「region below」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

This cement clinker is obtained by supplying the solid combustibles of a grain size over 5 mm and below 100 mm to a region where the temperature of the cement clinker introduced into a clinker cooler attains 850 to 1,000°C.例文帳に追加

本発明のセメントクリンカーは、クリンカークーラーに導入されたセメントクリンカーの温度が８５０℃〜１０００℃となる領域に、５ｍｍを超え１００ｍｍ以下の粒径の固形可燃物を供給して得られることを特徴とする。 - 特許庁

A cushion pad 2 of a seat is supported from below by an elastomer seat 11 suspended between right and left rod type frames 14 in place of a plate type frame 3 in a region 2b to support the thigh of the occupant.例文帳に追加

座部のクッションパッド２は、乗員の大腿部を支持する領域２ｂにおいて、板状フレーム３に代えて、左右の棒状フレーム１４の間に掛け渡されたエラストマーシート１１により、下方から支持される。 - 特許庁

For instance, after the Nb_3Al superconductive wire is subjected to plastic deformation where R.A. exceeds 20% before the transformation heat treatment, its temperature is raised up to a transformation heat treatment temperature region by setting the temperature raising rate below 200°C/h.例文帳に追加

たとえば、Ｎｂ_３Ａｌ超伝導線を変態熱処理前にＲ．Ａ．が２０％を超える塑性変形を施した後に昇温速度を２００℃／ｈより遅く変態熱処理温度領域まで昇温させる。 - 特許庁

The program below allocates four pages of memory, makes the third of these pages read-only, and then executes a loop that walks upwards through the allocated region modifying bytes. 例文帳に追加

以下のプログラムは、メモリページを 4つ確保し、そのうち 3番目のページを読み込み専用に設定する。 その後で、確保した領域のアドレスの小さい方から大きな方に向かって順番にバイト値を変更するループを実行する。 - JM

After a resist 5 of a pattern in accordance with the program is formed on the layer insulation film 7, ion implantation for the program is carried out to a channel region 9 below the desired gate electrode 4.例文帳に追加

プログラムに応じたパターンのレジスト５を層間絶縁膜７上に形成した後、層間絶縁膜７の上から、所望のゲート電極４下部のチャネル領域９に対してプログラム用のイオン注入を行う。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a semiconductor wafer having a check element capable of electrically and easily detecting low-density impurity contamination below a high-density impurity region in a process of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造工程において、高濃度不純物領域下の低濃度不純物汚染を電気的に容易に検出することができるチェック素子を有する半導体装置及び半導体ウェハを提供する。 - 特許庁

The magnetic random access memory includes a transistor which has a gate electrode 11a located above a surface of a substrate 1 and a first and second impurity diffusion regions 13a, 12 interposing a channel region below the gate electrode between them.例文帳に追加

磁気ランダムアクセスメモリは、基板１の表面の上方に設けられたゲート電極１１ａと、ゲート電極の下方のチャネル領域を挟む第１、第２不純物拡散領域１３ａ、１２とを有するトランジスタを含む。 - 特許庁

The MOSFET includes a gate insulating film 11 formed on the semiconductor substrate, a gate electrode 12 formed on the gate insulating film, and a source/drain diffusion layer 21 sandwiching a channel region below the gate electrode.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴは、半導体基板上に設けられたゲート絶縁膜１１と、ゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極１２と、ゲート電極の下方のチャネル領域を挟むソース／ドレイン拡散層２１と、を含む。 - 特許庁

A cap 76 has an annular projection 76a, a rectangular bottom plate part 76b which supports the annular projection 76a from below, and positioning pins 61a and 61b arranged at an inside region of the annular projection 76a.例文帳に追加

キャップ７６が、環状突起７６ａと環状突起７６ａを下方から支持する矩形状の底板部７６ｂと、環状突起７６ａの内側領域に配置された位置決めピン６１ａ、６１ｂとを有している。 - 特許庁

A part B_M of a line of magnetic force coming out from a lower face (N pole) of a segment magnet M_5 descends to a peripheral plasma region PS_B just below, makes a U-turn upward, and reaches a lower face (S pole) of a segment magnet M_4 adjacent to a circumference direction.例文帳に追加

セグメント磁石Ｍ_5の下面（Ｎ極）から出た磁力線の一部Ｂ_Mは、直下の周辺プラズマ領域ＰＳ_Bに降りてから上方へＵターンして円周方向隣のセグメント磁石Ｍ_4の下面（Ｓ極）に達する。 - 特許庁

A part B_M of a line of magnetic force coming out from the lower face (N pole) of a segment magnet M_O descends to a peripheral plasma region PS_B just below, makes a U-turn upward, and reaches the lower face (S pole) of a segment magnet M_E adjacent to a circumference direction.例文帳に追加

セグメント磁石Ｍ_Oの下面（Ｎ極）から出た磁力線の一部Ｂ_Mは、直下の周辺プラズマ領域ＰＳ_Bに降りてから上方へＵターンして円周方向隣のセグメント磁石Ｍ_Eの下面（Ｓ極）に達する。 - 特許庁

Further, a p-type layer 12 is provided with a high-resistance surface 12sr so as to eliminate ohmic contact between a "p" contact electrode 121 and a p-type layer 12 below the large-area portion 130p and in a region wider than it.例文帳に追加

更には大面積部１３０ｐの下方とそれよりも広い領域においてｐコンタクト電極１２１とｐ型層１２のオーミック接触を排除するため、ｐ型層１２に高抵抗面１２ｓｒを設けておく。 - 特許庁

As is described below, the "Production Region Technology Type" is the most focused on major markets as potential customers. Partnerships outside the community are thought to be established in order to obtain market information and cultivate sales routes.例文帳に追加

後述するように「産地技術型」は国内の大消費地を販売先として最も重視しており、消費地の情報入手や販路開拓のために地域外の連携がなされていると考えられる。 - 経済産業省

The passive devices, and at least part of the signal transmission line which are arranged inside the multilayer substrate, are located in a region below a semiconductor component mounting region.例文帳に追加

入出力整合回路及び電源バイアス回路を構成する受動素子並びに信号伝送線路のうちの少なくとも一部を積層基板の内部に配置し、該積層基板の内部に配置した受動素子及び信号伝送線路のうちの少なくとも一部を半導体部品実装領域の下部領域に配置する。 - 特許庁

The dielectric layer is formed, when two-dimensionally viewed on the substrate, in a non-opened area located between opened areas of the pixels and a peripheral dielectric layer area including a region opposed to the channel region of a peripheral-circuit thin film transistor which is disposed below the storage capacitor and constitutes the peripheral circuit.例文帳に追加

誘電体膜は、基板上で平面的に見て、画素毎の開口領域の間隙に位置する非開口領域と、周辺回路を構成する、蓄積容量より下層側に配置された周辺回路用ＴＦＴのチャネル領域に対向する領域を含む周辺誘電体膜領域とに形成されている。 - 特許庁

An n-conductivity-type first transistor Q1 formed in a memory region RM on a silicon substrate 1 has: a memory channel region CH1 containing boron; and n-type memory extension regions ET1 and diffusion preventing regions PA1 containing oxygen which are formed below both side walls of a memory gate electrode GE1.例文帳に追加

シリコン基板１上のメモリ領域ＲＭに形成された、ｎ型導電型である第１トランジスタＱ１は、ホウ素を含むメモリ用チャネル領域ＣＨ１と、メモリ用ゲート電極ＧＥ１の両側壁側下に形成された、ｎ型のメモリ用エクステンション領域ＥＴ１および酸素を含む拡散防止領域ＰＡ１とを有している。 - 特許庁

The feed speed control method controls a relative feed speed F of a tool 30 with regard to a workpiece 15, such that a process efficiency Q"(w, θ, t) at each micro-region is controlled to be equal to or below the upper limit Q"set1 when dividing the processing region into a plurality of micro-regions by the tool 30 at each instant t during the processing.例文帳に追加

加工中の各瞬間ｔにおける工具３０による加工領域を複数の微小領域に分割した場合に、各微小領域における加工能率Q"(w,θ,t)が設定上限値Q"set1以下となるように、工具３０の被加工物１５に対する相対的な送り速度Fを制御する。 - 特許庁

To provide a method of evaluating the characteristics which enables accurate calculation of a resistance value of an offset region of a semiconductor storage element which is so structured that the resistance value of the offset region located below a memory functional body may be changed depending on the amount of accumulated charges or polarized state of the memory functional body formed on one side or on both sides of a gate electrode.例文帳に追加

ゲート電極の片側または両側に形成されたメモリ機能体の蓄積電荷の多寡または分極状態により、その下方に位置するオフセット領域の抵抗値が変化するように構成されている半導体記憶素子のオフセット領域の抵抗値を精度良く求める特性評価方法を提供する。 - 特許庁

Consequently, on the wafer sheet 200, a plurality of high adhesion regions which are located below the plurality of respective semiconductor chips 110 and each of which has an area smaller than the semiconductor chip 110, and a low adhesion region which is a region between the plurality of high adhesion regions and has smaller adhesive strength than the high adhesion regions, are formed.例文帳に追加

これにより、ウェハシート２００に、複数の半導体チップ１１０それぞれの下に位置していて各々が半導体チップ１１０より面積が小さい複数の強粘着領域と、複数の強粘着領域相互間の領域であり強粘着領域より粘着力が小さい低粘着領域が形成される。 - 特許庁

To a video data signal outputted from a history information multiplexer of a video decoding system, an encoding parameter, above a picture layer, with a high degree of necessity for a number of applications is inserted into a V Blanking region and an encoding parameter, below a slice layer, is inserted into an H Blanking region after being converted into an ancillary packet.例文帳に追加

ビデオデコーディングシステムのヒストリ情報多重化装置から出力されたビデオデータ信号にたいして、多くのアプリケーションで必要度の高い、ピクチャ層以上の符号化パラメータがV Blanking領域に、全てのアプリケーションでは必要とされない、スライス層以下の符号化パラメータがH Blanking領域に、アンシラリパケットに変換されて挿入される。 - 特許庁

To improve lowering of temperature compensation effect of the temperature compensating circuit of a temperature compensated quartz oscillator in the high temperature region of 70°C or above and the low temperature region of -20°C or below, and to provide a quartz oscillator in which the frequency accuracy can be stabilized over a wide temperature range.例文帳に追加

本発明は、温度補償型水晶発振器の温度補償回路において、７０℃以上の高温領域および−２０℃以下の低温領域において温度補償効果が低減することを改善するものであり、広い温度範囲において周波数精度を安定化させる水晶発振器を提供することを目的とする。 - 特許庁

When the helicopter body is determined to approach the sky over the non-spraying region after the prescribed time and the flight speed and flight attitude during the approach are determined to be below the flight speed and flight attitude required in the sky over the non-spraying region, the helicopter body is accelerated to the required flight speed and lifted to the required flight attitude.例文帳に追加

そして、所定時間後に非散布領域上空に機体が進入しかつ進入時の飛行速度及び飛行高度が非散布領域上空で要求される飛行速度及び飛行高度を下回ると判定した場合に、要求される飛行速度及び飛行高度まで加速及び上昇させる。 - 特許庁

During a step of forming a photo diode PD to serve as a photoelectric converter after a charge accumulation region 17 of the photo diode PD is formed by ion implantation, the region 17 is formed to extend below an element separation film 13 by heat diffusion and to come into contact with or closer to a diffusion layer 14.例文帳に追加

光電変換部となるフォトダイオードＰＤの形成工程において、イオン注入によりフォトダイオードＰＤの電荷蓄積領域１７を形成した後、熱拡散により電荷蓄積領域１７を素子分離膜１３の下方に延在し、かつ拡散層１４に当接または近接するように形成する。 - 特許庁

A gamma correction table is created based on a characteristic line prepared by offset coupling a gamma curve in a high grayscale level region over a grayscale where predetermined brightness is obtained at the target minimum gamma to a gamma curve in a low grayscale level region below a grayscale where the predetermined brightness is obtained at the target maximum gamma.例文帳に追加

目的とする最大のガンマにおける所定輝度となる階調以下の低階調レベル領域のガンマ曲線に対して、目的とする最小のガンマにおける前記所定輝度となる階調以上の高階調レベル領域のガンマ曲線をオフセットして結合した特性線に基づいて、ガンマ補正用テーブルを作成する。 - 特許庁

In the structure, of cavities provided on the insulating layers 20 of a multilayer printed board 2, while making the portions to which the bare chip 3 is electrically connected as the electrode portions 10a-10f of the wiring patterns 10; a copper member 6 is fitted to a region (immediately below region) opposite to the electrode portions 10a-10f of the wiring pattern 10.例文帳に追加

そして、配線パターン１０のうち、ベアチップ３が電気的に接続される部位を電極部１０ａ〜１０ｆとして、多層プリント配線板２の絶縁層２０に設けられたキャビティのうち、配線パターン１０の電極部１０ａ〜１０ｆに対向する領域（直下領域）に銅部材６が嵌合されている。 - 特許庁

Furthermore, the semiconductor device includes a first electrode having Schottky contact with the second semiconductor layer, a second electrode having ohmic contact with the second semiconductor layer, and a semiconductor region which is provided right below a central portion of the first electrode and in which the two-dimensional electron gas distributed right below the central portion of the first electrode disappears.例文帳に追加

また、半導体装置は、第２の半導体層とショットキー接触を有する第１の電極と、第２の半導体層とオーミック接触を有する第２の電極と、第１の電極の中央部の直下に設けられ、第１の電極の中央部の直下に分布する２次元電子ガスを消失させる半導体領域とを有する。 - 特許庁

In this case, even when the separation layer 52 in a region not below the pixel electrode 2 decreases, a base insulating film 1 is formed thereupon, and the temporary substrate 51 and separation layer 52 are removed to bury the flat plate type pixel electrode 2 in a recessed state below the reverse surface of the base insulating film 1, so that the pixel electrode 2 is hardly broken.例文帳に追加

この場合、画素電極２下以外の領域における分離層５２が膜減りしたとしても、その上に下地絶縁膜１を形成し、仮基板５１および分離層５２を除去すると、下地絶縁膜１の下面に平板状の画素電極２が凹んだ状態で埋め込まれることになるので、画素電極２が破損しにくいようにすることができる。 - 特許庁

A region being the outside of the region being just below the base while the base is rotated consists of a plurality of regions divided at intervals of specified angles around the rotating shaft and a spiral slope 9 inclined downward both to the outer periphery of the inner cup 5 and to the rotational direction of the base is provided on each divided region.例文帳に追加

内カップ５の上面のうち、基板１の回転時に基板１の直下よりも外側にある領域は、回転軸１３を中心として所定の角度置きに分割された複数の領域からなり、分割された各領域には、内カップ５の外周に向かって下向きに傾斜するとともに基板１の回転方向に向かって下向きに傾斜した螺旋状スロープ９がそれぞれ設けられている。 - 特許庁

A first light guide member 60 forms a light source image so that a light source image part for forming a portion and a focus of a projection lens may be away as the member 60 goes upward from the position below a horizontal line of a partial region.例文帳に追加

第１導光部材６０は、部分領域の水平線以下の位置から上方に進むにしたがって、その部分を形成する光源像部分と投影レンズの焦点とが遠ざかるように光源像を形成する。 - 特許庁

To provide a method and a device capable of evaluating the surface shape of an article with an accuracy below about 1 μm, and evaluating uniformity of the surface shape in a region over several-millimeter square quantitatively in a short time.例文帳に追加

物品の表面形状を１μｍ程度未満の精度で評価でき、かつ数ｍｍ角以上の領域で上記表面形状が一様であることを短時間で定量的に評価できる方法および装置を提供する。 - 特許庁

The outline of a resist pattern comprising a resist film 3 is retreated in a place where a certain interval or below is left between a part situated on an active region 2 within a position where gate wiring 1 is situated and a position where the resist pattern is situated.例文帳に追加

ゲート配線１の配置予定位置のうち活性領域２上に位置する部分とレジスト膜３からなるレジストパターンの配置予定位置とが一定距離以上接近している箇所においては、レジストパターンの輪郭を後退させる。 - 特許庁

The sitting section 3 includes the seat cushion 8; a support member supporting the lower surface side of the seat cushion 8 over substantially the entire region thereof; and a submarine prevention bar 10 disposed along a lateral direction below the support member in the front side of the sitting section 3.例文帳に追加

座部３が、シートクッション８と、シートクッション８の下面側を略全域にわたって支持する支持部材と、座部３の前側における支持部材の下方において左右方向に沿って配置されるサブマリン防止バー１０と、を、備える。 - 特許庁

A low portion 28a is provided at least in a part of a metal reflux pipe 28 so that the low portion elongates along an exhaust manifold 24 in a region below the exhaust manifold in an internal combustion engine.例文帳に追加

前記金属製還流パイプ２８のうち少なくとも一部に低い部分２８ａを設け，この低い部分を，前記内燃機関における排気マニホールド２４の下側の部位に，当該排気マニホールドに沿って延びるように配設する。 - 特許庁

An adhesive tape 20 for resin sealing used in manufacturing of a resin sealed semiconductor device includes a base material layer not having a glass transition temperature in a temperature region of 260°C or below, and an adhesive layer laminated on the base material layer.例文帳に追加

２６０℃以下の温度領域にガラス転移温度を有さない基材層と、当該基材層上に積層された粘着剤層とを備える樹脂封止型半導体装置の製造における樹脂封止用の粘着テープ２０。 - 特許庁

The piezoelectric transducer has such a structure as the upper electrode 4 includes a pad electrode 8 for connection above the fixed portion 7, and the lower electrode 6 is not formed in a region above the fixed portion 7 and below the pad electrode 8 for connection.例文帳に追加

上部電極４は、固定部７の上方に形成された接続用のパッド電極８を含み、下部電極６は、固定部７の上方であって接続用のパッド電極８の下方の領域に形成されていない構造とする。 - 特許庁

The method further comprises the steps of irradiating a laser beam above or below a substrate (semiconductor substrate) in which the semiconductor film is formed to heat a gate electrode, and heating the impurity region to be superposed with a part of the gate electrode by its heat.例文帳に追加

そして、半導体膜が形成された基板（半導体膜基板）の上方または下方からレーザ光を照射してゲート電極を加熱し、その熱によってゲート電極の一部と重なる不純物領域を加熱する。 - 特許庁

After that, the SiGe layer 3 is etched and eliminated from the exposed side surface, thereby forming cavity portions 15 below the Si layer 10 of the transistor forming region, and subsequently, forming an SiO_2 film 17 in the cavity portions 15.例文帳に追加

その後、ＳｉＧｅ層３をその露出した側面からエッチングして取り除くことにより、トランジスタ形成領域のＳｉ層１０下に空洞部１５を形成し、続いて、この空洞部１５内にＳｉＯ_２膜１７を形成する。 - 特許庁

A bag filling and packaging apparatus includes hollow guide members 42 that are disposed below ascending/descending hoppers 41 and guide the product dropping from hoppers 41 into the interior of bags 9, the guide members being raised/lowered and moved together with the hoppers 41 in a filling region A.例文帳に追加

昇降式ホッパー４１の下部にホッパー４１から落下する被充填物を袋９内にガイドする中空のガイド部材４２が設置され、充填領域Ａにおいてホッパー４２と共に回転及び昇降する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a solid-state imaging device in which color filters and micro lenses above and below the filters can be formed to a uniform thickness even nearby a step portion formed by a light shield layer disposed at a periphery of an imaging region as well as other imaging regions.例文帳に追加

固体撮像装置の製造方法において、撮像領域の周囲に位置する遮光層による段差部近傍でも、他の撮像領域と同様に均一な厚さでカラーフィルタやその上下のマイクロレンズを形成可能とする。 - 特許庁

A part B_m of a line of magnetic force coming out from a lower face (N pole) of a segment magnet m_4 descends to the peripheral plasma region PS_B just below, makes the U-turn upward, and reaches a lower face (S pole) of the segment magnet m_5 adjacent to the circumference direction.例文帳に追加

また、セグメント磁石ｍ_4の下面（Ｎ極）から出た磁力線の一部Ｂ_mは、直下の周辺プラズマ領域ＰＳ_Bに降りてから上方へＵターンして円周方向隣のセグメント磁石ｍ_5の下面（Ｓ極）に達する。 - 特許庁

A part B_m of a line of magnetic force coming out from a lower face (N pole) of a segment magnet m_E descends to the peripheral plasma region PS_B just below, makes the U-turn upward, and reaches a lower face (S pole) of a segment magnet m_O adjacent to the circumference direction.例文帳に追加

また、セグメント磁石ｍ_Eの下面（Ｎ極）から出た磁力線の一部Ｂ_mは、直下の周辺プラズマ領域ＰＳ_Bに降りてから上方へＵターンして円周方向隣のセグメント磁石ｍ_Oの下面（Ｓ極）に達する。 - 特許庁

The invention includes an electronic control device 25 which injects the fuel into an exhaust port 6d from the injection nozzle 5 in order to secure the exhaust gas purifying action of the catalyst 12 in the operating region in which the catalyst 12 is below its activating temperature.例文帳に追加

電子制御装置２５は、触媒１２が活性化する活性化温度未満となる運転領域では、同触媒１２による排気浄化作用を確保すべく噴射ノズル５から排気ポート６ｄ内に燃料を噴射させる。 - 特許庁

On a p silicon substrate 1011, a microparticle diffusion region 1012, an SiO_2 film 1015 functioning as an insulating film, and an n polysilicon electrode 1016 functioning as an upper electrode are provided sequentially from below.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１０１１上には、微粒子分散領域１０１２、絶縁膜として機能するＳｉＯ_２膜１０１５、及び上部電極として機能するｎ型多結晶シリコン電極１０１６が下から順に設けられている。 - 特許庁

A charge accumulation film and a gate electrode 105 are formed on a semiconductor layer, and two first conductivity diffusion regions A and B are formed in semiconductor layers on both sides of a channel region formed below the gate electrode 105.例文帳に追加

半導体層上に電荷蓄積膜とゲート電極１０５を形成し、ゲート電極１０５の下部に形成されたチャネル領域の両側の半導体層に２つの第１導電型の拡散領域Ａ及びＢを形成する。 - 特許庁

The image forming apparatus is equipped with a toner sucking device 110 equipped with a discharge duct 111 connected to a discharge fan and a suction filter 112 for collecting scattered toner to suck toner scattered to below a delivery region D.例文帳に追加

受渡し領域Ｄの下側に飛散したトナーを吸引するために、排気ファンに接続された排気ダクト１１１と、飛散したトナーを回収する吸引フィルター１１２とを備えたトナー吸引装置１１０を設ける。 - 特許庁