「region below」に関連した英語例文の一覧と使い方(13ページ目) - Weblio英語例文検索

The space 1 having a large dimension of a vertical direction and formed in a frame F immediately below the movable region of the carrier base V is utilized as a wiring space 33 to lay the signal line C of the seat sensor 22 etc. arranged on the carrier base V, so that the signal line C becomes a drooping state on the wiring space 33.例文帳に追加

キャリアベースＶの可動領域の直下のフレームＦ内に形成される上下方向の寸法の大きな空間部１を配線空間３３として利用して、キャリアベースＶ上に配置された着座センサ２２等の信号線Ｃを前記配線空間３３に垂下状態で配線する。 - 特許庁

A character recognition section 3 performs a character recognition processing on the reference document image data and the plurality of pieces of document image data, and counts the number of characters in a prescribed size or below, which are included in a region designated by an operator, in the reference document image data and the plurality of pieces of document image data.例文帳に追加

文字認識部３は、基準文書画像データと複数の文書画像データとに対して文字認識処理を行い、基準文書画像データと複数の文書画像データとのそれぞれにおいて、操作者によって指定された領域に含まれる所定の大きさ以下の文字の数をカウントする。 - 特許庁

The length of the time from the nip passage of the preceding recording medium between the two successively fixed recording media to the nip entry of the following recording medium is extended until the temperature of the paper non-passing region of the nip falls below 150°C.例文帳に追加

ニップの非通紙領域温度が１５０℃以下になるまで、連続して定着に供される二つの記録媒体における先発記録媒体のニップ通紙後から該先発記録媒体に後続する後発記録媒体のニップ突入までの紙間時間の長さを延長する。 - 特許庁

An impedance computation unit 140 determines the impedance of a fuel cell 40 in the low-frequency region (frequency band below 10 Hz for example) in accordance with the FC voltage Vf which is detected by a voltage sensor 141 and the FC current If which is detected by a current sensor 142.例文帳に追加

インピーダンス演算部１４０は、電圧センサ１４１によって検出されるＦＣ電圧Ｖｆ、電流センサ１４２によって検出されるＦＣ電流Ｉｆに基づいて低周波領域（例えば１０Ｈｚ以下）における燃料電池４０のインピーダンスを求める。 - 特許庁

The digital still camera 10 includes a CCD 12 wherein pixels whose values in each of three primary colors are detected through color filters are respectively placed to each of prescribed regions and one defective pixel or below causing the temperature white defect is specified to exist in each region, and a temperature white defect correction unit 14.例文帳に追加

色フィルタを通して３原色の各色の画素値を検出する画素が所定の領域のそれぞれに配置され、温度白キズを生じる欠陥画素が各領域内に１つ以下と規定されているＣＣＤ１２と、温度白キズ補正装置１４とを備えるデジタルスチルカメラ１０。 - 特許庁

A light exposure is altered within a scope of at least an appropriate light exposure or below, while sequentially transferring a measuring pattern disposed on a reticle R to a wafer W disposed on an image plane side of a projection optical system PL to form a first region composed of a plurality of block regions on the wafer.例文帳に追加

少なくとも適正露光量以下の範囲内で露光量を変更しながら、レチクルＲ上に配置された計測用パターンを投影光学系ＰＬの像面側に配置されたウエハＷに順次転写して複数の区画領域から成る第１領域をウエハ上に形成する。 - 特許庁

On the other hand, the width in the element radial direction of the plate rings 84 provided on the side of the element end of the plate rings 11 is larger than the sum of the width in the element radial direction in the guard ring layer 81 positioned right below the plate rings 84 and that in the electric field concentration region.例文帳に追加

一方、前記プレートリング１１の素子端部側に設けられるプレートリング８４における素子径方向の幅は、そのプレートリング８４の直下に位置するガードリング層８１と電界集中領域とにおける各々の素子径方向の幅の和と比較して、広いものとする。 - 特許庁

An impurity diffusion region 34 located below an upper electrode 20 is deeper at its peripheral part than at its center, so that the peripheral part in which a current is concentrated is prevented from increasing in current density and furthermore from deteriorating in quality due to an increase in current density.例文帳に追加

上部電極２０の下側に位置する不純物拡散領域３４の外周部が中央部に比べて深く形成されていることから、電流が集中するその外周部における電流密度の上昇が抑制され、延いてはそれに起因する劣化が抑制される。 - 特許庁

In the liquid injection device, a printer executes a first waveform mode which generates a normal waveform (SD) by incorporating each pulse waveform PW of a drive signal COM, when the temperature T, of a peripheral region of a recording head, which is detected by a temperature detection sensor, is below a specified temperature level.例文帳に追加

プリンタは、温度検出センサにより検出される記録ヘッドの周辺域の温度Ｔが所定温度以下のときには、駆動信号ＣＯＭ中の各パルス波形ＰＷをそれぞれ取り込んで通常波形（ＳＤ）を発生させる第１の波形モードを実行する。 - 特許庁

If the polarization direction of the ferroelectric layer 130 responsive to 0 or 1 is decided in advance and the polarization direction is controlled for each region below the upper electrodes 150, 160, then it is possible to write 2 bit data to one FET-type ferroelectric memory cell 100.例文帳に追加

０又は１に対応させる強誘電体層１３０の分極方向を決めておき、各上部電極１５０、１６０の下方領域毎に分極方向を制御すれば、１つのＦＥＴ型強誘電体メモリセル１００に２ビットのデータを書き込むことができる。 - 特許庁

When this demanded driving power is obtained by generating operation of the fuel cell in a low load region below a threshold power Xps, the fuel cell equipment group is let stop and a motor 32 is rotated by a secondary battery 30 alone with its remaining capacity, to drive the vehicle with the demanded driving power.例文帳に追加

この駆動要求パワーが閾値パワーＸｐｓ以下の低負荷領域の燃料電池発電運転で得られるものである場合には、燃料電池機器群を停止させ、２次電池３０単独でその残存容量Ｑによりモータ３２を回転させて、車両を駆動要求パワーで駆動する。 - 特許庁

As a resort, a part below the thick second part 13b is made a high resistance region 12b, and the high resistance region 12b can be formed readily without executing a complicated process.例文帳に追加

高抵抗領域１２ｂは、絶縁膜１３を、膜厚が薄い第一部分１３ａと、膜厚が厚い第二部分１３ｂとを形成して、膜厚が厚い第二部分１３ｂに不純物が注入されない条件として不純物をドーピングすることにより、膜厚が厚い第二部分１３ｂの下の部分を高抵抗領域１２ｂとしており、複雑な工程を経ることなく、高抵抗領域１２ｂを容易に形成することができる。 - 特許庁

The piezoelectric thin film element comprising a piezoelectric ceramic sandwiched by upper and lower electrodes has a lower field region (70 kV/cm or below) where the displacement δ in a field vs displacement characteristic curve A depends on the field E, and an intermediate field region (70 kV/cm-140 kV/cm) where the displacement δ does not depend on the field E but has a constant value.例文帳に追加

本発明の圧電体薄膜素子は、上部電極と下部電極に挟まれた圧電性セラミックスを備える圧電体薄膜素子であって、電界対変位特性曲線Ａが、変位δが電界Ｅに依存する低電界領域（７０ｋＶ／ｃｍ以下）と、変位δが電界Ｅに依存せずに一定の値を有する中電界領域（７０ｋＶ／ｃｍ以上１４０ｋＶ／ｃｍ以下）とを有する。 - 特許庁

The resulting components will exhibit a surface region having a mean precipitate sizing of between about 50 and 100 nm and a Sigma A of less than about 2×10^-19 hr with the workpiece processing generally being limited to temperatures below 680°C for extrusion and below 625°C for all other operations, thereby simplifying the fabrication of the nuclear reactor components while providing corrosion resistance comparable with conventional alloys.例文帳に追加

得られた構成部品は、一般的に加工物処理を押出し成形については６８０°Ｃ以下の温度にまた他の全ての作業については６２５°Ｃ以下の温度に制限した状態で、約５０〜１００ｎｍの析出物平均サイズを有する表面領域と約２×１０^−１９時間よりも小さいシグマＡとを示し、従来型の合金に匹敵する耐食性を得ながら原子炉構成部品の製造を簡素化させる。 - 特許庁

An average pitch of fine surface projection and recession of the reflection electrode 31 is controlled to be 1 μm or less, and reflectance in a wavelength region of 200-400 nm is controlled to be 90% or more of reflectance at the wavelength of 400 nm, by forming a metal film constituting the reflection electrode 31 at 170°C or below.例文帳に追加

反射電極３１を構成する金属膜の成膜温度を１７０℃以下で行うことにより、反射電極３１の微細な表面凹凸の平均ピッチを１μｍ以下に制御し、波長域２００ｎｍ〜４００ｎｍでの反射率を波長４００ｎｍでの反射率の９０％以上とする。 - 特許庁

The processing vessel is constructed in a single pipe structure arranging a gas introductory inlet 4 on its top and an outlet 6 under the processing vessel 2, and a gas passage 27 over the lid 17 for introducing the processing gas from the gas introductory inlet 4 to a central region below the holder 16 and then to the exhausting outlet 6.例文帳に追加

前記処理容器２を単管構造とし、その頂部にガス導入口４を設け、処理容器２の下側部に排気口６を設け、前記蓋体１７上に前記ガス導入口４からの処理ガスを保持具１６の下方の中央に導いて前記排気口６へ案内するガス通路２７を設けている。 - 特許庁

An insulating film having an opening is provided below a region of the Schottky barrier diode where at least an external connection means is fixed, to form a Schottky metal layer, and the diode characteristics are prevented from deteriorating owing to the mechanical damage when the anode electrode made of, for example, aluminum and an aluminum wire are connected to each other.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオードの少なくとも外部接続手段を固着する領域の下方に開口部を有する絶縁膜を設けショットキー金属層を形成し、例えばアルミニウムからなるアノード電極とアルミニウムワイヤの接合時の機械的ダメージによるダイオード特性の劣化を防止することができる。 - 特許庁

The method includes filtering the heterogeneous clarified fluid mixture by continuous ultrafiltration at a specific flow rate below the transition point of the molecule of interest in the pressure-dependent region of the flux versus TMP curve, wherein the specific flow rate is maintained substantially constant throughout the continuous ultrafiltration.例文帳に追加

この方法は、流束対ＴＭＰ曲線の圧力依存性領域において、対象分子の転移点より下の比流量での連続限外濾過によって、不均一な清澄液混合物を濾過すること含み、比流量は連続限外濾過の間を通して実質的に一定に維持されている。 - 特許庁

Since the light shielding layer 24 is arranged, the light emitted from below the substrate is shielded while maintaining the pixel opening ratio of the semiconductor device without largely forming the lower light shielding film 22 more than needed and light leakage in a channel region constituting the TFT is suppressed.例文帳に追加

この遮光層２４が設けられていることによって、必要以上に下部遮光膜２２を大きく設けることなく、半導体装置の画素開口率を維持しつつ、基板の下方から照射される光を遮光して、ＴＦＴを構成するチャネル領域における光リークの発生を抑制することができる。 - 特許庁

The optical sensor 1 has a photoelectric conversion device region 3 and a connection pad 4 on the underside of a semiconductor substrate 2, and also has wiring 9 connected to the connection pad 4 through insulation films 5, 7 and a columnar electrode 12, as an external connection electrode, connected to the wiring 9 below the semiconductor substrate 2.例文帳に追加

光センサ１を、半導体基板２の下面に光電変換デバイス領域３および接続パッド４を有し、且つ、半導体基板２下に絶縁膜５、７を介して接続パッド３に接続された配線９および該配線９に接続された外部接続用電極としての柱状電極１２を有するものとする。 - 特許庁

An average pitch of fine surface irregularity of the reflective electrode 31 is controlled to 1μm or less, and a reflectance in a wavelength region of 200-400 nm is controlled to 90% or more at that of the wavelength of 400 nm, by forming the metallic film constituting the electrode 31 at 170°C or below.例文帳に追加

反射電極３１を構成する金属膜の成膜温度を１７０℃以下で行うことにより、反射電極３１の微細な表面凹凸の平均ピッチを１μｍ以下に制御し、波長域２００ｎｍ〜４００ｎｍでの反射率を波長４００ｎｍでの反射率の９０％以上とする。 - 特許庁

An end of the pixel separation layer 117 on a side of the photoelectric conversion part is farther apart from the photoelectric conversion part than an end of the holding part lower separation layer 111 on a side of the photoelectric conversion part, and an N-type semiconductor region constituting a part of the photoelectric conversion part is arranged below at least a part of the holding part lower separation layer 111.例文帳に追加

画素分離層１１７の光電変換部側の端部が、保持部下分離層１１１の光電変換部側の端部に比べて、光電変換部から離れた位置にあり、保持部下分離層１１１の少なくとも一部の下部に前記光電変換部の一部を構成するＮ型の半導体領域が配されている。 - 特許庁

A first masking blade for exposing only a desired pattern on a reticle by an exposure device is installed above a reticle stage, and a second masking blade is installed below the reticle stage to prevent light transmitted in a non-exposure region on the reticle from entering a projection lens owing to stray light.例文帳に追加

露光装置においてレチクル上の所望のパターンのみを露光するためのマスキングブレードをレチクルステージの上部に第一のマスキングブレードを設置し、さらにレチクルステージの下部に第二のマスキングブレードを設置することにより、迷光によりレチクル上の非露光領域を透過した光を投影レンズ内に入り込む事を防止することができる。 - 特許庁

The housing includes a region which is allowed to hold powder while fluid is communicated with the flow path arrangement, and is constituted so that air drawn through the mouthpiece opens the threshold valve once the first vacuum level is exceeded and remains open until the vacuum falls below the second vacuum level.例文帳に追加

上記ハウジングは、上記流路構成と流体連通して粉末を保持するようにされている領域を含み、一旦第１真空レベルを超えると上記マウスピースを通って吸い込まれる空気がスレッショルドバルブを開き、上記真空度が上記第２真空レベル以下に下がるまで開いたままにするようになっている。 - 特許庁

When the signal level is the threshold value or below, an imaging signal is clamped at an output signal level for a transfer period of a horizontal OB region 3c, and when the signal level exceeds the threshold value, the imaging signal is clamped at a signal level of an output signal of a dummy register 35 of a horizontal transfer section so as to ensure a black level.例文帳に追加

信号レベルが閾値以下であれば、撮像信号を、水平ＯＢ領域３ｃの転送期間の出力信号レベルでクランプし、信号レベルが閾値を超えていれば、撮像信号を、水平転送部におけるダミー用レジスタ３５の出力信号の信号レベルでクランプすることにより黒レベルを確保する。 - 特許庁

A power trench MOS gate device is provided with a heavily- doped semiconductor substrate 201, a deep trench gate 213 separated by an insulating layer 212 in an upper layer composed of an N-epitaxial layer 202, doped to a first conductivity-type and well layers 215 doped to a second conductivity-type, and a strongly conductive drain region 211 below the trench gate 213.例文帳に追加

重くドープした半導体基体２０１と、この基体上に第１導電型にドープしたＮ−エピタキシャル層２０２と第２導電型にドープしたウエル層２１５からなる上側層内に、絶縁層２１２で分離された深いトレンチゲート２１３とを設け、トレンチゲート２１３の下に強導電性ドレイン領域２１１を設ける。 - 特許庁

The microtome 10 includes a safety guard 40 having a guard part 40e positioned nearer to the specimen holder 32 side than the cutting blade 15 and below the cutting blade 15 only when the cutting blade holder 16 is located in the waiting region R1, for guarding the hand or finger of the worker from getting into contact with the tip of the cutting blade 15.例文帳に追加

ミクロトーム１０は、切断刃ホルダ１６が待機領域Ｒ１に位置する際にのみ、切断刃１５よりも試料ホルダ３２側に位置するとともに切断刃１５よりも下方に位置して切断刃１５の刃先に人の手指が触れないようにガードするガード部４０ｅを有する安全ガード４０を備える。 - 特許庁

The fuel tank 700 is placed in a region below the ridge 110 and constituted of a body 710 placed behind the cross beam 414 and a projection 720 projecting forward from the side surface of the upper part of the body section 710 so as to extend into a space sandwiched between a first cross member 310 and the cross beam 414.例文帳に追加

燃料タンク７００は、隆起部１１０の下方の領域に設けられ、クロスビーム４１４の後方に設けられた本体部７１０と、第１クロスメンバ３１０とクロスビーム４１４とに挟まれた空間に延びるように本体部７１０の上部側面から前方に突出する突出部７２０とで構成される。 - 特許庁

In view of the above, a part of the internal wiring layer 50 in a region immediately below the position where the IC package 1 is mounted, thereby the difference in a linear expansion coefficient between the IC package 1 and the printed board 40 at its mounting position, and thus, a stress to be applied to the solder 90 can be further reduced.例文帳に追加

従って、ＩＣパッケージ１の実装位置の直下に対応する領域の内層配線層５０の一部を除去することにより、ＩＣパッケージ１の実装位置におけるプリント基板４０との線膨張係数差を小さくすることができ、はんだ９０に作用する応力をより小さくすることができる。 - 特許庁

At least one of the optical elements is a prism sheet and a phase difference delay to an optical axis of a polarizing plate provided on the light source side of the liquid crystal panel is (1/14)π or below of the measurement wavelength in a region for emitting light made incident from the light source toward the liquid crystal panel in the covering member.例文帳に追加

また、光学素子の少なくとも１つはプリズムシートであり、包括部材における光源から入射された光を液晶パネルに向けて出射する領域は、液晶パネルの光源側に設けられた偏光板の光軸に対する位相差遅れが、測定波長の（１／１４）π以下である。 - 特許庁

In a high breakdown voltage MOS transistor 101, a peak p1 in concentration distribution in a depthwise direction of p-type impurity in the drain offset region 4, and a peak p2 in concentration distribution in a depthwise direction of n-type impurity having higher concentration than p-type impurity, are positioned in same depth just below the gate electrode 9.例文帳に追加

本発明の高耐圧ＭＯＳトランジスタ１０１は、ゲート電極９の直下では、ドレインオフセット領域４中のＰ型不純物の深さ方向の濃度分布のピークｐ１と、Ｐ型不純物よりも高濃度のＮ型不純物の深さ方向の濃度分布のピークｐ２とを互いに同じ深さ位置にしている。 - 特許庁

Disclosed is the image forming apparatus having a developing means of developing an electrostatic latent image formed on an image carrier with a developer carried on a developer carrier, the image forming apparatus being characterized in that the entire region of a developer supply opening portion provided to the developing means is disposed below a developer draft surface.例文帳に追加

像担持体上に形成された静電潜像を現像剤担持体上に担持された現像剤で顕像化する現像手段を有する画像形成装置において、前記現像手段に設けられた現像剤補給開口部の全域が現像剤喫水面より下側に位置することを特徴とする画像形成装置。 - 特許庁

In a semiconductor device having a multilayer wiring structure composed of a plurality of wiring layers and pad regions 13 disposed around an inner region 11 on the surface central part, various elements such as inter- power-source capacitances 19, protective elements 31 and input/output elements forming I/O regions 12 are formed below the pad regions 13.例文帳に追加

複数の配線層からなる多層配線構造を有し、表面中央部の内部領域１１の周囲にパッド領域１３が配置された半導体装置において、パッド領域１３の下方に、電源間容量１９や保護素子３１やＩ／Ｏ領域１２を形成する入出力素子等の各種素子を形成した。 - 特許庁

The bonding apparatus contains a two-vertical-field-of-view camera 3 for photographing a circuit board 5 having a bump formation surface for a semiconductor chip 8 and an opening 51, and a lower camera 4 which is located below a substrate mounting portion 1 and photographs a region including the opening 51 of the circuit board mounted on the substrate mounting portion 1.例文帳に追加

ボンディング装置は、半導体チップ８のバンプ形成面と、開口５１を有する回路基板５を撮影する上下二視野カメラ３と、基板搭載部１の下方に設置され、基板搭載部１上に搭載された回路基板５の開口５１を含む領域を撮影する下方カメラ４を含む。 - 特許庁

The land 10 is buried in the insulating layer 2 so as to make its mounting surface MP, which is bonded to the electronic component EP, exposed on the surface 1a, and an anchor part 13 expanding outward from a region located below the mounting surface MP is provided to a part of the land 10 buried in the insulating layer 2.例文帳に追加

このランド１０が、電子部品ＥＰと接合する実装面ＭＰが表面１ａから露出するように絶縁層２に埋め込まれており、ランド１０の絶縁層２に埋め込まれた部位の少なくとも一部に、実装面ＭＰ下の領域から外方に張り出したアンカー部１３が設けられている。 - 特許庁

Since formation of a thin dot is started in the region of the gradation data or below where the recording rate of the thin dot is the maximum, on the occasion, mixing of colors at a joint from recording with the thin dot to one with the dense dot is very smooth in the table referred to and the quality of printing can be made very high.例文帳に追加

このとき、参照するテーブルでは、淡ドットの記録率が最大値となる階調データ以下の領域で濃ドットの形成を開始しているので、淡ドットによる記録から濃ドットによる記録へのつなぎ目における混色が極めてスムースであり、印刷の品質を極めて高くすることができる。 - 特許庁

Carriers generated by the breakdown can be made not to flow below n^+-type source regions 6 and 7, so when a surge is generated, a parasitic transistor comprising the n^+-type source regions 6 and 7, the p-type base region 3, and the n-type drift layer 2 does not operate, so that the resistance can be improved.例文帳に追加

このブレークダウンにより発生するキャリアはｎ^+型ソース領域６、７の下方を流れないようにできるため、サージ発生時にｎ^+型ソース領域６、７とｐ型ベース領域３およびｎ型ドリフト層２とにより構成される寄生トランジスタが動作せず、耐量を向上させることが可能となる。 - 特許庁

To increase a capacitor's capacitance without enlarging a step to a peripheral circuit part and with less photolithography processes required for capacitor formation, by, related to a DRAM of COB(capacitor over bit line) structure, forming a stack electrode in the region below a bit line as well.例文帳に追加

ＣＯＢ構造のＤＲＡＭにおいて、ビット線以下の領域にもスタック電極を形成することにより、周辺回路部との段差を大きくすることなく、キャパシタ容量を増加することができると共に、キャパシタ形成に必要なフォトリソグラフィ工程を低減することができるＤＲＡＭ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Below a center case 28 in a game board 8 of the Pachinko machine, a slot 120, which is formed in a game region 26 horizontally, and a movable starting opening 110, which is supported by a supporting member passing through the slot 120 and moved along the slot 120 by the supporting member moving horizontally, are provided.例文帳に追加

パチンコ機の遊技盤８におけるセンターケース２８の下方には、遊技領域２６に水平方向に形成されたスロット１２０と、該スロット１２０を挿通する支持部材により支持され、該支持部材が水平方向に移動することで、該スロット１２０に沿って移動する移動可能始動口１１０が設けられている。 - 特許庁

The recorder 100 records information on a recording medium being fed by a feed roller 142 using a recording head 153 mounted on a carriage 151 wherein the feed roller is disposed directly below the scanning region of the carriage and juxtaposed to a wiring board for connecting the recording head electrically with a control section on the underside thereof.例文帳に追加

供給ローラ１４２により供給される記録媒体に対してキャリッジ１５１に搭載された記録ヘッド１５３により情報を記録する記録装置１００の供給ローラを、キャリッジの走査領域の直下に配設すると共に、記録ヘッドと制御部とを電気的に接続する配線板に対して下方に並設する。 - 特許庁

The semiconductor apparatus comprises an epitaxial layer 113, channel region 105 formed on the epitaxial layer, trench 103a extending from the surface of the channel region 105 to the epitaxial layer 113, gate oxide film 104 which covers the inner surface of the trench 103a, gate electrode 103 embedded inside the trench 103a, and buried oxide film 112 formed at a distance from the gate oxide film 104 below the gate electrode 103.例文帳に追加

本発明にかかる半導体装置は、エピタキシャル層１１３と、エピタキシャル層の上に形成されたチャネル領域１０５と、チャネル領域１０５の表面からエピタキシャル層１１３に達するトレンチ１０３ａと、トレンチ１０３ａの内面を被覆するゲート酸化膜１０４と、トレンチ１０３ａ内部に埋め込まれたゲート電極１０３と、ゲート電極１０３の下方に、ゲート酸化膜１０４と離間して形成された埋め込み酸化膜１１２とを有するものである。 - 特許庁

The method of manufacturing the GaN-based LED element includes: a step of forming a first metal film containing a specified metal on a portion of an upper surface of the TCO film; and the step of partially increasing the resistance between the p-type contact layer and the TCO film in the region below the first metal film by thermally processing a semiconductor wafer.例文帳に追加

特定の金属を含有する第１金属膜をＴＣＯ膜の上面の一部に形成する工程と、半導体ウェハを熱処理することによって、ｐ型コンタクト層とＴＣＯ膜との間の抵抗を前記第１金属膜の下方の領域において部分的に増加させる工程と、を含むＧａＮ系ＬＥＤ素子の製造方法が提供される。 - 特許庁

The semiconductor device is equipped with a semiconductor substrate, a first interlayer insulating film 3 formed on the semiconductor substrate, a pad 1 formed on the first interlayer insulating film 3 and a plurality of first wirings 12, formed independently in the first interlayer insulating film 3 with mutual interval therebetween in a region immediately below the pad 1.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板と半導体基板の上に形成された第１の層間絶縁膜３と、第１の層間絶縁膜３の上に形成されたパッド１と、パッド１の直下の領域において、第１の層間絶縁膜３中にそれぞれが互いに間隔をおいて独立して形成された複数の第１の配線１２とを備えている。 - 特許庁

An inflow/outflow opening 17 for the content liquid between the container body 12 and the trap room 14 is formed at the bottom 15a of the bottomed tube 15, and a raised bottom 18 which is higher than the bottom surface 15b in a region including a part that is immediately below the pouring opening 16 to the pouring nozzle 19 is formed at the bottom 15a of the bottomed tube 15.例文帳に追加

有底筒体１５の底部１５ａに、容器本体１２とトラップルーム１４との間の内容液の流入流出口１７が開口形成されており、有底筒体１５の底部１５ａには、注出ノズル１９への注出口１６の直下部分を含む領域において底面１５ｂよりも高くなった上げ底部１８が形成されている。 - 特許庁

To provide a TEG pattern, and a testing method of a semiconductor element using the pattern capable of confirming a leakage current level generated by erroneously aligned landing to an active region of M1C through silicon substrate data in a viewpoint of an active extension design rule to the M1C in a manufacturing method of a semiconductor device of 90 nm class or below.例文帳に追加

９０ｎｍ級以下の半導体素子の製造において、Ｍ１Ｃのアクティブ領域に対するミスアラインされたランディングによって発生する漏洩電流水準をＭ１Ｃに対するアクティブエクステンションデザインルールの観点でシリコン基板データを通じて確認可能にすることができるテグパターン及びそのパターンを利用した半導体素子検査方法を提供する。 - 特許庁