「region below」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

Polyester resins which do not contain THF insoluble components, are ≤4 wt.% in the content ratio of the components below a molecular weight 500 in the molecular weight distribution in gel permeation chromatography and have one peak in a region of a molecular weight 3,000 to 9,000 are used as the binder resins of the electrophotographic toners for the one-component developer.例文帳に追加

一成分現像剤用の電子写真用トナーにおいて、結着樹脂として、ＴＨＦ不溶分がなく、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにおける分子量分布において分子量５００以下の成分の含有割合が４重量％以下であり、分子量３０００〜９０００の領域に１つのピークを有するポリエステル樹脂を使用すること。 - 特許庁

The luminous material layer comprises luminescent glass formed by mixing fluorescent powder and/or luminous powder emitting light having maximum value of emission spectrum in ultraviolet region with glass transmitting light having a wave length equal to or below that of visible light and the photocatalytic layer comprises the photocatalytic material excited by light emitted from the luminous material layer.例文帳に追加

蓄光材層は、可視光の波長以下の光を透過するガラスに、紫外域に発光スペクトルの極大値がある光を発光する蛍光性粉末及び／又は蓄光性粉末を混合・分散してなる発光ガラスであり、光触媒層は、前記蓄光材層から発光される光により光励起される光触媒性材料からなる。 - 特許庁

The first moving mechanism 30 elevates and lowers the first shutter 20 and second shutter 21 while maintaining a perpendicular posture between in a closing state in which the first shutter 20 closes the opening 17 and the second shutter 21 covers the majority of an upper region 2 AU and in an opening state in which the first shutter 20 and second shutter 21 retract below a path line PL.例文帳に追加

第１移動機構３０は、第１シャッタ２０および第２シャッタ２１を、第１シャッタ２０が開口１７を閉塞し、第２シャッタ２１が上部領域２ＡＵの大部分を覆う閉状態と、第１シャッタ２０および第２シャッタ２１がパスラインＰＬよりも下方に退避する開状態との間で、鉛直姿勢を維持させつつ昇降させることができる。 - 特許庁

c. In a region below a glide path, the vertical angle at which DDM value is 0.22 shall be 0.3 times of theta. In this case, when the vertical point at which DDM reaches 0.22 exceeds 0.45 times of theta, from the vertical point of said point to the vertical point reaches 0.45 times of theta, the DDM value shall be 0.22 or more. 例文帳に追加

ｃ　グライドパスの下方においてＤＤＭが〇・二二である点の垂直角度は、θの〇・三倍以上であること。この場合において、ＤＤＭが〇・二二に達する点の垂直角度がθの〇・四五倍を超えるときは、その点の垂直角度から垂直角度がθの〇・四五倍までの間は、ＤＤＭは、〇・二二以上であること。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

The injector control part controls the injector to terminate a final fuel injection when the crank angle corresponds to a final fuel injection end time when the piston 4 arrives at such a position that the fuel injected from the injector reaches the lip part 7 but does not reach a region below the lip part 7 in a cavity 6a.例文帳に追加

そして、インジェクタ制御部は、クランク角が最後の燃料噴射終了時期に相当する、つまりインジェクタから噴射される燃料がリップ部７に到達し且つキャビティ６ａにおけるリップ部７の下方領域に到達しないような位置にピストン４が達する時期に相当するときは、最後の燃料噴射を終了するようにインジェクタを制御する。 - 特許庁

This semiconductor device provided with the MOS type capacitor is provided with an insulating film 3 formed on a semiconductor substrate 1, an upper electrode 40 formed on the insulating layer 3, a plurality of openings 42 formed on the upper electrode 40, and an impurity region 7 formed on the semiconductor substrate 1 positioned below each of the openings 42.例文帳に追加

本発明に係るＭＯＳ型キャパシタを具備する半導体装置は、半導体基板１に形成された絶縁膜３と、絶縁膜３上に形成された上部電極４０と、上部電極４０に形成された複数の開口部４２と、複数の開口部４２それぞれの下方に位置する半導体基板１に形成された不純物領域７とを具備する。 - 特許庁

The flow heating toward the peripheral edge is, however, formed near the liquid level in the peeling liquid of the treating vessel 20 and the air bubbles by the coating liquid drops which drip down directly below the region, where the photoreceptor drum 10 is immersed or near the same are carried to the peripheral edge, by which the stagnation of the air bubbles near the immersed photoreceptor drum 10 is prevented.例文帳に追加

一方、処理槽２０の剥離液に液面近傍において周縁に向かう流れを形成し、この流れによって、感光体ドラム１０が浸漬される領域の真下または外側に垂れ落ちた塗工液滴による気泡を外周縁に運び、浸漬される感光体ドラム１０の近傍に気泡が滞留することを防止する。 - 特許庁

The impurity density of a p-base region of each cell which constitutes each IGBT chip is increased, the threshold voltage of the gate is set high, and a collector saturation current of each IGBT chip is suppressed to three times as high as rated current or below in order to increase the breaking current of an IGBT pack 20 (semiconductor device) for performing turn-off wherein the IGBT chips 1 are stored.例文帳に追加

ＩＧＢＴチップを構成する各セルのｐベース領域の不純物濃度を高くして、ゲートしきい値電圧を高く設定し、ＩＧＢＴチップのコレクタ飽和電流値を定格電流の３倍以下に抑制し、ＩＧＢＴチップ１が収納されたＩＧＢＴパック２０（半導体装置）のターンオフ可能遮断電流の向上を図る。 - 特許庁

The stud 2 is made of a resin hardening in a temperature region below about 3°C, bites into a frozen face 62 occurring on a travel surface of a travel rail 61 at low temperatures in winter, suppresses slipping of the driving wheel 1 when driving and suppresses locking of the driving wheel 1 when braking, to secure stable traveling of the carrier truck 7.例文帳に追加

これらのスタッド２は、約３℃以下の温度領域で硬化する樹脂製のもので、冬季間の低温時に、走行レール６１の走行面に発生する氷結面６２に食い込み、駆動時には駆動輪１の空転を抑え、制動時には駆動輪１のロックを抑えることによって、搬送台車７の安定した走行を確保することができる。 - 特許庁

A semiconductor device is equipped with a region, which is formed to house a circuit element such as a transistor chip 15, frames 12 and 13 whose parts where penetration sections of Kovar (R) leads 14a and 14b are formed of a ceramic, and a metal heat sink 18, where the metal heat sink 18 is formed of Cu having Vickers hardness 50 or below.例文帳に追加

Ｔｒチップ１５などの回路素子を収納するための領域を形成し、少なくともコバールリード１４ａ、１４ｂの貫通部分がセラミックで形成された枠１２、１３と、回路素子１５が発生する熱を放熱するメタルヒートシンク１８とを具備した半導体装置において、メタルヒートシンク１８としてビッカース硬度が５０以下のＣｕを用いている。 - 特許庁

An auxiliary capacitor 20 is disposed in approximately a position below a pixel transistor 40 with an interlayer insulating film 30 formed with a connecting hole 30a in-between and a lower electrode layer 21 of the auxiliary capacitor 20 is electrically connected through a connecting electrode 31 formed in the connecting hole 30a to an impurity region 41A of the pixel transistor 40.例文帳に追加

補助容量２０は、接続孔３０ａが形成された層間絶縁膜３０を間にして、画素トランジスタ４０の略下方位置に設けられると共に、補助容量２０の下部電極層２１は接続孔３０ａに形成された接続電極３１を介して画素トランジスタ４０の不純物領域４１Ａと電気的に接続される。 - 特許庁

For a central control panel floor structure in a reactor power station drawing external cables 4 from outside by way of the cable pit 6 below the central control room, a fire resistant plate 10 is provided in the cable pit 6 for reducing or protecting the fire effects from the central control room lower region.例文帳に追加

原子力発電所内中央制御室で室外から外部ケーブル４を中央制御室下部のケーブルピット６を介して引き込んでいる原子力発電所の中央制御盤床構造体において、中央制御室下部区域からの火災の影響を軽減または防護することを目的として、ケーブルピット６内に耐火板10を設ける。 - 特許庁

This metallized polyimide film has the polyimide film 1, an intermediate layer 2 wherein at least one kind of an element selected from Mo, Cr, Ni and Si is injected in the surface layer region of 20 nm or below from the surface of the polyimide film 1 and the conductive layer 4 comprising copper or a copper alloy formed on the intermediate layer 2.例文帳に追加

この金属化ポリイミドフィルムは、ポリイミドフィルム１と、このポリイミドフィルム１の表面から２０ｎｍ以内の表層領域にＭｏ，Ｃｒ，ＮｉおよびＳｉから選択される１種又は２種以上の元素を注入した中間層２と、この中間層２上に形成された銅又は銅合金からなる導電層４とを有する。 - 特許庁

The image processing apparatus performs a first optimization process for optimizing the color processing parameters using target color data which is found to be in a prescribed color region and its color data, and a second optimization process for optimizing the color processing parameters using target color data below a prescribed threshold value and its color data.例文帳に追加

尚、最適化処理に際しては、目標色データが所定色域内にあると判定された目標色データとその色データとを用いて色処理パラメータの最適化を行う第１の最適化処理と、色域外にあると判定された目標色データであって所定の閾値以下の目標色データとその色データとを用いて色処理パラメータの最適化を行う第２の最適化処理とが行われる。 - 特許庁

The front body structure of the vehicle includes a priming pump 14a for manually supplying a fuel from a fuel tank FT to a fuel pump FP, disposed in an engine compartment ER of a front part of the vehicle; wherein the priming pump 14a is disposed below a cowl front member 62 provided at a rear part of the engine compartment ER and outside an engine retreating region A1 provided in case of collisions.例文帳に追加

車両前部のエンジンルームＥＲ内に燃料タンクＦＴから燃料ポンプＦＰに対して手動で燃料を供給するプライミングポンプ１４ａが設けられた車両の前部車体構造であって、プライミングポンプ１４ａを、エンジンルームＥＲの後部に設けられたカウルフロントメンバ６２の下方で、かつ衝突時のエンジン後退領域Ａ１の外に配設した。 - 特許庁

A vacuum dust removing device 17 constituting a third purification region comprises a transport pipe 18 with flow disturbing elements, a rotational sieve 19 having a grid of a mesh size suitable for suction of volatile impurities, a flow guide means 23 adjacent the sieve 19 for constituting a flow disturbing element, and a rotary chamber valve 20 positioned below the rotational sieve 19.例文帳に追加

第３の浄化領域を構成する真空塵埃除去装置１７は、流れ攪乱要素付き輸送パイプ１８と、揮発性不純物を吸引可能な網目の格子状構造体を有する回転式篩１９と、回転式篩に隣接して流れ攪乱要素を構成する流れ案内手段２３と、回転式篩下方の回転式チャンババルブ２０とを備える。 - 特許庁

In the stabilizing processing method of applying stabilizing processing to the semiconductor device by supplying a current to the semiconductor device so that a current density in the active region of the semiconductor device is a prescribed value at a prescribed ambient temperature, the prescribed value of the current density is 30 kA/cm^2 or over and 50 kA/cm^2 or below.例文帳に追加

一定の周囲温度のもとで、半導体素子の活性領域における電流密度が所定値となるように前記半導体素子に電流を供給することにより、前記半導体素子の安定化処理を行う安定化処理方法において、前記電流密度の所定値が３０ｋＡ／ｃｍ^２以上、５０ｋＡ／ｃｍ^２以下であることを特徴とする。 - 特許庁

By using a refrigerant having a GWP below 150, and using mixed oil of polyalkylene glycol oil having kinetic viscosity of 20-200 mm^2/s at 40°C, and ester oil, and by setting the kinetic viscosity at 40°C of the polyalkylene glycol oil higher than that of the ester oil, kinetic viscosity in a high-temperature region can be lowered, and power loss by viscosity can be restrained.例文帳に追加

ＧＷＰが１５０以下の冷媒と、４０℃における動粘度が２０〜２００ｍｍ^２／ｓであるポリアルキレングリコール油とエステル油との混合油を用い、４０℃におけるポリアルキレングリコール油の動粘度をエステル油より高く設定したことにより、高温領域における動粘度を低下できることになり、粘性による動力損失を抑制できることとなる。 - 特許庁

To provide a stable electrolyte material, high in safety, exerting favorable ion conductivity not only at room temperature but also in a low temperature region at room temperature or below, and further, when used as an electrolyte of a secondary battery, capable of allowing the secondary battery to have high output and favorable cycle characteristics, thereby capable of being suitably used as a material of secondary batteries including a lithium ion battery.例文帳に追加

安全性が高く、室温だけでなく室温以下の低温領域でも良好なイオン伝導性を発揮し、更に二次電池の電解質として用いたときに二次電池を高出力で良好なサイクル特性を有するものとすることができることから、リチウムイオン電池をはじめとする二次電池の材料として好適に使用できる安定な電解質材料を提供する。 - 特許庁

However, in legislation of government official origin, hakutei took on a broader meaning including people except Onshi (a noble child who qualified for oni [the system which if his father or grandfather had more than Fifth rank, he was automatically granted above a certain rank when he became 21 years old in the Japanese ritsuryo system]) and Ishi (a legitimate child whose father had Eighth rank or more but below Sixth rank in the Japanese ritsuryo system), in other words, to add to original hakutei, a illegitimate child of government official whose rank was from Sixth to Eighth rank of Naii (court rank given to nobles or government official linving in the capital) except Ishi, Gei (Ikai, Court rank for Gozoku, local ruling family in the region and chihokan, a local officials) and Shoi (initial rank) (including Naii), a child of government official with no rank such as Zonin (lower-ranking government official) (Whether it was a legitimate or illegitimate child was not considered).例文帳に追加

なお、官人出身法制においてはもう少し広い意味を持ち、蔭子・位子以外の者、すなわち本来の白丁に加えて位子以外の内位六位から八位の官人の庶子、外位・初位（内位を含む）・雑任等無位の官人の子（嫡子・庶子は問わない）が含まれる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Since inlet lengths for which trimethylaluminum gas travels after entry to a heating region in the processing chamber 32 till being jetted from the group of jets 59 and the group of jets 69 are long and are approximately equal to each other, the supply amount of trimethylaluminum gas is uniform above and below the boat 40 to enhance uniformity within a wafer surface formed on a wafer at 600°C and uniformity between wafers.例文帳に追加

トリメチルアルミニウムガスが処理室３２内加熱領域に入ってから吹出口５９群および吹出口６９群から吹き出されるまでの助走距離が長く、かつ略等しいので、ボート４０の上部と下部とでトリメチルアルミニウムガスの供給量が均一になり、６００℃でウエハ上に形成されたウエハ面内均一性およびウエハ相互間均一性が高まる。 - 特許庁

Moreover, the dielectric layer 2 includes a first buried oxide film 10 formed on the surface of the silicon substrate 1, a shield layer 11 formed under the first buried oxide film 10 oppositely to the element region, a second buried oxide film 12 formed in the periphery of the shield layer 11, and a third buried oxide film 13 formed below the shield layer 11 and the second buried oxide film 12.例文帳に追加

誘電体層２は、シリコン基板１の表面に形成された第１の埋込酸化膜１０と、素子領域に対向して第１の埋込酸化膜１０の下に形成されたシールド層１１と、シールド層１１の周りに形成された第２の埋込酸化膜１２と、シールド層１１および第２の埋込酸化膜１２の下に形成された第３の埋込酸化膜１３とを含む。 - 特許庁

However, looking at the industries ranked second and below in the composition of entry, it becomes obvious that each particular region has its distinguishing characteristics. For example, in NIEs “chemicals,” which is an industry for production of materials used in local industries, is ranked second (18.1 percent), while in ASEAN 4 second is “transportmachinery1” (15 percent) for the automobile industry, where an accumulation has already been achieved,and in China second is “textiles” (17.7 percent) for the purpose of low cost applications in labor intensive industries.例文帳に追加

しかし、各地域への進出における２位以下の業種を見ると、NIEsは現地産業用途向けの素材産業である「化学」（18.1％）、ASEAN４は既に多くの蓄積を有している自動車産業向けの「輸送機械１）」（15.0％）、中国は労働集約工程における低コスト活用目的の「繊維」（17.7％）が中心という特色が表れていると言える。 - 経済産業省

To provide an engine accelerator limiting device limiting an engine rotation control possible region by an accelerator control mechanism below predetermined number of rotation automatically when a temperature of hydraulic fluid is lowered.例文帳に追加

アクセル制御機構９によりその回転数を制御されるエンジン１でもって駆動される油圧ポンプ２の吐出油を、駆動油圧源として駆動される油圧作業機は、作動油の温度が低い状態でエンジン１の回転を高めると油圧ポンプ２吐出油量が増加して低温下で粘度上昇した作動油が大量に油圧配管あるいは各種弁類に流れるので、油圧配管あるいは各種弁類に悪影響を与える。 - 特許庁

In a structure having an intake control valve on an upstream side of a CNG injection valve in an intake port for CNG, when a load is equal to or below a predetermined value Lth, an opening of an intake throttle valve 26 is reduced as a load is small so that an equivalent ratio ϕ of CNG becomes larger than a combustion maintenance reference value ϕmin in a given region including a feed point of a diesel in a cylinder 5.例文帳に追加

ＣＮＧ用吸気ポート内のＣＮＧ噴射弁の上流側に吸気制御弁を有する構成において、負荷が所定値Ｌｔｈ以下の場合に、ＣＮＧの当量比φがシリンダ５内における軽油の供給点を含む所定領域内において燃焼維持基準値φｍｉｎよりも大きい値となるように、負荷が小さいほど吸気絞り弁２６の開度を小さくする。 - 特許庁

The method for recovering the cyclic polyarylene sulfide comprises contact-reacting at least a dihalogenated aromatic compound with a sulfidization agent in an organic polar solvent to obtain a reaction mixture, subjecting the reaction mixture to solid-liquid separation at a temperature region below the boiling point of the organic polar solvent to obtain a filtrate, and removing the organic polar solvent from the filtrate to obtain the high purity cyclic polyarylene sulfide.例文帳に追加

有機極性溶媒中で少なくともスルフィド化剤とジハロゲン化芳香族化合物を接触させて反応させて得られる反応混合物を、有機極性溶媒の沸点以下の温度領域で固液分離することにより得られた濾液から、有機極性溶媒を除去するだけで、純度の高い環式ポリアリーレンスルフィドが得られることを特徴とする環式ポリアリーレンスルフィドの回収方法。 - 特許庁

In carrying out confirmation with regard to an incoming remittance pertaining to a Brokerage Transaction from a third country, does the Remittance Handling Financial Institution, etc. confirm that the place of origin of the goods pertaining to the transaction or the region of shipment thereof is not a country subject to the regulations (including report by the customer)? Incidentally, where it is difficult to carry out such confirmation pertaining to the relevant incoming remittance, does it take the same action as stated in proviso in (iv)b. below? 例文帳に追加

仲介貿易取引に係る第三国からの被仕向送金についての確認に際しては、当該取引に係る貨物の原産地又は船積地域が規制対象国ではないことの確認（顧客からの申告を含む。）を行っているか。なお、当該被仕向送金に係る確認をすることが困難な場合においては、下記④ロ．なお書きと同様の対応を行っているか。 - 財務省

In this refrigerator, the refrigerating storage space 6 is disposed in an upper part of a refrigerator body 1, a freezing storage space 7 or other storage space is disposed below the refrigerating storage space through a heat insulating partition wall 5, and an independent space 15 for storing a shopping basket 25 or a bag having the capacity equivalent to the shopping basket is formed in the lower region in the refrigerating storage space.例文帳に追加

冷蔵庫本体１の上部に冷蔵貯蔵空間６を配置するとともに前記冷蔵貯蔵空間の下方には断熱仕切壁５を介して冷凍貯蔵空間６あるいは他の貯蔵室を配置してなり、前記冷蔵貯蔵空間内の下方部位には、レジカゴ25、あるいはレジカゴに相当する容積を有するバッグを収納することができる独立空間15を形成したことを特徴とする。 - 特許庁

The particle size of the combustibles is preferably 5 mm or below and the region where the temperature of the cement clinker is 850-1,000°C is obtained by shutting or reducing cooling air fed to the clinker cooler or using a clinker cooler structurally provided with a means thickening the layer of the cement clinker on a cooler grade and/or with a cooler grade having a structure reducing the volume of cooling air.例文帳に追加

該可燃物は、可燃物の粒度が５ｍｍ以下がよく、セメントクリンカーの温度が８５０℃〜１０００℃となる領域は、クリンカークーラーに供給される冷却空気を遮断するか又は少なくすることにより得られ、また構造的にはクーラーグレート上のセメントクリンカー層を厚くする手段及び／又は冷却空気量を減らす構造のクーラーグレートを設けたクリンカークーラーを用いることにより得られる。 - 特許庁

The WTO, however, under Article XXIV of the GATT, authorizes the establishment of CUs, FTAs and interim agreements if their purpose is to facilitate trade within the region and not to raise barriers to trade with non-parties. The WTO allows these RTAs to be exempted from the most-favoured-nation principle as long as they conform to the conditions outlined in Figure 15-3, below.例文帳に追加

しかし、第24条において、関税同盟及び自由貿易地域の設定及びそのための中間協定の締結の目的が、域内と域外国との貿易に対する障害を引き上げることではなく、域内の貿易を容易にすることである場合には、貿易自由化の見地から許されるとし、以下の要件に適合することを条件（図表15―３）に、最恵国待遇原則の例外として認めている。 - 経済産業省

When an n^+-type region 15 which will become the source is formed away from the trench 5 located below the portion 7a of the gate electrode 7 which is positioned on the surface of the semiconductor substrate 4, the overlapping amount of the upper portion 7a of the gate electrode 7 with respect to the side wall 5a of the trench should be 0.3 μm or above.例文帳に追加

ゲート電極７の形状を、その断面がＴ字となるように、トレンチ５の内部から半導体基板４の表面に至って形成された形状とし、ソースとなるＮ^＋型領域１５をトレンチ５から離れた位置であって、ゲート電極７における半導体基板４の表面上に位置する部分７ａの下に配置した構造とした場合、ゲート電極７の上方部７ａのトレンチ側壁５ａに対するオーバラップ量を０．３μｍ以上とする。 - 特許庁

The photocatalyst 4 has an ultraviolet absorption film 2 which is formed on the surface of a transparent substrate 1 and has 30% or below in transmittance of ultraviolet light of 360 nm wavelength and 70% or above in transmittance of visible light of 400-780 nm wavelength, and a photocatalyst film (visible light type photocatalyst film) 3 which is formed on the ultraviolet absorption film 2 and exhibits a decomposition reaction in the visible light region.例文帳に追加

光触媒体４は、透明基材１の表面に設けられ、透明基材１に設けられた状態における波長３６０ｎｍの紫外線の透過率が３０％以下、波長４００〜７８０ｎｍの可視光の透過率が７０％以上である紫外線吸収膜２と、この紫外線吸収膜２上に設けられ、可視光領域で分解反応を示す光触媒膜（可視光型光触媒膜）３とを具備する。 - 特許庁

Due to the competitions with the Tokaido Main Line, the Tokaido Shinkansen and Kintetsu Limited Express, however, the line is currently being used mainly for interurban transportation/tourists transportation by Rapid and Limited Express between Nagoya and Ise City/Nanki region as well as for interurban transportation/commuters transportation on the electrified sections between Nagoya and Kameyama/Ise in Aichi/Mie Prefecture and Kamo and Osaka in Nara/Osaka Prefecture, rather than the transportation between Nagoya and Nara/Osaka (details of operation are to be mentioned below). 例文帳に追加

並行する東海道本線や東海道新幹線の整備、近鉄特急の攻勢で、名古屋-奈良・大阪間の輸送よりも、名古屋と伊勢市・南紀を結ぶ快速や特急による都市間輸送・観光輸送、電化された愛知・三重県内の名古屋-亀山・伊勢間および奈良県・大阪府内の加茂-大阪間における都市間輸送・通勤通学輸送が中心の路線となっている（詳細な運行形態は後述）。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

As to the per capita GDP of each region (NUTS level 2),5by setting the average per capita GDP of the 15 EU member states as 100, some of the poorest areas appear to have improved, because there is a reduction in the number of areas where per capita GDP is below 50. However, the coefficient of variation that shows the differences in per capita GDP among various regions has gone up slightly in 2000. It means that the disparities among regions cannot be considered to be shrinking from the viewpoint of per capita GDP (Fig. 2.2.2).例文帳に追加

その一方で、EU15か国の１人当たりGDP平均を100とした場合の各地域（NUTSⅡレベル5）の１人当たりGDPの推移を見ると、平均の50未満の地域は減っていることから最貧困層は減少しているとみなせるものの、地域間の１人当たりGDPのばらつきを示す変動係数は、2000年には小幅ながら上昇しており、１人当たりGDPで見た地域間格差は縮小傾向にあるとは言えない（第2-2-2図）。 - 経済産業省

The semiconductor substrate includes a substrate, a first semiconductor layer formed on the substrate, a mask formed in a partial region on the first semiconductor layer, a metallic material layer formed on the first semiconductor layer and mask in a predetermined pattern shape in a direction crossing the mask, a second semiconductor layer formed on the first semiconductor layer and the metallic material layer, and a cavity formed in the first semiconductor layer at a layer portion below the metallic material layer.例文帳に追加

本発明の半導体基板は、基板と、前記基板上に形成された第１の半導体層と、前記第１の半導体層上の一部領域に形成されたマスクと、前記第１の半導体層及び前記マスク上に当該マスクと交差する方向に所定のパターン形状で形成された金属性材料層と、前記第１の半導体層上及び前記金属性材料層上に形成された第２の半導体層と、前記金属性材料層より下層部分の前記第１の半導体層に形成された空洞と、を有する。 - 特許庁

(i) A juridical person that has established a Subsidiary Corporation or Other Similar Entity (in which said juridical person has the majority of the Voting Rights of All Shareholders or Others (meaning the voting rights of all shareholders or equity investors; the same shall apply hereinafter), or which is otherwise prescribed by an ordinance of the competent ministry as having a close relationship with said juridical person) in a country or region (hereinafter referred to as a "Country, etc." in this item and in paragraph (4) below) other than the Country, etc. in which the head office or principal office of the juridical person is located, and that is prescribed by an ordinance of the competent ministry as being engaged in business activities on a global scale; 例文帳に追加

一 法人の本店又は主たる事務所が所在する国又は地域（以下この号及び第四項において「国等」という。）以外の国等に当該法人の子法人等（当該法人がその総株主等の議決権（総株主又は総出資者の議決権をいう。以下同じ。）の過半数を保有していることその他の当該法人と密接な関係を有する法人として主務省令で定める法人をいう。）を設立している法人であって、国際的規模で事業活動を行っていると認められるものとして主務省令で定める法人 - 経済産業省