「source-region」に関連した英語例文の一覧と使い方(33ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a manufacturing method of a semiconductor device having a structure in which a first transistor and a second transistor are formed on the same semiconductor substrate so as to share the drain region and the source region with each other, which can efficiently form embedded insulation films directly below the source region and the drain region of each transistor.例文帳に追加

第１のトランジスタと第２のトランジスタが、ぞれぞれのドレイン領域とソース領域を共有して同一の半導体基板上に形成される構成の半導体装置の製造において、それぞれのトランジスタのソース領域およびドレイン領域の直下に埋め込み絶縁膜を効率的に形成できる製造方法を提供する。 - 特許庁

This ferroelectric memory is provided with a transistor 10 having a source region 1 and a drain region 2, electrodes 4 and 5 respectively connected to the source region 1 and the drain region 2, a ferroelectric film 6 formed on the electrodes 4 and 5, and a memory cell which includes a floating electrode 7 formed on the film 6.例文帳に追加

この強誘電体メモリは、ソース領域１およびドレイン領域２を有するトランジスタ１０と、ソース領域１およびドレイン領域２にそれぞれ接続された電極４および５と、電極４および５上に形成された強誘電体膜６と、強誘電体膜６上に形成されたフローティング電極７とを含むメモリセルを備えている。 - 特許庁

On the insulating interlayer film 110, there are formed: data wiring 114a connected with drain region 105D through a first contact hole 112a on the drain region 105D, and a pixel electrode 114b formed on the same layer as data wiring 114a and connected with the source region 105S through a second contact hole 112b on source region 105S.例文帳に追加

層間絶縁膜１１０上に、ドレーン領域１０５Ｄ上の第１コンタクトホール１１２ａを通じて、ドレーン領域１０５Ｄと連結されるデータ配線１１４ａと、データ配線１１４ａと同一な層で、ソース領域１０５Ｓ上の第２コンタクトホール１１２ｂを通じて、ソース領域１０５Ｓと連結される画素電極１１４ｂを形成する。 - 特許庁

An NMOS transistor Q1 and a PMOS transistor Q2 which are respectively formed in the NMOS forming region A1 and PMOS forming region A2 have P pocket regions 17 and N pocket regions 27 at the regions near the extension areas 14e and 24e of the N^+ source/drain region 14 and P^+ source/drain region 24.例文帳に追加

ＮＭＯＳ形成領域Ａ１及びＰＭＯＳ形成領域Ａ２にそれぞれ形成されるＮＭＯＳトランジスタＱ１及びＰＭＯＳトランジスタＱ２は、Ｎ^+ソース・ドレイン領域１４及びＰ^+ソース・ドレイン領域２４のエクステンション部１４ｅ及び２４ｅの近傍領域においてＰ^-ポケット領域１７及びＮ^-ポケット領域２７をそれぞれ有している。 - 特許庁

One source/drain region of the switch PMOS and the well region are connected to the side of the boosted voltage of a capacity such that an inversely directed voltage is applied to a parasitic diode formed by one source/drain region and the well region, when the boosted voltage formed in the capacity becomes higher than the power supply voltage.例文帳に追加

容量で形成された昇圧電圧が電源電圧より高くなった時に、一方のソース領域またはドレイン領域とウェル領域によって形成される寄生ダイオードに対し逆方向電圧が印加されるように、スイッチＰＭＯＳの一方のソース領域またはドレイン領域およびウェル領域が容量の昇圧電圧側に接続されている。 - 特許庁

The thin and long shaped part 15 includes a source 33, disposed on the end part thereof and a gate 31 disposed with a distance from the source 33, in the region between the surface where the thin and long-shaped part 15 projects and the source 33.例文帳に追加

細長形状部１５は、その先端部に設けられたソース３３と、細長形状部１５が突出する表面とソース３３との間の領域にソース３３に離間して設けられたゲート３１と、を有する。 - 特許庁

At least one specified source/drain region in the first and second source/drain regions has effective width which is substantially larger than width of bonding between the semiconductor layer and the specified source/drain regions.例文帳に追加

第１および第２のソース／ドレイン領域のうちの少なくとも特定の１つは、半導体層とその特定のソース／ドレイン領域との間の接合の幅よりも実質的に大きな実効幅を有して形作られている。 - 特許庁

By forming polycrystalline silicon layer 12 on the source region S, when the local source line LS is formed by forming a titanium film and a tungsten film, silicide is prevented from proceeding into the source regions.例文帳に追加

ソース領域Ｓの表面に多結晶シリコン層１２を形成しておくことで、チタン膜およびタングステン膜を形成してローカルソース線ＬＳを形成した場合に、シリサイドがソース領域Ｓの中に進行するのを防止する。 - 特許庁

A transmission source (communication device of a vehicle A) transmits a packet signal added with a transmission source address, transmission source position data, a destination (communication party: vehicle E) address, destination position data, and data indicating a packet signal transmission region.例文帳に追加

発信元（車両Ａの通信機）は、発信元アドレス、発信元位置データ、宛て先（相手先：車両Ｅ）アドレス、宛て先位置データ及びパケット信号伝送領域を示すデータを付加してパケット信号を発信する。 - 特許庁

A level shifter circuit and semiconductor apparatus inputs an input signal into a source region of N-channel type transistor, and a high-voltage power source is connected to a source area of P-channel transistor and connects a drain area to a drain area of the N-channel transistor.例文帳に追加

入力信号をｎチャネル型トランジスタのソース領域に入力し、ｐチャネル型トランジスタのソース領域に高電圧電源を接続し、ドレイン領域を該ｎチャネル型トランジスタのドレイン領域と接続した。 - 特許庁

The ratio of the contacting area interposed between the source regions 12 and the source electrode 6 to the contacting area interposed between the channel region 11 and the source electrode 6 is so determined as to realize the small on-resistance and the high avalanche resistance of the semiconductor device.例文帳に追加

小さなオン抵抗および高いアバランシェ耐量を実現するように、ソース領域１２とソース電極６との接触面積とチャネル領域１１とソース電極６との接触面積との比率が決められる。 - 特許庁

A light source is disposed above a substrate including a single crystal semiconductor region, the substrate is heated by the light radiated from the light source, and the 1/2 pulse width of the light source is set at 1 millisecond or less.例文帳に追加

単結晶半導体領域を含む基板の上方に、光源を配置し、前記光源から放射された光により前記基板を加熱し、かつ、前記光源の１／２パルス幅を１ｍ秒以下に設定する。 - 特許庁

The semiconductor device includes an element isolation film 200 provided to a semiconductor layer to section an element formation region, a gate electrode 130 formed on the element formation region and having both ends extended onto the element isolation film 200 respectively, and an impurity region 110 formed in the element formation region to become a source region and a drain region disposed across a channel formation region positioned right below the gate electrode 130.例文帳に追加

半導体層に設けられ、素子形成領域を区画する素子分離膜２００と、素子形成領域上に形成され、両端がそれぞれ素子分離膜２００上に延伸するゲート電極１３０と、素子形成領域内に形成され、ゲート電極１３０の直下に位置するチャネル形成領域を挟んで配置されるソース領域およびドレイン領域となる不純物領域１１０とを備える。 - 特許庁

In one embodiment of the system, a source of light, for example, laser (21), illuminates a narrow region of an inspected wafer (22).例文帳に追加

このシステムの一実施形態において、光源、例えば、レーザ（２１）が検査を受けるウェーハ（２２）の狭い領域を照明する。 - 特許庁

To solve the problem that an insulating film covering a region from a gate electrode to a source and a drain is a factor of increased parasitic capacitance.例文帳に追加

ゲート電極からソース及びドレインまでの領域を覆う絶縁膜が、寄生容量増大の要因になっている。 - 特許庁

Consequently, it is possible to reduce the junction leakage current generated at the corner 16a of the source-drain region 16.例文帳に追加

これにより、ソース・ドレイン領域１６のコーナー部１６ａに生じる接合リーク電流を低減することができる。 - 特許庁

A power supply voltage VDD is supplied to the source of a P channel MOS transistor Qp and the well region NWEL.例文帳に追加

電源電圧ＶＤＤがＰチャネルＭＯＳトランジスタＱｐのソース及びウェル領域ＮＷＥＬに供給される。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a field-effect transistor which does not need selective etching after siliciding a source-drain region.例文帳に追加

ソース・ドレイン領域のシリサイド化後に選択的エッチングを不要とする電界効果トランジスタ製造方法を提供する。 - 特許庁

The opening of each cell is filled with a contact layer 84 to connect the body 50 to the source region 51.例文帳に追加

それからコンタクトレイヤ８４が、各セスの開口部８０、８１に充填され、ボディ５０とソース領域５１を接続する。 - 特許庁

A current from a current source 126 is applied to a gain region in the respective semiconductor lasers 110', 110'' and 110'''.例文帳に追加

各半導体レーザ１１０’，１１０’’，１１０’’’には電流源１２６からの電流をゲイン領域に印加している。 - 特許庁

To provide a mechanical structure equipped with drive units that obtains a wide movement region and is easy to utilize a drive source effectively.例文帳に追加

広い移動領域を得られ、駆動源を有効に利用しやすい、駆動ユニットを備えた機械構造を提供する。 - 特許庁

The bottom of each trench 30 and 31 accommodates silicide conductors 50 and 51 for short-circuiting a substrate source to the channel region.例文帳に追加

各トレンチ３０，３１の底部は、基板ソースをチャネル領域に短絡させるためにシリサイド導体５０，５１を収容する。 - 特許庁

To reduce luminance unevenness of a backlight to expand the area of a region usable as a surface light source.例文帳に追加

バックライトの輝度むらを低減して、面光源として利用可能な領域の面積を拡大することを目的とする。 - 特許庁

The N--type layer 5 and a source 10 are nearly identical in depth and the N+-type layer 4, and the body region 9 are nearly identical in depth.例文帳に追加

Ｎ^-層５は、ソース１０とほぼ同じ深さであり、Ｎ^+型層４は、Ｐボディ領域９とほぼ同じ深さである。 - 特許庁

A high concentration semiconductor layer 16 which turns into a source/drain region is epitaxially grown by MOCVD or MBE.例文帳に追加

次にソース／ドレイン領域となる高濃度の半導体層１６をＭＯＣＶＤ又はＭＢＥなどでエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

The defocus amount calculating means calculates a defocus amount in a defocus amount calculation region that is different for each source image.例文帳に追加

デフォーカス量算出手段は、原画像ごとに異なるデフォーカス量算出領域でデフォーカス量を算出する。 - 特許庁

To maintain a contact resistance value in a junction part between a via and a source/drain region in a desired quantitive range.例文帳に追加

バイアとソース及びドレン領域との接合部における接触抵抗値を、所望する定量的な範囲に維持する。 - 特許庁

A light receiving element 15 receives light from a fixed region on the basis of the optical source for communication, based on the coordinate information.例文帳に追加

受光部１５では、座標情報に基づき、通信用光源を基準とする一定領域からの光を受光する。 - 特許庁

Consequently, an electric field intensity distribution of the Locos oxide layer 102 on a side nearby the source region 108 is relaxed.例文帳に追加

これにより、Ｌｏｃｏｓ酸化層１０２のソース領域１０８に近い側での電界強度分布が緩和される。 - 特許庁

A light source is optically coupled to a tissue region potentially containing the contrast-labeled target tissue.例文帳に追加

光源は、コントラストでラベル付けされた目標組織を包含する可能性を有する組織領域と光学的に結合される。 - 特許庁

P-well regions 3 and n^+ source regions 4 are selectively provided in a surface layer of an n^- drift region 2.例文帳に追加

ｎ^-ドリフト領域２の表面層には、ｐウェル領域３およびｎ^+ソース領域４が選択的に設けられている。 - 特許庁

Next, after having formed a sidewall 8, source/drain regions 15, 17 are formed in the first and second region, respectively.例文帳に追加

次に、サイドウォール８を形成した後、第１及び第２領域にソース・ドレイン領域１５，１７をそれぞれ形成する。 - 特許庁

An insulated gate electrode is positioned so as to cover a channel region between the source and drain regions.例文帳に追加

前記ソース領域と前記ドレイン領域との間のチャネル領域を覆うように絶縁されたゲート電極が配置される。 - 特許庁

The source region 36 is formed in a protuberance 52 formed on the upper surface 30 of a semiconductor upper layer 24.例文帳に追加

ソース領域３６は、半導体上層２４の上表面３０に形成されている凸部５２内に形成されている。 - 特許庁

A recess 12 is made in the region of the semiconductor substrate 1 between the source line 3a and the bit line 3b.例文帳に追加

ソース線３ａとビット線３ｂとの間に位置する半導体基板１の領域に凹部１２が形成されている。 - 特許庁

A semiconductor device is equipped with a transistor composed of a gate electrode 2, a source/drain region 3, and a channel 4.例文帳に追加

半導体装置は、ゲート電極２、ソース・ドレイン領域３及びチャネル部４により構成されたトランジスタを有する。 - 特許庁

Also, a pad for supplying a power source is provided on the outer peripheral part of region formed with the pixels of the substrate having conductivity.例文帳に追加

また、導電性を有する基板の画素が形成される領域の外周部に電源供給用のパッドを設ける。 - 特許庁

METHOD AND DEVICE FOR CONTROLLING RADIATION SUPPLY FROM RADIATION SOURCE TO TREATMENT REGION BY MULTILEAF COLLIMATOR例文帳に追加

マルチリーフコリメータによって治療領域への放射線源からの放射線供給を制御するための方法及び装置 - 特許庁

In this semiconductor device, one source region 4 is formed for opposing two gate regions 9.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、対向する２つのゲート領域９に対して１つのソース領域４を形成している。 - 特許庁

An n^+ source region 6 is formed at a surface layer section in a site between adjacent trenches 3 in the epitaxial layer 2.例文帳に追加

エピタキシャル層２における隣り合うトレンチ３の間の部位での表層部にｎ^+ソース領域６が形成されている。 - 特許庁

The lighting optical system (1-11) lights an illumination region on the surface (M) to be lighted by a flux of light from a light source (1).例文帳に追加

光源（１）からの光束で被照射面（Ｍ）上の照明領域を照明する照明光学装置（１〜１１）。 - 特許庁

A voltage is applied between a second source/drain region 15 and the gate electrode 19.例文帳に追加

そして、前記電界効果トランジスタの他方のソース・ドレイン領域１５と前記ゲート電極１９との間に電圧が印加される。 - 特許庁

Then silicide layers 27a, 27b are formed on the gate electrode 23, and the p-type source/drain region 26.例文帳に追加

そして、ゲート電極２３及びＰ型ソース・ドレイン領域２６上には、シリサイド層２７ａ、２７ｂが形成されている。 - 特許庁

The gate-source voltage of the drive switching element is set with a different threshold level for each region.例文帳に追加

この場合、それぞれの領域で、駆動スイッチング素子のゲート−ソース間電圧に別々の閾値に対する制限制御を行う。 - 特許庁

(a) Chromaticity (x, y) based on the C-light source of the green pixel is regulated so as to fall within a region encircled by straight lines connecting four points.例文帳に追加

（ａ）緑色画素のＣ光源による色度（ｘ，ｙ）が所定の４点で囲まれる領域内にあること。 - 特許庁