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「rate of deposition」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索
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rate of depositionの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 516



例文

To provide an organic EL device manufacturing apparatus, method of manufacturing the same, a file forming device, or a film forming method, for precision deposition by reducing deflection of a substrate and a mask, being able to miniaturize a transportation chamber, capable of reducing generation of dust and gas in vacuum by arranging a drive part on the atmosphere side, for high productivity or operation rate.例文帳に追加

本発明は、基板やマスクの撓みを低減し高精度に蒸着できる、または搬送チャンバを小型化できる、あるいは駆動部等を大気側に配置することで真空内の粉塵やガスの発生を低減し、生産性の高いまたは稼働率の高い有機ELデバイス製造装置またはその製造方法あるいは成膜装置または成膜方法を提供することである。 - 特許庁

The method of forming the ITO (indium tin oxide) electrode 50 in the semiconductor device 1 includes steps for forming the electrode 50 through electron beam evaporation under a deposition rate of 1 Å/sec or higher and 5 Å/sec or lower and an oxygen pressure of 0.005-0.02 Pa and then calcining the electrode at a predetermined temperature, thereby obtaining the ITO electrode 50 of favorable quality.例文帳に追加

半導体素子1における酸化インジウムスズ(ITO)の電極50の形成方法において、電極50を、成膜レートにつき1Å/sec以上5Å/sec以下とし、酸素圧力につき0.005Pa以上0.02Pa以下として、電子線蒸着法により形成した後、所定温度で焼成し、良質なITO電極50を得た。 - 特許庁

A space between two electrode layers composed of materials selected from the groups consisting of tin, indium, aluminum, copper, chromium, titanium, iron, nickel and platinum or thin oxide or indium tin oxide whose surfaces may have oxide layers is provided with a sensitive layer composed of an organic vapor deposition film obtd. by vapor-depositing a molecular photoconducting material at a vapor depositing rate of ≤0.07 nm/sec.例文帳に追加

表面に酸化物層を有していても良いスズ、インジウム、アルミニウム、銅、クロム、チタニウム、鉄、ニッケル及び白金からなる群から選ばれる材料、あるいは酸化スズ又はインジウムチンオキシドからなる2つの電極層間に、分子性光導電材料を蒸着速度0.07nm/秒以下で蒸着して得られる有機蒸着膜からなる感光層を有する光半導体素子。 - 特許庁

The method for producing the thin film formed of oriented crystals of tungsten oxide on the surface of the substrate having low crystallinity includes sputtering a target containing tungsten while controlling a substrate temperature and a deposition rate to form tungsten oxide film with strongly oriented crystals on the (001) surface of monoclinic crystals.例文帳に追加

結晶性の低い基板の表面に結晶配向した酸化タングステン薄膜を作製する方法であって、タングステンを含むスパッタリングターゲットを結晶性の低い基板の表面にスパッタリングすることを含み、スパッタリングを行う際の基板温度及び堆積速度を制御することにより、単斜晶(001)面に強く結晶配向した酸化タングステン薄膜を作製することを特徴とする前記方法。 - 特許庁

例文

The silica-titania composite oxide particle produced by a vapor deposition method has a titania content of 50 wt.% or more, a BET specific surface area of 100 m^2/g or less, a containing rate of a silica single particle and a titania single particle by electron microscope observation of 10% or less, favorably 5% or less, and a hydrophobic surface.例文帳に追加

気相法によって製造されたシリカ・チタニア複合酸化物粒子であって、チタニアの含有量が50重量%以上、BET比表面積が100m^2/g以下、電子顕微鏡観察下においてシリカ単独粒子およびチタニア単独粒子の割合が10%以下、好ましくは5%以下であり、表面が疎水化されているシリカ・チタニア複合酸化物粒子。 - 特許庁


例文

The manufacturing method of an organic EL element having a pair of electrodes and a light-emitting layer arranged between the electrodes, and an intermediate layer includes a process in which the intermediate layer is formed by vapor-depositing metal or a metal compound, under the condition of a vapor-depositing rate of 0.006 nm/sec by an electron beam vapor-deposition method.例文帳に追加

一対の電極と、該電極間に設けられる発光層および中間層とを有する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、電子ビーム蒸着法によって蒸着レート0.006nm/秒以下の条件で金属又は金属化合物を成膜することにより、前記中間層を形成する工程を有する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 - 特許庁

A variable temperature and/or reactant dose atomic layer deposition (VTD-ALD) process modulates ALD reactor conditions (such as temperature and flow rate) during the growth of a film (such as a metallic film) on a wafer to produce different film properties and different film depths.例文帳に追加

温度および(または)反応物の投与量を調節可能な原子層堆積(VTD−ALD)プロセスは、異なるフイルム特性および異なるフイルムの奥行きを生成するために、ウェーハ上のフイルム(例えば金属)の成長段階において、ALD反応装置の条件(例えば温度、流量など)を調節する。 - 特許庁

The control part 90 controls the supply mechanism 70 to supply the first material gas and the second material gas and controls the substrate heating part 62 to heat the substrate held by the substrate holding part 44 to a temperature range in which a thermal polymerization reaction occurs so as to control the deposition rate of the polyimide film.例文帳に追加

制御部90は、供給機構70により第1の原料ガス及び第2の原料ガスを供給するとともに、基板加熱部62により、基板保持部44に保持されている基板を、熱重合反応が生ずる温度範囲に加熱することによって、ポリイミド膜の成膜速度を制御する。 - 特許庁

A process where a C60 fullerene thin film having film thickness of penetration depth of low-energy nitrogen ions is fist vapor-deposited by the flash method and simultaneously low-energy nitrogen ions are implanted by the desired total dose is repeated until the desired thin film thickness is obtained by controlling film deposition rate in the flash method, by which the nitrogen-implanted C60 fullerene thin film can be manufactured.例文帳に追加

本発明は、フラッシュ法による成膜速度調節により、先ずフラッシュ法により低エネルギー窒素イオンの侵入深さ膜厚のC60フラーレン膜を蒸着し、同時に低エネルギーの窒素イオンを所望のドーズ量注入する工程を所望の薄膜厚になるまで繰り返すことにより窒素注入C60フラーレン薄膜を作製する。 - 特許庁

例文

This method for producing the radiation image conversion panel, comprising heating an evaporation source 3 containing a photostimulable phosphor or a photostimulable phosphor raw material in a vapor deposition apparatus 1 to deposit the produced substance on a support 11 to form the photostimulable phosphor layer, is characterized in that the filling rate of the evaporation source on the basis of the volume of an evaporation source boat is 40 to 100%.例文帳に追加

輝尽性蛍光体または輝尽性蛍光体原料を含む蒸発源3を蒸着装置1内で加熱して発生する物質を支持体11上に蒸着させることにより輝尽性蛍光体層を形成する放射線画像変換パネルの製造方法において、蒸発源ボート容積に対する蒸発源の充填率が40〜100%であることを特徴とする。 - 特許庁

例文

To provide a method for reducing, minimizing or avoiding deposition of metal or metal oxide particles on various constituents in high temperature/high flow rate water by plating one or more noble metals on the surface so as to avoid or minimize corruption on the constituents surface due to interaction between floating particles and the constituent surface.例文帳に追加

浮遊粒子と構成部品表面とが相互作用して該構成部品表面の汚損を排除又は最少化するように該表面に対して1つ又はそれ以上の貴金属を施工することによって、高温/高流量水内の様々な構成部品上への金属又は金属酸化粒子の堆積を軽減、最少化又は排除する方法に関する。 - 特許庁

To prevent a deposition rate from being lowered, in a film forming apparatus for laminating a thin film, having an isolation region for isolating atmosphere between a first treatment region which is provided along a circumferential direction of a turntable with a substrate mounted thereon and is supplied with a first reaction gas and a second treatment region to which a second reaction gas is supplied.例文帳に追加

基板を載置する回転テーブルの周方向に沿って設けられる第1の反応ガスが供給される第1の処理領域と、第2の反応ガスが供給される第2の処理領域とをこれら処理領域の雰囲気を分離するための分離領域とを備えた、薄膜を積層する成膜装置において、成膜速度の低下を抑えること。 - 特許庁

To provide a mask cleaning method or a method for cleaning (peeling) the top face of a mask while cleaning (peeling) the back face in a dry cleaning system, and to provide an apparatus for producing an organic EL element having a high operation rate in which a mask can be cleaned in a short time by disposing the mask cleaning device adjoining to a vapor deposition device.例文帳に追加

本発明は、ドライ洗浄方式において、表面を洗浄(剥離)しながら裏面も洗浄(剥離)できるマスク洗浄装置または洗浄方法を提供すること、あるいは上記マスク洗浄装置を蒸着装置に隣接して設けることで短時間に洗浄できる稼働率の高い有機EL製造装置を提供することである。 - 特許庁

In the non-coating type electrophotographic transfer paper, the base paper contains a pigment as filler having ≤0.80 g/ml bulk density by a natural deposition method based on JIS K5101 and having ≥1.10 compression rate of the transfer paper measured by a Parker Print Surf smoothness measurement instrument based on ISO 8791-4:1992.例文帳に追加

非塗工タイプの電子写真用転写紙において、基紙が填料としてJIS K5101に準拠する自然堆積法かさ密度が0.80g/ml以下の顔料を含み、ISO 8791−4:1992に準拠する平滑度測定器パーカープリントサーフによって測定された該転写紙の圧縮率が、1.10以上である電子写真用転写紙。 - 特許庁

To provide a polyimide film which satisfies properties of high elastic modulus, low thermal expansion coefficient, low heat shrinking rate and flatness after vapor deposition when used as a base material for a metal circuit board having a metal circuit on its surface such as a flexible printed circuit, CSP, BGA or TAB tape.例文帳に追加

その表面に金属配線を施してなる可撓性の印刷回路,CSP,BGAまたはTABテープ用の金属配線板基材に適用した場合に、高弾性率、低熱膨張係数、低熱収縮率、および蒸着後の平面性を同時に満足したポリイミドフィルム、及びそれを基材としてなる金属配線回路板を提供する。 - 特許庁

例文

The film or the bulk body of the functional ceramic material, in which a third element is doped in such a large amount that cannot be doped by a conventional technology because of the deposition of a second phase, can be formed at a sufficiently high rate by a method comprising forcedly dissolving the third element to form a solid solution by rapid cooling and solidification using a thermal spray method.例文帳に追加

溶射法を用いた急冷凝固により第3元素を強制固溶させる方法により、従来技術では第2相の析出により不可能とされていた多量の第3元素をドープした機能性セラミックス材料の膜およびバルク体を、十分に速い速度で形成することができ、得られる機能性セラミックスは、第3元素の大量ドープによる導電率の向上や熱伝導率の低減が容易に達成できる。 - 特許庁




  
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