「rate of deposition」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

The film thickness of the thin-film structure to be deposited can be precisely controlled and the desired light reflectivity can be obtained by controlling the evaporation rate from the stage of the pretreatment step prior to the deposition operation.例文帳に追加

成膜動作前の前処理工程時から蒸発レートの制御を行うことで、成膜する薄膜構造の膜厚を精密に制御して所望の光反射率を得ることができる。 - 特許庁

To provide a polyacetal resin composition excellent in suppression of a formaldehyde generation amount after sliding, in suppression of crack under aging, and in mold deposition resistance in a low die filling rate condition.例文帳に追加

摺動後のホルムアルデヒド発生量の抑制、エージング下でのクラックの抑制、金型への充填率が低い条件下での耐モールドデポジット性に優れたポリアセタール樹脂組成物の提供。 - 特許庁

In the case the particles of a metallic material are generated, the quantity of the particles to be released in the arc evaporation source is large, thus a film deposition rate is high, and inexpensive thin film pigment can be formed.例文帳に追加

金属材料の粒子を発生させる場合、アーク蒸発源の粒子放出量が多いので、成膜速度が速く、安価な薄膜顔料を形成することができる。 - 特許庁

To provide a system and a method for CVD film deposition in which the flow rate of a source gas can be controlled quickly to a prescribed value when introducing the source gas into a container.例文帳に追加

容器内に原料ガスを導入する際に短時間で原料ガスの流量を一定に制御できるＣＶＤ成膜装置及びＣＶＤ成膜方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering system which can secure a satisfactory film deposition rate in a reactive sputtering system where sputtering particles are fed from the oblique direction of a substrate.例文帳に追加

基板の斜め方向からスパッタリング粒子が供給される反応性のスパッタリング装置において、良好な成膜レートを確保できるスパッタリング装置を提供する。 - 特許庁

An upper layer BPSG film 120 whose B density is lower than that of the lower layer BPSG film 140 is formed at a second deposition rate v2 on the lower layer BPSG film 140.例文帳に追加

下層ＢＰＳＧ膜１４０の上に、Ｂ濃度が下層ＢＰＳＧ膜１４０より低い低濃度の上層ＢＰＳＧ膜１２０を第２の成膜速度ｖ２で形成する。 - 特許庁

A liquid flow meter 34 measuring flow rate of liquid source for deposition and a vapor controller 35 vaporizing instantaneously liquid source are fixed to the pipe 33 for supplying source.例文帳に追加

このソース供給配管３３に、成膜用の液体ソースの流量を計測する液体流量計３４と、液体ソースを瞬時にガス化するベーパコントローラ３５とを設ける。 - 特許庁

Further, since the Cu film can be deposited at a low temperature and at a practical film deposition rate in this way, the flocculation of Cu is hardly caused to obtain the Cu film which has satisfactory surface properties.例文帳に追加

また、このように低温でかつ実用的な成膜レートでＣｕ膜を成膜できるため、Ｃｕの凝集が生じ難く、表面性状が良好なＣｕ膜となる。 - 特許庁

To provide a vapor deposition method for thin films capable of increasing the rate of vapor deposition while making film thicknesses more uniform in depositing the thin films on a substrate by evaporation, an organic electroluminescence device, a method for manufacturing the organic electroluminescence device, and electronic apparatus.例文帳に追加

本発明は、基板に薄膜を蒸着させるときに、その膜厚の均一化を図りながら蒸着速度を高めることができる薄膜の蒸着方法、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法及び電子機器を提供する。 - 特許庁

To provide a stock for vapor deposition from which a vapor-deposited tape of high quality which has the low number of splashes and a low scum rate, and is also utilizable as a medium for recording information such as the data of a computer, can be obtained.例文帳に追加

スプラッシュ数やスカム率が低く、コンピュータのデータ等の情報を記録する媒体としても利用可能な高品質の蒸着テープを得ることができる蒸着用 素材を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering target which is used for depositing a high refractive index film based on titanium oxide, exhibits a high deposition rate and is capable of suppressing the temperature rise of the surface of a substrate when the high refractive index film is deposited on the substrate.例文帳に追加

酸化チタンを主体とする高屈折率膜の形成に用いる、成膜速度が高く、成膜時の基体表面の温度上昇を抑制することができるスパッタリングターゲットの提供。 - 特許庁

A film-deposition gas used when the transparent film is formed is specified to be the mixed gas of an oxygen gas and an argon gas and a flow rate of the oxygen gas in the mixed gas is specified to be in a range of 0.01 to 1.12%.例文帳に追加

そして、透明膜を形成する際の成膜ガスを、酸素ガスとアルゴンガスとの混合ガスとして、この混合ガスにおける酸素ガスの流量比を０．０１％〜１．１２％の範囲内とする。 - 特許庁

To provide a filter catalyst for diesel exhaust gas purification, which prevents the deposition of particulates to a filter partition, enhances oxidation rate of the particulates and the durability of the catalyst.例文帳に追加

従来のＤＰＦと比較してフィルタ隔壁へのパティキュレートの堆積を防ぎ、パティキュレート酸化速度をより向上させ、かつ触媒の耐久性を向上させたディーゼル排ガス浄化用フィルタ型触媒を得る。 - 特許庁

In one or more embodiments, the first zone denotes a radially inner zone and the second zone denotes a radially outer zone wherein a ratio of inner zone gas flow rate to an outer zone gas flow rate during the deposition is smaller than that during the etching.例文帳に追加

一つ以上の実施形態において、第１ゾーンは内部半径方向ゾーンであり、第２ゾーンは外部半径方向ゾーンであり、内部ゾーンガス流と外部ゾーンガス流との比はエッチングの間より堆積の間の方が小さい。 - 特許庁

To provide a non-aqueous electrolytic solution secondary battery which has superior safety, and in which deposition of lithium metal can be suppressed even under worrisome environments for high rate specifications such as high rate charging and discharging or high output discharging under a low temperature environment.例文帳に追加

低温環境下での高率充放電や高出力放電というハイレート仕様にとって憂慮すべき環境においてもリチウム金属析出を抑制できる、安全性に優れた非水電解液二次電池を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device including a plating step of depositing metal along a sidewall of a deep recess having a narrow opening and made in a substrate, which can make small the step difference of the metal deposited on the substrate, by making the deposition rate on the substrate nearly equal to the deposition rate on the sidewall and the bottom of the recess.例文帳に追加

開口部が狭く、深い窪みを有する基板において、該窪みの側壁にそって、金属を析出させるメッキ工程において、基板の表面に析出する析出速度と、窪みの側壁及び底部に析出する析出速度とを、ほぼ同等とすることにより、基板表面に析出される金属段差を、小さくすることが可能とする半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To form a high quality copper thin film having a low impurity concentration by chemical-vapor deposition in a little latency time and at high deposition rate, uniformly over the whole area in the surface for a large-diameter substrate with a high efficiency of using material.例文帳に追加

化学気相成長法によって、不純物濃度の低い良質な銅薄膜を、潜伏時間が少なく、かつ高い成膜速度で、大口径の基板に対しても面内全域にわたって均一に、高い原料使用効率で成膜を行なう。 - 特許庁

To provide a thin film production apparatus and a production method therefor excellent in productivity and mass-productivity which enable continuous film deposition to be stably performed over a long period causing the reduced number of particles while reproducing satisfactory film thickness distribution, compositional distribution and film deposition rate.例文帳に追加

良好な膜厚分布、組成分布、成膜レートを再現しつつ、パーティクル数が少なく、長期にわたって連続成膜を安定して行えることが可能な生産性、量産性に優れた薄膜製造装置及び製造方法の提供。 - 特許庁

In depositing the fine glass particles, the flow rate of hydrogen is controlled so that the surface temperature of a fine glass particle deposition part 6a is in a specified range in relation with a target value over the whole length of effective part of the preform.例文帳に追加

ガラス微粒子を堆積させる際に、ガラス微粒子堆積部６ａの表面の温度が母材の有効部全長にわたり目標値に対して所定範囲内となるように、水素の流量を制御する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the metal film, a metal vapor-deposited film is deposited on the surface of the base material formed of iron or its alloy at an atmospheric pressure of 0.1-3.0 Pa, and at an average film deposition rate of 0.01-10 μm/min.例文帳に追加

またその製造方法は、鉄またはその合金によって形成された母材の表面に、雰囲気圧力０．１〜３．０Ｐａ、平均成膜速度０．０１〜１０μｍ／分で、金属蒸着被膜を形成する。 - 特許庁

To provide a plasma chemical vapor deposition apparatus, having rod-like electrodes capable of forming a film of superior film thickness uniformity at a high rate on a large area substrate, using of a large frequency value of superhigh frequency.例文帳に追加

大面積基板に対して周波数の大きい超高周波を用いて高速かつ膜厚均一性に優れた製膜を行なうことができる棒状電極を有するプラズマ化学蒸着装置を提供する。 - 特許庁

Thus, the deposition and accumulation of impurities in the outlet part of the gas bypass capillary 10 are suppressed and decrease in flow rate or the clogging of the gas bypass capillary 10 can be prevented to improve the reliability of a system.例文帳に追加

これにより、ガスバイパスキャピラリ１０の出口部分における不純物の析出・堆積を抑制し、ガスバイパスキャピラリ１０の流量低下あるいは詰まりを防止することができ、システムの信頼性を向上できる。 - 特許庁

To provide a film deposition apparatus in which the stability of the production system is improved and the rate of operation of the apparatus is enhanced by improving the durability of a vacuum seal of a rotary shaft to rotatably support a holder to hold a substrate.例文帳に追加

堆積膜形成装置において、基板を保持するホルダーを回転可能に支持する回転軸シャフトの真空シール耐久性を向上させ、それによって生産システムの安定性向上、装置稼働率向上を図る。 - 特許庁

To provide a polyalkylene naphthalate film from which a vapor-deposition type magnetic recording medium can be obtained, free from the aggravation of surface flatness caused by the deposition of a degradation object and a metal component and having a small thickness difference in a longitudinal direction and an excellent output and dropout characteristics and error rate characteristics, and to provide the magnetic recording medium using the same.例文帳に追加

劣化物や金属成分の析出に起因した表面平坦性の悪化がなく、長手方向の厚み斑の小さい、出力、ドロップアウト特性、エラーレート特性に優れた蒸着型磁気記録媒体が得られるポリアルキレンナフタレートフィルムおよびそれを用いた磁気記録媒体の提供。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an optical fiber preform which is uniform in a longitudinal direction and is free of fluctuation in its external diameter by improving the deposition rate of soot without lowering the manufacturing speed over the entire part in manufacturing a large size preform for the optical fiber by an OVD (outside vapor phase deposition) soot method.例文帳に追加

外付けスート法によって、光ファイバ用母材となる大型のプリフォームを製造するにあたり、全体の製造速度を低下させることなくスートの堆積速度を向上させ、長さ方向に均一で外径変動のない光ファイバ母材用のプリフォームの製法を提供するものである。 - 特許庁

The manufacturing of a channel layer comprises following steps of forming a first amorphous silicon layer by using a low deposing rate(LDR)(chemistry vapor deposition(CVD)), and forming a second amorphous silicon layer by using a high deposing rate(HDR) to form an N + mixed amorphous silicon layer.例文帳に追加

チャンネル層の製作は次のステップを含む：低蒸着率（ＬＤＲ）を用いて第一のアモルファス・シリコン層を形成し（化学蒸着、ＣＶＤ）；高蒸着率（ＨＤＲ）を用いて第二のアモルファス・シリコン層を形成し；Ｎ＋ミクスト・アモルファス・シリコン層を形成する。 - 特許庁

To provide chemical vapor deposition equipment which is capable of stabilizing the flow rate of a treatment gas supplied to a reaction chamber, and to provide a semiconductor device manufactured by the equipment.例文帳に追加

反応室内に供給される処理用ガスの流量を安定させることのできる化学気相成長装置、および、それにより製造される半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

By employing such a deposition rate as shown in an embodiment, the temperature of melting out from the cleaning roller is kept high about 200°C in a table 1 (not shown), which results in preventing the re-melting of the toner.例文帳に追加

このような付着速度とすることにより、実施例に示すように、クリーニングローラからのトナー溶けだし温度がほぼ２００℃程度（表１）と高く保たれる結果、トナーの再溶け出しが防止される。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of improving the degradation of the film deposition rate, and adequately adjusting the composition ratio, and a substrate processing apparatus.例文帳に追加

本発明の目的は、成膜レートの低下を改善することができ、組成比を適切に調整することができる半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供することにある。 - 特許庁

To provide a mineral water generator which can improve the elution rate of mineral from a mineral elution material with a simple structure, constantly keep the mineral concentration in mineral water, and inhibit the deposition of mineral components.例文帳に追加

簡単な構造でミネラル溶出物のミネラル溶出率を向上させ、また、ミネラル水のミネラル濃度を一定に保持でき、更にミネラル成分の析出を抑制できるミネラル水製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a glass particulate deposit with which a high deposition rate is obtainable and which is capable of yielding the porous glass particulate deposit fluctuating less in external diameters and a burner and apparatus for the same.例文帳に追加

速い堆積速度が得られ、しかも外径変動の少ない多孔質ガラス微粒子堆積体を得ることができるガラス微粒子堆積体の製造方法、そのためのバーナー及び装置を提供すること。 - 特許庁

To provide activated carbon which substantially avoids a dendrite formation phenomenon by the reductive deposition of alkali metals and heavy metals, hardly causes problems such as short-circuiting, and shows a good rate of self-discharge retention.例文帳に追加

アルカリ金属や重金属の還元析出によるデンドライト化現象を生じさせにくく、ショートなどの障害を起こし難く、また、良好な自己放電保持率を示す活性炭を提供する。 - 特許庁

To provide a capacitor reduced in a failure rate in a manufacturing process of the capacitor and suited to the specification of miniaturization, and to provide a metal deposition film for capacitor used therefor.例文帳に追加

本発明はコンデンサの製造工程における不良率を少なくするとともに、小型の安全規格に適合したコンデンサ及びそれに用いられるコンデンサ用金属蒸着フィルムを提供する。 - 特許庁

To enhance processing speed, film deposition rate and film quality by increasing heat transfer efficiency of a supporting glass of a thinned Si substrate for the through silicon via hole (TSV) processing.例文帳に追加

ＴＳＶ(Ｔｈｒｏｕｇｈ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｖｉａ ｈｏｌｅ)加工用の薄化Ｓｉ基板の支持ガラスの熱伝導効率を上げることで、加工処理速度や、成膜速度、膜質を向上させる。 - 特許庁

High oil adsorption performance is obtained in fibers prepared by depositing powder of activated carbon by ≤80% deposition rate by using a binder on each fiber and processing into a mat, felt or cord so that a sufficient space rate can be obtained by entangling the fibers.例文帳に追加

繊維一本一本の表面に粉末活性炭をバインダーで８０％以下の量を付着させ、繊維の絡み合いで充分な空間率を持つようにマット状、フエルト状、紐状に加工された繊維は高い油吸着性能を持つ。 - 特許庁

To provide a plating device where the passivation of an anode electrode can be prevented, and the reduction of current efficiency and the reduction of the film deposition rate in a plating film can be prevented; and to provide a method for producing a semiconductor device.例文帳に追加

アノード電極の不動態化を防止することができ、電流効率の低下およびめっき皮膜の成膜速度の低下を防止することができるめっき装置および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent the evaporation of an evaporation material on a substrate until a stable evaporation rate is reached, and prevent the deposition of a bumping foreign substance of the evaporation material on the substrate when the evaporation power is excessive.例文帳に追加

安定した蒸着レートに到達するまでの間、基板への蒸着材料の蒸着を防止し、また、蒸着パワーが過剰になった場合に、基板への蒸着材料の突沸異物付着を防止する。 - 特許庁

To provide reduced iron powder for a deoxidizer and a method for manufacturing the powder which has an extremely high oxidation rate, causes no deposition on the wall or the like of a reducing device and is excellent in the productivity and inexpensive.例文帳に追加

酸化速度が非常に高く、しかも還元装置の壁面等への付着がなく、生産性に優れ、かつ廉価な脱酸素剤用還元鉄粉及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The method includes controlling the deposition rate of silicon dioxide on a substrate by supplying the high frequency pulse power supply used to generate a TEOS oxide plasma.例文帳に追加

該方法には、ＴＥＯＳ酸化物プラズマを生成するために用いられる高周波パルス電源を供給することにより、基板上の二酸化ケイ素の堆積速度を制御するステップが含まれる。 - 特許庁

To provide a PCVD (plasma chemical vapor deposition) method by which a microcrystalline silicon can be formed at a low flow rate of hydrogen gas, and to provide a more inexpensive microcrystalline silicon solar cell.例文帳に追加

本発明は、低流量の水素ガスで微結晶シリコンの形成が可能なＰＣＶＤ法を提供し、より廉価な微結晶シリコン太陽電池を提供することを目的とする。 - 特許庁

To increase productive efficiency and also to improve film characteristics by increasing the film deposition rate of a crystalline silicon semiconductor thin film deposited by a low temperature plasma CVD method.例文帳に追加

低温プラズマＣＶＤ法で形成する結晶質シリコン系半導体薄膜の成膜速度を高速化することによって、その生産効率を高めるとともにその膜特性をも改善する。 - 特許庁

Since negative fixed charges are introduced into an SiN film by simply controlling the flow rate ratio of SiH_4 gas and NH_3 gas appropriately during film deposition, a troublesome step is not required additionally.例文帳に追加

ＳｉＮ膜中に負の固定電荷を導入するには、成膜時のＳｉＨ_4ガスとＮＨ_3ガスとの流量比を適切に制御するだけでよいので特に面倒な工程の追加を要しない。 - 特許庁

The crystal growth is accelerated and reduction reaction and deposition rate are raised and manufacturing efficiency is raised by subjecting the surface of the seed crystal within a reaction furnace to the blasting treatment and to etching posttreatment.例文帳に追加

反応炉内の種結晶の表面をブラスティング処理を行い、エッチング後処理を行うことにより結晶生成を早め、還元反応・析出速度を高め製造効率を上げる。 - 特許庁

To provide a CVD film manufacturing method and a CVD film manufacturing apparatus for depositing a thin film of uniform refractive index and film thickness without degrading the film deposition rate and the yield.例文帳に追加

屈折率及び膜厚の均一な薄膜を、成膜速度及び収率を低下させることなく形成できるＣＶＤ膜の製造方法及びその製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of depositing a gas barrier film in which a colorless, transparent silicon nitride film having high barrier properties to oxygen, water vapor or the like can be formed at a high film deposition rate.例文帳に追加

無色透明で、かつ酸素、水蒸気などに対してバリア性が高い窒化シリコン膜を高い成膜レートで形成することができるガスバリア膜の成膜方法を提供する。 - 特許庁