「region below」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

b. In a region below a glide path, when the vertical angle at a point where DDM value is 0.0875 varies in excess of the value given below: 例文帳に追加

ｂ　グライドパスの下方においてＤＤＭが〇・〇八七五である点の垂直角度が次に掲げる値を超えて変動したとき。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

The lower face of the gate insulating film 60 is positioned below lower faces of a source side extension region 42 and a drain region 50.例文帳に追加

ゲート絶縁膜６０は、その下面がソース側エクステンション領域４２およびドレイン領域５０の下面より下に位置する。 - 特許庁

A P-type semiconductor region 111 having a higher concentration than the P-type well 107 is arranged below the N-type semiconductor region 110.例文帳に追加

Ｐ型ウェル１０７よりも高濃度のＰ型半導体領域１１１がＮ型半導体領域１１０の下部に配される。 - 特許庁

A capacitor 102 employs an impurity region, formed below the capacitor 102 in an active region 7 as lower electrode.例文帳に追加

キャパシタ１０２は、活性領域７においてキャパシタ１０２の下方に形成された不純物領域を下部電極としている。 - 特許庁

A plate part 20a is provided at a region of the ground pattern 20, which is located immediately below the patch pattern 10, and the holes 20b are not formed in the region.例文帳に追加

グランドパターン２０のパッチパターン１０の直下の領域には、板部２０ａが設けられ、穴２０ｂは形成されない。 - 特許庁

With the impurity concentration of the base region 3 higher, the base region 3 below the emitter region 4 is pushed out downward by the emitter region 4 to the collector region 1 side, forming the base region 3 with a step.例文帳に追加

そして、ベース領域３の不純物濃度が濃くされることにより、前記エミッタ領域４の下側のベース領域３が該エミッタ領域４により押し出されてコレクタ領域１側に下がり、ベース領域３が段付き構造に形成されている。 - 特許庁

A first conductive type impurity region is formed below the first terminal 11c, and a high-density second conductive type impurity region is formed below the second terminal 11b.例文帳に追加

第１端子１１ｃの下には第１導電型不純物領域が形成されており、第２端子１１ｂの下には、高濃度第２導電型不純物領域が形成されている。 - 特許庁

A P-type impurity diffusion region 13 is formed below the gate electrodes 11 and 12 and an N-type impurity diffusion region 16 is formed below the gate electrodes 14 and 15.例文帳に追加

ゲート電極１１，１２の下部にはＰ型不純物拡散領域１３が形成され、ゲート電極１４，１５の下部にはＮ型不純物拡散領域１６が形成されている。 - 特許庁

Also, in the view from the short side direction, the shape of the body contact region 24 is an L shape, and an extension part 24b advances to the region right below the extension part 22b of the body region 22.例文帳に追加

また、短辺方向から見て、ボディコンタクト領域２４の形状はＬ字状であり、延出部２４ｂはボディ領域２２の延出部２２ｂの直下域に進入している。 - 特許庁

The resistive breakdown region 8 includes an N-type semiconductor region in contact with the drain region 6 at a predetermined distance apart from the well part immediately below the gate electrode 4.例文帳に追加

抵抗性降伏領域８はドレイン領域６に接し、ゲート電極４直下のウェル部分と所定の距離だけ離れたＮ型半導体領域からなる。 - 特許庁

The second semiconductor region 108 contains Si to a concentration higher than that of the channel forming region of the first semiconductor region 101 below the gate electrode 122.例文帳に追加

第２の半導体領域１０８は、第１の半導体領域１０１におけるゲート電極１２２下方のチャネル形成領域よりも高い濃度のＳｉを含有する。 - 特許庁

To enable a region below a gate electrode to overlap sufficiently with an LDD region even in a case where the LDD region is formed after the gate electrode has been formed.例文帳に追加

ゲート電極の形成後にＬＤＤ領域を形成する場合であれ、ゲート電極の下方の領域とＬＤＤ領域とのオーバーラップ量を十分に確保する。 - 特許庁

A source region 7 and a drain region 8 are formed in the SiGe layer 10 and the silicon substrate 9 at positions pinching a channel region below the tunnel insulation film 3.例文帳に追加

トンネル絶縁膜３下のチャネル領域を挟む位置のＳｉＧｅ層１０及びシリコン基板９中には、ソース領域７及びドレイン領域９が形成されている。 - 特許庁

Accordingly, the non-exposure region 62 is shielded from light by the light-shielding plates 51-54 during the time when the non-exposure region 62 passes below the opening pattern forming region 30.例文帳に追加

これによって、非露光領域６２が開口パターン形成領域３０の下方を通過する間、非露光領域６２が遮光板５１〜５４によって遮光される。 - 特許庁

The active region is composed of a source region 2, a drain region 3, and a channel region under a gate oxide film 5, and is formed on the semiconductor substrate 1 directly below the electrode pad 12.例文帳に追加

活性領域は、ソース領域２、ドレイン領域３、及びゲート酸化膜５下のチャネル領域から構成され、活性領域は、電極パッド１２のほぼ直下の半導体基板１に形成されている。 - 特許庁

A hole portion 13h is formed by laser-irradiating the formation region of the base insulating layer 1 below the predetermined terminal portion 2t from below.例文帳に追加

予め定められた端子部２ｔ下のベース絶縁層１の形成領域に下方からレーザ光を照射して孔部１３ｈを形成する。 - 特許庁

The silicon substrate has a first region which has an embedded insulating layer below a single-crystal silicon layer and a second region which is adjacent to the first region and does not have the embedded insulating layer below the single silicon layer.例文帳に追加

シリコン基板は、単結晶シリコン層の下方に埋め込み絶縁層を有する第１の領域と、この第１の領域に隣接し単結晶シリコン層の下方に埋め込み絶縁層を有さない第２の領域とを備える。 - 特許庁

In the p support substrate 1 located below the NFET5, a p well diffusion region 8 is formed.例文帳に追加

NFET５の下方に位置するｐ支持基板１内には、ｐウェル拡散領域８が形成されている。 - 特許庁

In the p support substrate 1 located below the PFET6, an n well diffusion region 9 is formed.例文帳に追加

PFET６の下方に位置するｐ支持基板１内には、ｎウェル拡散領域９が形成されている。 - 特許庁

Katsumasa's stroke was so heavy that a part of Shigenaga's helmet was cut off from the region of the temple to below the ear 例文帳に追加

勝正の一撃で繁長の兜はこめかみから耳の下まで切り取られたという。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Then a first area 8a and a second region 8b which is left after removing the first region 8a are formed immediately below the operating region in the element forming region 8 and the first area 8a is made thinner in thickness than the second region 8b.例文帳に追加

さらに素子形成領域８に動作領域の直下に位置する第１領域８ａと該第１領域を除いた部分である第２領域８ｂとを形成し、第１領域８ａを第２領域８ｂより薄くした。 - 特許庁

The deep-trench isolation region is formed below a shallow-trench isolation region 28 and the shallow-trench isolation region electrically separates a device included in the memory storage region 12 from a device included in the logical operation circuit region 14.例文帳に追加

深いトレンチ分離領域は、浅いトレンチ分離領域２８の下に形成され、浅いトレンチ分離領域は、メモリ記憶領域１２に含まれるデバイスを、論理回路領域１４に含まれるデバイスから電気的に分離する。 - 特許庁

The right side surface 30b faces a second n-type semiconductor region 22b disposed below the Schottky junction Jb, and the left side surface 30a faces a first n-type semiconductor region 22a disposed below the pn junction 13 between the n-type semiconductor region 22 and p-type semiconductor region 14.例文帳に追加

右側面３０ｂは、ショットキー接合Ｊｂの下方に位置する第２n型半導体領域２２ｂに対向しており、左側面３０ａは、n型半導体領域２２とp型半導体領域１４とのpn接合１３の下方に位置する第１n型半導体領域２２ａに対向している。 - 特許庁

Then, in the operation of a saturation region (Vd>Vg>Vth), a hole of an electron-hole pair, generated by collisional ionization in the vicinity of the low concentration drain region 14c of a channel 28 flows into the intrinsic region 14f below the low concentration source region 14b, not below the channel 28.例文帳に追加

そして、飽和領域（Ｖｄ＞Ｖｇ＞Ｖｔｈ）での動作では、チャネル２８の低濃度ドレイン領域１４ｃ近傍において衝突電離により発生した電子正孔対のうちの正孔はチャネル２８下ではなく低濃度ソース領域１４ｂ下の真性領域１４ｆに流れ込む。 - 特許庁

The right side surface 30b faces a second n-type semiconductor region 22b disposed below the Schottky junction Jb, and the left side surface 30a faces a first n-type semiconductor region 22a disposed below the pn junction 13 between the n-type semiconductor region 22 and the p-type semiconductor region 14.例文帳に追加

右側面３０ｂは、ショットキー接合Ｊｂの下方に位置する第２n型半導体領域２２ｂに対向しており、左側面３０ａは、n型半導体領域２２とp型半導体領域１４とのpn接合１３の下方に位置する第１n型半導体領域２２ａに対向している。 - 特許庁

The ESD protection element has an n-type well region 19 superposed on the formation position of a contact hole 15a below an n-type drain region 15, and the MOS transistor has an n-type low concentration impurity region 17 superposed on the formation position of a contact hole 7a below an n-type drain region 7.例文帳に追加

静電保護素子はＮ型ドレイン領域１５の下にコンタクトホール１５ａの形成位置に重畳してＮ型ウェル領域１９を備え、ＭＯＳトランジスタはＮ型ドレイン領域７の下にコンタクトホール７ａの形成位置に重畳してＮ型低濃度不純物領域１７を備えている。 - 特許庁

In the isolation insulation film 4, the upper surface of a periphery 4b provided around the active region 1b is positioned below the upper surface of the active region 1b, and the upper surface of a periphery 4c provided around the active region 1c is positioned below the upper surface of the active region 1c.例文帳に追加

素子分離絶縁膜４では、活性領域１ｂの周辺に位置する周辺部分４ｂの上面が活性領域１ｂの上面よりも下方に位置し、活性領域１ｃの周辺に位置する周辺部分４ｃの上面が活性領域１ｃの上面よりも下方に位置している。 - 特許庁

When MOS type gates Mgx2 are turned on, the transfer of the charges stored in the substrate region directly below the storing gates Mccd to a substrate region directly below the gates Mgx2 is started ((E)).例文帳に追加

ＭＯＳ型ゲートＭｇｘ２がオンとされ、蓄積用ゲートＭｃｃｄのゲート直下の基板領域に蓄積されていた電荷がＭＯＳ型ゲートＭｇｘ２の直下の基板領域へ転送開始される（（Ｅ））。 - 特許庁

The well regions electrically separate a region of the semiconductor support substrate 1 below the first gate electrode and a region of the semiconductor support substrate 1 below the second gate electrode from each other.例文帳に追加

そして、当該ウェル領域により、第一のゲート電極の下方の半導体支持基板１の領域と、第二のゲート電極の下方の半導体支持基板１の領域とが、電気的に分離される。 - 特許庁

The phase change memory device 1 includes: a phase change region 15a; a first insulating layer 13 disposed below the phase change region 15a so as to contact the phase change region 15a; and a conductor layer 11 disposed below the first insulating layer 13 so as to contact the first insulating layer 13 and having at least partially disposed immediately below the phase change region 15a.例文帳に追加

相変化メモリ装置１は、相変化領域１５ａと、相変化領域１５ａの下に、相変化領域１５ａに接して配される第１絶縁層１３と、第１絶縁層１３の下に第１絶縁層１３に接して配されると共に、少なくとも一部が相変化領域１５ａの真下に配される導体層１１と、を備える。 - 特許庁

Portions of the active dielectric stack and/or the conductive layer may reside below cell channels, e.g., below an interface 695 between cell channels and the STI region.例文帳に追加

活性誘電体層および／または伝導層の部分は、セルチャンネルの下、たとえば、セルチャンネルおよびＳＴＩ領域の間の界面６９５の下に位置し得る。 - 特許庁

A small ink supply region decision part 25 decides whether a small ink supply region where the ink supply X is below a specified level exists.例文帳に追加

インキ少量領域判断部２５は、インキ供給量Ｘが所定値以下となるインキ少量領域があるかどうかを判断する。 - 特許庁

A driving current in the variation point of the kink region in the semiconductor laser is detected and the semiconductor laser is driven in a driving current region below it.例文帳に追加

また、半導体レーザのキンク領域の変異点の駆動電流を検出し、それ以下の駆動電流領域で半導体レーザを駆動する。 - 特許庁

A resistor region 20 is formed by processing a region immediately below the p-type pad 24 in the surface of the p-type nitride layer 18 through plasma processing.例文帳に追加

ｐ型窒化物層１８の表面のうち、ｐ型パッド２４直下の領域をプラズマ処理することで抵抗領域２０を形成する。 - 特許庁

Moreover, it is preferable that in the method a length of the heating region immediately below the spinneret is 100 mm or more.例文帳に追加

さらには、紡糸口金直下の加熱域の長さが１００ｍｍ以上であることが好ましい。 - 特許庁

A gate is located at each side of a silicon film which is about 80 nm or below in vertical thickness and positioned in a gate region.例文帳に追加

ゲートは、ゲート領域に位置する垂直厚約８０ｎｍ以下のシリコン膜の両側にある。 - 特許庁

A round irradiation region is formed below the street light 20 so that an effect for ornamenting the road surface is exerted.例文帳に追加

また、街路灯２０の下方に丸い照射領域が形成され、路面を装飾する効果も奏する。 - 特許庁

The oxide film 13 in a memory section however is formed, in contact with the lower surface of the first diffusion region 22, in the region below the gate electrode 21 and the first diffusion region 22.例文帳に追加

一方、メモリ部の埋め込み酸化膜１３は、第１の拡散領域２２の下面に接してゲート電極２１及び第１の拡散領域２２の下方の領域に形成されている。 - 特許庁

Even if the upper end face of a gate electrode is located below the second diffusion region 6, an offset region is not formed by the first diffusion region 5.例文帳に追加

そのことで、本発明では、ゲート電極の上端面が、第２の拡散領域６よりも下方に位置しても第１の拡散領域５により、オフセット領域を形成することはない。 - 特許庁

The first MIS transistor Trl includes: a first pocket region 9A of a second conductivity type formed below a first extension region 8A of a first conductivity type in a first active region 1a; and a first diffusion suppression region 7A containing a diffusion suppression impurity and formed below the first pocket region 9A in the first active region 1a.例文帳に追加

第１のＭＩＳトランジスタＴｒｌは、第１の活性領域１ａにおける第１導電型の第１のエクステンション領域８Ａの下に形成された第２導電型の第１のポケット領域９Ａと、第１の活性領域１ａにおける第１のポケット領域９Ａの下に形成された拡散抑制不純物を含む第１の拡散抑制領域７Ａとを備えている。 - 特許庁

An N-type base layer 31 and a deep N-type base layer 32 are formed on a region immediately below the drain layer 13, and a P-type base layer 33 and a deep P-type base layer 34 are formed on a region immediately below the source layer 12.例文帳に追加

そして、ドレイン層１３の直下域にＮ型ベース層３１及びディープＮ型ベース層３２を形成し、ソース層１２の直下域にＰ型ベース層３３及びディープＰ型ベース層３４を形成する。 - 特許庁

Thereafter, a p-type region 4 is formed immediately below the recess part 2c by implanting an impurity to an imaging region A by using the hard mask material film as a mask.例文帳に追加

次に、ハードマスク材料膜をマスクとして撮像領域Ａに不純物を注入することにより、凹部２ｃの直下域にｐ型領域４を形成する。 - 特許庁

The PMOS type floating gate transistor 52 uses the p-diffused region 68 below a p+ active region 70 which forms a drain, to provide a high breakdown voltage.例文帳に追加

このPMOSフローティングゲートトランジスタ５２は、高い破壊電圧を設けるために、ドレインを形成するｐ+アクティブ領域７０の下にｐ-型拡散領域６８を用いる。 - 特許庁

In a semiconductor region below a drain finger 3 and a source finger 2, a doping region 4 for thermal resistance reduction is formed only nearby a gate finger 1.例文帳に追加

ドレインフィンガー３及びソースフィンガー２の下部の半導体領域のうち、ゲートフィンガー１の近傍のみに熱抵抗低減用のドーピング領域４を形成する。 - 特許庁

The diode element is equipped with a semiconductor substrate that is partitioned into a first semiconductor region, a second semiconductor region, and the like; and an intermediate semiconductor region having impurity concentration of 5×10^14/cm^3 or below is provided between the first semiconductor region and the second semiconductor region.例文帳に追加

半導体基板に第１の半導体領域と第２の半導体領域とを設けてなるダイオード素子において、第１の半導体領域と第２の半導体領域との間に、不純物濃度を5×10^14/cm^3以下とした中間半導体領域を設ける。 - 特許庁