「rate of deposition」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

With an Si target material 23 used as a target for an ECR sputter device, argon gas of flow rate 30 cc/min and an oxygen gas of flow rate 4.5 cc/min which is less than at deposition are introduced in a thin-film deposition chamber 22 for generating an ECR plasma.例文帳に追加

ＥＣＲスパッタ装置におけるターゲットにＳｉターゲット材２３を用い、流量が３０ｃｃ／ｍｉｎのアルゴンガス及び流量が４．５ｃｃ／ｍｉｎで堆積時よりも少量の酸素ガスを薄膜堆積室２２に導入しながらＥＣＲプラズマを生成する。 - 特許庁

Also, 0.5≤(v/vb)×(D/Db)^1/2≤2.0 is obeyed (wherein Db is the outside diameter of the starting member 21 at the start of deposition, vb is the flow rate of the mixed gas, D is the outside diameter of the porous optical fiber preform during the deposition).例文帳に追加

堆積開始時の出発部材２１の外径をＤｂ、混合ガスの流速をｖｂ、堆積中の光ファイバ用多孔質母材２２の外径をＤ、混合ガスの流速をｖとすると、０．５≦（ｖ／ｖｂ）×（Ｄ／Ｄｂ）^1/2≦２．０とする。 - 特許庁

To provide a film deposition system and a film deposition method by which exact film deposition rate of a film deposited on an object to be treated can be detected and the film thickness of the film deposited on a substrate can be uniformized based on a detected potential.例文帳に追加

非処理物に形成される膜の正確な成膜レートを検出することができ、また、検出した電位に基づいて、基板に形成される膜の膜厚を均一にすることができる成膜装置及び成膜方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide an apparatus which can have a less quantity of reaction by-product and less deposition on an exhaust gas passage and so on than in the prior art, in a plasma CVD method capable of obtaining a high quality of deposition film at a high deposition rate and in a system therefore.例文帳に追加

高品質な堆積膜を速い堆積速度で得ることができるプラズマＣＶＤ方法およびその装置において、従来よりも反応副生成物の発生量および排気経路等への堆積が少なく、生産性や生産コストが向上した装置を提供する。 - 特許庁

To improve quality of treatment and yield by preventing difference of flow rate from increasing between a processing surface and a rim of a substrate and thereby improving uniformity of deposition processing.例文帳に追加

基板処理面と基板周縁部との流速差の増大を抑制し、成膜処理の均一性を向上させ、処理品質の向上、歩留りの向上を図る。 - 特許庁

The deposition rate of the Cu film 107 on the surface of the metal layer 105 is greater than that of the Cu film 107 on the surface of the metal nitride layer 106.例文帳に追加

金属層１０５の表面におけるＣｕ膜１０７の成膜速度は、金属窒化層１０６の表面におけるＣｕ膜１０７の成膜速度よりも大きい。 - 特許庁

To provide a thermal flow rate detector element capable of obtaining stable flow rate detection characteristics while reducing the disturbance of a flow caused by the unevenness of the surface of a substrate or reducing deposition of dust on the substrate, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

この発明は、基材の表面の凹凸に起因する流体の流れの乱れやダストの堆積の発生を抑え、安定した流量検出特性が得られる感熱式流量検出素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an atomic layer deposition device that improves uniformity of a film thickness distribution while suppressing a decrease in film-forming rate.例文帳に追加

成膜速度の低下を抑制しつつ、膜厚分布の均一性を向上させることができる原子層堆積装置を提供する。 - 特許庁

A helium gas is used to lower the deposition rate of plasma-enhanced silane oxide, silane oxynitride, and silane nitride processes.例文帳に追加

ヘリウムガスを用いてプラズマ励起シラン酸化物プロセス、プラズマ励起シランオキシナイトライドプロセス及びプラズマ励起シランナイトライドプロセスの堆積速度を下げる。 - 特許庁

The film deposition rate detector 3 is arranged at a position on the side opposite to the side of the cylindrical heating element 2 to the shielding body 4.例文帳に追加

前記成膜速度検出器３は、前記遮蔽体４に対して筒状加熱体２側とは反対側の位置に配設されている。 - 特許庁

To provide a conductive oxide as a target enabling high deposition rate of an oxide semi-conductor film by the sputtering, and high etching rate of the deposited oxide semi-conductor film.例文帳に追加

スパッタリングよる酸化物半導体膜の堆積速度の向上と堆積された酸化物半導体膜のエッチング速度の向上を可能にするターゲットとしての導電性酸化物を提供する。 - 特許庁

To provide an evaporation source for an organic material with which the control of a heating temperature and an evaporation rate at the time of vapor deposition can be correctly performed with high responsibility, and to provide an organic vapor deposition system using the same.例文帳に追加

蒸着時における加熱温度及び蒸発速度の制御を正確且つ応答性良く行うことが可能な有機材料用蒸発源及びこれを用いた有機蒸着装置を提供する。 - 特許庁

In the first step, the optimum flow rate of CIF_3 gas (cleaning gas) for etching a produced film, deposited in the deposition gas nozzle 40, is supplied from the deposition gas nozzle 40 into the reactor 31.例文帳に追加

第１段階では、成膜ガスノズル４０内に堆積した生成膜をエッチングするのに最適な流量のＣｌＦ_3ガス（クリーニングガス）を、成膜ガスノズル４０より反応炉３１内に供給する。 - 特許庁

In this way, even when oxygen is sufficiently introduced, there is no phenomenon that an oxide mode is formed to reduce a film deposition rate as shown in ordinary sputtering, and the high speed deposition of a tungsten oxide thin film is made possible.例文帳に追加

これにより十分な酸素を導入しても通常のスパッタリングのように酸化物モードになって成膜速度が低下することはなく、酸化タングステン薄膜の高速成膜が可能となる。 - 特許庁

PROCESS FOR ADJUSTING FEED RATE IN ELECTRON-BEAM PHYSICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS, ELECTRON BEAM PHYSICAL VAPOR DEPOSITION APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING MULTI-COMPONENT CONDENSATE FREE OF LAMINATION USING THE APPARATUS例文帳に追加

電子ビーム物理蒸着装置において送り速度を調整する方法、電子ビーム物理蒸着装置、およびこの装置を用いた層状化の発生していない多成分凝縮物の製造方法 - 特許庁

To obtain a solid soap composition sufficiently affording both the amount and projection rate of fine projections as a result of deposition thereof, and also enabling both the amount and projection rate of such fine projections to be controlled.例文帳に追加

石鹸組成物が析出して突出する細毛の量や、突出速度を十分に得ることができ、また細毛の量や突出速度を制御することが可能になる固形石鹸組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a vapor deposition system capable of correctly measuring the evaporation rate of a film-forming material, highly precisely performing composition control and stably depositing even a thick film.例文帳に追加

成膜材料の蒸発量を正確に測定し、高精度に組成制御を行い、膜厚の厚い成膜においても安定蒸着を可能とする。 - 特許庁

To reduce the contents of boron in a plating film without increasing a deposition rate and to deposit an Ni-B alloy film of a fcc crystal structure.例文帳に追加

めっき速度を上げることなく、めっき膜中の硼素の含有量を減して、ｆｃｃ結晶構造のＮｉ−Ｂ合金膜を形成できるようにする。 - 特許庁

Aluminum is vacuum-deposited on the surface of a resin base material at a deposition rate of 300 μm/h to 500 μm/h, thereby forming the decorative coating thereon.例文帳に追加

樹脂基材の表面に、３００μｍ／ｈ〜５００μｍ／ｈの蒸着速度でアルミニウムを真空蒸着することにより、装飾皮膜を形成する。 - 特許庁

To provide a CVD apparatus which reduces a cleaning frequency of the inside of a chamber necessary for maintaining high quality deposition thereby improving an operation rate.例文帳に追加

高品質な成膜を維持するために必要となるチャンバー内の清掃の頻度を低減し、稼動率を向上したＣＶＤ装置を提供すること。 - 特許庁

To provide an air flow rate measuring device 1 improving measurement detection accuracy of an air flow rate by suppressing deposition of intake dust on the upstream/downstream ends of a chip support member, concerning a thermal air flow rate measuring device having a chip sensor structure.例文帳に追加

チップセンサ構造の熱式空気流量測定装置において、チップ支持部材の上下流側端部への吸気ダストの堆積を抑制することにより、空気流量の測定検出精度を向上できる空気流量測定装置１を提供する。 - 特許庁

In the first condition, a deposition gas including silicon or germanium is diluted with the flow rate of hydrogen set to 50 times or more and 1000 times or less relative to the flow rate of the deposition gas, and the pressure in a process chamber is set to 67 Pa or more and 1333 Pa or less.例文帳に追加

第１の条件は、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体の流量に対する水素の流量を５０倍以上１０００倍以下にして堆積性気体を希釈し、且つ処理室内の圧力を６７Ｐａ以上１３３３Ｐａ以下とする条件である。 - 特許庁

In the first condition, a deposition gas including silicon or germanium is diluted with hydrogen of the flow rate set to 50 times or more and 1000 times or less with respect to the flow rate of the deposition gas, and the pressure in a process chamber is set to more than 1333 Pa and less than or equal to 13332 Pa.例文帳に追加

第１の条件は、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体の流量に対する水素の流量を５０倍以上１０００倍以下にして堆積性気体を希釈し、且つ処理室内の圧力を１３３３Ｐａより大きく１３３３２Ｐａ以下とする条件である。 - 特許庁

In the second condition, the deposition gas including silicon or germanium is diluted with hydrogen of the flow rate set to 100 times or more and 2000 times or less with respect to the flow rate of the deposition gas, and the pressure in the process chamber is set to more than or equal to 1333 Pa and less than or equal to 13332 Pa.例文帳に追加

第２の条件は、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体の流量に対する水素の流量を１００倍以上２０００倍以下にして堆積性気体を希釈し、且つ処理室内の圧力を１３３３Ｐａ以上１３３３２Ｐａ以下とする条件である。 - 特許庁

To provide a shower head in which temperature can be controlled in accordance with film deposition conditions, and to provide a thin film production apparatus and a production method excellent in productivity and mass-productivity which enable continuous film deposition to stably be performed over a long period causing the reduced number of particles while reproducing satisfactory film deposition distribution, compositional distribution and film deposition rate.例文帳に追加

成膜条件に合わせて温度制御可能なシャワーヘッド、良好な膜厚分布、組成分布、成膜レートを再現しつつ、パーティクル数が少なく、長期にわたって連続成膜を安定して行えることが可能な生産性、量産性に優れた薄膜製造装置及び製造方法の提供。 - 特許庁

Since the thin film is deposited through thermal decomposition caused by the reaction of alcohol vapor and a precursor, the deposition rate is high and a high deposition rate can also be attained even when a β-diketone based organic metal compound is used as the precursor.例文帳に追加

また、アルコールの蒸気と前駆体との化学反応による熱分解で薄膜が蒸着されるために蒸着速度が速く、特にβ−ジケトン系の有機金属化合物を前駆体として使用する場合にも速い蒸着速度を得ることができる。 - 特許庁

The method for depositing glass particulates on the peripheral surface of a glass rod 6 for a core by the OVD method and by moving a plurality of burners 4 arranged along the peripheral surface back and forth comprises performing the deposition of the glass particulate by evading the distance (Lmax) between the deposition surface at which the deposition rate of the glass particulate on the deposition surface is maximized and the front ends of the burners.例文帳に追加

外付け法（ＯＶＤ法）によりコア用ガラス棒６の周面に、これに沿って配置した複数のバーナ４を往復移動させてガラス微粒子を堆積させる方法であって、堆積面におけるガラス微粒子の付着率が最大となる堆積表面とバーナ先端との距離（Ｌｍａｘ）を避けて、ガラス微粒子の堆積を行うことを特徴としている。 - 特許庁

To provide an evaporation source in a vapor-deposition apparatus, which shows little overshoot, can easily control a vapor-deposition rate, can heat a vapor-deposition material to a predetermined temperature in a short period of heating time, also makes the material deposited on the whole substrate in a short period of time to shorten tact time, and is superior in practicability.例文帳に追加

オーバーシュートが小さく蒸着レートコントロールが容易で、蒸着材料を短い加熱時間で所定温度に到達させることができ、また基板全体に短時間に蒸着しタクトタイムを短縮する事が可能な実用性に秀れた蒸着装置における蒸発源の提供。 - 特許庁

To provide evaporation sources for an organic material with which film deposition with a uniform film thickness distribution is made possible to a large sized substrate, and further, the control of heating temperature and evaporation rate at the time of vapor deposition can be correctly performed with high reproducibility, and to provide an organic vapor deposition system using the same.例文帳に追加

大型基板に対して均一な膜厚分布の成膜が可能になるとともに、蒸着時における加熱温度及び蒸発速度の制御を正確且つ応答性良く行うことが可能な有機材料用蒸発源及びこれを用いた有機蒸着装置を提供する。 - 特許庁

To provide an atomic layer growth apparatus capable of reducing damage of a to-be-formed film caused by plasma, improving a deposition rate, and suppressing generation of particles.例文帳に追加

形成される膜のプラズマによるダメージを低減するとともに、成膜レートを向上し、かつ、パーティクルの発生を抑制することができる原子層成長装置を提供する。 - 特許庁

To provide a reaction chamber gas flowing method simultaneously solving the problems of the increase of contaminated particles and the drop of a vapor deposition rate and to provide a shower head used therefor.例文帳に追加

汚染粒子の増加及び蒸着速度の低下の問題を同時に解決する反応チャンバガス流入方法及びそれに用いるシャワーヘッドを提供する。 - 特許庁

Film deposition is performed while performing the feedback control, and the measurement value of the oxygen flow rate on the X-axis and the measurement of the luminescence intensity of oxygen on the Y-axis are plotted, respectively, as shown in figure.例文帳に追加

フィードバック制御を行いながら成膜を行い、図４の通り、酸素流量の測定値を横軸、酸素の発光強度の測定値を縦軸にとってプロットする。 - 特許庁

To obtain a chemical phase deposition apparatus which can improve a uniformity of film thickness or composition rate in a plane of a substrate and can suppress production of contamination within a reaction chamber.例文帳に追加

膜厚や組成比等の基板面内の均一性が向上するとともに、反応室内の異物発生が低減される化学気相成長装置を提供する。 - 特許庁

To provide a film forming device with which the working rate of a film forming line is increased and the productivity is improved by preventing the deposition of a film on the wall face, or the like, of an exhausting passage.例文帳に追加

排気通路の壁面等に膜が付着するのを防止して、成膜ラインの稼働率を高めて、生産性の向上を図れる成膜装置を提供する。 - 特許庁

To provide a film forming device capable of making constant a deposition rate of a polyimide film formed by thermal polymerization of aromatic acid dianhydride and aromatic diamine.例文帳に追加

芳香族酸二無水物と芳香族ジアミンとの熱重合反応により成膜されるポリイミド膜の成膜速度を一定にすることができる成膜装置を提供する。 - 特許庁

To attain a stabilized film deposition rate and a high throughput by preventing a fluoride layer of fluorine based gas component used at the time of cleaning from being formed on the surface of an electrode.例文帳に追加

クリーニング時に使用する弗素系ガスの成分からなる弗化層が電極表面に形成されるのを防いで、安定した成膜速度と高いスループットを得る。 - 特許庁

To suppress variability in film thickness in a process of depositing e.g. an antireflection coating by stabilizing film deposition rate from the initial stage of the use of a target to the end of its life in a sputtering deposition process using an Nb sputtering target.例文帳に追加

Ｎｂスパッタリングターゲットを用いたスパッタ成膜工程において、ターゲットの使用初期からライフエンドまで成膜速度を安定化させることによって、例えば反射防止膜の形成工程における膜厚のばらつきの発生を抑制する。 - 特許庁

To provide a film deposition operating method where, as a vacuum flow rate control valve is used in opening/closing in which the number of operations is reduced for retaining a vacuum in a chamber, vacuum pressure control in the chamber can be performed at high frequency and high velocity for ALD (atomic layer deposition) film deposition.例文帳に追加

真空流量調整バルブをチェンバーの真空維持のために作動回数の少ない開閉で使用しながら、ＡＬＤ成膜のために、高頻度、高速でチェンバー内の真空圧力調整を行うことを可能にした成膜操作方法を提供する。 - 特許庁

To provide a film formation method and a film formation apparatus where a film deposition rate is high, and a film of high quality can be deposited at a desired thickness.例文帳に追加

成膜速度が大きく、高品質な膜を所望の厚さで形成することができる成膜方法および成膜装置を提供する。 - 特許庁

DEVICE AND METHOD FOR MEASURING DISTRIBUTION OF SPUTTER DEPOSITION RATE FOR SIMULATION CALCULATION, METHOD FOR PROCESSING MEASURED DATA, AND METHOD FOR ESTIMATING GENERAL DISTRIBUTION CHARACTERISTICS例文帳に追加

シミュレーション計算のためのスパッタ堆積速度分布測定装置及び方法、測定データの処理方法、総合分布特性の予測方法 - 特許庁

To provide a method for depositing a Cu film capable of depositing a CVD-Cu film having excellent surface property at a high film deposition rate.例文帳に追加

表面性状が良好なＣＶＤ−Ｃｕ膜を高い成膜速度で成膜することができるＣｕ膜の成膜方法を提供すること。 - 特許庁

Then, the temperature of the semiconductor substrate 1 is elevated to 210-280°C by the same method to deposit the copper thin film 4 at a high deposition rate.例文帳に追加

その後、同じ手法により、半導体基板の温度を２１０〜２８０℃に上昇させ、高い堆積率によって、銅薄膜を堆積する。 - 特許庁

To provide a film deposition system in which the diffusion of a magnetic field in the vicinity of the surface of the object to be film-deposited is suppressed to secure a prescribed magnetic field in the vicinity of the surface of the object to be film-deposited, and the amount of plasma particles arrived at the vicinity of the surface is increased to improve a film deposition rate.例文帳に追加

被成膜物の表面近傍での磁場の拡散を抑制し被成膜物の表面近傍に所定の磁場を確保し、表面近傍に到達するプラズマ粒子量を増加させることによって成膜速度を向上させる成膜装置を提供する。 - 特許庁

The first undercoat insulation film 2 may be formed by a conventional method but the second undercoat insulation film 3 is formed at a deposition rate lower than that of the first undercoat insulation film 2 and etching rate by hydrofluoric acid is lowered.例文帳に追加

第一アンダーコート絶縁膜２は従来通りの方法で形成してよいが、第二アンダーコート層３は、第一アンダーコート絶縁膜２よりも堆積速度を遅くし、フッ酸によるエッチング速度を遅くする。 - 特許庁

To continuously form a fluoride thin film of magnesium fluoride or the like having reduced optical absorption of visible light and having satisfactory adhesion on a plastic base material by a vacuum deposition process at a high speed and also at an extremely stable film deposition rate.例文帳に追加

可視光の光学吸収が少なく密着性の良好なフッ化マグネシウム等のフッ化物薄膜をプラスチック基材上に真空蒸着法により高速で、且つ極めて安定した成膜速度で連続的に形成する。 - 特許庁