「rate of deposition」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for measuring deposition thickness by which deposition thickness on a substrate is accurately converted from a deposition rate of an organic gaseous material effused from a vertically moving deposition source, and to provide a deposition system using the same.例文帳に追加

垂直上下方向に移動する蒸着源から噴射される有機気相物質の蒸着率から基板に形成される蒸着膜の厚さを正確に換算することができる蒸着膜厚測定方法及びこれを用いた蒸着システムを提供する。 - 特許庁

The flow rate of the gas is controlled by the pressure control in the upstream side of the orifice and the flow rate controlled gas is introduced into the film deposition chamber 101.例文帳に追加

そして、オリフィス上流側における圧力制御によりガス流量を制御し、流量制御されたガスを成膜室１０１内導入する。 - 特許庁

To provide a method of plasma vapor deposition which can achieve a side wall covering rate by a metal.例文帳に追加

金属による高い側壁被覆率を達成することが可能なプラズマ蒸着方法を提供する。 - 特許庁

To provide a process for forming a film capable of forming a high quality carbon film added with F at a high deposition rate.例文帳に追加

高品質のＦ添加カーボン膜を、高い成膜速度で形成できる成膜方法を提供する。 - 特許庁

WAFER PRETREATMENT TO DECREASE RATE OF SILICON DIOXIDE DEPOSITION ON SILICON NITRIDE COMPARED TO SILICON SUBSTRATE例文帳に追加

シリコン基板に比べて窒化ケイ素上の二酸化ケイ素の堆積速度を減小するためのウェーハ前処理 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a radiographic image conversion panel that forms a phosphore layer by vacuum deposition and can accurately control the deposition rate and layer thickness.例文帳に追加

蛍光体層を真空蒸着で形成し、かつ、蒸着レートおよび膜厚を正確に制御できる放射線像変換パネルの製造方法を提供する。 - 特許庁

To suppress the deposition of foreign matter due to, e.g. formation of particles onto a substrate, to improve product yield by maintaining sputtering deposition rate at fixed and high rate, and to obtain a target suitable for production of a dielectric protective film of an optical disk.例文帳に追加

パーティクルの発生等に起因する基板への異物堆積を抑制し、またスパッタリング成膜速度を一定かつ高速に維持して製品歩留りを向上させ、光ディスクの誘電体保護膜の作成に好適なターゲットを得る。 - 特許庁

2. Deposition rate monitoring devices capable of achieving control by employing computers and that utilize the principle of ionized atom photoluminescence of ionized atoms occurring in vapor flow to control the rate of deposition when coating with two or more elements 例文帳に追加

（二）　コンピュータを用いて制御することができる溶着速度の監視装置であって、二以上の元素をコーティングする際の溶着速度を制御するために蒸気流中におけるイオン化原子のホトルミネセンスの原理を利用するもの - 日本法令外国語訳データベースシステム

Thus, it is possible to form a silicon nitride film having high insulating property and low etching rate while suppressing generation of particles and having high deposition rate.例文帳に追加

これによりパーティクルの発生を抑制しつつ絶縁性が高くてエッチングレートが低い、しかも成膜レートも高いシリコン窒化膜を形成する。 - 特許庁

To prevent the etching rate or the deposition rate from decreasing in etching or plasma CVD by suppressing electric field erosion at the channel portion of a heat exchanging mechanism.例文帳に追加

熱交換機構の流路部分の電界腐食を抑え、エッチングやプラズマＣＶＤにおいてエッチングレートやデポレートが低下するのを防ぐ。 - 特許庁

In this method a layer composed of indium gallium nitride is formed by metal chemical vapor deposition in a range of a deposition rate of ≥0.5 μm/h and of a temperature between 800°C and 1000°C.例文帳に追加

有機金属気相成長法により、成長速度０．５μｍ/ｈ以上、温度８００℃以上１０００℃以下の範囲において窒化インジウムガリウムからなる層を形成する。 - 特許庁

During deposition, reaction gas flow rate is varied between 1/750 and 1/250 of spattering gas flow rate, and the pressure in deposition atmosphere is varied between 2.66×10^2 Pa and 1.33×10^2 Pa.例文帳に追加

また、成膜処理中に反応ガス流量をスパッタガス流量の１／７５０〜１／２５０の間で変化させ、成膜雰囲気の圧力を２．６６×１０^２Ｐａ〜１．３３×１０^２Ｐａの間で変化させる。 - 特許庁

To provide a ruthenium compound for an organometallic chemical vapor deposition method that can control a deposition rate and reproducibility of the deposition rate using a solid sublimation method, and to provide a ruthenium-containing thin film obtained from the compound.例文帳に追加

固体昇華法を用いた有機金属化学蒸着法により成膜速度及び成膜速度の再現性を制御し得る有機金属化学蒸着法用ルテニウム化合物及び該化合物により得られたルテニウム含有薄膜を提供する。 - 特許庁

To suppress the intrusion of garbage such as decomposed matter and by-products causing a black point defect during film deposition; and to prevent the reduction of a vapor deposition rate.例文帳に追加

暗点欠陥の原因となる分解物質や副生成物などのゴミが成膜中に混入することを抑制し、さらに蒸着レートの低下を防ぐことを目的とする。 - 特許庁

To deposit a thin film of high quality even in the case the distance between an electrode and a substrate is reduced for the purpose of increasing a film deposition rate in a film deposition system having an opening controlling board.例文帳に追加

開口調整板を有する成膜装置において、成膜速度を高めるために電極−基板間距離を縮めても、良質な薄膜を堆積することにある。 - 特許庁

The surface layer of an a-C system is formed under a film deposition condition (area 1) that the deposition rate of the surface layer is increased with pressure buildup in a reaction container.例文帳に追加

ａ−Ｃ系の表面層を、反応容器内の圧力上昇に伴い該表面層の堆積速度が増加する成膜条件下（領域１）で形成する。 - 特許庁

To provide a film deposition apparatus and a film deposition method which can efficiently accumulate air streams of a reaction gas on a substrate thereby enhancing a growth rate of an epitaxial film.例文帳に追加

反応ガスの気流を基板上に効率よく集めて、エピタキシャル膜の成長速度を増大させることのできる成膜装置および成膜方法を提供する。 - 特許庁

To provide an ion plating apparatus capable of performing the film deposition at a stable film deposition rate and with an excellent film quality by keeping the projecting length of a film material in a chamber constant.例文帳に追加

チャンバ内における膜材の突出長を一定に維持して、安定した成膜レート及び良好な膜質で成膜できるイオンプレーティング装置を提供すること。 - 特許庁

To provide an Al-based alloy sputtering target capable of increasing a deposition rate (sputter rate) when a sputtering target is used, and preferably capable of preventing the occurrence of splashes.例文帳に追加

スパッタリングターゲットを用いたときの成膜速度（スパッタレート）が高められ、好ましくはスプラッシュの発生を防止できるＡｌ基合金スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

The problem is solved by investigating the pretreatment method for a mica substrate and the conditions such as degree of vacuum, vapor deposition temperature, vapor deposition rate, and film thickness in the vacuum deposition method.例文帳に追加

真空蒸着法において、雲母基板の前処理方法および蒸着の際の真空度、蒸着温度、蒸着速度、膜厚等の条件を検討することにより、上記課題を解決した。 - 特許庁

To provide a hearth liner cover replacing mechanism capable of improving the rate of operation of a deposition device and the efficiency of processing an object to be treated.例文帳に追加

成膜装置の稼働率と被処理物の処理効率を向上させることができるハースライナーカバー交換機構を提供する。 - 特許庁

To provide an aerosol deposition system where the concentration of powder in aerosol fed from an aerosol generating part upon the feed of aerosol to a nozzle is increased for maintaining film deposition efficiency by increasing a film deposition rate.例文帳に追加

エアロゾルデポジション装置において、膜形成速度を上げて成膜効率を維持するには、ノズルにエアロゾルを送る際、エアロゾル発生部から供給されるエアロゾル中の粉体濃度を高くすることが望ましい。 - 特許庁

A film thickness monitor 7 measures a deposition rate of the silicon film, and controls the output of the electron gun 4 so that the deposition rate can be approximately constant on the basis of signals to be sent from the film thickness monitor 7 to the electron gun 4.例文帳に追加

シリコン膜の堆積速度は、膜厚モニター７によって測定されており、膜厚モニター７から電子銃４への信号に基づいて、ほぼ一定の蒸着速度になるように電子銃４の出力を制御する。 - 特許庁

To perform the prediction of the deposition rate for enhancing the rate on chemical vapor deposition of titanium nitride from a titanium containing precursor selected from the group consisting of tetrakis(dimethylamino) titanium, tetrakis(diethylamino) titanium and mixtures thereof.例文帳に追加

テトラキス（ジメチルアミノ）チタン、テトラキス（ジエチルアミノ）チタンおよびそれらの混合物からなる群より選ばれるチタン含有前駆体から窒化チタンを化学蒸着堆積するに際し、堆積速度を高めるためにその速度の予測を行う。 - 特許庁

At first, the set flow rate in an He flow rate controlling mechanism 105 is changed to diposit a TiN film on the surface of a substrate 102, and a graph with the set flow rate as the abscissa and the film deposition rate as the ordinate is prepared.例文帳に追加

まず、Ｈｅ流量制御機構１０５の設定流量を変化させて基板１０２の表面にＴｉＮ膜を成膜し、設定流量を横軸に成膜速度を縦軸にとるグラフを作成する。 - 特許庁

The surface layer of an a-C system is formed under a film deposition condition (area 2) that the deposition rate of the surface layer is lowered with the increase of high frequency applied power for generating plasma.例文帳に追加

ａ−Ｃ系の表面層を、プラズマ発生用の高周波印加電力の増加に伴い表面層の堆積速度が低下する成膜条件下（領域２）で形成する。 - 特許庁

To provide technique of achieving an increase of a vapor deposition rate of a titanium compound in a gaseous phase vapor deposition method without using special excitation and activation means.例文帳に追加

本発明は、特別な励起、活性化手段を用いることなく気相蒸着法におけるチタン化物の蒸着速度の増大を達成させる技術を提供することを課題とする。 - 特許庁

To improve deposition rate without degrading the film thickness and characteristics of Ti film, Ti compound film, or the like, at the time of performing the sputter deposition of these films by using a Ti sputtering target.例文帳に追加

Ｔｉスパッタリングターゲットを用いて、Ｔｉ膜やＴｉ化合物膜などをスパッタ成膜する際に、これらの膜の膜厚や特性などを劣化させることなく、堆積速度を向上させる。 - 特許庁

A first dependence relationship of a deposition rate of the layer on an operating parameter, selected from cathode voltage, cathode current, and cathode power, is provided prior to deposition of the layer.例文帳に追加

層の堆積に先だって、陰極電圧、陰極電流および陰極電力から選択される動作パラメータに対する層の堆積速度の第１の依存関係が提供される。 - 特許庁

To provide a method and a system for manufacturing an optical thin film by sputtering by which stable film deposition rate capable of enabling long-term film deposition or long-term continuous film deposition of dichroic film, etc., can be obtained by means of film thickness control by time.例文帳に追加

時間による膜厚制御により、ダイクロ等の長時間成膜、或いは長期的な連続成膜を可能とする安定した成膜レートを得るスパッタリングによる光学薄膜の製造方法、及び製造装置を提供すること。 - 特許庁

To manufacture a highly accurately optical thin film even when a refractive index and a rate of a material are changed during deposition.例文帳に追加

成膜中に材料の屈折率及びレートが変化しても、高精度な光学薄膜を製造すること。 - 特許庁

To provide a facing target sputtering apparatus and a facing target sputtering method in each of which a film deposition rate is improved.例文帳に追加

成膜速度を向上させた対向ターゲット式スパッタ装置及び対向ターゲット式スパッタ方法を提供する。 - 特許庁

In particular, it is preferable that the temperature of the target material 6 is held to a prescribed range, and the film deposition rate is made constant.例文帳に追加

特に、ターゲット材料６の温度を所定の範囲に保ち、成膜速度を一定にするのが好ましい。 - 特許庁

The deposition rate of the silicon film is preferably 0.02 to 1 nm/s, and more preferably 0.05 to 0.5 nm/s.例文帳に追加

シリコン膜の堆積速度は、好ましくは０．０２〜１ｎｍ／ｓであり、より好ましくは、０．０５〜０．５ｎｍ／ｓである。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus capable of constantly controlling the film deposition rate without controlling the sputtering power, the sputtering gas partial pressure, the sputtering gas flow rate or the like.例文帳に追加

スパッタ電力、スパッタガス分圧、スパッタガス流量等の制御を行うことなく成膜速度を一定に制御することを可能にしたスパッタ装置を提供する。 - 特許庁

A flow rate adjusting mechanism 10 for adjusting the amount of emission of the vapor deposition material into the vacuum chamber 1 is provided on the pipe 9 with smaller conductance out of the pipes 8, 9 with different conductance, and capable of finely adjusting the film deposition rate.例文帳に追加

蒸着材料の真空チャンバー１内への放出量を調整する流量調整機構１０は、コンダクタンスの異なる配管８，９のうちのコンダクタンスの小さい配管９に設けられ、成膜速度を微細に調整することができる。 - 特許庁

To provide an indium metal target capable of improving productivity by increasing a deposition rate (sputter rate) of sputtering in a deposition process of a light-absorbing layer of a thin film solar cell using a compound semiconductor, and a method for manufacturing the target.例文帳に追加

化合物半導体による薄膜太陽電池の光吸収層の成膜工程において、スパッタリングの成膜速度（スパッタ速度）を上げ、生産性を向上させることができるインジウムメタルターゲット及び同ターゲットの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a thin film deposition system and a thin film deposition method where new parameters, e.g., capable of improving the uniformity of film thickness and film quality without reducing a film deposition rate can be set on thin film deposition, and to provide a method of producing an active matrix substrate.例文帳に追加

薄膜を形成するにあたって、成膜速度を低下させることなく、膜厚の均一性や膜質を向上することができるなどといった新たなパラメータを設定可能な薄膜形成装置、薄膜形成方法、およびアクティブマトリクス基板の製造方法を提供すること。 - 特許庁

Then, the deposition material is deposited up to a film thickness smaller than a targeted film thickness at a high evaporation rate, the thickness of the deposition film is measured, and thereafter the deposition material is deposited up to the targeted film thickness at a low evaporation rate based on the film thickness measurement result.例文帳に追加

その際に、高蒸発レートで蒸着材料を目標とする膜厚以下にまで蒸着し、この蒸着膜厚を測定した後、膜厚測定結果に基づいて、低蒸発レートで蒸着材料を目標とする膜厚まで蒸着する。 - 特許庁

To provide a method for forming an inorganic alignment film capable of suppressing the rise of an internal pressure of a chamber by ejection gas of an evaporation material and improving vapor deposition efficiency and deposition rate.例文帳に追加

蒸発材料の放出ガスによるチャンバ内圧力の上昇を抑制し、蒸着効率及び成膜レートの向上を図ることができる無機配向膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

The step of forming the silicon film includes a first step of depositing amorphous silicon, and a second step of producing silicon crystal grains with the deposition of the amorphous silicon, and of setting the deposition rate of the amorphous silicon higher than the growth rate of the silicon crystal grains.例文帳に追加

前記シリコン膜を形成する工程は、アモルファスシリコンを堆積させる第１工程と、アモルファスシリコンを堆積させると共にシリコン結晶粒を生成し、前記シリコン結晶粒の成長速度よりも前記アモルファスシリコンの堆積速度を高くする第２工程と、を有する。 - 特許庁

To provide a film deposition system in which an evaporation rate of a material and plasma density are set freely, gas barrier properties can be set freely independently of a deposition rate and a gas barrier laminate excellent in oxygen barrier properties and water vapor barrier properties is produced.例文帳に追加

材料の蒸発速度とプラズマ密度を自由に設定し、成膜速度に対するガスバリア性を自由に設定出来、酸素バリア性および水蒸気バリア性に優れたガスバリア性積層体を生産する成膜装置を提供する - 特許庁

To provide a vapor deposition method for organic thin films which is capable of easily controlling a deposition rate and simultaneously depositing the films with stable and high controllability.例文帳に追加

簡易に成膜速度を制御することができると同時に安定した高い制御性で成膜することが可能な有機薄膜の蒸着方法を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering system and a method of thin film deposition by magnetron sputtering by which film deposition rate can be increased and a thin film having excellent characteristics can be deposited.例文帳に追加

成膜速度が大きく、また、特性に優れた薄膜を形成することのできるマグネトロンスパッタリング装置およびマグネトロンスパッタリングによる薄膜形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a film deposition apparatus and a film deposition method by which the generation of particles can be suppressed and a dense thin film having a high film density can be deposited continuously at a high rate.例文帳に追加

パーティクルの発生を抑制し、かつ成膜密度が高く緻密な薄膜を高速で連続成膜することができる成膜装置および成膜方法を提供する。 - 特許庁