「region below」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

A second shielding part 17 being a gap which has an opening on a surface 11f and whose cross section is formed in a square shape toward the embedded oxide film 11b is formed in a region immediately below the CMOS 13 of a support substrate 11a.例文帳に追加

支持基板１１ａのＣＭＯＳ１３直下の領域には、表面１１ｆに開口を有し、埋込酸化膜１１ｂに向かって、横断面が四角形状に空隙部が形成された第２遮蔽部１７が設けられている。 - 特許庁

Recesses 4b whose bottoms are extended toward the conductive layer 3 but not arriving at the same layer 3, and connection holes 4a whose bottoms are arrived at the conductive layer 3, are formed as via holes in a region positioned below the LSI chip 9.例文帳に追加

ＬＳＩチップ９の下方に位置する領域におけるビアホールとして、その底部が導電層３に向かって延び、且つ、導電層３に達しない凹部４ｂと、その底部が導電層３に達する接続孔４ａを形成する。 - 特許庁

On the rear surface of each fine metal stripes 4 on a side opposite to that, having contact with damper wire 8a and 8b, grooves 10 with a length L are respectively provided in the lower region below the center P of fine metal stripes 4 with respect to the Y direction.例文帳に追加

ダンパー線８ａ，８ｂに接触する側と反対側の各金属細条４の裏面には、Ｙ方向に関する金属細条４の中心Ｐから下側領域に、長さＬの溝１０がそれぞれ設けられている。 - 特許庁

A mask pattern having a line width below a stipulated value is selected from mask patterns each projecting from an element region, the distance from the selected mask pattern to an adjacent pattern is calculated and the mask pattern is corrected corresponding to the distance.例文帳に追加

素子領域から突き出すマスクパターンのうち規定値以下になる線幅を有するマスクパターンが選択された後、このマスクパターンに隣り合うパターンまでの距離が算出され、この距離に応じてマスクパターンに補正が施される。 - 特許庁

In this liquid injection device, a printer executes a first waveform mode which drives a recording head in the normal waveform (SD) of a first frequency (f_D), when the temperature T of a peripheral region of the recording head detected by a temperature detection sensor is below a specified temperature level.例文帳に追加

プリンタは、温度検出センサにより検出される記録ヘッドの周辺域の温度Ｔが所定温度以下のときには、第１周波数（ｆ_D ）の通常波形（ＳＤ）により記録ヘッドを駆動させる第１の波形モードを実行する。 - 特許庁

Since the high-reflectivity material layer is formed between the n^- electrode and a part of the region of n^- semiconductor layer below it, a reaching light is reflected to the substrate side, improving emission efficiency of the light emitting diode.例文帳に追加

このようにn-電極とその下部のn-半導体層の一部領域間に高反射率物質層を形成すると、到達する光を基板側へ反射でき、それによって発光ダイオードの発光効率を改善することができる。 - 特許庁

The high frequency soft magnetic film is disclosed to directly deposit a magnetic metal whose average size is 10 nm or below and the alloy cluster on a substrate material (substrate) so as to realize a complex permeability in excess of that of a ferrite at a high destination region.例文帳に追加

高周波領域でフェライトを凌駕する複素透磁率が実現できるように、平均サイズ10nm以下の磁性金属及び合金クラスターを直接に基材（基板）上に堆積したことを特徴とする高周波軟磁性体膜。 - 特許庁

To provide a conveyer open which has an upper heater (31) and a lower heater (41) above and below the food material-conveying region of a net-like conveyer (10) passing through a heating chamber (1) and which facilitates cleaning works around the heaters.例文帳に追加

加熱室(1)を通過するネット状のコンベア(10)の食材搬送域の上方と下方の夫々に各別に配設された上ヒータ(31)及び下ヒータ(41)を具備するコンベアオーブンに於いて、ヒータ周りの清掃作業が容易に行えるようにする。 - 特許庁

The MOS type gates Mgx1 and MOS type storing gates Mccd of all pixels are turned on at once, and charges stored in the photodiodes PD of the pixels are transferred to a substrate region (an N type layer 23 forming an embedded channel) directly below the storing gates Mccd through corresponding MOS type gates Mgx1 in all pixels and stored and held in the substrate region ((C)).例文帳に追加

全画素のＭｇｘ１及びＭｃｃｄがそれぞれ一斉にオンとされ、全画素のフォトダイオードＰＤに蓄積されていた電荷が全画素で対応するゲートＭｇｘ１を通して、ＭＯＳ型蓄積用ゲートＭｃｃｄの直下の基板領域（埋め込みチャネルを形成するＮ^−層２３）に転送されて蓄積、保持される（（Ｃ））。 - 特許庁

The wavelength at the maximum spectral intensity of light of the light source 114 departs from a wavelength region in which the spectral absorptance of the colloidal solution reaches a half of the maximum spectral absorptance or above and the maximum spectral absorptance or below, wherein the wavelength region contains the wavelength of the maximum spectral absorptance due to the plasmon absorption of the colloidal solution.例文帳に追加

光源１１４の光の最大分光強度における波長が、前記コロイド溶液のプラズモン吸収に起因した最大分光吸収度における波長を含む波長帯域であって前記コロイド溶液の分光吸収度が最大分光吸収度の１／２以上最大分光吸収度以下となる波長帯域から外れている。 - 特許庁

To inexpensively provide energy conversion fibers which are excellent in lightweightness and spacing saving characteristics and have high sound absorbability in a specific frequency region, more particularly a low-frequency region below 1,000 Hz, and near the frequencies of conversation sounds as interior materials of for example, automobile, etc., an acoustic material consisting of such energy conversion fibers, a sound insulation structure and an interior material for vehicles.例文帳に追加

例えば自動車等の内装材として、軽量性、省スペース性に優れ、特定周波数域、特に１０００Ｈｚ以下の低周波数域や、会話音の周波数付近での高い吸音性能を有するエネルギー変換繊維と、このようなエネルギー変換繊維からなる吸音材、遮音構造体、車両用内装材を安価に提供する。 - 特許庁

By forming a potential barrier forming p-type layer 24 in a region in a p-well other than a region below a gate of a first MOS transistor 22, when charges are stored, the charges overflowing from a photo diode 21 can be made to flow into a channel 31 even if the first transfer MOS transistor 22 is turned off without fail as much as possible.例文帳に追加

第１のＭＯＳトランジスタ２２のゲートの下方の領域を除くＰウェル内の領域にポテンシャル障壁形成用Ｐ型層２４を形成することにより、電荷を蓄積する際に、第１の転送ＭＯＳトランジスタ２２を可及的に確実にオフしても、フォトダイオード２１から溢れた電荷を経路３１に流入させることができるようにする。 - 特許庁

By forming a potential barrier forming p-type layer 24 in a region in a p-well other than a region below a gate of a first MOS transistor 22, when charges are stored, the charges overflowing from a photo diode 21 can be made to flow into a channel 31 even when the first transfer MOS transistor 22 is turned off without fail as much as possible.例文帳に追加

第１のＭＯＳトランジスタ２２のゲートの下方の領域を除くＰウェル内の領域にポテンシャル障壁形成用Ｐ型層２４を形成することにより、電荷を蓄積する際に、第１の転送ＭＯＳトランジスタ２２を可及的に確実にオフしても、フォトダイオード２１から溢れた電荷を経路３１に流入させることができるようにする。 - 特許庁

In an insulated gate field-effect transistor, by having a channel length 28 longer than the length in the direction of channel of a gate electrode, an electric field is not entirely applied on both sides of a channel region 19, or a very weak offset region, which is very weak when compared with the part vertically below the gate electrode, in characteristically formed.例文帳に追加

絶縁ゲート型電解効果トランジスタにおいて、チャネル長２８をゲート電極１５のチャネル長方向の長さよりも長くすることにより、チャネル領域１９の両側部にゲート電極による電界の全くかからないあるいはゲート電極垂直下に比較して非常に弱いオフセット領域を形成することを特徴とする。 - 特許庁

Since this constitution allows at least one of the pair of transfer openings and the corresponding guide portion to be located below the level L of the viscous fluid regardless of the angle at which the heat generator is mounted, circulation of the viscous fluid for transfer between the heating region and the storage region 8 accompanied with rotation of the rotor is secured.例文帳に追加

この構成によれば、熱発生器をどのような角度で取り付けても前記一対の移送用開口部の少なくとも一方及びそれに対応するガイド部が粘性流体の液面Ｌ以下に位置できるため、ロータの回転に伴う発熱領域と貯留領域８との間での粘性流体の入れ替え循環が必ず確保される。 - 特許庁

In a fluorescence color converting film comprising an organic fluorescence pigment absorbing a light of a near ultraviolet ray region to a visible region acquired from a luminescence substance to emit another visible light, a molecular weight modifier, a matrix resin supporting the organic fluorescence pigment and the molecular weight modifier, the molecular weight modifier comprises one or more kind of compounds indicated, represented by a general formula 1 below.例文帳に追加

発光体から得られる近紫外線領域ないし可視領域の光を吸収して異なる可視光を発する有機蛍光色素と、分子量調節剤と、有機蛍光色素および分子量調節剤を支持するマトリクス樹脂とを含む蛍光色変換膜であって、前記分子量調節剤は、下記一般式： - 特許庁

The flow rate response type reactor shutdown and drive element can automatically move neutron absorber to a position corresponding to core fuel region by the pressure difference between inlet and outlet quickly responding to lowering of coolant flow rate, and automatically move a neutron reflector to below and outside the position corresponding to the core fuel region.例文帳に追加

冷却材流量の低下に即応する入口圧力と出口圧力の差圧により、中性子吸収体を炉心燃料域に相当する位置に自動的に移動したり、或いは中性子反射体を炉心燃料域に相当する位置の外の下方に自動的に移動したりすることのできる流量応答型炉停止駆動要素。 - 特許庁

In the memory cell with a transistor on the floating body region, its lower surface is isolated by bonding, the bonding is non-flat and has a projection 40 towards the surface of the transistor, and the projection 40 is projected towards a gate substantially below the gate region 6 of the transistor.例文帳に追加

接合によってその下面が隔離されたフローティングボディの領域上に１つのトランジスタを有するメモリセルにおいて、該接合が非平面であり、前記接合は前記トランジスタの表面に向けて突出部４０を有し、前記突出部４０は前記トランジスタのゲート領域６の略下方のゲートに向けて突出していることを特徴とするメモリセルを提供する。 - 特許庁

The motorcycle 10 is further provided with an object stay part 730 mounted to the vehicle body frame 60 in a region S in the right seat rail 64R side from the endless transmission belt 31, an electrical component storage part 710 arranged in the region S below the seat, and a connection part 68 connecting the left seat rail 64L with the right seat rail 64R.例文帳に追加

自動二輪車１０は、無端伝達帯３１よりも右側シートレール６４Ｒ側の領域Ｓで車体フレーム６０に取り付けられる対象物用ステー部７３０と、シートの下方において、領域Ｓに配設される電装品収容部７１０と、左側シートレール６４Ｌ及び右側シートレール６４Ｒのそれぞれを連結する連結部６８とを備える。 - 特許庁

The metal wiring layer 6 includes a bonding pad portion 6a, which is disposed overlaying the semiconductor element portion 20 with the interlayer insulating film 5 interposed, and the interlayer insulating film 5 includes a polyimide film 5b with a flat upper surface disposed at least in a region right below the bonding pad portion 6a and a region right above the semiconductor element portion.例文帳に追加

金属配線層６は、ボンディングパッド部６ａを含み、ボンディングパッド部６ａは、層間絶縁膜５を介して、半導体素子部２０と重なるように配置され、層間絶縁膜５は、少なくともボンディングパッド部６ａの真下の領域、および、半導体素子部の真上の領域に配置される平坦な上面を有するポリイミド膜５ｂを含む。 - 特許庁

A first contact 45a which reaches an SOI layer 13 below an isolation insulation film 14 and a first contact 42a which reaches the top face of the active region 21 are formed by separate etching processes which each use a mask of a different pattern.例文帳に追加

分離絶縁膜１４の下のＳＯＩ層１３にまで達する第１のコンタクト４５ａと、活性領域２１の上面まで達する第１のコンタクト４２ａとを、それぞれ異なるパターンのマスクを用いた別々のエッチング工程により形成する。 - 特許庁

To suppress diffusion of nitrogen and carbon contained in an inter-electrode insulating film via an application type element isolation insulating film to the side of an active region, directly below a gate insulating film, generation of fixed charge and adverse effects on the electrical characteristics of a device.例文帳に追加

電極間絶縁膜に含有される窒素や炭素が塗布型素子分離絶縁膜を介してゲート絶縁膜直下の活性領域脇に拡散して固定電荷を発生し、デバイスの電気的特性に悪影響を及ぼすことを抑制する。 - 特許庁

Then the semiconductor device has a source-drain region having an SiGe layer 8 which is buried in a recessed portion formed on a surface of the silicon substrate 1 with the gate electrode 4 interposed therebetween to induce strain in the channel formed on the surface of the silicon substrate 1 below the gate electrode 4.例文帳に追加

そして、ゲート電極４を挟むシリコン基板１表面に形成された凹部に埋め込まれ、ゲート電極４下のシリコン基板１の表面に形成されるチャネルに歪みを誘起するＳｉＧｅ層８を備えたソース・ドレイン領域を備える。 - 特許庁

Also, before forming the copper oxide film 11 a deteriorated layer C having conductivity in a region other than immediately below the wiring 7 is completely removed, thereby enabling to prevent without fail the generation of short circuit due to the deteriorated layer C between the wiring 7.例文帳に追加

また、酸化銅膜１１を形成する前に、配線７下以外の領域における導電性を有する変質層Ｃを完全に除去することにより、変質層Ｃに起因する配線７間でのショートの発生を確実に防止することができる。 - 特許庁

A text candidate judging means 4 based on a degree of density obtains the number of text candidates included in a region having a fixed size centered on the text candidate as the degree of density and judges the text candidate having the degree of density below a threshold value as a text.例文帳に追加

密集度に基づくテキスト候補判定手段４は、テキスト候補を中心とした一定の大きさの領域内に含まれるテキスト候補の個数を密集度として求め、密集度がしきい値以下のものをテキストと判定する。 - 特許庁

When one corresponding region below a preset value is present (S154-NO), for example, it is decided that abnormality is present in a device for driving one of LED blocks and a document is not properly illuminated (S156).例文帳に追加

たとえば、予め設定された値を下回る対応領域が存在する場合（Ｓ１５４−ＮＯ）、その数が１つであれば、そのＬＥＤブロックの１つを駆動する仕組みに異常が存在し、原稿を適正に照明していないと判定する（Ｓ１５６）。 - 特許庁

A part B_C of a line of magnetic force coming out from the lower face (N pole) of an outer segment magnet M_5 descends to the peripheral plasma region PS_B just below, makes the U-turn upward, and reaches the lower face (S pole) of the inner segment magnet m_5 adjacent to a radius direction.例文帳に追加

さらに、外側セグメント磁石Ｍ_5の下面（Ｎ極）から出た磁力線の一部Ｂ_Cが、直下の周辺プラズマ領域ＰＳ_Bに降りてから上方へＵターンして半径方向隣の内側のセグメント磁石ｍ_5の下面（Ｓ極）に達する。 - 特許庁

The plurality of first wirings 12 are provided in a region immediately below the pad 1, with a plurality of first direction wirings 12A extending in a first direction and a plurality of second direction wirings 12B that extends in a second direction orthogonal to the first direction.例文帳に追加

複数の第１の配線１２は、パッド１の直下の領域において、第１の方向に延びる複数の第１方向配線１２Ａと、第１の方向と直交する第２の方向に延びる複数の第２方向配線１２Ｂとを有する。 - 特許庁

To solve a problem of a reduction in filling efficiency of intake air and a reduction in drivability due to an insufficiency of cooling of the intake air in an intercooler 18 caused when a traveling speed of a vehicle is brought into an acceleration condition from a condition (a low-speed region) below a prescribed low-speed.例文帳に追加

車両の走行速度が所定の低速度未満となる状態（低速域）からの加速状態となる場合、インタークーラ１８における吸気の冷却不足が生じることで、吸気の充填効率が低下し、ドライバビリティが低下すること。 - 特許庁

The light-shielding film 10 is formed below the light-shielding film 8 in a region between the corresponding photodetection unit 11 and vertical charge transfer unit 12 adjacent thereto, while being insulated from the light-shielding film 8 and transfer electrodes 3 and 5.例文帳に追加

遮光膜１０は、遮光膜８、転送電極３及び５から絶縁された状態で、遮光膜８の下層に、対応する受光部１１とそれに隣接する垂直電荷転送部１２との間の領域に少なくとも形成されている。 - 特許庁

In the second step, a recording magnetic field is applied to the hard disk medium so that the magnitude Hz of the recording magnetic field applied to the at least one magnetic particle 104a adjacent to the rear end of the high temperature region HT may be 3kOe or below.例文帳に追加

第２のステップでは、高温領域ＨＴの後端に隣接する少なくとも１つの磁性粒子１０４ａに印加される記録磁界の大きさＨｚが３ｋＯｅ以下となるように、ハードディスク媒体に記録磁界を印加する。 - 特許庁

A white balance evaluating means 1011 determines the designated area based on the position of the specific portion and discriminates as a skin region, a divided area wherein a difference between the first color ratio and the second color ratio is below a first value in the plurality of divided areas.例文帳に追加

ホワイトバランス評価手段１０１１は、該指定領域を、該特定部分の位置に基づいて決定し、複数の分割領域のうち第１の色比と第２の色比との差が第１の値以下となる分割領域を肌領域と判定する。 - 特許庁

A part B_C of the line of magnetic force coming out from the lower face (N pole) of the outer segment magnet M_O descends to the peripheral plasma region PS_B just below, makes the U turn upward, and reaches the lower face (S pole) of the inner segment magnet m_O adjacent to a radius direction.例文帳に追加

さらに、外側セグメント磁石Ｍ_Oの下面（Ｎ極）から出た磁力線の一部Ｂ_Cが、直下の周辺プラズマ領域ＰＳ_Bに降りてから上方へＵターンして半径方向隣の内側のセグメント磁石ｍ_Oの下面（Ｓ極）に達する。 - 特許庁

The device 1 has a characteristic wherein, when the rotation angle of the magnetism generation member 2 is 0 degree, assuming that the position of the magnetic detector 4 is at 0 degree, density maximum parts in a magnetic flux density distribution of the yoke 3 are unevenly distributed on the region side over 270 degrees and below 90 degrees.例文帳に追加

磁気発生部材２の回転角が０度のとき、ヨーク３の磁束密度分布における密度最大部分は、磁気検出器４位置を０度として、２７０度を超え９０度未満の領域側に偏在していることを特徴とする。 - 特許庁

Also, the gate structure has an oxygen-dope titanium membrane 3 (the film is mixed with amorphous titanium that oxygen is doped, and amorphous titanium oxide or titanium oxide microcrystals) below the platinum microcrystals 5 with the Pt-Ti-O region in the grain boundary 6.例文帳に追加

さらに、結晶粒界６にＰｔ−Ｔｉ−Ｏ領域を有するプラチナ微結晶５の下に、酸素ドープチタン膜３(酸素をドープした非晶質のチタン、非晶質酸化チタン、または、酸化チタン微結晶が混じり合った膜)を形成した構造とする。 - 特許庁

The space interval between these exposed fine copper particles is set to be a value which is sufficiently smaller than the diameter of the region required for bacteria adhered to the surface of the grip part to form a colony and to grow, and preferably is set to below 100μm in general. 例文帳に追加

これら露出した銅の微細粒子同志の間隔が把持部の表面に付着した菌類がコロニーを形成して繁殖するために必要とされる領域の径より十分小さい値とされ、通常は、100μm以下に設定することが望ましい。 - 特許庁

The surface layer of an n^--type drift layer located below a recess 20 in a p-type RESURF layer 21 is connected, by migration of SiC, to a part formed on the surface layer of a p-type base region 3 in the p-type RESURF layer 21.例文帳に追加

ＳｉＣのマイグレーションによってｐ型リサーフ層２１のうち凹部２０の下方に位置するｎ^-型ドリフト層２の表層部と、ｐ型リサーフ層２１のうちｐ型ベース領域３の表層部に形成された部分とが接続されるようにする。 - 特許庁

A piece or a plurality of pieces of the single-crystal semiconductor substrates are fixed on the base substrate, and an electromagnetic wave is irradiated with a frequency below 300 GHz and over 300 MHz to separate the single-crystal semiconductor substrate on the base substrate at the damaged region.例文帳に追加

ベース基板に、この単結晶半導体基板を１枚または複数固定し、周波数が３００ＭＨｚ以上３００ＧＨｚ以下の電磁波を照射してベース基板上の単結晶半導体基板を損傷領域で分割する。 - 特許庁

To provide a light source cooling device disposed in a small housing, capable of effectively cooling down a light-emitting element without using a fan in a severe use environment with the installation region limited in the vicinity of the portion immediately below the light-emitting element.例文帳に追加

設置領域が発光素子の真下部分近傍に限定された厳しい使用環境の下で、ファンを使用することなく、効果的に発光素子を冷却することができる、小型筐体内に配置される光源冷却装置を提供する。 - 特許庁

An upper surface of a heat radiation plate 109 is not bonded with a metal layer 107, for example, from a region immediately below a temperature sensor 104 to an end part on the temperature sensor 104 side, and a space 110 is formed between the upper surface of the heat radiation plate 109 and the metal layer 107.例文帳に追加

放熱板１０９の上面では、たとえば温度センサ１０４の直下領域から温度センサ１０４側の端部に向けて金属層１０７と接合されていなく、金属層１０７との間に空間１１０が形成されている。 - 特許庁

Thus, the part from the p+ layer 350 of the PD 119 to the p-type channel layer right below the transfer gate is directly connected, the n-type layer 360 of the PD 119 is surrounded by a p-type region and the dark current is suppressed to be extremely small.例文帳に追加

これにより、ＰＤ１１９のｐ＋層３５０から転送ゲート部の直下のｐ型チャネル層にわたる部分が直接接続され、ＰＤ１１９のｎ型層３６０をｐ型の領域で包囲でき、暗電流を極小に抑制できる。 - 特許庁

To provide the method of manufacturing a semiconductor device in which a source/drain diffusion layer having a straight line portion which is equal to or below the limit of the resolution of lithography used as a memory cell array region and a connection portion which connects the straight line portion can be formed easily.例文帳に追加

メモリセルアレイ領域となるリソグラフィの解像限界以下の直線部と、その直線部を接続する接続部とを有するソース・ドレイン拡散層を簡易に形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The carrying belt 25 is retreated from the printing region of the inkjet recording head 12 in the direction orthogonal to the carrying direction, enabling the maintenance unit 26 located below the inkjet recording head 12 to conduct maintenance of the recording head 12.例文帳に追加

搬送ベルト２５をインクジェット記録ヘッド１２の印字領域から、搬送方向と直交する方向に退避させることで、インクジェット記録ヘッド１２の下方に配置したメンテナンスユニット２６によって、インクジェット記録ヘッド１２のメンテナンスを行うことができる。 - 特許庁

The fixing member 45 is mounted so that it can be inserted in the mounting aperture (not shown), and therefore, the landing 43a is on the same plane as the PCB, and a component disposing region having the above height is fixed below the connector 30.例文帳に追加

固定部材４５は、ＰＣＢ内の、取付けアパーチャ（図示せず）内部に挿入可能に取り付けられ、そのため、ランディング４３ａはＰＣＢと同一平面上にあり、コネクタ３０の下方に、高さｈを有する構成要素配置領域を固定する。 - 特許庁

When the luminance of all the pixels included in a region which includes and continues to the periphery of the screen and is a predetermined size or larger is the predetermined illuminance or below ("YES" in step S7), it is reported that photographing is troubled visibly or by audible sound.例文帳に追加

画面の周辺を含むと共に連続しており所定サイズ以上である領域に含まれるすべての画素の輝度が所定輝度以下であるとき（ステップＳ７の“ＹＥＳ”）、撮影に支障がある旨を可視的に又は可聴音により報知する。 - 特許庁