「rate of deposition」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a sputtering target, when a thin film essentially consisting of titanium dioxide and having a high index of reflection is formed by DC (Direct Current) sputtering process, which solves the conventional defect that a film deposition rate is extremely slow and productivity is extremely inferior.例文帳に追加

二酸化チタンを主成分とした高屈折率の薄膜をＤＣスパッタリング法で形成する際に、従来有していた成膜速度が極めて遅く生産性が非常に悪いという欠点を解消しようとするスパッタリングターゲット。 - 特許庁

To provide a sputtering method and system with which occurrence of arc discharge on a target can be suppressed over a long period of time, and also, an extremely thin film can be secured at a high film deposition rate with high in-plane uniformity.例文帳に追加

本発明は、ターゲット上でのアーク放電の発生を長期的に抑制でき、かつ、速い成膜速度にて非常に薄い膜を高い面内均一性で確保できるスパッタリング方法及び装置を提供するものである。 - 特許庁

To provide a comfortable health product thanks to e.g. improvement in the touch feeling and UY-cutting rate of textiles and woven fabrics utilizing the resultant bulkiness by changing the structure of silk ( e.g. cocoon, silk threads) by vacuum deposition blasting technique.例文帳に追加

蒸着爆砕法によりシルク（繭及び繭糸など）に構造的な変化を与え、生じた嵩高性を利用した繊維及び織物の風合い、感触、ＵＶカット率の向上などによる、快適な健康商品を得ることを目的とする。 - 特許庁

If the reduction speed of the ingot is lowered linearly at the rate of 0.05-0.2 mm/min at every hour, the foreign matter deposition range in the final coagulation part can be reduced, to thereby prevent crack generation effectively.例文帳に追加

インゴットの引下げ速度の低下を毎時０．０５〜０．２ｍｍ／ｍｉｎの割合で直線的に行なうこととすれば、最終凝固部における異物析出範囲を縮小させ、クラックの発生を効果的に防止することができる。 - 特許庁

To provide an EUV (extreme ultraviolet) radiation source which has a contamination barrier to reduce a deposition rate of such as ion, atom, molecule or particle debris on a light collecting mirror and to minimize an amount of EUV radiation to be absorbed, scattered, or deflected.例文帳に追加

集光ミラー上へのイオン、原子、分子及び粒状デブリなどの堆積率を減少させ、吸収、散乱又は偏向されるＥＵＶ放射の量を最小限にするための汚染バリアを有するＥＵＶ放射源を提供する。 - 特許庁

This hydrophobic polymer-fixed Lewis acid catalyst is constituted so that a metallic Lewis acid group is deposited connectively on an aromatic ring of a hydrophobic macromolecule consisting mainly of an aromatic polymer at a deposition rate in which the metallic Lewis acid group is controlled through a SO_3 group.例文帳に追加

芳香族重合体を主とする疎水性高分子の芳香族環にＳＯ_3基を介して金属ルイス酸基が制御された担持率で結合担持されていることを特徴とする疎水性高分子固定化ルイス酸触媒とする。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus capable of raising an operation rate of the apparatus, by arranging a means for removing a film forming material deposited on a deposition shield and a substrate mask, and by extending a repairing cycle for the sputtering apparatus, and to provide a method.例文帳に追加

防着板や基板マスクへ付着する成膜材料を除去する手段を設け、スパッタリング装置の補修周期を高めることで、前記装置の稼働率を上げることが可能なスパッタリング装置及び方法を提供すること。 - 特許庁

Since a plasma generated in a semiconductor manufacturing apparatus is dispersed to uneven parts of the surface of the sintered compact, and the edge effect having an affect on the stability is reduced, the etching rate is stabilized in a short time and the efficiency of film deposition of the semiconductor wafer can be improved.例文帳に追加

半導体製造装置内で発生させるプラズマが焼結体の表面の凹凸部に分散されて、安定性に影響するエッジ効果を低減できるので、エッチングレートが短時間で安定し、半導体ウエハの成膜効率を向上させることが可能となる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an oxide-based superconductive structure capable of manufacturing a superconductive layer having a high critical temperature and high critical current density particularly in a magnetic field at a practically possible deposition rate and in a condition that there is no risk of the occurrence of a crack.例文帳に追加

臨界温度が高く特に磁場中での臨界電流密度の高い超電導層を、実用化可能な成膜速度で、かつ、割れの発生のおそれのない状態で製造可能な酸化物系超電導構造体の製造方法を提供すること。 - 特許庁

Then, the method can decrease a dissolution rate of the metal substrate because the metal exists in the electroplating liquid in a saturated or supersaturated state, and also prevents the occurrence of an induced co-deposition phenomenon to provide a smooth plated layer on the surface of the metal substrate in a short period of time.例文帳に追加

そうすると、電気めっき液中の金属濃度は飽和もしくは過飽和状態となっているので、金属基体の溶解速度を抑えることができるとともに、誘導共析現象の発生を防止し短時間で平滑な表面のめっき層が得られる。 - 特許庁

To provide a horizontal type fluid support plating device in which the flow of a plating solution in an electrolytic cell is made uniform, the deposition of sludge in the electrolytic cell is prevented even when a plating solution producing a large quantity of the sludge is used and the deterioration of plating quality due to the effect of the flow rate is prevented.例文帳に追加

電解槽のめっき液の流れを均一にし、スラッジ発生の多い電解液を使用する場合でも、電解槽内のスラッジ堆積を防止し、流速の影響を受けて、めっき品質の低下を生じさせない水平型流体支持めっき装置を提供する。 - 特許庁

To provide an electrolytic hard gold-plating liquid having a high deposition rate, for forming a gold-plated film of which the contact resistance is not reduced even after a heat treatment such as a reflow treatment, and to provide a plating method.例文帳に追加

析出速度が速く、リフロー処理等の加熱処理を行ってもめっき皮膜の接触抵抗が低下しない金めっき皮膜を形成することができる電解硬質金めっき液及びめっき方法を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetron sputtering system in which a vapor deposition rate is high, a multi-element thin film is deposited at a high speed, the composition control of the film is flexible, a denser multi-element thin film is easily covered at a high speed, and, moreover, maintenance is easy.例文帳に追加

蒸着速度が早く、多元素薄膜を高速で成膜し、膜の組成制御がフレキシブルで、より緻密な多元素薄膜を高速で容易に被覆し、さらにはメンテナンスの容易なマグネトロンスパツタ装置を提供。 - 特許庁

To provide a treatment gas supply system where the supply amount and supply rate of a metal-containing raw material gas are risen, and film deposition treatment is efficiently and swiftly performed so as to improve throughput.例文帳に追加

金属を含む原料ガスの供給量及び供給速度を向上させて効率的に且つ迅速に成膜処理を行ってスループットを向上させることが可能な処理ガス供給系を提供する。 - 特許庁

To provide a target material for Ru sputtering realizing a high film deposition rate required upon sputtering and simultaneously capable of uniformly forming a film thickness distribution in the thin film to be deposited.例文帳に追加

スパッタリングの際に要求される、高い成膜速度を実現すると同時に、形成される薄膜の膜厚分布をも均質に形成することができるＲｕスパッタリング用ターゲット材を提供することを課題とする。 - 特許庁

Refractive index distribution is changed by burying the lens part in the through hole by CVD film deposition work, for example, and then varying the kind or flow rate of reaction gas in CVD.例文帳に追加

例えばＣＶＤ法による成膜作業によって貫通孔内に埋め込み形成し、ＣＶＤの反応ガスの種類を変化させたり、反応ガスの流量を変化させることによって屈折率分布を変化させる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a solid electrolyte thin film and a parallel flat-plate type magnetron sputtering device, which can improve a deposition rate and is free from damage caused by energy of plasma, and to provide a manufacturing method for a thin-film solid lithium ion secondary battery.例文帳に追加

成膜速度が向上し、プラズマのエネルギによるダメージがない固体電解質薄膜の製造方法、平行平板型マグネトロンスパッタスパッタ装置、及び薄膜固体リチウムイオン２次電池の製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a thin film semiconductor device maintaining a deposition rate even at a low substrate temperature to deposit a crystalline silicon thin film on a substrate, thereby industrially putting the direct deposition of the crystalline silicon thin film onto the substrate into practical use and contriving high performance by using this silicon thin film.例文帳に追加

低い基板温度であっても成膜速度を維持して結晶性のシリコン薄膜を基板上に成膜可能で、これにより基板上への結晶性のシリコン薄膜の直接成膜を産業上において実用化すると共に、このシリコン薄膜を用いることで高性能化が図られた薄膜半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The thin film deposition method for forming the thin films consisting of oxide on the surfaces of the substrates by forming a gaseous mixture containing monomer gas and oxidative reaction gas to plasma comprises forming the gaseous mixture to the plasma while changing a supply rate ratio of the monomer gas to the reaction gas in such a manner that the supply flow rate ratio includes at least a specific range.例文帳に追加

モノマーガスと、酸化性の反応ガスとを含有する混合ガスをプラズマ化し、基材の表面に酸化物からなる薄膜を形成する薄膜成膜方法において、前記反応ガスに対する前記モノマーガスの供給流量比が少なくとも特定範囲を含むように、前記供給流量比を変化させながら混合ガスをプラズマ化する。 - 特許庁

To provide a method of forming a thin film by an aerosol pyrolysis method which is a method of forming the thin film of a low manufacturing cost by a thin film forming apparatus of a simple structure capable of forming the thin film under the atmospheric pressure and which is capable of forming the thin metal oxide film of good quality having high uniformity at a high deposition rate.例文帳に追加

大気圧下で薄膜形成が可能であり、構造が簡単な薄膜形成装置による製造コストの低い薄膜形成方法であって、かつ、均一性の高い良質な金属酸化物薄膜を大きな堆積速度で形成することが可能なエアロゾル熱分解法による薄膜形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a magnetic head in which a deposition rate of a plating film is stabilized, variation of forming accuracy of magnetic poles is suppressed, a magnetic pole being excellent in a soft magnetic property is formed, and high density recording can be performed, when a magnetic film is formed by plating and a magnetic pole is formed.例文帳に追加

めっきにより磁性膜を形成して磁極とする場合に、めっき膜の析出レートを安定化させ、磁極の形成精度のばらつきを抑え、軟磁気特性にすぐれた磁極を形成し、高密度記録が可能な磁気ヘッドとして提供する。 - 特許庁

To provide an electrode for electrical discharge surface treatment which can stabilize the characteristic of a coating film and the film deposition rate by suppressing the dispersion of the resistance of the electrode by performing the surface treatment by the electrode having less distribution in composition and physical properties in the electrode itself.例文帳に追加

電極自身に組成や物性の分布の少ない電極で表面処理を行なうことで、電極の抵抗ばらつきを抑制し、被膜の特性、成膜速度が安定化する放電表面処理用電極を提提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a gun mover which improves the quality, such as a deposition rate, by eliminating the unevenness of work by an injection gun caused by the skill and individual characteristics of a worker, the unevenness to a working surface and more particularly the thickness and thermal spraying unevenness of thermal spraying films by the thermal spraying gun.例文帳に追加

作業者の技量や個性によって生じる噴射ガンによる作業のムラ、加工面に対する不均一性、特に溶射ガンによる溶射皮膜の厚さや溶射ムラをなくし溶着度等の品質を向上させることのできるガン移動装置を提供する。 - 特許庁

That is to say, the manufacturing method of the organic light emitting element comprises a process of heating the alkali metal containing cesium carbonate or the like by 8 wt.% or less at a temperature of 400°C or less, and forming a film at a rate of 0.1 Å/sec. or less by vapor deposition.例文帳に追加

すなわち炭酸セシウム等のアルカリ金属の濃度をアルカリ金属として８重量％以下とし、４００℃以下の加熱温度、毎秒０．１Å以下の成膜レートで蒸着する工程を有することを特徴とする有機発光素子の製造方法を用いる。 - 特許庁

The production method of the silica-coated aluminum pigment comprises a step of dispersing aluminum particles in a solution containing a hydrolyzing catalyst, water and a hydrophilic organic solvent, and a step of adding a solution containing an Si-containing compound to the dispersion at a maximum silica film deposition rate of ≤3 nm/hr.例文帳に追加

アルミニウム粒子を加水分解触媒、水、親水性有機溶剤を含む溶液に分散させる工程、該分散液にＳｉ含有化合物を含む溶液をシリカ膜の最大堆積速度が３ｎｍ／ｈｒ以下にして添加する工程、を含むシリカ被覆アルミニウム顔料の製造方法。 - 特許庁

As a result, the activity of the chemical reaction energy on the first catalyst nuclei may be made nearly equal on the occasion of an electrode forming stage and therefore the electroless plating method capable of making the deposition rate of the plating films in the necessary positions nearly uniform may be obtained.例文帳に追加

これによって、電極形成工程に際しては第１の触媒核上での化学的な反応エネルギーの活性度をほぼ等しくすることが可能になるので、必要な位置におけるメッキ膜の成膜速度を均一にすることができる無電解メッキ方法を得ることができる。 - 特許庁

A silicon nitride layer is deposited on a base film at a ratio P/Q of less than 10 [W/sccm], with Q being the silane gas flow rate and P being the plasma-generating electric power, a deposition pressure of 20 to 200 Pa, and at a base film temperature of not more than 70°C, under a bias potential of not more than -100V applied to the base film.例文帳に追加

シランガス流量Ｑ、プラズマ生成ＰとしたＰ／Ｑが１０［Ｗ／ｓｃｃｍ］未満、成膜圧力が２０〜２００Ｐａで、基板温度を７０℃以下として、前記基板に−１００Ｖ以下のバイアス電位を印加しつつ窒化珪素膜を成膜することにより、前記課題を解決する。 - 特許庁

The thickness of the phosphore layer is measured using laser displacement gauges 20a-20f or the like during film forming, heat generation of crucibles 50a-50f is adjusted by a heating control means 24 in response to the measurement result, and the deposition rate every crucible is controlled.例文帳に追加

成膜中にレーザ変位計２０ａ〜２０ｆ等を用いて蛍光体層の膜厚を測定し、その測定結果に応じて、加熱制御手段２４によりルツボ５０ａ〜５０ｆの発熱を調整して、ルツボ毎の蒸着レートを制御する。 - 特許庁

To easily and inexpensively manufacture an excellent silicon wafer which is increased in an oxygen deposition rate without addition of special equipment or process steps, is enhanced in the IG ability of the contaminated atoms in the silicon wafer and can be handled in the same manner as the conventional polished silicon wafer.例文帳に追加

特別な装置または工程を付加することなく酸素析出量を増やし、シリコンウエーハ中の汚染原子のＩＧ能力を高め、かつ従来のポリッシュドウエーハと同様に扱える優れたシリコンウエーハを簡単かつ安価に製造する。 - 特許庁

An optical detector coupled to an optoelectric sensor which receives light through a mask with an aperture is used to monitor a physical dimension of the deposit, and a feedback controller (104) adjusts a laser in accordance with an electrical signal, thereby controlling the rate of material deposition.例文帳に追加

穴付きマスクを通して光を受け取るオプトエレクトリックセンサに接続された光学検出手段を使用して、付着物の物理的寸法を監視し、そしてフィードバックコントローラ(104)は、電気信号に基づいてレーザを調整し、材料付着率を制御する。 - 特許庁

To provide a plasma CVD system and a plasma CVD method, by which controllability of film quality can be improved restraining ion damage to a thin film and the thin film of excellent uniformity in a film thickness can be deposited, even at a high film deposition rate.例文帳に追加

薄膜へのイオンダメージを抑制し、膜質の制御性を向上することができ、高速成膜時においても膜厚均一性に優れた薄膜を形成することができるプラズマＣＶＤ装置及びプラズマＣＶＤ方法を提供する。 - 特許庁

An interface 76 is formed after a high-quality a-Si layer 78 is deposited at a low rate of deposition on the g-SiN_x film 74, and then an average quality a-Si layer 80 is deposited, which completes the arrangement of the a-Si layers.例文帳に追加

低い堆積速度で高品質のａ−Ｓｉ層７８をｇ−ＳｉＮ_X層７４の上に堆積して界面７６を形成し、次に、高い堆積速度で平均的な品質のａ−Ｓｉ層８０を堆積してａ−Ｓｉ層を完成させる。 - 特許庁

To enable prevention of damage due to MAP (magnesium ammonium phosphate) scale deposition in a digestion tank or a digested sludge transfer pipe, and improvement of phosphorus recovery rate in the subsequent phosphorus recovery process by controlling a pH value during digestion treatment.例文帳に追加

消化処理におけるｐＨ値を制御することによって、消化槽あるいは消化汚泥移送管のＭＡＰスケール析出による被害をこうむることなく、また、後段のりん回収工程におけるりん回収率を向上させることができる。 - 特許庁

In the repair method in which cladding by welding is applied on a rotor material to form a repair part, this cladding by welding is thin build-up welding with a high deposition rate, forming the repair part by laminating beads of the thin build-up welding.例文帳に追加

ロータ材に肉盛溶接を施し、補修部を形成する補修方法において、前記肉盛溶接は溶着速度の速い薄盛溶接であり、その薄盛溶接のビードを積層することにより前記補修部を形成する。 - 特許庁

To provide a sputtering apparatus which uses a high-frequency power source or a direct-current power source superimposed by the high-frequency power, and has an improved use efficiency for a target material by promoting erosion in the peripheral part of the target without decreasing a film-deposition rate.例文帳に追加

高周波あるいは高周波と直流が重畳された電源を用いたスパッタリングにおいて成膜レートを低下させることなく、ターゲット外周端部の侵食を促進しターゲット材料利用効率を向上させる。 - 特許庁

To provide a plating liquid which keeps a gold deposition rate of 0.9 μm or more per hour, preferably 1.0 μm or more, is superior in stability as the plating liquid, and enables continuous adequate electroless gold plating for a long period.例文帳に追加

１時間当たり０．９μｍ以上、好ましくは１．０μｍ以上の金析出速度を維持し且つめっき液として安定性に優れ、長期間に亘り連続して良好な無電解金めっきが可能なめっき液を提供する。 - 特許庁

To provide a method and a device for obtaining a galvanized wire having excellent surface property by using foam as a refrigerant in solidifying molten zinc when manufacturing the galvanized wire having a zinc deposition rate of ≥300 g/m^2.例文帳に追加

３００ｇ／ｍ^２以上の亜鉛付着量を有する亜鉛めっき線製造時に、溶融亜鉛を凝固させる際に、冷媒として泡沫を使用し、良好な表面性状のめっき線を得るための方法及び装置を提供する。 - 特許庁

Consequently, a high quality photovoltaic element having excellent uniformity and reduced defects can be produced by forming a semiconductor thin film while satisfying contradictory purposes of high deposition rate and high film quality at high level.例文帳に追加

よって、高堆積速度および高膜質という相反する目的を高いレベルで両立させて半導体薄膜を形成し、高品質で優れた均一性を有し、欠陥の少ない光起電力素子を生産することが可能となる。 - 特許庁

To provide a sputtering method and a sputtering system by which sputtering particles are less liable to be diffused to the region other than a substrate, thus a film deposition rate can be improved, and further, the utilization efficiency of a target material can be improved.例文帳に追加

スパッタ粒子が基板以外の領域に発散し難くでき、これにより成膜速度を向上させることができ、さらにターゲット材の利用効率を向上させることができるスパッタ方法及びスパッタ装置を提供する。 - 特許庁

During the arc start period, the changes of the wire feed rate and the welding voltage are synchronously and continuously controlled, and the welding voltage corresponding to the wire feed rate is applied for the predetermined time to realize the excellent arc starting property, and to reduce production and deposition of spatter without any unstable arc immediately after the arc starts.例文帳に追加

アークスタート期間において、ワイヤ送給速度と溶接電圧との変化を同期するように連続的に制御し、さらにワイヤ送給速度に対応付けられた溶接電圧を所定時間の長さ印加することにより、アークスタート性を良化させ、スタート直後のアーク不安定を起こすことなくスパッタの発生およびスパッタの付着を低減する。 - 特許庁

To provide a vacuum vapor deposition device provided with a driving mechanism capable of performing stable scanning operation of a vaporization source to a large-sized substrate having e.g. one side length of >1 m without depending on a pressure state in an inner part of a vacuum chamber and having high reliability, a high operation rate, stable deposition or reduced production cost and device conveying cost.例文帳に追加

本発明の目的は、真空チャンバ内部の圧力状態に依存せずに、例えば、１辺の長さが１ｍを超える大形基板に対して、蒸発源の安定したスキャン動作が行える駆動機構を備えた信頼性の高いまたは稼働率の高いあるいは安定して蒸着が可能なまたは軽量で製作コスト、装置輸送コストの低減を図った真空蒸着装置を提供することである。 - 特許庁

To provide a processing method for a silver halide photographic sensitive material by which the amount of effluent can be reduced by reusing a used photographic solution at a high regeneration rate, and which is not accompanied by adverse effects such as faulty desilvering, deposition of crystals and deterioration of image preservability.例文帳に追加

写真廃液を高い再生率で再利用することによって廃液量を低減することができて、しかも脱銀不良、結晶の析出、画像保存性の悪化などの悪影響を伴わないハロゲン化銀写真感光材料の処理方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a sputtering target for oxide film formation which can increase production efficiency of a metal oxide film, e.g. an optical thin film etc. by inhibiting a decrease in film-forming rate of the metal oxide film at sputter-deposition of the oxide film which is suitably used as an optical thin film.例文帳に追加

光学薄膜に好適な金属酸化膜をスパッタ成膜するにあたって、金属酸化膜の成膜速度の低下を抑制することによって、金属酸化膜ひいては光学薄膜等の生産効率を高めることを可能にした酸化膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

There are provided (a) an article including zinc sulfide or zinc selenide, and (b) a method for depositing a layer of alumina with a thickness of >20 μm on the zinc sulfide or zinc selenide at a deposition rate of ≥60 Å/min by a micro wave assisted magnetron sputtering.例文帳に追加

ａ）硫化亜鉛またはセレン化亜鉛を含む物品を提供し；並びに、ｂ）マイクロ波アシストマグネトロンスパッタリングによって、２０μｍを超える厚みのアルミナの層を硫化亜鉛またはセレン化亜鉛上に、６０Å／分以上の堆積速度で堆積させる；ことを含む方法。 - 特許庁

Then, based on the first setting temperature profile, an hourly varied setting temperature obtained by hourly varying the setting temperature in deposition is applied to decide the second setting temperature profile for uniformizing the distribution of the film thickness in a substrate surface by adjusting the rate of the change of the setting temperature.例文帳に追加

そして、第１の設定温度プロファイルを基に、成膜中の設定温度を時間的に変化させた時間変化設定温度を適用し、設定温度の変化率を調整することによって基板面内の膜厚分布の均一化を図る第２の設定温度プロファイルを決定する。 - 特許庁