「region below」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Below the well region 26, a P+ embedded layer 23 is formed.例文帳に追加

ウェル領域２６の下部にはＰ＋埋込層２３を形成する。 - 特許庁

In an insulated-gate semiconductor device, in an active region, only a source region is exposed between gate electrodes 7 and a first body region 13a is provided below the source region.例文帳に追加

動作領域において、ゲート電極間にはソース領域のみが露出し、ソース領域下方に第１ボディ領域を設ける。 - 特許庁

On the both sides of the gate region 66, a source region 68 composed of an n-region and a drain region 70 are formed and a channel region 72 composed of an n-region is formed below the gate region 66.例文帳に追加

ゲート領域６６の両側には、ｎ^+領域からなるソース領域６８、ドレイン領域７０が形成され、ゲート領域６６の下方がｎ領域からなるチャネル領域７２となっている。 - 特許庁

Further, a P+ buried layer 23 is formed below the well region 26.例文帳に追加

ウェル領域２６の下部にはＰ＋埋込層２３を形成する。 - 特許庁

The drain region 41 is formed deep below a gate 40.例文帳に追加

また、ドレイン領域４１は、ゲート４０下まで深く形成されている。 - 特許庁

A P floating region 51 is arranged below the trench 21 and a P floating region 54 below the trench 25.例文帳に追加

そして，トレンチ２１の下方にはＰフローティング領域５１が，トレンチ２５の下方にはＰフローティング領域５４がそれぞれ設けられている。 - 特許庁

When the similarity is below the threshold, the region is not integrated.例文帳に追加

また、類似度が閾値以下であればその領域の統合は行わない。 - 特許庁

A first conductive type deep well is arranged in the separation region at a place below the stripe-shape active region.例文帳に追加

第一導電型の深ウェルは、分離領域とストライプ状アクティブ領域の下に配置する。 - 特許庁

A lead-out layer of the body region is arranged below a source region 14S via an insulating layer 4.例文帳に追加

ソース領域１４Ｓの下に絶縁層４を介してボディ領域の引き出し層を設ける。 - 特許庁

Thus, a thickness of a p-type region increases below the N-type well region 20.例文帳に追加

これにより、Ｎ型ウェル領域２０の下方において、Ｐ型を有する領域の厚さが増す。 - 特許庁

Also, a p^-well 16 is formed below the STI region 5, and a p^+ diffusion region 17 is formed in the region separated from the region right below the regions 6-8 inside the p^-well 16.例文帳に追加

また、ＳＴＩ領域５の下方にはＰ^−ウエル１６を形成し、Ｐ^−ウエル１６の内部における領域６乃至８の直下域から離間した領域にはＰ^＋拡散領域１７を形成する。 - 特許庁

For this reason, a region 138 of low impurity concentration is formed immediately below the channel region of a dynamic threshold transistor, and further a region 126 of high impurity concentration can be formed immediately below the region 138.例文帳に追加

そのため、動的閾値トランジスタのチャネル領域の直下には不純物濃度の薄い領域１３８を形成し、さらにその下には不純物濃度が濃い領域１２６を形成することができる。 - 特許庁

A semi-insulative region 6c is formed at a region directly below or almost immediately below a contact 7c in a pn junction surface 20 between a first conductivity type region 5 and a second conductivity type region 8.例文帳に追加

第一導電型領域５と第二導電型領域８とのｐｎ接合面２０内の、コンタクト部７ｃの直下領域又は概ね直下領域に半絶縁性領域６ｃを備える。 - 特許庁

A plurality of through-holes 13 are formed in a region of a semiconductor substrate 1 positioned below a drain region (an element region other than a P-type well region 5).例文帳に追加

ドレイン領域（Ｐ型ウェル領域５以外の素子領域）下方に位置する半導体基板１領域に複数の貫通孔１３を形成する。 - 特許庁

A gate electrode 21 is provided above the floating region 18, but the well layer 16 is located below the region 18.例文帳に追加

浮遊領域１８の井戸層１６と反対側の位置にはゲート電極２１が設けられている。 - 特許庁

Note: The Shikoku region and the Okinawa region are omitted in the table since their shares in total exports are all below 0.1%.例文帳に追加

備考：四国地域及び沖縄地域は、輸出に占めるシェアがすべて0.1%未満のため、表から省略。 - 経済産業省

The charge pumps 20 are provided to a region immediately below the memory blocks 1 respectively.例文帳に追加

チャージポンプ２０は、メモリブロック１の直下の領域にそれぞれ設けられる。 - 特許庁

The body contact region 21 and the body region are electrically connected via an SOI layer (well region) below the partial trench separation insulating film 8.例文帳に追加

ボディコンタクト領域２１とボディ領域とは、部分トレンチ分離絶縁膜８下のＳＯＩ層（ウエル領域）を介して電気的に繋がる。 - 特許庁

In the region directly below an upper surface of the semiconductor layer 3 between the source region 5 and the drain region 6, the position 9a where an impurity concentration takes a peak value in the impurity region 9 is established below a lowest end 5a of the source region 5.例文帳に追加

ソース領域５とドレイン領域６との間の半導体層３における上面の直下では、不純物領域９における不純物濃度のピーク位置９ａは、ソース領域５の最下端５ａよりも下方に設定されている。 - 特許庁

Further, the second N well 11 is formed so as to be located at a region immediately below a collector impurities diffusion region 12.例文帳に追加

また、第２Ｎウェル１１は、コレクタ不純物拡散領域１２の右下の領域にくるように形成する。 - 特許庁

The region of the second principal surface facing the region immediately below the photogate electrode PG is optically exposed.例文帳に追加

第２主面におけるフォトゲート電極ＰＧ直下の領域に対向する領域は、光学的に露出している。 - 特許庁

The space will be removed from or added to the region below or if there's not enough space from the region above.例文帳に追加

スペースは下方のリージョンから取ったり (に渡したり) するが、もし余裕がなければ上方のリージョンとやり取りする。 - JM

No column region 220 is formed below the two trench gates 230.例文帳に追加

２つのトレンチゲート２３０の下方にはコラム領域２２０が形成されていない。 - 特許庁

A p-embedded layer 13 is formed right below the n-diffusion region 5.例文帳に追加

ｎ-拡散領域５の直下には、ｐ-埋め込み層１３が形成されている。 - 特許庁

Generally, these hoyo listed below are held, although some difference may exist depending on the sect and region. 例文帳に追加

宗旨、地域によっても異なるが、一般に下記の法要が営まれる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

An n^+-type region 2a is formed apart from a p-type base region 3 below a contact region 5 in an n-type drift layer 2.例文帳に追加

ｎ型ドリフト層２のうちコンタクト領域５の下方において、ｐ型ベース領域３から離間するようにｎ^+型領域２ａを形成する。 - 特許庁

The first dope region is formed on the base plate neighbored to the control gate and the second dope region is formed at a place below the first dope region and neighbored to the stray gate while the second dope region serves as a source region and a drain region together with the first dope region.例文帳に追加

第一ドープ領域は制御ゲートに隣接する基板に形成され、第二ドープ領域は第一ドープ領域の下で、浮遊ゲートに隣接するところに形成され、第一ドープ領域と共に、ソース領域とドレイン領域となる。 - 特許庁

Concretely, a first LDD region is formed below the tapered portion of the gate electrode, and a second LDD region is formed below the tapered portion of the gate insulating film.例文帳に追加

具体的には、第１のＬＤＤ領域はゲート電極のテーパー部の下に設けられ、第２のＬＤＤ領域はゲート絶縁膜のテーパー部の下に設けられる。 - 特許庁

In the well region 11, an N- type source/drain region 151 is stretched from below the N+ type parts 131 on both sides of the gate electrode 13 to below a side wall insulating film 14.例文帳に追加

ウェル領域１１においてゲート電極１３両端のＮ^+ 型部分１３１下から側壁絶縁膜１４下に亘ってＮ^- ソース，ドレイン領域１５１が延在している。 - 特許庁

The SiC layer is formed from below a channel region of the PMOS transistor P1 to in or below an electrode region constituting the PMOS transistor P1.例文帳に追加

ＳｉＣ層は、ＰＭＯＳトランジスタＰ１のチャネル領域の下方から、ＰＭＯＳトランジスタＰ１を構成する電極領域内若しくは電極領域下に渡って、形成される。 - 特許庁

The low-resistance connection layer 13 penetrates the insulating layer 11 right below the p type well region 4 below the gate electrode 6.例文帳に追加

低抵抗接続層１３は、ゲート電極６下方においてｐ形ウェル領域４直下の絶縁層１１に貫設されている。 - 特許庁

The thickness of an element forming region 3 below a channel region can sufficiently be secured and a partial depletion-type element is obtained.例文帳に追加

チャネル領域の下の素子形成領域３の厚みを十分確保でき、部分空乏型の素子とされている。 - 特許庁

A P-type buried layer 36 is formed in contact with the deep well region 16 below of the deep well region 16.例文帳に追加

ディープウェル領域１６の下方には、ディープウェル領域１６に接して、Ｐ型の埋込層３６が形成されている。 - 特許庁

A p^- impurity region 61 connected to the p^+ impurity region 6 is located below the metal electrode 14.例文帳に追加

ｐ^+不純物領域６に接続されたｐ^-不純物領域６１は金属電極１４の下方に位置している。 - 特許庁

On the surface of the semiconductor substrate, a first source/drain region 23 sandwiching a region below the first insulating film is formed.例文帳に追加

半導体基板の表面には、第１絶縁膜下方の領域を挟む第１ソース／ドレイン領域２３が形成される。 - 特許庁

On the surface of the semiconductor substrate, second source/drain region 23 sandwiching a region below the second insulating film is formed.例文帳に追加

半導体基板の表面には、第２絶縁膜下方の領域を挟む第２ソース／ドレイン領域２３が形成される。 - 特許庁

The field relaxing region is surrounded by the integrated impurity diffusion region 109, and extended below the second region of the gate electrode 106.例文帳に追加

ここで、電界緩和領域は、一体化した不純物拡散領域１０９に含まれ、且つ、ゲート電極１０６の第２領域の下方に延在する。 - 特許庁

The first mirror 11 is roughly divided into a first region R1 in contact with the active layer 12, and a second region R2 located below the first region R1.例文帳に追加

第１ミラー１１は、活性層１２に接する第１領域Ｒ１と、第１領域Ｒ１の下方に位置する第２領域Ｒ２とに大別される。 - 特許庁

In the bottom surface 13 of the concave part 12, a region 13a directly below the LED chip 14 is projected with respect to a region 13b around the region 13a.例文帳に追加

そして、凹部１２の底面１３におけるＬＥＤチップ１４の直下域１３ａを、直下域１３ａの周囲の領域１３ｂに対して突出させる。 - 特許庁

The first N well 9 or a predetermined region contacted with the base region 10 is formed so as to be located from the immediately below an emitter impurities diffusion region 15, for example, to a right side region.例文帳に追加

第１Ｎウェル９は、ベース領域１０に接する所定の領域であって、例えばエミッタ不純物拡散領域１５の直下から右側領域にくるように形成する。 - 特許庁

A control gate 16 is formed in a region directly below the gate oxide film 28.例文帳に追加

そして、ゲート酸化膜２８直下の領域には制御ゲート１６が形成されている。 - 特許庁

A first metal or metallized wiring 403 is positioned below the via hole region.例文帳に追加

第１の金属または金属化された配線４０３は、ビアホール領域の下方に位置する。 - 特許庁

A second metal or metallized wiring 404 is positioned below the via line region.例文帳に追加

第２の金属または金属化された配線４０４は、ビアライン領域の下方に位置する。 - 特許庁

The extended part 48a is formed below a region excluding the tip part of the beam part 36a.例文帳に追加

延出部４８ａは、梁部３６ａの先端部を除く領域の下に形成されている。 - 特許庁

Shield layers 180 and 221 are each provided under and below a digital circuit region.例文帳に追加

ディジタル回路領域下部にシールド層１８０、上部にシールド層２２１をそれぞれ設ける。 - 特許庁