「region below」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

Immediately below a region where the semiconductor element 1 is mounted, resin bumps 6A are formed using projecting portions 4a formed of resin 4 for fixing the element.例文帳に追加

半導体素子１の搭載領域の真下に、素子固定用樹脂４により形成された突起部４ａを用いて樹脂バンプ６Ａを形成する。 - 特許庁

The first and second drain regions 6 and 8 comprises an N-type semiconductor region apart from a well portion right below the gate electrode 4 by a predetermined distance.例文帳に追加

第１および第２ドレイン領域６,８は、ゲート電極４直下のウェル部分と所定の距離だけ離れたＮ型半導体領域からなる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing synthetic quartz glass which is good in transmittability in a wavelength region below 165 nm in wavelength and is free of red emitted light occurring in F.例文帳に追加

波長165nm以下の波長領域での透過性が良好で、かつＦに起因する赤色発光のない合成石英ガラスおよびその製造方法の提供。 - 特許庁

Thus, a part, which is located below the screw part 41 near the screw part 41, serves as a region Y due to yield, which preferentially yields during earthquakes.例文帳に追加

これにより、ネジ部４１の近傍においてその下方に位置する部位が、地震時に優先的に降伏する降伏予定領域Ｙとなっている。 - 特許庁

A shallow n-type low-concentration impurity diffusion region EX1 is formed in the semiconductor substrate 1S right below the auxiliary gate electrodes AG1, AG2.例文帳に追加

補助ゲート電極ＡＧ１、ＡＧ２の直下にある半導体基板１Ｓ内には浅いｎ型低濃度不純物拡散領域ＥＸ１が形成されている。 - 特許庁

Also, even looking at the share of nominal GDP by country and region, it was only 4% for Japan’s service industries, far below the UK (36%), France (32%), Germany (27%), and the U.S. (13%).例文帳に追加

また、各国・地域の名目GDPに占めるシェアを見ても我が国サービス産業はわずか4%と、英国（36%）、フランス（32%）、ドイツ（27%）及び米国（13%）を大きく下回っている。 - 経済産業省

The number of word lines 20 (n) arranged in each block region 11A, 11B, ...11X is set to the number of times of endurance for preset relaxation or below.例文帳に追加

各ブロック領域１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｘ内に配置されるワード線２０の本数ｎを、予め設定したリラクゼーション耐用回数以下に設定した。 - 特許庁

A large element region allowing efficient transistor operation to be executed can thus be secured, and the resistance of the first source electrode layer below a wiring portion can be reduced.例文帳に追加

これにより効率的にトランジスタ動作を行える素子領域を大きく確保でき、且つ配線部下方の第１ソース電極層抵抗を低減できる。 - 特許庁

The embedded layer 50 is positioned at least below the first well 42 in contact with the first well, and formed such that the end 50a on the side of the peripheral circuit region 200 is positioned in the dummy cell region 300.例文帳に追加

埋込み層５０は、少なくとも第１ウェル４２の下に位置し、第１ウェルと接して形成され、かつ、周辺回路領域２００側の端部５０ａがダミーセル領域３００内に位置するように形成される。 - 特許庁

The impurity diffusion region 34 is set deeper at a position below a boundary between its inner periphery and a non-diffusion region in a current block layer 32 than at it center.例文帳に追加

また、その不純物拡散領域３４の深さは、内周側の不純物拡散領域３４と非拡散領域との電流ブロック層３２内における境界部の下側位置だけにおいて中央部よりも深くされている。 - 特許庁

In a wiring layer below a region where the wiring pattern 6 for the sensor signal and the shield pattern 7 are formed, the shield pattern of a sensor rear face is formed on the surface opposite to the whole region.例文帳に追加

センサモジュール取付パターン５、センサ信号用配線パターン６及びシールドパターン７が形成された領域の下の配線層において、この領域全体と対向する面にセンサ裏面シールドパターンが形成されている。 - 特許庁

Thus, a vertical pnp bipolar transistor is formed with the p+ type drain region 7d', the n type well region NW below it, and a p type silicon substrate 20, thereby, the surge immunity increases.例文帳に追加

したがって、ｐ+ 型ドレイン領域７ｄ′と、その下側のｎ型ウェル領域ＮＷと、ｐ型シリコン基板２０とで垂直方向のｐｎｐバイポーラトランジスタが形成されるので、サージ吸収能力が増大する。 - 特許庁

A plurality of P-type third impurity layers 111A with a concentration lower than that of a surrounding region are formed in a region on the semiconductor substrate 101 below respective word line electrodes 110 each in a self-aligning manner.例文帳に追加

さらに、半導体基板１０１における各ワード線電極１１０の下方の領域には、周囲よりも濃度が低いＰ型の複数の第３の不純物層１１１Ａがそれぞれ自己整合的に形成されている。 - 特許庁

Subsequently, a p-type impurity is introduced below the n-type extension region 113 on the substrate 101 by taking at least the gate electrode 111a as a mask to form a p-type pocket region 114.例文帳に追加

続いて、少なくともゲート電極１１１ａをマスクとして、基板１０１におけるＮ型イクステンション領域１１３の下にＰ型不純物を導入することにより、Ｐ型ポケット領域１１４を形成する。 - 特許庁

A thickness of a wiring 3a, passing under a region of a pad 1 among wirings formed on the next layer below a surface layer, is set smaller than that of a wiring 3b which is arranged deviating from under the region of the pad 1.例文帳に追加

表層より一層下の層に形成された配線のうち、パッド１の領域下を通過する配線３ａの厚さを、パッド１の領域下から外れて配置される配線３ｂの厚さよりも薄くする。 - 特許庁

The semiconductor substrate 2 has a high-concentration layer 21 on the second principal surface side, and irregular unevenness 22 is formed at least on a region of the second principal surface facing the region immediately below the photogate electrode PG.例文帳に追加

半導体基板２は、第２主面側に高濃度層２１を有し、第２主面における少なくともフォトゲート電極ＰＧ直下の領域に対向する領域には、不規則な凹凸２２が形成されている。 - 特許庁

A resistor is formed of an n+ type impurity diffused region, and another n+ type impurity diffused region is formed below an adjacent pad and a wiring layer, thereby reducing the respective distances.例文帳に追加

抵抗をｎ＋型不純物拡散領域で形成し、隣接するパッドおよび配線層の下にもｎ＋型不純物拡散領域を形成することにより、それぞれの間隔を４μｍまで低減することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device where breakdown voltage is improved on the side of a pn junction between a punch-through preventing region and a drain offset region just below a gate electrode, and to provide a manufacturing method of the device.例文帳に追加

本発明の課題は、ゲート電極直下のパンチスルー防止領域とドレインオフセット領域とのＰＮ接合面の耐圧を向上させた半導体装置およびその製造方法を提供することである。 - 特許庁

The thickness of a piezoelectric substrate 10 positioned immediately below a reflector 22 is made to be approximately equal to that of a region immediately below an inter digital transducer 21, near the inter digital transducer 21, and is made gradually thick as it is apart from the inter digital transducer 21.例文帳に追加

反射器２２の直下に位置する圧電基板１０の厚みを、インターデジタルトランスデューサ２１の近傍でインターデジタルトランスデューサ２１の直下領域と略等しくなし、且つインターデジタルトランスデューサ２１より離れるに従って漸次厚くする。 - 特許庁

17. In a region below a glide path, the vertical angle at which DDM is 0.0875 shall not vary in excess of the appropriate value obtained by subtracting the vertical angle of said point at setting from theta which is then multiplied by the corresponding value given below: 例文帳に追加

（十七）　グライドパスの下方においてＤＤＭが〇・〇八七五である点の垂直角度は、θから設定時のその点の垂直角度を減じて得た値に次の割合を乗じて得た値を超えて変動しないこと。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

A connection layer 13 with low resistance which connects the position of the p type well region 4 connected to the source electrode 8 and the position right below the gate insulating film 5 below the gate insulating film 6 is provided at part of the insulating layer 11.例文帳に追加

ｐ形ウェル領域４におけるソース電極８に接続された部位とゲート電極６下のゲート絶縁膜５直下の部位とを接続する低抵抗の接続層１３が絶縁層１１の一部に設けられている。 - 特許庁

A low-concentration LDD region 15a and an ultra-shallow high-concentration LDD region 15b spaced from a region immediately below a gate electrode 13 are formed on a sidewall 14 formed on the side wall of the gate electrode 13, and source-drain regions 16 are formed outside these.例文帳に追加

ゲート電極１３の側壁に形成されたサイドウォール１４の下に、低濃度ＬＤＤ領域１５ａと、極浅でかつゲート電極１３直下の領域から離して高濃度ＬＤＤ領域１５ｂを形成し、これらの外側にソース・ドレイン領域１６を形成する。 - 特許庁

Each impurity diffusion region 13 or 16 is formed in a projecting shape as a whole with an extension 13a or 16a which is formed in such a way that the front end section of the section 13a or 16a is extended to a spot below the wiring region 17 or 18 so that the region 13 or 16 may be utilized as wiring.例文帳に追加

Ｐ型及びＮ型不純物拡散領域１３，１６は、延出部１３ａ，１６ａを有して全体が凸状に形成されており、また延出部１３ａ，１６ａはその先端部がそれぞれ電源配線領域１７，１８の下部まで延出されて、配線として利用可能になっている。 - 特許庁

The yarn is guided such that the yarn crossing angle αM at the center region of a twill swing stroke is above 15° and below 28° and the yarn crossing angle αR is larger at an edge part region positioning toward an end part of the winding body than at the center region 22.例文帳に追加

綾振りストロークの中央域における糸交差角度α_Ｍが２８°よりも小さくかつ１５°よりも大きく形成され、巻き体の端部に向かって位置する縁部域において、中央域２２に対して拡大された糸交差角度α_Ｒが形成されるように、糸ガイドを行う。 - 特許庁

Further, the semiconductor device has a NPN transistor 101 formed on the P type substrate 3, an N+ type buried region 4 provided right below the NPN transistor 101 and buried in the P type substrate 3, and a P+ type buried region 2 provided in the N+ type buried region 4.例文帳に追加

Ｐ型基板３上に形成されたＮＰＮトランジスタ１０１と、ＮＰＮトランジスタ１０１の直下に設けられるＰ型基板３に埋め込まれたＮ＋型埋込領域４と、Ｎ＋型埋込領域４の内部に設けられたＰ＋型埋込領域２とを備える。 - 特許庁

Based on the operation records, the recognition section recognizes a first region where the amount of adhered ink when covered with a cap becomes a predetermined amount or below within a range having a size equal to or larger than a region on the surface of a conveyor belt surrounded by the cap and has the same dimensions as those of the surrounded region.例文帳に追加

そして、認識部が動作履歴に基づいて、キャップによって囲まれた搬送ベルトの表面の包囲範囲以上の大きさを有し且つ包囲範囲と同じ寸法の範囲内でのキャッピング時におけるインク付着量が所定量以下となる第１領域の位置を認識する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device having a structure in which a first transistor and a second transistor are formed on the same semiconductor substrate so as to share the drain region and the source region with each other, which can efficiently form embedded insulation films directly below the source region and the drain region of each transistor.例文帳に追加

第１のトランジスタと第２のトランジスタが、ぞれぞれのドレイン領域とソース領域を共有して同一の半導体基板上に形成される構成の半導体装置の製造において、それぞれのトランジスタのソース領域およびドレイン領域の直下に埋め込み絶縁膜を効率的に形成できる製造方法を提供する。 - 特許庁

In transmittance spectra 43 of the optical filter, the transmittance in a region 43a of 430 to 445 nm for the wavelength, the transmittance in a region of 43b of 535 to 560 nm for the wavelength, and the transmittance in a region 43c of 605 to 630 nm for the wavelength are specified below 80% of the maximum value of the transmittance in the entire wavelength region of the visible light.例文帳に追加

光学フィルタの透過率スペクトル４３において、波長が４３０乃至４４５ｎｍの領域４３ａの透過率、波長が５３５乃至５６０ｎｍの領域４３ｂの透過率、波長が６０５乃至６３０ｎｍの領域４３ｃの透過率を、可視光の全波長領域における透過率の最大値の８０％以下とする。 - 特許庁

However, since the etch rate of the region irradiated with ultraviolet light is higher than that of the region not irradiated with ultraviolet light, the etch rate of the region not irradiated with ultraviolet light is lower than that of the region irradiated with ultraviolet light, hardly causing side etching to the semiconductor thin film 2 below the ultraviolet light shielding film 3.例文帳に追加

しかし、紫外光照射領域のエッチング速度が紫外光非照射領域のエッチング速度よりも速くなるので、紫外光照射領域のエッチング速度に対して紫外光非照射領域のエッチング速度が遅くなり、これにより紫外光遮蔽膜３下の半導体薄膜２にサイドエッチングが生じにくいようにすることができる。 - 特許庁

The acute angle formed by a line connecting a maximum point and a minimum point of a step of the upper surface of the TEOS film 21 immediately below a region wherein the thin film resistance element 30 is formed and the surface of the semiconductor substrate 1 is set to 10° or below.例文帳に追加

この薄膜抵抗素子３０の形成される領域の直下における上記ＴＥＯＳ膜２１の上面の段差の極大点及び極小点間を結ぶ線と、半導体基板１の面のなす鋭角は、「１０°」以下に設定されている。 - 特許庁

The gas wiping device has a pair of airflow masking shields arranged on the front and back sides of the passing metallic sheet at a distance from the passing metallic sheet, at least in a region close to an edge of the passing metallic sheet, and at positions above, below or above and below the slit nozzle.例文帳に追加

少なくとも通板材のエッジ近傍領域に通板材の表裏に一対の気流遮蔽板を通板材から隙間を開けてスリットノズルの上方、下方、または上下双方の位置に設置することを特徴としたガスワイピング装置。 - 特許庁

A refrigerant container 2 being fixed with a heat generating body, and a header tank communicating with the refrigerant container 2 through a tube 3 are arranged such that the inner volume below the center of the ebullient region becomes smaller than the inner volume above the center of the ebullient region.例文帳に追加

発熱体が取り付けられる冷媒容器２と、チューブ３を介して冷媒容器２と連通したヘッダタンクとは、沸騰領域の中心より下方の内部容積が上方の内部容積より小さくなるように構成されている。 - 特許庁

In the fifth wiring layer M5, the conductor pattern (the fifth wiring 5F, the terminal wiring and the plug 6C) is formed in a region, other than the same, immediately below the probe contacting region PA of the bonding pad PD for the uppermost wiring layer MH.例文帳に追加

上記第５配線層Ｍ５において、最上の配線層ＭＨのボンディングパッドＰＤのプローブ接触領域ＰＡの直下以外の領域には、導体パターン（第５配線５Ｆ、ダミー配線およびプラグ６Ｃ）を形成する。 - 特許庁

The thickness Tc of the central region 11C is equal to or below 50 % of the thickness Ta at the bottom surface S, and the radial direction length Hc of the central region 11C is made 20-50 % of the apex height H0.例文帳に追加

前記中央等厚領域１１Ｃの厚さＴｃは、底面Ｓにおける厚さＴａの５０％以下、かつ前記中央等厚領域１１Ｃの半径方向長さＨｃは、エーペックス高さＨ０の２０〜５０％とした。 - 特許庁

A metal region and a polysilicon region are previously arranged right above/right below a plurality of dummy metals C1 to C5, provided so as to suppress variation of an interconnect structure of CMP, so that the dummy metals have inter-layer capacities.例文帳に追加

ＣＭＰによる配線構造のばらつきを抑えるために設けられる複数のダミーメタルＣ１〜Ｃ５それぞれが、層間容量を有するようにダミーメタルの直上・直下に予めメタル領域・ポリシリコン領域を配置する。 - 特許庁

Further as the powder and granular material is diffused by a gas in the end region 425, and gathering of the powder and granular material on an area just below the supply opening 13 of the end region 425 is not found, the conveying efficiency can be also improved.例文帳に追加

また、端部領域４２５において気体によって粉粒体が拡散され、端部領域４２５の供給口１３の直下付近に粉粒体が集まるようなことがないので、搬送効率も向上させることができる。 - 特許庁

To provide a cold region water meter box with a water activating function, which enables water to be activated concurrently while preventing freezing of a water supply pipe and protecting a water meter, in a cold region having atmosphere temperature set below zero (zero degree C or less).例文帳に追加

大気温が氷点下（摂氏０度以下）となる寒冷地において、給水管の凍結防止と量水器の保護を行うと同時に水の活性化を図ることが可能な活水機能付き寒冷地用量水器ボックスを提供する。 - 特許庁

A logic n-type MIS transistor QL1 formed in the logic region RL has a logic source-drain region SD2 including logic extension regions LD2 formed below both side walls of the logic gate electrode GE2.例文帳に追加

また、ロジック領域ＲＬに形成されたロジック用ｎ型ＭＩＳトランジスタＱＬ１は、ロジック用ゲート電極ＧＥ２の両側壁側下に形成されたロジック用エクステンション領域ＬＤ２を含むロジック用ソース・ドレイン領域ＳＤ２を有する。 - 特許庁

Further, since the high-concentration the LDD region 15b is formed spaced from the region immediately below the gate electrode 13, a lateral electric field of a channel can be sufficiently relaxed, and deterioration in characteristics owing to variation in a threshold value can be suppressed.例文帳に追加

さらに、高濃度ＬＤＤ領域１５ｂをゲート電極１３直下の領域から離して形成するため、チャネルの横方向電界が充分緩和され、しきい値変動による特性劣化を抑えることが可能になる。 - 特許庁

After the entire surface of a wafer is made to serve as an OSF region by adding nitrogen to a crystal and then oxygen of the crystal is lowered, cooling rate of the 1,050-1,000°C temperature region is set at 2.0°C/min or below during single crystal growth.例文帳に追加

結晶に窒素を添加してウェーハの全面をＯＳＦ領域とし、結晶を低酸素化した上で、さらに単結晶育成時における１０５０℃〜１０００℃の温度領域の冷却速度を２．０℃／ｍｉｎ以下とする。 - 特許庁

An overlapping width of the frame-shaped sealing material and the black matrix in a peripheral edge part along a display region is suppressed into 0.2 mm or below or a region of the black matrix, overlapping with the frame-shaped sealing material is patterned so as to include a light transmission part.例文帳に追加

表示領域に沿った周縁部における，枠状のシール材とブラックマトリクスのオーバーラップ幅を０．２ｍｍ以下に抑えるか、ブラックマトリクスの，枠状のシール材にオーバーラップする領域を光透過部を含むようパターン化する。 - 特許庁

An n^+-buried impurity region 4 is formed in an interface between an n^--semiconductor layer 2 and a p^--semiconductor substrate 1 below an n^+-impurity region 7 connected to the drain electrode 14 of the nMOS transistor 103.例文帳に追加

ｎＭＯＳトランジスタ１０３のドレイン電極１４に接続されるｎ^＋不純物領域７の下方においては、ｎ^−半導体層２とｐ^−半導体基板１との界面にｎ^＋埋め込み不純物領域４が形成されている。 - 特許庁

The thickness of the first conductivity type semiconductor spacer layer 107 in the region right above the tunnel junction layer 105 is thinner than the thickness of the first conductivity type semiconductor spacer layer 107 in the region right below the first electrode 110.例文帳に追加

トンネル接合層１０５の直上領域における第１導電型の半導体スペーサ層１０７の厚さが、第１の電極１１０の直下領域における第１導電型の半導体スペーサ層１０７の厚さよりも薄い。 - 特許庁

The die includes a seal ring structure, located below a substrate and situated around at least one substrate region, and at least one means, connected to the seal ring structure to prevent substantially the diffusion of ion into the substrate region.例文帳に追加

基板の下方にあり、少なくとも１つの基板領域の周りにあるシールリング構造、及び前記シールリング構造に結合され、前記基板領域内へのイオンの拡散を実質的に防ぐ少なくとも１つの手段を含むダイ。 - 特許庁

Next, ion implantation process is performed, using the photoresist layer as a mask for forming a source/drain in the first region of the polysilicon layer and the LDD in the second region below the edge portion of the photoresist layer.例文帳に追加

次に、前記ポリシリコン層の第１領域におけるソース／ドレインと、前記フォトレジスト層のエッジ部分の下の前記第２領域におけるＬＤＤとを形成するマスクとして前記フォトレジスト層を使用し、イオンインプランテーションプロセスを行う。 - 特許庁