「region below」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

A first buried layer 11 is formed below a P well 18 and especially under a region where the drain 36 of a driver transistor 30 is located and joined to a P well 18.例文帳に追加

第１の埋め込み層１１はｐウェル１８下のうち、ドライバトランジスタ３０のドレイン３６が位置している領域下に形成され、かつｐウェル１８と接合している。 - 特許庁

A plasma confinement cylinder 113 that confines the scatter region of the ECR plasma delivered from a plasma formation chamber 102 is provided below the bottom of a target 105 (container 105a).例文帳に追加

ターゲット１０５（容器１０５ａ）の下部に、プラズマ生成室１０２より引き出されたＥＣＲプラズマの飛散領域を制限する筒状のプラズマ制限筒１１３を備える。 - 特許庁

A heavily doped region having a conductivity type identical to that of the semiconductor substrate 100 is arranged in the semiconductor substrate below the tunnel insulation film pattern 116.例文帳に追加

トンネル絶縁膜パターン１１６の下部の半導体基板内には半導体基板１００のような導電型の不純物を含む高濃度不純物領域が配置される。 - 特許庁

Due to this structure, trench isolation stress applied to the channel region below the gates from the trench isolation Ris is uniformed for each transistor, resulting in improving the circuit simulation accuracy.例文帳に追加

これにより、トレンチ分離Ｒｉｓからゲート下方のチャネル領域に加わるトレンチ分離ストレスは、各トランジスタについて均一化され、回路シミュレーションの精度が向上する。 - 特許庁

The first well region 4a is arranged continuously to the end part, adjacent to the vicinity of the outer periphery of the substrate, of the second drift layer 3 and to the first drift layer 2 below the vicinity of the outer periphery of the substrate.例文帳に追加

第１ウェル領域４ａは、第２ドリフト層３の外周付近に隣接する端部および外周付近の下方の第１ドリフト層２に連なって配置される。 - 特許庁

The line drawing processor 100 removes the separated projecting region ER from an image by removing a drawing pixel set below a predetermined reference area.例文帳に追加

そして、線画処理装置１００は、所定の基準面積以下の描画画素集合を除去することによって、分離した突出領域ＥＲを画像から除去する。 - 特許庁

When the extraction bag body 2 absorbs the liquid in the extraction container, the upper region A sags down to be positioned below the recesses 9a and 9b of the hook 4.例文帳に追加

抽出バッグ本体２が抽出容器内の液体を吸収すると、上部領域Ａが垂下してフック４の凹部９ａ、９ｂよりも下方に位置するようになる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of further high breakdown voltage by somewhat suppressing an electric field from a drain electrode to a "boundary between a portion below a gate electrode and a drain region".例文帳に追加

ドレイン電極から「ゲート電極下とドレイン領域との境界部分」への電界を多少でも抑えて、更なる高耐圧化を可能とした半導体装置を提供する。 - 特許庁

When the wiper blade exists in a limit compensation region Q set in the vicinity of the lower inversion position Y, an output of the motor is regulated to below a limit value V set in advance.例文帳に追加

ワイパブレードが下反転位置Ｙ近傍に設定されたリミット補正領域Ｑに存在するときは、モータの出力を予め設定したリミット値Ｖ以下に規制する。 - 特許庁

To provide a cooling structure for an induction heating apparatus that brings a temperature of a coil to a prescribed permissible temperature or below by eliminating a dead air region caused around the coil or the like so as to enhance the cooling performance of the coil.例文帳に追加

コイル周辺などに生じる冷却空気の死水域を取り除くことでコイルの冷却性能を向上し、所定の許容温度以下にする。 - 特許庁

Further, a fluorine introduction region 9 is formed on the first nitride semiconductor layer 3 and the second nitride semiconductor layer 4 below the first anode electrode 6.例文帳に追加

さらに、第１のアノード電極６の下方の位置の第１窒化物半導体層３および第２窒化物半導体層４にフッ素導入領域９が形成されている。 - 特許庁

As described below, the Taika Reforms is gekokujo (an inverted social order when the lowly reigned over the elite) coup in which the local ruling families in Kinai region in Yamato killed the emperor of the Kyushu dynasty and seized the power of the emperor in 695. 例文帳に追加

以下のことから「大化の改新」は、695年に畿内大和の豪族が九州王朝の天皇を殺害し皇権を簒奪した下克上のクーデターである。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The device includes memory cells having a semiconductor substrate, a stack layer, and source and drain regions disposed below a surface of the substrate and separated by a channel region.例文帳に追加

素子は、半導体基板、スタック層、および基板の表面下に配置し、チャネル領域によって分離されたソース領域とドレイン領域を備えたメモリセルを有する。 - 特許庁

The non-reflection region includes a luminous element OLED and is formed with laminated layers holding the light emission layer 202 in-between by the electrodes 203 an 201 from above and below on the substrate 2 on the rear side.例文帳に追加

非反射領域は、発光層２０２を上下から電極２０３，２０１で挟んだ積層を後面側の基板２に形成した自発光素子ＯＬＥＤを含む。 - 特許庁

In the semiconductor device of the BGA package structure, there is no solder resist layer at a disconnection preventing region 148, centered at a position S immediately below the outer ridge of the semiconductor chip.例文帳に追加

BGAパッケージ構造の半導体装置において、半導体チップの外縁直下の位置Sを中心とした断線防止領域148には、ソルダーレジスト層が不存在である。 - 特許庁

An impurity region 121 is formed by performing oblique ion implantation below a bird's beak part 310 of the silicon oxide film 300 with the silicon nitride film 200 used as a mask.例文帳に追加

窒化シリコン膜２００をマスクとして酸化シリコン膜３００のバーズビーク部３１０の下へ斜めイオン注入を行うことにより、不純物領域１２１を形成する。 - 特許庁

The second liquid medium flow forming part 16 forms a downflow flowing downwardly in a substantially whole region of the liquid medium 2 part below the liquid level 202.例文帳に追加

第２の液媒流生成部１６は、液面２０２の下方における液媒２部分の実質上全域において下方に向かって流れる下降流を形成するものである。 - 特許庁

Pressure is added to the three-layer structure, with the grooves 37 and 39 positioned above and below as the boundary, so as to cut off the half-cut section of each groove thereby separating it into each region.例文帳に追加

上下に位置する溝３７，３９を境として三層構造体に押圧力を加え、各溝の切残し部分を切り離し、各領域毎に分離する。 - 特許庁

We can divide the ASEAN region into two groups: (1) Thailand with a high evaluation overall, and Malaysia with an evaluation about average; and (2) the Philippines, Indonesia, and Vietnam, all of which are evaluated below average for most items.例文帳に追加

全体的に評価が高いタイ、平均近傍にあるマレーシア、ほとんどすべての項目で平均を下回るフィリピン、インドネシア、ベトナムの2つのグループに分けることができる。 - 経済産業省

Looking at the numbers of foreign students going abroad to study, international travelers, and air transport volume in the East Asian region, one can see that the movement of people is becoming increasingly active as discussed below.例文帳に追加

東アジア域内の留学生数、海外渡航者数及び航空輸送量等を見ると以下のように域内の人の移動が活発化していることが分かる。 - 経済産業省

The region immediately below the selection gate electrode SG on an upper surface 17a of the STI 17 is positioned higher than the region immediately below the word electrode WL to make the minimal distance between a corner of the active area AA and the selection gate electrode SG longer than the shortest distance between the corner of the active area AA and the word electrode WL.例文帳に追加

そして、ＳＴＩ１７の上面１７ａにおける選択ゲート電極ＳＧの直下域を、ワード電極ＷＬの直下域よりも上方に位置させることにより、アクティブエリアＡＡの角部と選択ゲート電極ＳＧとの間の最短距離を、アクティブエリアＡＡの角部とワード電極ＷＬとの間の最短距離よりも長くする。 - 特許庁

Each of the gate electrodes 6 in the same pixel 5 is brought into an ON-state only one time during image pickup period, thereby accumulating electrons in the regions below a predetermined gate electrode 6 in the same pixel 5, and transferring the accumulated electrons to the region below a gate electrode 6 other than the predetermined gate electrode 6 below the same pixel 5.例文帳に追加

そして、撮像期間中に、同一の画素５内の各々のゲート電極６をそれぞれ１回ずつオン状態にすることにより、同一の画素５内の所定のゲート電極６下の領域に電子を蓄積するとともに、蓄積された電子を同一の画素５内の所定のゲート電極６以外のゲート電極６下の領域に転送する。 - 特許庁

An immersion-type membrane separating apparatus 2 in which a diffused aeration device 9 is arranged below membrane modules 3 is arranged in a circulation zone 1a formed in the upper region of an immersion tank 1 are a settling zone 1b with a specified depth of water is formed in the lower region of the immersion tank 1.例文帳に追加

膜モジュール３の下部に散気装置９を配置した浸漬型膜分離装置２を浸漬槽１の上部域に形成した循環ゾーン１ａに配置し、浸漬槽１の下部域に所定水深を有する沈降ゾーン１ｂを形成した。 - 特許庁

Filler 24 is used which contains as main component a substance with efficiently small absorbency in an ultraviolet region (below 400 nm) and efficiently small absorbency change in a visible light region (400-800 nm), having voids 25 inside and of which the index of refraction is 1.3-1.7 in place of titanium oxide.例文帳に追加

酸化チタンに替えて、紫外線領域（400nm未満）における吸光度および可視光領域（400〜800nm）における吸光度変動が十分に小さく、内部に空孔２５を有する屈折率が1.3〜1.7の物質を主成分とする充填材２４を用いる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a recess gate of a semiconductor element, capable of preventing damage of an active region, even if a loss of a field oxide film below a path gate and overlay misalignment occur between the active region and a recess pattern in forming the recess gate.例文帳に追加

リセスゲート形成時にパスゲートの下のフィールド酸化膜の損失及び、活性領域とリセスパターンとのオーバーレイミスアライメントが発生しても、活性領域の損傷を防止できる半導体素子のリセスゲートの製造方法を提供すること。 - 特許庁

The hair washing basin has a frame body forming a water receiving region below a head part of a person whose hair is to be washed seated on the chair and a water receiving part to form a water receiver in the water receiving region as well as supported by the frame body.例文帳に追加

洗髪台は、背もたれ部の頂部の後方、かつ、椅子に座った被洗髪者の頭部の下方に水受け領域を形成する枠体と、枠体によって支持され、かつ、前記水受け領域に水受けを形成する水受け部とを有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which moisture entering from a crack generated in a probing region is blocked by a seal ring, thereby allowing wiring and transistors to be arranged below a bonding region which is provided further inside the semiconductor device than the seal ring.例文帳に追加

半導体装置において、プロービング領域にて発生したクラック部から侵入した水分をシールリングでブロックし、シールリングより半導体装置の内側に配置されているボンディング領域の下に配線やトランジスタを配置できるようにする。 - 特許庁

Junctions between the high concentration impurity region of a first conductivity type and the impurity region of a second conductivity type are disposed just below the edges of the gate electrode or a little inside or outside of the edges.例文帳に追加

半導体基板表面における、第１導電型の高密度不純物領域と、第２導電が他の不純物領域との接合部は、ゲート電極のエッジ直下に位置するか、あるいはそれよりわずかに内側または外側に位置する。 - 特許庁

Distribution floors 2 wherein the conveyance region is formed for conveying a conveyance container C is provided below treatment floors 1 wherein a plurality of treatment rooms 21 are arranged in a planar manner, and an airlock room 50 is provided between the treatment rooms 21 and the conveyance region.例文帳に追加

複数の工程室２１が平面的に配置された処理フロア１の階下に、搬送容器Ｃの搬送を行う搬送領域が形成された物流フロア２を設けると共に、工程室２１と搬送領域との間にエアロック室５０を設ける。 - 特許庁

By forming the antireflection film 106 which is a source for supplying hydrogen below a light-shielding film 109, a dark output offset can be suppressed between an optical black region and an effective pixel region, produced due to the difference in the hydrogen supply quantity.例文帳に追加

また、水素供給膜である反射防止膜１０６を遮光膜１０９より下方に形成することで、水素供給量の違いにより生じるオプティカルブラック領域と有効画素領域との間の暗出力オフセットを抑制することができる。 - 特許庁

Furthermore, fourth-seventh shield members 34-37 each having a shape matching the region except the region where the second and third shield members 32, 33 are disposed, of the region of the first shield member 31 which does not protrude, are disposed on regions below and under the protruding portion of the first shield member 31.例文帳に追加

更に、第１のシールド部材３１の突出していない領域のうち、第２、第３のシールド部材３２、３３が配置される領域を除く領域に合う形状を有する第４〜第７のシールド部材３４〜３７を、第１のシールド部材３１の突出している部分の上下の領域に配置する。 - 特許庁

The semiconductor element has an N+ layer 16 formed in a region below a Metal layer 26 which does not transmit light, i.e. a region on which irradiated light from a direction above an N-WELL layer 14 is not incident, and not formed in a region on which the light from above the N-WELL layer 14 is incident.例文帳に追加

光を透過しないＭｅｔａｌ層２６の下部領域、すなわち、Ｎ−ＷＥＬＬ層１４上部方向から照射された光が入射されない領域にＮ＋層１６が形成されており、Ｎ−ＷＥＬＬ層１４上部の光が入射される領域にはＮ＋層１６は形成されていない。 - 特許庁

A diffusion layer of a second conductivity type different from the first conductivity type is provided in the semiconductor layer below the first channel region, contacts the bottom of the first channel region in a substantially perpendicular to the surface of the semiconductor layer, and forms a P-N junction with the bottom of the first channel region.例文帳に追加

第１導電型とは異なる導電型である第２導電型の拡散層が、第１のチャネル領域のさらに下の半導体層に設けられ、半導体層の表面に対してほぼ垂直方向に第１のチャネル領域の底部と接し、該第１のチャネル領域の底部とＰＮ接合を形成する。 - 特許庁

And, when free space of the 1st region 19a of the memory card becomes below a predetermined value, the oldest file is read out from the 1st region 19a on a memory 15, frames whose vehicle speed is under a predetermined value are deleted from the file, and the remaining frames are written in a 2nd region 19b of the memory card 19.例文帳に追加

そして、メモリカードの第１の領域１９ａの空き容量が所定値以下になったときに、第１の領域１９ａから最も古いファイルをメモリ１５上に読み出して、ファイル内から車速が所定値以下のフレームを削除して残ったフレームをメモリカード１９の第２の領域１９ｂに書き込む。 - 特許庁

The belt-like region having a maximum height direction that satisfies the conditions of existing above the first group of points and at the same time, existing below the second group of points, and thereby the cutting out region can be determined, by repeatedly carrying out selection of the first belt-like region and selection of new candidate for the first angle.例文帳に追加

第１の帯状領域の選択および第１の角度の新たな候補の選択を繰り返し行うことにより、第１の点群よりも上側に存在し、かつ第２の点群よりも下側に存在するという条件を満たす高さ方向が最大の帯状領域、従って切り出し領域を決定できる。 - 特許庁

The surface of the gate electrode is positioned on the bonding surface of the first semiconductor region and the second semiconductor region, a first insulating film and a second insulating film are formed on the surface of the gate electrode, and the laminated surface of the first insulating film and the second insulating film is positioned below the surface of the second semiconductor region.例文帳に追加

ゲート電極の表面が、第１半導体領域と第２半導体領域との接合面の上に位置し、ゲート電極の表面に第１絶縁膜と第２絶縁膜とが設けられ、第１絶縁膜と第２絶縁膜の積層された表面が第２半導体領域の表面の下に位置する。 - 特許庁

TFT has a gate electrode 18 provided through a gate insulation film 17 on a semiconductor film 9 laid on one surface of an insulation substrate 10, a channel region 13 on the semiconductor film 9 below the gate electrode 18, a source region 20 at one side of the channel region 13 of the semiconductor film 9, and a drain region 19 at the other side.例文帳に追加

絶縁基板１０の一面に設けられた半導体薄膜９上にゲート絶縁膜１７を介して設けられたゲート電極１８と、ゲート電極１８の下側の半導体薄膜９の領域に設けられたチャネル領域１３と、半導体薄膜９のチャネル領域１３の両側に設けられたソース領域２０,ドレイン領域１９とを有するＴＦＴを備える。 - 特許庁

A first conductivity-type first semiconductor region is provided inside a semiconductor, and a second conductivity-type second semiconductor region is provided between the first semiconductor region and the surface of the semiconductor so as to make first conductivity-type impurities contained in the semiconductor 1/4 or below as low in concentration as the first conductivity-type impurities contained in the first conductivity-type first semiconductor region.例文帳に追加

半導体内部に第１導電型の第１の半導体領域を設け、含有される第１導電型の不純物の濃度が第１の半導体領域の前記第１導電型の不純物濃度の４分の１より小さくなる様に第２導電型の第２の半導体領域を第１の半導体領域と半導体の表面との間に設ける。 - 特許庁

Since fuel 100 exists in an optical path passing through the window 4, the prism 6 and the window 5 below a liquid surface 101 of the fuel 100, the optical path reaches the region 7.例文帳に追加

そして、燃料１００の液面１０１の下方においては、窓４、プリズム６及び窓５を通過する光路に燃料１００が介在するため、この光路は領域７に到達する。 - 特許庁

The electromagnetic wave shielding layer is constituted of, e.g. a conducting layer or a semiconductor layer, which is arranged above and/or below the memory cell region, and preferably is connected to have the same potential.例文帳に追加

電磁波シールド層は、例えば、メモリセル領域上及び又は下に設けられた導電層或いは半導体層で構成され、好ましくは同じ電位になるよう接続される。 - 特許庁

A recording pattern with size of a resolution limit or below can be reproduced with signal intensity equal to that of a recording pattern whose size is equal to and more than the resolution limit through the formation of the ring shaped specific region.例文帳に追加

このリング状の特異領域によって解像限界以下の大きさの記録パターンをそれ以上の大きさの記録パターンと同等の信号強度で再生することが可能となる。 - 特許庁

The stress control region (50) is incorporated into the drawing process at a position below a first set of traction rollers (60) and above a second set of traction rollers (70).例文帳に追加

ある実施形態において、応力制御領域（５０）は、第１組の牽引ロール（６０）の下方で、かつ第２組の牽引ロール（７０）の上方の位置においてドローイング法に取り込まれる。 - 特許庁

An ion implantation processing is carried out, in order to form a doped region having a first conductivity type which is substantially below the isolation structure, by using at least two different implantation energies.例文帳に追加

イオン注入処理が、少なくとも2つの異なる注入エネルギーを用いて分離構造のほぼ下に、第1の型の導電性を有するドープ領域を形成するために実施される。 - 特許庁

To ensure stabilized treatment with high controllability at the time of performing treatment requiring power in a region below the effective range of a plasma excitation power supply in a plasma treatment device.例文帳に追加

プラズマ処理装置におけるプラズマ励起用電源の有効範囲以下の領域の電力を要するプロセスを実施する場合に、制御性良く安定したプロセス処理を可能とする。 - 特許庁

An upper receiver 10 provided with an inclined path and a lower receiver 20 having an evaporation path 21 are provided below a drying region in a processing tank 2 of an IPA drying apparatus.例文帳に追加

ＩＰＡ乾燥装置の処理槽２の乾燥領域の下方に、傾斜流路を設けた上方受け部１０と、蒸発用流路２１を有する下方受け部２０とを設ける。 - 特許庁