「region below」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

The magnetization direction of the magnetic thin line 1 is transferred to the magnetic transfer film 5, so the magnetic transfer film 5 right below the incidence region 1r is inverted in magnetization direction together with the magnetic thin line 1.例文帳に追加

磁性細線１の磁化方向が磁気転写膜５に転写されるため、入射領域１ｒの直下における磁気転写膜５の磁化方向は磁性細線１と共に反転する。 - 特許庁

The device has a conductive layer 13 formed in a separated layer from a wiring line 10 and placed below a division region C, and a first contact hole 12A and a second contact hole 12B.例文帳に追加

配線１０とは別の層で形成されると共に、分断領域Ｃの下に配置された導電層１３と、第１のコンタクトホール１２Ａと、第２のコンタクトホール１２Ｂと、を有する。 - 特許庁

A manufacturing device 26 is moved to a position below a clean air outlet 16 formed on a ceiling surface 12 and a clean region containing the clean air outlet 16 is set.例文帳に追加

製造装置２６を天井面１２に配置された清浄空気吹出口１６の下方に移動させるとともに清浄空気吹出口１６を含んだ清浄領域を設定する。 - 特許庁

To provide porous hardened concrete free from a trouble of losing strength by freezing and thawing even in an area (a cold region, a snowy area) where a temperature goes down below 0°C in winter.例文帳に追加

冬期の気温が０℃以下に下がる地域（寒冷地、降雪地域等）においても、凍結融解によって強度が低下することのないようなポーラスコンクリート硬化体を提供する。 - 特許庁

b. In a region below a glide path, DDM shall increase at a rate as constant as possible against the decrease of vertical angle to the vertical angle where DDM reaches 0.22. 例文帳に追加

ｂ　グライドパスからその下方においてＤＤＭが〇・二二に達する点の垂直角度までは、ＤＤＭは、垂直角度の減少に対しできるだけ一定の割合で増加すること。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

Further, by embedding the gate electrode in the substrate, a barrier to dark current is arranged between a charge transmission path formed below the gate electrode and a side wall of an element isolation region 12.例文帳に追加

また、ゲート電極を基板内に埋め込むことで、ゲート電極下に形成される電荷転送路と素子分離領域１２の側壁との間に、暗電流に対する防壁を設ける。 - 特許庁

With this, a region below the horizontal position of the lighting device 1 is illuminated by the lens part 21, while each of the LEDs 12 is arranged at an optically ideal position with respect to the lens portion 21.例文帳に追加

これにより、レンズ部２１に対して光学的に理想的な位置に各ＬＥＤ１２を配置したまま、照明装置１の水平位置以下の領域をレンズ部２１で照射する。 - 特許庁

The under-cover 10a has a bottom-equipped, upward facing recess K located below the cross-member 62 and approaching the jack-up part J upon swelling out upward in the region overlapping with the jack-up part J.例文帳に追加

アンダカバー１０ａは、クロスメンバ６２より下方に位置し、ジャッキアップ部Ｊに重複する領域で上向きに膨出してジャッキアップ部Ｊに近接する有底の上向き凹部Ｋを有する。 - 特許庁

Furthermore, in the application method, the end part of the region 10g, of which the end face of the fireproof safety glass 10 has been sealed with the heat-resistant sealing material 17, is set below the application frame.例文帳に追加

さらに本発明の施工方法は、防火安全ガラス１０の端面が耐熱性封止材１７で封止された領域１０ｇの端部を施工枠の下方に設置する。 - 特許庁

To improve luminance and to obtain a seamless image (less in clearance gap), by making reflection light rays from a light-shielding layer existing directly below a pixel separation region contribute to the improvement of reflectance.例文帳に追加

画素分離領域の直下に存在する遮光層からの反射光を反射率向上に寄与させることで、輝度の向上や、シームレス(隙間の少ない)画像が得られるようにする。 - 特許庁

The deepest part 5b of the cut-out portion 5a is formed below by a fine distance T, concretely at the region lower by 150 μm from a position corresponding to an upper end 1b of the substrate 1.例文帳に追加

さらに、切欠部５ａの最深部５ｂは、基板１の上端１ｂに対応する位置よりも微小距離Ｔ、具体的には１５０μｍだけ下方となるように形成されている。 - 特許庁

A nitride semiconductor layer 2 including the light emission region is formed as the semiconductor light emission layer, and the p-side electrode 6 is formed of metal below the nitride semiconductor layer 2.例文帳に追加

半導体発光層として発光領域を含む窒化物半導体層２が形成されており、窒化物半導体層２の下側には金属からなるｐ側電極６が形成されている。 - 特許庁

Further, secondly, a thick insulation region is formed by the oxygen ion implantation technique onto a semiconductor substrate below the winding belt-like conductive film that makes up the inductance element.例文帳に追加

更に、第２は、インダクタンス素子を構成する巻き線状の帯状導電膜の下の半導体基板表面に、酸素のイオン注入法により形成される厚い絶縁領域を形成する。 - 特許庁

To provide a structure for high temperature service in which creep deformation in a medium-temperature low-stress region (temperature range of about 450 to 550°C, stress range of about 10 kg/mm^2 or below) is decreased.例文帳に追加

中温低応力域（温度範囲：約４５０〜５５０℃、応力範囲：約１０kg／mm^２以下）におけるクリープ変形が低減された高温用構造体を提供することを目的とする。 - 特許庁

The multigate memory cell is provided with a continuous multigate channel region below the plurality of continuous gates along with a charge storage position between respective gates.例文帳に追加

多重ゲートメモリセルは、いくつかの、またはすべての前記ゲートの間の電荷蓄積位置と共に、連続した前記複数のゲートの下方に、連続した多重ゲートチャネル領域を具備する。 - 特許庁

A cone-shaped slope 10 inclined downward to the rotating shaft 13 is provided in a region just below a base while the base is rotated within the top face of an inner cup 5.例文帳に追加

内カップ５の上面のうち、基板１の回転時に基板１の直下にある領域には、回転軸１３に向けて下向きに傾斜したすり鉢状スロープ１０が設けられている。 - 特許庁

When pressure in the suction pressure region is reduced below reference pressure Po set in advance, the transmission rod 61 moves a driving rod 38 (a valve element 381) to open a valve hole 41.例文帳に追加

吸入圧領域における圧力が予め設定された基準圧力Ｐｏ以下になると、伝達ロッド６１が駆動ロッド３８（弁体３８１）を動かし、弁孔４１が開く。 - 特許庁

In a step 110, whether the present rotational number is within a range of a target rotational number region corresponding to a set flow rate, is below the range, or is above the range is judged.例文帳に追加

ステップ１１０では、現在の回転数が設定流量に対応した目標回転数領域の範囲内であるか、範囲を下回るか、範囲を上回るかを判定する。 - 特許庁

The ultra-shallow high-concentration LDD region 15b provided below the sidewall 14 can suppress depletion owing to the hot carriers even if the hot carriers are accumulated on the sidewall 14.例文帳に追加

サイドウォール１４の下に極浅の高濃度ＬＤＤ領域１５ｂを設けることにより、たとえサイドウォール１４にホットキャリアが蓄積されても、それによる空乏化を抑えることが可能になる。 - 特許庁

The oxynitride fluorescent body contains nitrogen and oxygen, is expressed by the general formula below with w, x, y and z in the range as specified below, absorbs near ultraviolet rays or visible lights in the short wavelength region and emits fluorescence having a peak in the wavelength range of 490 to 570 nm.例文帳に追加

窒素及び酸素を含有する窒化物蛍光体であって、以下の一般式で示され、ｗ、ｘ、ｙ、ｚを以下の範囲とし、近紫外線乃至可視光の短波長側領域を吸収して４９０から５７０ｎｍの波長の範囲にピーク波長を持つ蛍光を発する。 - 特許庁

In a fifth wiring layer M5, located immediately below the uppermost wiring layer MH among the plurality of wiring layers, a conductor pattern (a fifth wiring 5F, a terminal wiring and a plug 6C) is not formed immediately below the probe contacting region PA of a bonding pad PD for the uppermost wiring layer MH.例文帳に追加

この複数の配線層のうちの最上の配線層ＭＨの直下の第５配線層Ｍ５において、最上の配線層ＭＨのボンディングパッドＰＤのプローブ接触領域ＰＡの直下には、導体パターン（第５配線５Ｆ、ダミー配線およびプラグ６Ｃ）を形成しない。 - 特許庁

The casting of the molten glass 2 and the molding to the flat plate shape are carried out while locally cooling, when the top surface is viewed from above, a position of the top surface directly below the orifice 3 and a region which extends from the position directly below the orifice 3 in the molding direction and has much the same width.例文帳に追加

熔融ガラス２の鋳込みと平板状への成形は、上面を平面視したときに、上面のオリフィス３直下の位置およびオリフィス３直下の位置から成形方向に向かって延在する、略同一の幅を有する領域を局所的に冷却しながら行う。 - 特許庁

To provide a monolithic light emitting diode which is structured not to emit light immediately below or almost immediately below a part where an electrode is formed, where light is shielded by the electrode, and to cause a current to flow only to a region from where light can be extracted, and which has a excellent current efficiency and luminous efficacy.例文帳に追加

電極で遮光されてしまう、電極を形成する部分の直下又は概ね直下を発光させないようにし、光取り出しが可能な領域にのみ電流が流れるようにした、電流効率、発光効率の良い、モノリシック発光ダイオードを提供する。 - 特許庁

Then chlorine is introduced into a part 14b corresponding to a region of the charge block layer 14 right below the inter-cell insulation film 16, and the dielectric constant of the part 14b is made lower than that of a part 14a of the charge block layer 14 right below the control gate electrode 15.例文帳に追加

そして、電荷ブロック層１４におけるセル間絶縁膜１６の直下域に相当する部分１４ｂに塩素を導入し、部分１４ｂの誘電率を電荷ブロック層１４における制御ゲート電極１５の直下域に相当する部分１４ａの誘電率よりも低くする。 - 特許庁

The thickness of the depletion layer which is formed between the n-type InP substrate 1 and the p-type diffusion layer region 7 when voltage is applied to a cathode electrode 8 and an anode electrode 9 is larger than that of a light receiver A at least in part of a region below the anode electrode 9.例文帳に追加

カソード電極８とアノード電極９に電圧を印加したときに、ｎ型ＩｎＰ基板１とｐ型拡散層領域７との間に形成される空乏層の厚さは、アノード電極９の下部領域の少なくとも一部で受光部Ａより厚くなる。 - 特許庁

The solid state image pick-up device 28 comprises a pixel region 23 which is formed on the light incident side of a substrate and in which multiple pixels including a photoelectric conversion part PD are arranged, and a peripheral circuit 25 which is formed below the pixel region 23 in the depth direction of the substrate and includes active elements.例文帳に追加

固体撮像装置２８は、基板の光入射側に形成され、光電変換部ＰＤを含む画素が複数配列された画素領域２３と、画素領域２３の基板深さ方向の下部に形成され、能動素子を含む周辺回路部２５を有する。 - 特許庁

A memory n-type MIS transistor QM1 formed in a memory region RM on a silicon substrate 1 has a memory source-drain region SD1 including a memory extension regions LD1 formed below both side walls of a memory gate electrode GE1.例文帳に追加

シリコン基板１上のメモリ領域ＲＭに形成されたメモリ用ｎ型ＭＩＳトランジスタＱＭ１は、メモリ用ゲート電極ＧＥ１の両側壁側下に形成されたメモリ用エクステンション領域ＬＤ１を含むメモリ用ソース・ドレイン領域ＳＤ１を有している。 - 特許庁

The light absorbing film T1 has a larger light absorbing coefficient used in annealing than that of the pGaN layer 103, thereby a region (implantation region 104') immediately below the light absorbing film T1 or in the vicinity thereof can selectively be subjected to thermal treatment.例文帳に追加

ｐＧａＮ層１０３と比較して光吸収膜Ｔ１の方がアニールで使用される光の吸収係数が大きいため、光吸収膜Ｔ１直下もしくは近傍の領域（注入領域１０４’）を選択的に熱処理することが可能となる。 - 特許庁

A semiconductor device has an IGBT cell including a base region 14 and an emitter region 15 that are formed in an n-type drift layer 11, and a p-type collector layer 12 disposed below the drift layer 11 via an n-type buffer layer 13.例文帳に追加

半導体装置は、ｎ−型のドリフト層１１に形成されたベース領域１４およびエミッタ領域１５と、ドリフト層１１の下にｎ型のバッファ層１３を介して配設されたｐ型のコレクタ層１２とにより構成されるＩＧＢＴセルを有している。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device which can reduce the space factor while enabling a core section formed in a logic circuit to operate at high-speed and, in addition, can prevent the punch-through of the region below an element isolating region of a CMOS.例文帳に追加

論理回路が形成されたコア部の高速動作を可能としながら、そのコア部の占有面積を低減することができ、また、ＣＭＯＳにおける素子分離領域下のパンチスルーを防止することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Since the light source image projected on the irradiation region below the cut-off line CL centered around the elbow portion becomes thick (wide in width), and the region in which adjoining light source images a, a are overlapped is increased, thereby, color unevenness and luminous intensity unevenness in light distribution are not conspicuous and visibility of front area is improved.例文帳に追加

エルボー部を中心にカットオフラインＣＬ下方の照射領域に投影される光源像は太く（幅広に）なって、隣接光源像ａ，ａ同士の重なる領域が増え、配光における色ムラや光度ムラが目立たず、前方視認性が改善される。 - 特許庁

To prevent a change in parasitic capacitance value added to a metal layer region with the passage of time by lessening electric charges accumulated in a semiconductor layer immediately below the metal layer region in an oscillator circuit which is required to stably provide the very precise frequency of oscillation.例文帳に追加

高精度な発振周波数の安定性が要求される発振回路において、金属層領域直下の半導体層の電荷蓄積を少なくし、時間の経過と共に金属層領域に付加された寄生容量値が変化することを抑制する。 - 特許庁

In the game region 20 of the game machine 10, a winning device 30 comprising a rotary body 31 which receives a game ball 40 shot into the region 20 to guide it to a winning port 36 and a rotary body guiding part 32, and a game ball retaining element 25 disposed below the device 30 are provided.例文帳に追加

遊技機10の遊技領域20には打ち込まれた遊技球40を受領して入賞口36へ誘導する回転体31および回転体誘導部32を含む入賞装置30と、この入賞装置30の下方に配置された遊技球保留器25を有する。 - 特許庁

These cycles are examined below on the basis of GDP share by industry (Fig.1.2.18), GDP share by region (Fig. 1.2.19), population flows into the three major metropolitan areas (Fig. 1.2.20) and trends in productivity by region (Figs. 1.2.21, 1.2.22).例文帳に追加

以下では、このような地域構造変化の３つのサイクルについて、産業別ＧＤＰシェア（第１―２―18図）、地域別の同ＧＤＰシェア（第１―２―19図）、三大都市圏への人口流入（第１―２―20図）、及び各地域の生産性の推移（第１―２―21図、第１―２―22図）からたどってみよう。 - 経済産業省

One of source and drain regions comprises heavily doped impurity regions 3a, 3b formed in a region of a semiconductor layer apart from the side walls 2a, 23b of an extension part, and lightly doped impurity regions 4a, 4b that have relatively low impurity concentration compared with the heavily doped impurity region and are formed in a region of a semiconductor layer positioned below an extension part.例文帳に追加

ソースおよびドレイン領域の一方は、延在部の側壁２３ａ、２３ｂから離れた半導体層の領域に形成された高濃度不純物領域３ａ、３ｂと、高濃度不純物領域より相対的に不純物濃度が低く、延在部下に位置する半導体層の領域に形成された低濃度不純物領域４ａ、４ｂとを含む。 - 特許庁

A high-temperature region which reaches a high temperature during use adopts the combination of porous oxide having a high temperature, where the decomposition rate of carbonate becomes maximum, and NO_x occluded material, and a low-temperature region which becomes relatively lower below the high temperature region during use adopts the combination of porous oxide having a low temperature, where the decomposition rate of carbonate becomes maximum, and NO_x occluded material.例文帳に追加

使用中に高温となる高温域部は炭酸塩の分解速度が最大となる温度が高い多孔質酸化物とNO_x 吸蔵材との組み合わせとし、使用中に高温域部より相対的に低温となる低温域部は炭酸塩の分解速度が最大となる温度が低い多孔質酸化物とNO_x 吸蔵材との組み合わせとした。 - 特許庁

A side-region operation allowing range 16c selected when the revolving position of a revolving frame is in the right or left side region of the vehicle 1 and at least either of the outriggers in the front and back contributing to the safety of the side region has a projection width below a given one, is set with a working platform height limiting line P.例文帳に追加

旋回台の旋回位置が車両１の右または左側方領域にあり且つ当該側方領域の安定性確保に寄与する前後のアウトリガの少なくともひとつが所定の張り出し幅未満であるときに選択される側方領域作動許容範囲１６ｃを、作業台高さ制限線Ｐを備えたものとして設定する。 - 特許庁

In various embodiments, the optical state of small region of the information-storage layer can be determined by exposing the small region to visible light, and determining whether or not a photodiode layer in an information-storage medium below the information-storage layer generates an electrical current in response to illumination.例文帳に追加

種々の実施形態において、情報記憶層の小領域の光学状態は、当該小領域に可視光を適用し、情報記憶媒体内の情報記憶層の下に位置するフォトダイオード層が前記可視光に応答して電流を生成するか否かを検出することで、決定する。 - 特許庁

The communication apparatus is provided with a peak reduction circuit 17 that limits time region data to be a threshold or below by providing the threshold satisfying a specified bit error rate to the time region data being an IFFT(Inverse Fast Fourier Transform) output as a configuration to limit the dynamic range of the digital/analog converter.例文帳に追加

Ｄ／Ａコンバータのダイナミックレンジを制限するための構成として、ＩＦＦＴ出力の時間領域データに対して規定のビット誤り率を満たす所定のしきい値を設け、当該時間領域データを当該しきい値以下に制限するピークリダクション回路１７、を備える構成とする。 - 特許庁

An N- layer 32 having an N-type impurity diffused to a low concentration is provided right below the insulating layer 14, and a second P+ region 34 formed by implanting ions etc., and a second N+ region 36 are formed in the N- layer 32 to obtain a second photodiode 30.例文帳に追加

絶縁層１４の直下にＮ型不純物を低濃度に拡散させたＮ−層３２が設けられ、Ｎ−層３２中にイオン等を注入して形成された第２のＰ＋領域３４および第２のＮ＋領域３６が形成され、第２のフォトダイオード３０とされている。 - 特許庁

The thermoplastic resin foamed and molded product is a thermoplastic resin in-mold foamed molded product and characterized in that a region having a non-uniform void ratio, preferably a void ratio of below 10% and a region with a void ratio of 10-60% are present in an almost demarcated state.例文帳に追加

熱可塑性樹脂型内発泡成形体であって、成形体内の空隙率が不均一、好ましくは、成形体内の空隙率が１０％未満の部位と、空隙率１０％以上６０％以下の部位が略区画状に存在することを特徴とする熱可塑性樹脂発泡成形体。 - 特許庁

On a p silicon substrate 1131, a charge holding region 1133 consisting of a microparticle diffusion region 1133a, a gate insulation film 1137 consisting of an SiO_2 film, and an n polysilicon electrode 1138 functioning as a gate electrode are stacked sequentially from below.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１１３１上には、微粒子分散領域１１３３ａからなる電荷保持領域１１３３、ＳｉＯ_２膜からなるゲート絶縁膜１１３７及びゲート電極として機能するｎ型多結晶シリコン電極１１３８が下から順次積み上げられている。 - 特許庁

The transducer has a photodiode and an insulation gate-type transistor; the embedded region 8 of high impurity concentration for collecting charges generated in the photodiode is arranged, in a well 13 below the gate electrode of the transistor; and the embedded region 8 is self-matched with the source side end part of the gate electrode 2.例文帳に追加

フォトダイオードと絶縁ゲート型トランジスタを有し、そのトランジスタのゲート電極下方のウエル１３内に、フォトダイオードで発生した電荷を集めるための高不純物濃度の埋め込み領域８を設け、その埋め込み領域８をゲート電極２のソース側端部に自己整合させる。 - 特許庁

The first segment 1 is a last segment for housing the segment of the foot below the melleolus of the human body, has shoe fitting characteristics required for the low shoe, is relatively low in the front region of the ankle as compared with the conventional boots of the same size and has a constricted segment at insteps on both sides and the rear region of the ankle.例文帳に追加

第１部分１は、人体の踝より下の足の部分を収納する靴型部分であり、短靴に求められるシューフィッティング特性を有し、同じサイズの従来の長靴に比べて相対的に足首前部が低く、両側甲部および足首後部にくびれ部分を有している。 - 特許庁

This vertical MOS semiconductor device has a 2nd conductivity type 1st semiconductor region 12 formed below a thick part 3b of a gate insulating film, and a 1st conductivity type 2nd semiconductor region 11 formed in contact with the 1st semiconductor 12.例文帳に追加

この縦型ＭＯＳ半導体装置では、ゲート絶縁膜の厚い部分３ｂの下方には第２導電型の第１の半導体領域１２が形成されており、この第１の半導体１２と接するように第１導電型の第２の半導体領域１１が形成されている。 - 特許庁