「region below」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

A carrier fluidization filter chamber 10 is provided with communicating ports 11 for communicating a first carrier packed section 21 (aerobic treatment region) and a second carrier packed section 22 (filtration region) with each other in the lower part of a partition 17 and is installed with air diffusion pipes 32a and 32a below these carrier packed sections 21 and 22.例文帳に追加

担体流動生物濾過槽１０において、隔壁１７の下部には第１担体充填部２１（好気処理領域）と第２担体充填部２２（濾過領域）を連通する連通口１１が設けられ、担体充填部２１，２２の下方には散気管３１ａ，３２ａが設置されている。 - 特許庁

Although a portion grown on the exposed part and below the facet has at first many dislocations between the ground substrate and itself, the dislocation density in the portion is gradually reduced because the dislocations are eliminated to outside by the growth of the facet and accumulated in the crystal defect aggregation region H, and the portion adjacent to the region H becomes a single crystal.例文帳に追加

露呈部の上でファセットの下に成長した部分は初めは下地基板との間に多数の転位を持つが、ファセット成長によって転位が外側へ排除され、結晶欠陥集合領域Ｈに蓄積されるので次第に低転位となり、この隣接部分は単結晶となる。 - 特許庁

The 1st porous oxide film region 10 is formed in a region which includes a position right below the 1st main electrode 6 of the power device and extends within a range from the side of the 1st main electrode 6 to the level beyond 40% of the distance L between 1st and 2nd main electrodes 6 and 7.例文帳に追加

そして、第１多孔質酸化膜領域１０は、パワーデバイスの第１主電極６の真下位置を含んで、第１主電極６側から第１および第２主電極６、７間の距離Ｌの４０％を超える範囲まで広がった領域に形成されている。 - 特許庁

To provide a head protection airbag device in which an airbag is simply collapsible and, when airbag inflation is completed, a region of a window located below a pillar part is widely covered with an edge shielding part.例文帳に追加

エアバッグを簡便に折り畳むことができ、かつ、エアバッグの膨張完了時に、縁側遮蔽部によって、窓におけるピラー部の下方側の領域を広く覆い可能な頭部保護エアバッグ装置の提供。 - 特許庁

On a registration function key input picture, button groups 115 to 119 for registration as blank display and a button group with full functions which can be assigned to the buttons for registration in a display region below this are displayed.例文帳に追加

登録機能キー入力画面には、空白表示となっている登録用ボタン群115〜119とこの下部の表示領域に登録用ボタンに割当てることのできる全機能のボタン群が表示される。 - 特許庁

In the two angle areas halving the rotation angle range below a half round, two magnetism sensors are used alternately for determining an angular region and for obtaining an angular signal.例文帳に追加

１／２回転未満の回転角度範囲を２等分割する２つの角度領域において２つの磁気センサを交互に一方を角度領域判定用、他方を角度信号取得用として使用する。 - 特許庁

The label is printed by using printing ink having a difference in IR absorptivity and is characterized in that a color difference ΔE*ab in a visible region of a printed section is below 6.例文帳に追加

赤外域での赤外線吸収率に差がある印刷インキを用いて印刷されたラベルであって、印刷部の可視域での色差ΔＥ^*ａｂが６以下であることを特徴とするラベルである。 - 特許庁

A silicide layer 7d is formed so as to have the configuration of a side wall on the side wall of the recess 2A provided in a grooved element separating region 2 positioned below the side of an insulating side wall 5ab.例文帳に追加

そして、絶縁性サイドウォール５ａｂの側方下に位置する溝型素子分離領域２に設けられた凹部２Ａの側壁上にはシリサイド層７ｄがサイドウォール形状に形成されている。 - 特許庁

In a connection region 34 between the bottom gate 20 and interconnection 31, a step member 35 is provided which is disposed below the bottom gate electrode 20 and supports the bottom gate electrode 20.例文帳に追加

そして、ボトムゲート電極２０の、配線３１との接続領域３４に、ボトムゲート電極２０の下方に配置されるとともに、ボトムゲート電極２０を支持する段差部材３５が設けられている。 - 特許庁

The method is one using the LEC method, wherein the lowest surface of the liquid phase as a raw material melt 4 is situated below the region of the heat generation part of a resistance heater 5 in the initial stage of growing a compound semiconductor single crystal 9 by pulling.例文帳に追加

化合物半導体単結晶９を引き上げ育成する初期段階で、原料融液４である液相の最下面の位置を、抵抗加熱ヒータ５の発熱部の領域から下に外す。 - 特許庁

A recess 51 for partially expanding a separation width between a root part of the water intrusion regulating wall 25 and the edge on the opening side of the rotor is arranged in a region vertically below the inner peripheral face of the water intrusion regulating wall 25.例文帳に追加

水浸入規制壁２５の内周面の鉛直下方領域に、水浸入規制壁２５の付根部とロータの開口側の端縁との離間幅を部分的に拡大する凹部５１を設ける。 - 特許庁

Also, when the present rotational number is below the range of the target rotational number region, a control signal which raises the rotational number by a preset specified amount is output to the inverter circuit 49.例文帳に追加

また、現在の回転数が目標回転数領域の範囲を下回る場合には、回転数を予め設定された所定量だけ上げるような制御信号をインバータ回路４９に出力する。 - 特許庁

In another embodiment, the golf ball has a mechanical impedance having a primary minimal value at a frequency region below 3100 Hz after the ball is held for at least 15 hours at 21.1°C, 1 atm and nearly 50% relative humidity.例文帳に追加

他の実施様態では、ボールを21.1℃、1気圧およびほぼ50%相対湿度に少なくとも15時間保持した後に、ボールが3100Hz以下の周波数域に1次極小値をもつ機械インピーダンスをもつゴルフボール。 - 特許庁

In an active matrix type display device, satisfactory holding characteristics can be obtained without deterioration of the aperture ratio by disposing a capacitance element below a pixel TFT region, as shown in Figure 3.例文帳に追加

アクティブマトリクス型表示装置において、図３のように容量素子を画素ＴＦＴ領域の下方に配置することにより、開口率を損ねることなく良好な保持特性を得ることができる。 - 特許庁

A connecting and conducting layer 31 bridges one of the source and drain diffusion layers 26 which are formed on the surface of the semiconductor substrate 1 and sandwich a channel region below the second gate electrode 22, and the conducting film 13.例文帳に追加

接続導電層３１は、半導体基板の表面に形成され且つ第２ゲート電極下方のチャネル領域を挟むソース／ドレイン拡散層２６の一方と導電膜との上に亘る。 - 特許庁

A contact hole H1, in which a portion positioned below the etching suppressing portion reaches the connecting portion and other portion reaches the lower electrode layer, is formed by etching in a region including the etching suppressing portion.例文帳に追加

エッチング抑制部を含む範囲でエッチングを行ってエッチング抑制部の下方に位置する部分は接続部まで到達し、その他の部分は下部電極層まで到達するコンタクトホールＨ１を形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a magnetic RAM with device characteristics and reliability improved by securing an MTJ cell region without damage to the lead layer below the MTJ layer.例文帳に追加

ＭＴＪ層下方の下部リード層の損傷を防ぎつつ、ＭＴＪセル領域を確保して、素子の特性及び信頼性を向上させることができるマグネティックＲＡＭの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To obtain a process for fabricating a solid state imaging device in which the charge collecting region of a photodiode can be formed precisely such that projection below a transfer gate falls within a predetermined range.例文帳に追加

転送ゲート下部へのフォトダイオードの電荷収集領域の突き出し量が一定範囲内に収まるように、精度よく形成することができる、固体撮像装置の製造方法を実現する。 - 特許庁

Further, a reflecting mirror 34, a viewing angle adjusting plate 36, and a floor-reinforcing plate 38 are formed in the order, starting from below on the surface region facing the photographing space 3 on the floor part 33 as the other surface.例文帳に追加

また、他の面としての床部３３における、撮影空間３を向いた表面領域には、下から順に、反射鏡３４、視野角調整板３６および床補強板３８が形成されている。 - 特許庁

In this semiconductor device and its manufacturing method, a leakage blocking layer 13 which has the same conductivity as the surface silicon layer 3 and high impurity concentration is formed below a source region 7.例文帳に追加

ソース領域７の下部に表面シリコン層３と同じ導電型で不純物濃度の高いリークストッパ層１３を形成することを特徴とする半導体装置およびその製造方法を使用する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device that can suppress oxidation below a nitride film arranged on a narrow-width element forming region, when an LOCOS oxide film is formed on a silicon substrate.例文帳に追加

シリコン基板にＬＯＣＯＳ酸化膜を形成する際に、幅の狭い素子形成領域上に配置させた窒化膜下部における酸化を抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The connection terminals of the package substrate are placed in a substrate region where a bent of the package substrate is 15% of the height of the metallic bump or below and the metallic bump is placed at the inside of the opposed comb-line electrodes.例文帳に追加

パッケージ基板の接続端子は、パッケージ基板の反りが金属バンプの高さの１５％以内である基板領域に位置し、金属バンプは、対向する櫛歯電極の内側に位置する。 - 特許庁

To enable to lay a signal line of a seat sensor arranged on a carrier base by utilizing a space portion having large dimension of a vertical direction, and formed immediately below a movable region of the carrier base.例文帳に追加

キャリアベースの可動領域の直下に形成される上下方向の寸法の大きな空間部を利用して、キャリアベース上に配置された着座センサ等の信号線を配線可能にすることである。 - 特許庁

The discharge nozzle 14 is arranged to be movable, and its upper limit movable region A is regulated so that the discharge port 12 of the discharge nozzle 14 is always located below the atmosphere opening valve 7.例文帳に追加

吐出ノズル１４を可動自在に配置すると共にその上限可動領域Ａを吐出ノズル１４の吐出口１２が大気開放弁７よりも常時下方に位置するように規制した。 - 特許庁

The casting of the molten glass and the molding to the flat plate shape are carried out while locally cooling, when the top surface is viewed from above, a position of the top surface directly below the orifice and a region which extends from the position directly below the orifice in the molding direction and the width of which increases discontinuously or continuously toward the downstream side.例文帳に追加

熔融ガラスの鋳込みと板状への成形は、上面を平面視したときに、上面の前記オリフィス直下の位置および前記オリフィス直下の位置から成形方向に延在する、下流に向かって幅が断続的または連続的に増大する領域を局所的に冷却しながら行う。 - 特許庁

The phase shift mask is provided with a shielded region having a line pattern formed therein and first and second transparent regions disposed on both sides of the shielded region on a substrate transparent to irradiated light, wherein a phase shifter is formed below the first transparent region and a side wall of the phase shifter has a curved portion convex to the outside.例文帳に追加

照射光に対して透明な基板上に、ラインパターンが形成された遮蔽領域と、前記遮蔽領域の両側にそれぞれ配置された第一の透明領域および第二の透明領域とを有し、前記第一の透明領域の下方には位相シフタが形成されており、前記位相シフタの側壁が、外側に凸の湾曲部を有している位相シフトマスクを提供する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a memory part where, provided in an element formation region within a chip region of a wafer, a cell is formed using a trenched capacitor, a bonding pad 304 provided around the element formation region, and a dummy trench 303 formed, at least, either above a dicing line 305 of the wafer or below the bonding pad 304.例文帳に追加

ウェハにおけるチップ領域中の素子形成領域に設けられ、セルがトレンチ型キャパシタを用いて形成されたメモリ部と、前記素子形成領域の周辺に設けられたボンディングパッド３０４と、前記ウェハにおけるダイシングライン３０５上、前記ボンディングパッド３０４下方の少なくともいずれかに形成されたダミートレンチ３０３とを具備したことを特徴とする半導体装置。 - 特許庁

In a semiconductor device provided with a gate electrode, which is formed on a P-type semiconductor substrate via a gate insulating film and N-type source/drain regions on the substrate surface adjacent to the gate electrode, the source/drain regions 10, 11 are formed by the N-well region, and the P-well region is also formed below the channel region 9 under a gate electrode 14.例文帳に追加

Ｐ型の半導体基板上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、該ゲート電極に隣接するように前記基板表層にＮ型のソース・ドレイン領域を有する半導体装置において、前記ソース・ドレイン領域１０，１１がＮウエル領域で形成され、かつ前記ゲート電極１４下のチャネル領域９下にＰウエル領域が形成されているものである。 - 特許庁

A semiconductor film is formed on an insulating film, surface of the semiconductor film is irradiated with a solid-state laser beam, backside of the semiconductor film is irradiated with the solid-state laser light reflected on a reflector arranged below the insulating film in order to crystallize the semiconductor film, and an active layer including the source region, the drain region and a channel forming region is formed by using the crystallized semiconductor film.例文帳に追加

絶縁膜上に半導体膜を形成し、半導体膜の表面に固体レーザー光を照射し、半導体膜の裏面には、絶縁膜の下方に配置された反射体によって反射された固体レーザー光を照射して半導体膜を結晶化させ、結晶化させた半導体膜を用いてソース領域、ドレイン領域及びチャネル形成領域を含む活性層を形成する。 - 特許庁

The temporary scaffold protrudes a scaffold plate supporting member 4 arranged in the frame 2 from a region below a beam to the opposite side of a beam B, and then the temporary scaffold supports the scaffold plate 6 by a means of the protruded portion of the supporting member 4 protruded to the opposite side of the beam.例文帳に追加

仮設足場は、枠体に配置された足場板支持部材(4)を梁下領域から梁(B)の反対側に突出させ、梁の反対側に突出した支持部材の突出部分によって足場板(6)を支持する。 - 特許庁

The processing region is surrounded by a splash guard and an X-, Y-, and Z-axis cover, and the chips from machining and the processing liquid are received by bottom surface covers installed on the left and right of the table 17 and dropped into a chip bucket situated below.例文帳に追加

そして加工領域のまわりをスプラッシュガード及びＸ、Ｙ、Ｚ軸カバーで囲み、切屑と加工液をテーブル１７の左右両側に設けた底面カバーで受けて下方のチップバケットに落下させる構成にする。 - 特許庁

To provide a multiple layer pipe for transportation of a liquid especially a gasoline made by using a polyamide as a base with each layer formed in order as shown below from the outside to the inside in the radius direction in which the layers are adhered each other at the contact region.例文帳に追加

外側から内側へ向かって半径方向に下記層を下記順序で有し、各層は各接触領域で互いに接着しているポリアミドをベースにした流体輸送、特にガソリン輸送用多層管。 - 特許庁

To solve the problems of gas shortage and distribution flow failures, caused due to freezing of formed water and condensed water in a region except an electrode part of a membrane electrode assembly having an electrode catalyst, when a fuel cell starts below freezing point.例文帳に追加

燃料電池の氷点下起動時に電極触媒を有する膜電極複合体の電極部以外の領域において、生成水や凝縮水が凍結してガス欠や配流不良が発生する。 - 特許庁

The memory is configured so as to be self-alignedly bias-modulated in a direction where a potential difference between a floating gate and a region directly below the tunnel window becomes smaller in accordance with a data storage state of the semiconductor memory in a steady state.例文帳に追加

定常状態において、半導体メモリのデータ保持状態に合わせて、自己整合的に、フローティングゲートとトンネルウィンドウ直下領域の電位差が小さくなる方向でバイアス変調されるように構成されている。 - 特許庁

With the top of the semiconductor substrate 1 formed with a fluorine-contained layer 25 being covered by a protection film 13, heat treatment is conducted to diffuse the fluorine contained in the fluorine-contained layer 25 into a region immediately below a gate insulation film 7.例文帳に追加

フッ素含有層２５が形成された半導体基板１上を保護膜１３で覆った状態で、フッ素含有層２５のフッ素をゲート絶縁膜７直下の領域に拡散させるための熱処理を行う。 - 特許庁

To provide a vibration isolation rubber capable of being designed so that transmissibility of vibration in a low frequency region of 50 Hz or below, which is hardly removed in a conventional vibration isolation rubber, can be sufficiently designed to 1 or less.例文帳に追加

従来の防振ゴムでは取り除くことが困難とされていた５０Ｈｚ以下の低振動数領域における振動伝達率を充分１以下に設計可能にした新規な防振ゴムに関するものである。 - 特許庁

To stop the print head of a carriage more exactly at the spit position in a maintenance area by enhancing control precision of a DC motor especially in a low speed region of 10 ips or below during deceleration control of the carriage.例文帳に追加

キャリッジの減速制御時、特に１０ｉｐｓ以下の低速領域におけるＤＣモータの制御精度を向上させることにより、キャリッジの印字ヘッドをメンテナンス領域のスピット位置により正確に停止させる。 - 特許庁

The semiconductor device comprising a substrate having a through hole region including a through hole; a MEMS capacitor above the substrate; and an integrated circuit for controlling the MEMS capacitor below the MEMS capacitor; is provided.例文帳に追加

貫通孔を含む貫通孔領域を有する基板と、前記基板の上方のＭＥＭＳキャパシタと、前記ＭＥＭＳキャパシタの下方の前記ＭＥＭＳキャパシタの制御用集積回路とを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

Then the rotary table 2 is rotated to position the wafer W in a region below a separation gas nozzle 42, and a heated N_2 gas is supplied to the wafer W to vaporize a part of the condensate of the BTBAS gas.例文帳に追加

次いで回転テーブル２を回転させてウェハＷを分離ガスノズル４２の下方領域に位置させ、ウェハＷに対して加熱されたＮ_２ガスを供給して、前記ＢＴＢＡＳガスの凝縮物の一部を気化させる。 - 特許庁

In a region below the flange surface of the side frame and above the upper end of the underrun protector, the flange height of the first flange surface 5b is made small to form a clearance S between the upper surface 6a and the side surface 6c.例文帳に追加

該サイドフレームのフランジ面よりも下方かつ該アンダーランプロテクタの上端よりも上方の領域で、第一フランジ面５ｂのフランジ高さを小さく形成し、上面６ａ及び側面６ｃ間に隙間Ｓを形成する。 - 特許庁

A stacked via structure 9 is provided immediately below the second region by laminating first vias, which are respectively buried in the multiple organic resin layers, in the thickness direction of the multiple organic resin layers.例文帳に追加

第２の領域の直下方には、複数の有機樹脂層の各々に埋め込まれた第１のビアが、複数の有機樹脂層の厚さ方向に積層されることで構成されるスタックドビア構造体９が設けられている。 - 特許庁

A portion of the substrate corresponding to an exposure region is absorbed and held by a fixed stage from below without any contact, and the other portions are held to be float by multiple air float devices positioned on the Y step surface table.例文帳に追加

基板の露光領域に対応する部位が定点ステージにより下方から非接触で吸着保持され、その他の部位は、Ｙステップ定盤上に配置された複数のエア浮上装置により浮上支持される。 - 特許庁

The film thickness or pigment concentration of the color filter layer 103 is so adjusted that light transmittance of the respective R, G and B color filter layers 103 is set below 50% with respect to the outside of a predetermined wavelength region.例文帳に追加

Ｒ、Ｇ、Ｂの各色のカラーフィルター層１０３の光透過率が、所定の波長領域外に対して、５０％以下となるように、カラーフィルター層１０３の膜厚又は顔料濃度を調整することである。 - 特許庁

In order to implant a dopant in a dose exceeding 1×10^13/cm^2 in the predetermined region of a semiconductor substrate, the dopant implantation of the dose below 1×10^13/cm^2 and a heat treatment which follows this dopant implantation are repeatedly performed.例文帳に追加

半導体基板の所定領域に1×10^13／cm^2を超えるドーズ量でドーパントを注入するに当たり、ドーズ量が1×10^13／cm^2以下のドーパント注入と、該ドーパント注入に後続する熱処理とを繰り返し行う。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, its manufacturing method and an image display device which improves the reliability and forms a lightly doped region below a gate electrode at a good controllability by a simple process.例文帳に追加

信頼性を向上できると共に、簡単な工程でゲート電極下に低濃度不純物領域を制御性よく形成できる半導体装置およびその製造方法および画像表示装置を提供する。 - 特許庁