「region below」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

Preferably, a growth temperature during a growth start of the blocking layer may be below a temperature obtained by adding 100°C to an active region growth temperature.例文帳に追加

好ましくはブロッキング層の成長開始時における成長温度が活性領域成長温度に１００℃を加えた温度以下である。 - 特許庁

Similarly, an area Ab of a region enclosed with the reference line and measurement line below the reference line as the border is calculated.例文帳に追加

同様に、基準線を境にして、基準線よりも下側において、基準線と測定線とで囲まれた領域の面積Ａｂを算出する。 - 特許庁

The first conductivity type semiconductor region is provided below a portion in an upper part of the gate trench which protrudes in a lateral direction relative to a lower part of the gate trench.例文帳に追加

第１導電形半導体領域は、ゲートトレンチの上部における下部よりも横方向に突出した部分の下に設けられている。 - 特許庁

The substrate 1 is notched so that the well region 3 positioned below the insulating film 4 is exposed from a lower face side of the substrate 1.例文帳に追加

また、基板１は、当該基板１の下面側から絶縁膜４の下方に位置するウエル領域３が露出するように切り欠かれている。 - 特許庁

The electric components (34) are arranged avoiding a region on the printed board (31) immediately below the cooling mechanisms (20, 50) with the air conditioner (1) installed.例文帳に追加

電装部品（34）は、該空気調和機（1）の設置状態において冷却機構（20,50）の直下となるプリント基板（31）上の領域を避けて配置する。 - 特許庁

Further, a window film is positioned on the top of the fuse region and a fuse pattern film and a buffer pattern film are positioned below the window film.例文帳に追加

そして、前記ヒューズ領域の最上部にはウィンドウ膜が位置し、前記ウィンドウ膜の下部にヒューズパターン膜及びバッファーパターン膜が位置する。 - 特許庁

First and second semiconductor regions FD1, FD2 accumulate charge flowing into a region directly below the respective gate electrodes TX1, TX2.例文帳に追加

第１及び第２半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２は、各ゲート電極ＴＸ１，ＴＸ２の直下の領域に流れ込む電荷を蓄積する。 - 特許庁

The semiconductor device further includes a source/drain located below the upper surface of the semiconductor substrate 110 and adjacently to a channel region 145 under the gate.例文帳に追加

半導体デバイスは、半導体基板１１０の上面の下方に位置し、ゲート下のチャネル領域１４５に隣接するソース／ドレインをさらに含む。 - 特許庁

P-type impurity layers (P+D layer 22, FP layer 24) deeper than a drain layer 12 are formed below a contact region of the drain layer 12.例文帳に追加

また、ドレイン層１２のコンタクト領域の下方に、ドレイン層１２よりも深いＰ型不純物層（Ｐ＋Ｄ層２２，ＦＰ層２４）を形成する。 - 特許庁

An N type impurity region 104 is formed except below the gate electrode 106 to the well 102 in the periphery of the gate electrode 106.例文帳に追加

ゲート電極１０６の周囲のウェル１０２に、ゲート電極１０６下の領域を除いて、Ｎ型不純物領域１０４が形成されている。 - 特許庁

The light projecting part S10a and the light receiving part S10b are arranged so that the projected light passes through a region below the lever 54 and within thickness of the lever 54.例文帳に追加

投光部Ｓ10ａ及び受光部10ｂは、投光がレバー54より下方でレバー54の厚さ内の範囲を通過するように配置されている。 - 特許庁

The first and second semiconductor regions FD1 and FD2 accumulate charge flowing into a region directly below the respective gate electrodes TX1 and TX2.例文帳に追加

第１及び第２半導体領域ＦＤ１，ＦＤ２は、各ゲート電極ＴＸ１，ＴＸ２の直下の領域に流れ込む電荷を蓄積する。 - 特許庁

A layer of SiGe is deposited on a substrate and implanted with ions to form a depletion region within a SiGe material below its surface.例文帳に追加

ＳｉＧｅ層は、基板上に堆積され、イオンが注入されて、その表面の下のＳｉＧｅ材料内に欠乏領域を形成する。 - 特許庁

To provide a faucet with a base capable of improving the operability of the cutoff faucet and promoting the effective application to the open region below a water receiver.例文帳に追加

止水栓の操作性を向上させ、水受け下の開放領域の有効活用を図ることのできる台付き水栓を提供すること。 - 特許庁

An Si-Cap layer 3c is formed in an upper portion of the intrinsic base layer, and the emitter layer 8 includes an upper emitter region 8b formed over the Si-Cap layer 3c and a lower emitter region 8a formed below the upper emitter region 8b and in contact with the upper emitter region 8b.例文帳に追加

真性ベース層の上部には、Ｓｉ−Ｃａｐ層３ｃが形成されており、エミッタ層８は、Ｓｉ−Ｃａｐ層３ｃの上部に形成された上部エミッタ領域８ｂと、該上部エミッタ領域８ｂの下側に該上部エミッタ領域８ｂと接して形成された下部エミッタ領域８ａとにより構成されている。 - 特許庁

Here, the trench gate 118 is so formed that a fist path P_1 reaching the drain region 106 from the source region 108 through below the trench gate 118 is shorter than a second path P_2 or third path P_3 reaching the drain region 106 from the source region 108 through the location being lateral to the trench gate 118.例文帳に追加

ここで、トレンチゲート１１８は、ソース領域１０８からトレンチゲート１１８の下方を介してドレイン領域１０６に到る第１の経路Ｐ_１が、ソース領域１０８からトレンチゲート１１８の側方を介してドレイン領域１０６に到る第２の経路Ｐ_２または第３の経路Ｐ_３よりも短くなるように形成される。 - 特許庁

The step S in the direction of the optical axis is so shaped that the lens thickness increases, namely, the center region sinks more below the circumferential region in a shift from the center region 11a to the circumferential region 11b, and a phase shift by the step suppresses deterioration in wavefront aberration due to temperature variation.例文帳に追加

光軸方向の段差Ｓは、中央領域１１ａから周辺領域１１ｂへ移行する際に、レンズ厚が大きくなる方向、すなわち、中央領域が周辺領域に対して一段落ち込む形状となるように形成され、この段差による位相シフトにより温度変化による波面収差の劣化を抑えている。 - 特許庁

The recording of hologram information is performed at a temperature within a recordable temperature region by using a recording medium material having a recordable temperature region in a certain specific temperature region as an optical recording medium material and the nondestructive reconstructing of the hologram information is performed by the temperature which is the temperature off the recordable temperature region and below a transparent point (Tc).例文帳に追加

光記録材料としてある特定の温度域に記録可能温度域を有する記録材料を用い、記録可能温度域内の温度によってホログラム情報の記録を行い、また記録可能温度域外の温度であり、かつ透明点（Ｔｃ）以下の温度によって、ホログラム情報の非破壊再生を行うようにする。 - 特許庁

On a principal surface s1 of a silicon substrate 1, a gate electrode GEn for nMIS is formed in an nMIS region R, a gate electrode GEp for pMIS is formed in a pMIS region Rp, and an n-type source-drain region sdn and a p-type source-drain region sdp are formed by and below them, respectively.例文帳に追加

シリコン基板１の主面ｓ１上のうち、ｎＭＩＳ領域ＲｎにｎＭＩＳ用ゲート電極ＧＥｎを形成し、ｐＭＩＳ領域ＲｐにｐＭＩＳ用ゲート電極ＧＥｐを形成し、それらの側方下部に、それぞれ、ｎ型ソース・ドレイン領域ｓｄｎおよびｐ型ソース・ドレイン領域ｓｄｐを形成する。 - 特許庁

The solid-state image pickup element includes a structure in which a charge accumulating region 4 configuring a photodiode is formed in a semiconductor layer 3, and a reflection film 16 for reflecting light transmitting through the charge accumulating region 4 and allowing the light to propagate toward the center of the charge accumulating region 4 is formed in or below the charge accumulating region 4.例文帳に追加

半導体層３の内部にフォトダイオードを構成する電荷蓄積領域４が形成され、この電荷蓄積領域４の内部又は下に、電荷蓄積領域４を透過した光を反射させて電荷蓄積領域４の中央部に向かわせる反射膜１６が設けられている固体撮像素子を構成する。 - 特許庁

The rounded sections have a second width narrower than the first width, a source region of a first conductivity type is disposed at or near a top surface of the pillar, and a body region of a second conductivity type is disposed in the pillar below the source region.例文帳に追加

丸みのある領域は、第１の幅よりも狭い第２の幅を有し、ピラーの最上面にまたは最上面の近くに第１の導電型のソース領域が配置されており、ピラーの中、ソース領域の下に第２の導電型のボディ領域が配置されている。 - 特許庁

The alignment region 10 is provided with a size same as the device chip region 4 and patterns identical to the patterns formed on the same layer of the device chip region 4 are formed on the wiring layers below the uppermost layer, while a metal film which serves as the alignment mark is formed on the uppermost layer.例文帳に追加

アライメント領域１０はデバイスチップ領域４と同じ大きさをもち、最上層より下の配線層にデバイスチップ領域４の同じ層に形成されているパターンと同じパターンが形成され、最上層にアライメントマークとなる金属膜が形成されている。 - 特許庁

On an Si substrate 31, a light-receiving region 72 of a PD 2 having sensitivity with respect to infrared light is formed below a photodetection region 71 of a PD1 having sensitivity to visible light, and a 3rd photodetection region 73 of a PD 3 is formed enclosing sides and a lower part of the PD 1 and PD 2.例文帳に追加

Si基板３１には、赤外光に感度を持つPD2の受光領域７２が可視光に感度を持つPD１の受光領域７１の下方に形成され、PD1とPD2の側方と下方を取り囲むようにPD3の第３受光領域７３が形成されている。 - 特許庁

The water absorbing tank 5 is positioned below the top surface of the hardly-permeable ground 2, that is, lower than the lowest water level of the storage region R.例文帳に追加

吸水槽５の位置は、難透水性地盤２の上面より下方、即ち、 貯留域Ｒにおける最低水位より低い位置とされている。 - 特許庁

The work clamp 81 is extended to a region 83 located below a process opening 21, and configured so as to press down a lead frame R located inside the transfer unit 13.例文帳に追加

このワーククランプ８１をプロセス用開口部２１の下方領域８３まで延出し、搬送部１３内のリードフレームＲを押さえられるように構成する。 - 特許庁

The extra-welded portion 6b is formed only in a region outside a vertical boundary line 8a and below a horizontal boundary line 10.例文帳に追加

この増し溶接部６ｂは、垂直方向境界線８ａよりも外側であり、且つ水平方向境界線１０より下側の領域にのみ形成されている。 - 特許庁

To prevent merchandise in an automatic vending machine from freezing even when the mashine is set to cooling in the atmospheric temperature below the freezing point in an automatic vending machine installed in a cold region.例文帳に追加

寒冷地の設置環境にある自動販売機において、気温が氷点下で冷却設定の場合においても、中身商品を凍結させない。 - 特許庁

To obtain a semiconductor protecting device which uses poly- crystalline silicon as an active region so as to suppress a current flowing into a main semiconductor switch below a set value.例文帳に追加

主半導体スイッチに流れる電流を設定値以下に抑制するため、多結晶シリコンを活性領域として用いた半導体保護装置を提供する。 - 特許庁

The wiring layer 20 in a region below the LSI chip 9 is provided with a thermal via hole 3a of the conductive layer 3 and the thermal via hole 5a of the conductive layer 5.例文帳に追加

ＬＳＩチップ９の下方の領域の配線層２０には導電層３のサーマルビア部３ａおよび導電層５のサーマルビア部５ａが設けられる。 - 特許庁

Further, a stress application film for applying stress to a region (channel) below the gate insulating film 2 of the semiconductor substrate 1 is positioned at least in the dug portion 6.例文帳に追加

更に、半導体基板１のゲート絶縁膜２下の領域（チャネル）に応力を付加する応力付加膜が、少なくとも掘り込み部６内に位置している。 - 特許庁

The N-diffused layer 35 and N+ region 37 are formed away from a field oxide film 26 for element isolation, with a P-diffused layer 27 below it.例文帳に追加

Ｎ拡散層３５及びＮ^+領域３７は素子分離用のフィールド酸化膜２５及びその下のＰ拡散層２７から離れて形成されている。 - 特許庁

In this way, an opening surface for exposing the side face of the Si layer 9 is formed below the supporter film, and the hole h2 on the wiring forming region is deepened.例文帳に追加

これにより、支持体膜下にＳｉ層９の側面を露出する開口面が形成されると共に、配線形成領域の穴ｈ２が深く掘られる。 - 特許庁

PWM values below the PWM value Ps%, where the temperature of coils is saturated when current is made to continuously flow to the coil, is stored at the memory region as 0.例文帳に追加

コイルに電流を流し続けた時にコイルの温度が飽和するＰＷＭ値Ｐｓ％以下のＰＷＭ値を０としてメモリ領域に記憶する。 - 特許庁

The side wall film 6 located below the polycrystalline silicon film 7 is formed across the boundary 50 between the active region 2a and the element isolation film 3.例文帳に追加

尚、多結晶シリコン膜７の下に位置する側壁膜６は、活性領域２ａと素子分離膜３との境界５０にまたがって設けられる。 - 特許庁

A washing water jet instrument (12), an air jet nozzle (13) for draining water and a filter element drying means (14) are successively arranged to the rising moving region of the filter element (5) from below.例文帳に追加

フィルターエレメント(５)の上昇移動領域に下から順に、洗浄水噴出具(12)、水切り用エア噴出ノズル(13)、フィルターエレメント乾燥手段(14)を配置する。 - 特許庁

A drive shaft input torque is limited to a drive shaft limit torque or below in the whole region of the operating angle of the constant velocity universal joint used for the drive shaft 6.例文帳に追加

ドライブシャフト６に用いられる等速自在継手の作動角全域で、ドライブシャフト限界トルク以下にドライブシャフト入力トルクを制限する。 - 特許庁

A brush body 402 is set outside a space region 204 vertically extended from the processing table 203 and below a bottom face 104 of the pallet 102.例文帳に追加

ブラシ体４０２は、加工用テーブル２０３から上下に延びる空間領域２０４よりも外側で、かつ、パレット１０２の底面１０４よりも下方に設けられる。 - 特許庁

A second interlayer film 5 is arranged only in a region right below the wiring layer 2, and connects the wiring layer 2 with the diffusion preventing insulation layer 4 in a longitudinal direction.例文帳に追加

第２の層間膜５は配線層２の真下領域にのみ配置され、かつ配線層２と拡散防止絶縁層４とを縦方向に連結している。 - 特許庁

A channel region is provided on the surface of the semiconductor substrate below the groove, and has a length in the 1st direction shorter than the length of the groove therein.例文帳に追加

チャネル領域は、溝の下方の半導体基板の表面に設けられ、溝の第１方向における長さより短い第１方向における長さを有する。 - 特許庁

The light screening material line 8 has a projector 8a projecting below in a region corresponding to a transfer gate 7a in its ON state in light receiving.例文帳に追加

また、遮光材料線８は、受光時にオン状態の転送ゲート７ａに対応する領域において下方へ突出する突出部８ａを有している。 - 特許庁

To provide an efficient method for laying a pipe body below water bottom ground having a simple configuration and capable of preventing pollution in a peripheral water region due to work.例文帳に追加

作業による周辺水域の汚濁を防止でき、かつ構成が簡易で能率的な水底地盤下への管体敷設方法を提供する。 - 特許庁

To realize a dynamic logic circuit which operates at a high speed and is lessened in power consumption even under a design rule applied to a region of sub-quarter micron or below.例文帳に追加

サブクォータミクロン以下の領域のデザインルールにおいても、ダイナミック型論理回路の動作の高速化及び低消費電力化を実現できるようにする。 - 特許庁

A dummy conductive pattern 7 is formed in a region for forming the elements 5, which is located on the surface of the semiconductor substrate 3 and below the bonding pad 15.例文帳に追加

そして、ボンディングパッド１５下方の半導体基板１１の表面上における素子５の形成領域には、ダミーの導電パターン７が設けられている。 - 特許庁

The growth upper face of an impurity region 7 to be formed in a trench 5 is set below the lower face of a carbon film 2 as a selection mask.例文帳に追加

トレンチ５内に形成される不純物領域７の成長上面が選択マスクとなるカーボン膜２の下面よりも下方となるようにする。 - 特許庁

Furthermore, in this semiconductor device, a depletion layer between the gate and drain is made to extend more easily by reducing the concentration in the drift region just below the p-gate 13.例文帳に追加

さらに本発明の半導体装置はpゲート１３下側のドリフト領域の濃度を低くし、ゲート/ドレイン間の空乏層を拡がり易くする。 - 特許庁