追加

本発明は、高屈折率薄膜をＤＣスパッタリング法で形成する際に用いられるスパッタリングターゲットであって、高屈折率薄膜の成膜速度が速く生産性が高いスパッタリングターゲットおよび該ターゲットを用いた高屈折率薄膜の形成方法の提供を目的とする。 - 特許庁

To provide a method for depositing a catalytic metal on the surface of a carrier in such a state that the catalytic metal exhibits high efficiency as a catalyst, namely, has minute particle size of ≤1 nm and is deposited at a high deposition rate and to provide a metal catalyst manufactured by this depositing method.例文帳に追加

本発明の目的は、担体表面に、触媒としての効率の高い状態、すなわち粒径１ｎｍ以下の微小な状態、かつ担持率の高い状態で、触媒金属を担持させる方法及びその方法で製造した金属触媒を提供することである。 - 特許庁

In the period (t2), the catalytic activity deteriorated by the poisoning due to the deposited carbon is recovered even in a low temperature operation to improve the average value of conversion rate to hydrogen from the fuel by increasing the partial pressure of the oxidizing agent to oxidize and remove the deposition carbon.例文帳に追加

期間ｔ２で、酸化剤分圧を向上させ、析出炭素を酸化除去することにより、低温運転時でも析出炭素の被毒により低下した触媒活性を回復させることができ、燃料から水素への転化率の平均値を向上させることができる。 - 特許庁

The semiconductor laser element 10 is a GaN based semiconductor laser element having an optical film 30 formed on the end face of a resonator by sputtering an Al target under sputtering conditions of high film deposition rate in an atmosphere containing Ar gas and oxygen gas by ECR plasma method.例文帳に追加

本半導体レーザ素子１０は、ＧａＮ系半導体レーザ素子であって、ＥＣＲプラズマ法を用いて、Ａｒガスと酸素ガスを含む雰囲気中で、速い成膜速度のスパッタ条件でＡｌターゲットをスパッタすることによって成膜された光学被膜３０を共振器端面に有する。 - 特許庁

The antibacterial thin film is formed by forming an Ag-Sn multilayered thin film on the surface of the article through plating or physical vapor deposition and subjecting it to a heat-treatment in which this Ag-Sn multilayered thin film is heated and kept at 200-300°C and then cooled at a cooling rate of ≤50°C/min.例文帳に追加

物品の表面に、めっきあるいは物理蒸着によりＡｇ−Ｓｎ積層薄膜を形成し、このＡｇ−Ｓｎ積層薄膜を２００℃以上３００℃以下の温度で加熱・保持し、５０℃／ｍｉｎ以下の冷却速度で冷却する熱処理をすることにより、抗菌性薄膜を形成させる。 - 特許庁

To provide a device for preventing the adhesion of reaction side products to the inside of piping which prevents the adhesion and deposition of the reaction side products to the insider of the piping for connecting a vacuum chamber and a vacuum pump for evacuating this vacuum chamber to each other and does not degrade the working rate of a semiconductor manufacturing apparatus by periodic maintenance.例文帳に追加

真空チャンバーと該真空チャンバーを排気する真空ポンプの間を接続する配管内に反応副生成物が付着堆積することなく、定期的メンテナンスによる半導体製造装置の稼動率を低下させることのない反応副生成物の配管内付着防止装置及び付着防止方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a pellet body for film vapor deposition for producing a gas barrier film having high reliability by stably reducing splash frequency and further increasing the evaporation rate of silicon oxide vapor, to provide a method for producing the same, and to provide a method for producing a silicon oxide vapor-deposited film.例文帳に追加

安定してスプラッシュ頻度を少なくさせ、しかも酸化珪素蒸気の蒸発速度も高め、信頼性の高いガスバリアフィルムを製造するためのフィルム蒸着用ペレット体、その製造方法、及び酸化珪素蒸着フィルムの製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, while change in the color tone of the ZnS film is identified from the light transmittance or light reflectance at the second specified wavelength, the film deposition rate is controlled so that the light transmittance or light reflectance at the first specified wavelength is held within the prescribed range.例文帳に追加

そして、第２の特定波長での光透過率または光反射率からＺｎＳ膜の色調の変化を識別しつつ、第１の特定波長での光透過率または光反射率が所定範囲内に保持されるように成膜速度を制御する。 - 特許庁

To provide a vapor phase growth system of a copper thin film by which a copper thin film having good film quality, desired film thickness and few remaining impurities can be deposited at a high film deposition rate with inexpensive chlorine or hydrogen chloride as a gaseous starting material.例文帳に追加

安価な塩素または塩化水素を原料ガスとして用いて成膜速度が速く、かつ不純物が残留し難い膜質が良好でかつ目的とする膜厚を有する銅薄膜を形成することが可能な銅薄膜の気相成長装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing metallic foil for printed wiring circuit boards through which three-layered laminates can be continuously produced with a low rolling rate at an ordinary temperature and by which a strip material and dry process deposition layers are surely joined and provide metallic foil for the printed wiring circuit boards.例文帳に追加

常温において低い圧延率で三層積層板の連続生産が可能であり、且つ帯材と乾式成膜層とが確実に接合されるプリント配線基板用金属箔の製造方法及びプリント配線基板用金属箔を提供する。 - 特許庁

To control a coupling rate between a carbon protective film and liquid lubricant molecules by depositing lubricants on a substrate heated to a fixed temperature, or depositing the lubricants in the exposed state of the deposit-target substrate in an oxygen atmosphere before the deposition.例文帳に追加

一定温度に加熱した基板に潤滑剤を蒸着する、もしくは蒸着させる基板を蒸着前に酸素雰囲気に暴露した状態で潤滑剤を蒸着することにより、カーボン保護膜と液体潤滑剤分子の結合率を制御すること。 - 特許庁

By providing a device applying external force in a direction narrowing a gap and external force in a direction widening the gap as electrical driving force with respect to the gap of a boundary face of a solid and solid applied with coating such as deposition, minute flow rate control is changed quickly, and a degree of separation can be electrically controlled.例文帳に追加

蒸着等のコーティングを施した固体と固体の界面の隙間に対し、隙間を小さくする方向の外力と大きくする方向の外力を電気駆動力として与えるデバイスをつくることにより、迅速に微小流量制御が変えられ、かつ電気的に分離度を制御できる方法の発明による。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for supplying a gas, in which the mass of a source gas to be supplied and the total flow rate of a mixed gas and a dilute gas becomes constant, when a mixture gas of the source gas obtained by vaporizing a liquid material and a carrier gas is supplied as a reaction gas to a chemical vapor deposition unit.例文帳に追加

液体原料を気化した原料ガスとキャリアガスとの混合ガスを希釈ガスと共に反応ガスとして気相成長装置に供給する際、供給される原料ガスの質量および混合ガスと希釈ガスの総流量が一定となるようなガス供給方法およびその装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a polycrystalline silicon manufacturing technique in which mounting of a silicon core wire into a core wire holder is easy, the time required to make the core wire holder hold the silicon core wire with satisfactory strength is shortened, falling is prevented, and it is made possible to shorten growth rate control time in the early stage of deposition reaction of polycrystalline silicon.例文帳に追加

シリコン芯線の芯線ホルダへの装着が容易であり、芯線ホルダにシリコン芯線を充分な強度で保持させるまでの時間を短くし、転倒を防止するとともに、多結晶シリコンの析出反応初期における成長速度抑制時間の短縮化を可能とする多結晶シリコン製造技術を提供すること。 - 特許庁

An oxide film present on the surface of titanium or titanium alloy as a result of an electrolytic treatment is further oxidized and the formation of a fibrin network is inhibited in a platelet deposition test using a solution, wherein the platelet count has been adjusted to 1.0×10^5 cells/μL and to which 1.96×10^-2 mol/L of calcium chloride had been added to suppress the coagulation rate.例文帳に追加

チタンまたはチタン合金に電解処理を施すことによって表面に存在する酸化被膜が更に酸化され、血小板数を１．０×１０^５cells／μＬに調整しこれに凝固速度を制御するために塩化カルシウムを１．９６×１０^−２mol／Ｌ添加した溶液を用いた血小板付着試験によりフィブリンネットワークの形成が抑制される。 - 特許庁

To sustain separation efficiency of a high level for a long period while minimizing the deterioration of separation membranes by preventing the precipitation and deposition of scale (including carbonate) on the separation membrane surfaces of a second stage reverse osmosis membrane apparatus in particular in subjecting seawater to desalting treatment at a high recovery rate by using the reverse osmosis membrane apparatus connected in two stages.例文帳に追加

２段に接続した逆浸透膜装置を用いて海水を高回収率で淡水化処理する際に、特に第２段目逆浸透膜装置の分離膜面へのスケール（炭酸塩を含む）の析出・堆積を防止し、分離膜の劣化を最小限に抑制しつつ、長期間に亘って高レベルの分離効率を持続可能にすること。 - 特許庁

To provide a shower head used for a CECVD system by which, when vapor-depositing a metallic thin film by a CVD method by chemical treatment with a catalyst, chemical treatment is uniformly performed, and the vapor deposition rate, texture, adhesive properties or the like of the metallic thin film can be improved.例文帳に追加

触媒などの化学的処理によってＣＶＤ法で金属薄膜を蒸着する際、化学的処理を均一に行えるようにして、金属薄膜の蒸着速度、質感、粘着特性などを改善することができる、ＣＥＣＶＤ装備に用いられるシャワーヘッドを提供すること。 - 特許庁

To provide a vapor deposition material formed by adding metal silicon, silicon dioxide and silicon monoxide which are non-sublime, in other words, vaporized after they are melted, and capable of raising the evaporation rate, suppressing any splash, and manufacturing a barrier film with excellent barrier property.例文帳に追加

昇華性ではない、すなわち溶融した後に蒸発する金属ケイ素と二酸化ケイ素と一酸化ケイ素とを添加した蒸着材料であって、蒸発速度が上昇し、スプラッシュが抑制され、バリア性の良好なバリアフィルムを製造できる蒸着材料を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering target which enables an oxide film superior in electroconductivity and transparency for visible light to be formed at a high deposition rate, and decreases transmissivity for visible light little even when a large number of such electroconductive films are stacked as are made from an oxide film, silver or the like, and to provide a film-forming method.例文帳に追加

導電性および可視光透過性に優れた酸化物膜を速い成膜速度で形成でき、かつ該酸化物膜および銀等からなる導電膜の積層数を多くしても可視光透過率の低下が少ないスパッタリングターゲットおよび成膜方法を提供する。 - 特許庁

This transparent sheet 6 is provided with a light-shielding material 5 by an adequate method, e.g. incorporation, insertion, deposition or coating, to form the monolithic body, in such a way to reduce difference between the calculated light-shielding rate and that observed by an illuminometer by finely adjusting width or the like of the light-shielding material 5.例文帳に追加

照度計を用い、計算されている遮光率に合わせるため、遮光材５の幅など細かく調節することにより、計算上と実際との誤差を少なくするように、練り込み、挟み込み、蒸着、塗装等の方法で透明シート６に遮光材を一体化させる。 - 特許庁

To provide a vaporizer and a device for feeding a gaseous CVD raw material into a chemical vapor deposition(CVD) apparatus used for manufacturing semiconductor and the like, which efficiently vaporize and feed the material at a desired concentration and flow rate, without causing precipitation and deposition of the solid CVD raw material at a raw material supply port, even when a solid CVD raw material is used.例文帳に追加

半導体の製造等に用いられる化学気相成長（ＣＶＤ）装置にガス状のＣＶＤ原料を供給するための気化器、気化供給装置において、固体ＣＶＤ原料を用いた場合においても、原料供給口で固体ＣＶＤ原料が析出して付着することなく、所望の濃度及び流量で効率よく気化供給が可能な気化器、気化供給装置を提供する。 - 特許庁

Adding at least one non-silicon precursor (such as a germanium precursor and a carbon precursor) during formation of a silicon nitride, silicon oxide, silicon oxynitride or silicon carbide film improves the deposition rate, and/or allows properties, such as the stress, of the film to be adjusted.例文帳に追加

窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン、または炭化シリコン被膜の形成中、少なくとも１つの非シリコン前駆体（ゲルマニウム前駆体や炭素前駆体など）を添加することによって、堆積速度が改善され、または被膜の応力を調整するなどこの被膜の特性を調整することが可能になり、あるいはその両方が可能になる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device and a substrate processing apparatus capable of providing a titanium nitride film that is higher in quality than a titanium nitride film formed by the conventional CVD method at a higher film-forming rate, that is, with higher productivity than a titanium nitride film formed by an ALD (Atomic Layer Deposition) method.例文帳に追加

従来のＣＶＤ法で形成された窒化チタン膜と比較して良質な窒化チタン膜を、ＡＬＤ法で形成された窒化チタン膜と比較して速い成膜速度で、すなわち高い生産性で提供することが可能な半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供することにある。 - 特許庁

To provide a reforming catalyst of a hydrocarbon which reforms the hydrocarbon with high-speed reaction rate, controls an amount of carbon deposition to the minimum, also controls deactivation due to sulfur poisoning even when the hydrocarbon contains a sulfur compound such as H_2S and COS, and endures long-term use.例文帳に追加

炭化水素を高い反応速度で改質し、炭素析出量を最小限におさえ、かつ炭化水素中に硫化水素や硫化カルボニル等の硫黄化合物を含有する場合でも硫黄被毒による活性劣化を極力抑制し、長時間の使用に耐えることができる炭化水素の改質用触媒を提供する。 - 特許庁

Prior to forming the bottom electrode 121 of the capacitor, a side wall 119 having a positive curvature in the upper part while having a negative curvature in the lower part, is formed between the bottom electrode of the capacitor and the stack cell, using a silicon nitride film deposited by atomic layer deposition wherein a dry etching rate becomes lower in the depthwise direction.例文帳に追加

キャパシタ下部電極１２１形成前に、深さ方向によってドライエッチングレートが低くなる原子層蒸着で成膜されたシリコン窒化膜を用い、キャパシタ下部電極とスタックセル側壁の間に、上部が正の曲率を有し、下部が負の曲率を有する形状のサイドウォール１１９を形成する。 - 特許庁

To provide a device capable of attaining uniform evaporation property and uniform reaction property, free from the generation of deposition of solid particles even when a liquid to be treated is slurry and suitable for continuously evaporating a low boiling component by improving the uniformity of the flow rate distribution of the liquid to be treated in a heat exchanger part in a natural circulation type evaporator.例文帳に追加

本発明の目的は自然循環式蒸発缶において、熱交換器部分での被処理液の流速分布の均一性を向上させることにより、均一な蒸発特性、均一な反応特性を得、さらには被処理液がスラリーの場合でも固体粒子の沈殿がない低沸点成分を連続的に蒸発させるに好適な装置を提供することにある。 - 特許庁

To provide a method of fabricating a silicon carbide semiconductor device, wherein source gas can be supplied without requiring a vaporizer, production of tar components that hinders cleaning in an annealing furnace is inhibited at the low temperature part in the furnace by stabilizing the deposition rate and forming a high quality carbon film, and the quality of the silicon carbide semiconductor device is stabilized while improving the yield.例文帳に追加

ベーパライザーなしでソースガスを供給できるとともに、成膜レートを安定させ、良質なカーボン膜を形成して、アニール炉内清浄化の妨げとなる炉内低温部でのタール成分の発生を抑制し、炭化珪素半導体装置の品質の安定と歩留まりの向上を実現する炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In advance, the correlation between the deposition rate of the thin film and ion beam current value or the like are data-tabled by an experiment, an integrated ion beam current value is calculated from the data, the type of the target and the film thickness, the calculated result is set, the ion beam current value is monitored, and, while performing subtracting from the integrated ion beam current value, the emission of an ion beam is performed.例文帳に追加

予め実験によって、薄膜の堆積速度とイオンビーム電流値との相関関係等をデータテーブル化しておき、そのデータと前記ターゲット種類、膜厚とから積算イオンビーム電流値を算出し、その算出結果を設定して、イオンビーム電流値をモニタして、積算イオンビーム電流値から減算しながらイオンビームの照射を行う。 - 特許庁

When a dielectric thin film is formed on a substrate by a chemical vapor growth method, a method of manufacturing a semiconductor device comprises the process for depositing a part of the dielectric thin film on the substrate, the process for heat-treating this dielectric thin film and moreover, the process for depositing the dielectric thin film at a deposition rate higher than that of the dielectric thin film.例文帳に追加

基板上に、化学気相成長法により誘電体薄膜を形成するときに、基板上に誘電体薄膜の一部を堆積する工程と、この誘電体薄膜を熱処理する工程と、さらに上記誘電体薄膜の堆積速度より速い堆積速度で、誘電体薄膜の堆積を行う工程を含む半導体装置の製造方法。 - 特許庁