「source-region」に関連した英語例文の一覧と使い方(35ページ目) - Weblio英語例文検索

A gate electrode 6 is formed on a channel forming region interposed between a drain region 2 and a source region 3 on a board 1, and a semiconductor photodetector 10 is provided on the gate electrode 6 through the intermediary of a dielectric film 7.例文帳に追加

基板１においてドレイン領域２とソース領域３との間に介在するチャネル形成領域上に形成したゲート電極６上に誘電体膜７を介して半導体光検出素子１０が設けられる。 - 特許庁

When a voltage is applied to a gate electrode film 26 on the channel region 47 and an inversion layer is formed in the transistor 1, the source region 46 and the drain layer 12 are connected via the inversion layer and the conductivity region 42.例文帳に追加

このトランジスタ１では、チャネル領域４７上のゲート電極膜２６に電圧を印加し、反転層が形成されると、ソース領域４６とドレイン層１２とが反転層及び導電領域４２を介して接続される。 - 特許庁

By this method, the interface properties of the highly doped silicon films 6s and 6d which constitute the source region and the drain region and the polycrystalline silicon film 4 which constitutes the channel region can be improved to reduce an off-state current.例文帳に追加

これによって、ソース領域およびドレイン領域を構成する高濃度不純物添加シリコン膜６ｓ，６ｄとチャネル領域を構成する多結晶シリコン膜４との界面特性を改善し、オフ電流の少なくすることができる。 - 特許庁

An integrated heater formed as a field effect transistor in a semiconductor substrate 12, with the transistor having source region 14 and a drain region 16 with a channel region extending therebetween to conduct current.例文帳に追加

半導体基板１２内に電界効果トランジスタとして形成した集積化ヒーターが提供され、トランジスタはソース領域１４とドレイン領域１６及びそれらの間に電流を導通させるチャンネル領域２０とを有している。 - 特許庁

Using the semiconductor film 265a in the approximately single crystal state in the active layer of the semiconductor device (source region, drain region and channel region), the excellent semiconductor device is formed with a small off-current value and large mobility.例文帳に追加

この略単結晶状態の半導体膜２６５ａを半導体装置の能動層（ソース領域、ドレイン領域及びチャネル領域）に用いることで、オフ電流値が小さく移動度の大きな優良な半導体装置を形成する。 - 特許庁

A dummy trench 12 is formed so as to surround the outer periphery of a trench 2 in which a power MOSFET is formed, and an n-type drift region 3, a p-type base region 4, and an n^+-type source region 5 are also formed in the dummy trench 12.例文帳に追加

パワーＭＯＳＦＥＴが構成されるトレンチ２の外周を囲むようにダミートレンチ１２を形成し、このダミートレンチ１２にもｎ型ドリフト領域３、ｐ型ベース領域４およびｎ^+型ソース領域５が形成されるようにする。 - 特許庁

The field effect transistor includes: a gate insulator on the first material; a conductive gate provided on the gate insulator; a channel region arranged in the first material below the gate; a source region; and a drain region.例文帳に追加

電界効果型トランジスタは、第１材料上のゲート絶縁体と、ゲート絶縁体上に設けられた導電性のゲートと、ゲートの下方の第１材料内に配置されたチャネル領域と、ソース領域と、ドレイン領域とを有する。 - 特許庁

The light, emitted from a laser beam source 150 is made into parallel rays of light, is reflected by the mirror 130, is made to coincide with the optical axis of the light of the zone region and is made to be the light of inside region which has an optical path inside the zone region.例文帳に追加

また、レーザ光源１５０から出射する光は平行光となり、ミラー１３０によって反射され、輪帯領域の光の光軸と一致し、かつ、輪帯領域の内側に光路を有する内側領域の光となる。 - 特許庁

The N-type source region 4 is provided with only a high impurity concentration region (N+ area) with an impurity concentration of 1×1019-1×1020/cm3 which is formed on both sides of the N-type drain region 3.例文帳に追加

また、Ｎ型ソース領域４は、Ｎ型ドレイン領域３の両側に形成された不純物濃度が１×１０^１９〜１×１０^２０／ｃｍ^３の高不純物濃度領域（Ｎ^＋領域）４Ａのみから構成されている。 - 特許庁

The current flowing through the P-type region 7b around the channel region is suppressed by a PN junction formed in the first and second N-type regions and the source region 14, which is P-type to make the characteristics of the PMOSTFT stable.例文帳に追加

第１および第２のＮ型領域とＰ型であるソース領域１４に形成されるＰＮ接合によってチャネル部周辺のＰ型領域７ｂを通過する電流を抑制し、ＰＭＯＳＴＦＴの特性を安定化する。 - 特許庁

The drain region is formed in the position offset from the gate electrode, the source region is formed in a position on which the gate electrode overlaps, and the offset length of the drain region is ≥10 nm and ≤75 nm.例文帳に追加

ドレイン領域は、ゲート電極からオフセットされた位置に設けられており、ソース領域はゲート電極にオーバーラップされた位置に設けられており、及び、ドレイン領域がオフセットされた長さは１０ｎｍ以上かつ７５ｎｍ以下である。 - 特許庁

The detector 12 has a well region 21 having a hole pocket 13 for accumulating a hole transferred from the charge generation region 17 and generates signal potential in a source region 24 in response to a charge amount accumulated in the hole pocket 13.例文帳に追加

検出部１２は、電荷発生領域１７から転送されたホールを蓄積するホールポケット１３を有するウエル領域２１を備え、ホールポケット１３に蓄積された電荷量に応じた信号電位をソース領域２４に生成する。 - 特許庁

In addition to p-type impurity regions 34b and 34c functioning as a channel forming region 34a and a source region or a drain region, a semiconductor layer 34 has an impurity region 34d where boron is added below the channel forming region 34a, i.e., in the vicinity of the surface of the channel forming region 34a on the side touching the insulating layer 32.例文帳に追加

また、半導体層３４は、チャネル形成領域３４ａとソース領域又はドレイン領域として機能するｐ型を示す不純物領域３４ｂ、３４ｃとに加えて、チャネル形成領域３４ａの下方、ここではチャネル形成領域３４ａの絶縁層３２と接する側の表面付近にボロンが添加された不純物領域３４ｄを有している。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a substrate; a semiconductor layer formed on the substrate in an island shape; a source region, a drain region, a channel region, and a body region formed in the semiconductor layer; a body contact region continuously formed in the body region; a charge storage layer formed on the semiconductor layer; and a gate electrode formed on the charge storage layer.例文帳に追加

基板と、基板上に島状に形成された半導体層と、前記半導体層中に形成されたソース領域、ドレイン領域、チャネル領域、およびボディ領域とを備え、前記ボディ領域に連続して形成されたボディコンタクト領域と、前記半導体層上に形成された電荷蓄積層と、前記電荷蓄積層上に形成されたゲート電極とを備える。 - 特許庁

An N-well 102 is disposed with PMISFET source/drain regions 104a and 104b and a well contact region 105, and the P-well 103 is disposed with NMISFET source/drain regions 106a and 106b and a well contact region 107.例文帳に追加

Ｎウェル１０２にはＰＭＩＳＦＥＴのソース・ドレイン領域１０４ａ，１０４ｂと、ウェルコンタクト領域１０５とが設けられ、Ｐウェル１０３にはＮＭＩＳＦＥＴのソース・ドレイン領域１０６ａ，１０６ｂと、ウェルコンタクト領域１０７とが設けられている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device having a fine transistor wherein not only a vicinity region of a source-drain diffusion layer but also entire source-drain region are formed with a high concentration, and obtaining an ohmic characteristic of a contact to a gate electrode of a first layer.例文帳に追加

ソース・ドレイン拡散層はソース・ドレインコンタクト付近に限らず、全体に渡って高濃度で形成されつつ、第１層目ゲート電極へのコンタクトのオーミック特性を得た微細なトランジスタを持つ半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A barrier layer 7 comprising an impurity region of the same conductive type as source-drain regions 4 and 5 is provided, just under the source-drain regions 4 and 5 of transistor 10, 20 formation region subject to element separation by an STI2 comprising an embedded insulating film.例文帳に追加

埋め込み絶縁膜からなるＳＴＩ２により素子分離されたトランジスタ１０、２０形成領域のソース・ドレイン領域４、５の直下に、ソース・ドレイン領域４、５と同一導電型の不純物領域からなるバリア層７を設ける。 - 特許庁

To restrain generation of current leakage which is caused by a step generated in a boundary part in the case that a contact hole for connecting a source/drain region and a wiring is formed over the boundary part between the source/drain region and an STI structure.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域と配線とを接続するためのコンタクトホールがソース／ドレイン領域とＳＴＩ構造との境界部分を跨ぐように形成される場合において、その境界部分に生じる段差に起因する電流リークの発生を抑制する。 - 特許庁

A DRAM 100 has a source/drain region 3; interlayer insulation films 20, 30 having a contact hole 30h reaching the surface of the source/drain region 3; and a bit line 110 covered with the insulation films 20, 30.例文帳に追加

ＤＲＡＭ１００は、ソースおよびドレイン領域３と、ソースおよびドレイン領域３の表面に達するコンタクトホール３０ｈを有する層間絶縁膜２０および３０と、層間絶縁膜２０および３０によって被覆されたビット線１１０とを備える。 - 特許庁

This system puts copy region information in the disk controller, and when the host accesses a data set of a copy destination having the same address with a data set of a copy source, accessing address is transformed so that the data set of the copy source is accessed according to the copy region information.例文帳に追加

ディスク制御装置内に、コピー領域情報を置き、ホストからコピー元のデータセットと同じアドレスにより、コピー先のデータセットにアクセスしたときに、コピー領域情報により、アクセスするアドレスを変換して、コピー先のデータセットにアクセスするようにする。 - 特許庁

The n channel MIS transistor 11 includes a first gate electrode 14A, an n-type source-drain region 16c, and a plasma reaction film 18 that covers the upper surface of the n-type source-drain region 16c and the first gate electrode 14A.例文帳に追加

ｎチャネルＭＩＳトランジスタ１１は、第１のゲート電極１４Ａと、ｎ型ソースドレイン領域１６ｃと、第１のゲート電極１４Ａ及びｎ型ソースドレイン領域１６ｃの上面を覆う第１のプラズマ反応膜１８とを有している。 - 特許庁

Thereby, by the electrons attracted to the tip part 2a of the electron emission source 2, tunnel probability of jumping out of the electron emission source 2 to the high dielectric constant insulating region 5 and to the vacuum region 8 increases, and the emission current density increases.例文帳に追加

したがって、電子放出源２の尖端部２ａに引き寄せられた電子により、電子放出源２から高誘電率絶縁領域５および真空領域８に飛び出すトンネル確率が上がり、放出電流密度が上昇する。 - 特許庁

This device further includes an n-type semiconductor layer 124 formed so that one end is connected to an n+ type source region 112 of the drain side selective transistor SDT, and the other end is connected to an n+ type drain region 113 of the source side selective transistor SST.例文帳に追加

また、一端がドレイン側選択トランジスタＳＤＴのｎ＋型ソース領域１１２に接続し他端がソース側選択トランジスタＳＳＴのｎ＋型ドレイン領域１１３に接続するように形成されたｎ−型半導体層１２４を備える。 - 特許庁

The manufacturing method of a semiconductor device comprises the steps of performing implantation to an extension by using a trailing offset sidewall 6a as a mask to form an extension region 7, forming a sidewall 9 for source/drain implantation on the offset sidewall 6a, and forming a source/drain region 10.例文帳に追加

裾引き状のオフセットサイドウォール６ａをマスクにエクステンション注入を行い、エクステンション領域７を形成し、オフセットサイドウォール６ａ上にソース・ドレイン注入用のサイドウォール９を形成し、ソース・ドレイン領域１０を形成する。 - 特許庁

Contact trenches Tc are formed between gate trenches Tg in such a way that the side walls of the contact trenches Tc may be made into whole surface of an n^+-type source region 5 and an n^++-type source region 5a, and also the cutting plane in the plane direction of an n^+-type silicon substrate 2 may be made into a lozenge shape.例文帳に追加

コンタクトトレンチＴｃを、その側壁が全面ｎ^+型ソース領域５とｎ^++型ソース領域５ａになるようにするとともに、ｎ^+型シリコン基板２平面方向の切断面がひし形になるようにして、ゲートトレンチＴｇ間に形成する。 - 特許庁

In a semiconductor device, n-channel MOS transistor UT21 and UT22 are constituted by respectively forming n+-type auxiliary source regions 6a and 6b in a p-type base area 4 and a p+-type drain region 5 which are the source region of a p-channel MOS transistor constituted as a second unipolar transistor.例文帳に追加

第二のユニポーラトランジスタであるｐチャネルＭＯＳトランジスタのソース領域であるｐベース領域４とｐ^+ ドレイン領域５内にそれぞれｎ^^+ 補助ソース領域６ａ、６ｂを形成し、ｎチャネルＭＯＳトランジスタＵＴ２１、ＵＴ２２を構成する。 - 特許庁

In the accumulation mode transistor, a pn junction diode is formed by source and drain regions, and an impurity region formed adjacent to a channel region by adding an impurity element having a polarity reverse to that of the source and drain regions.例文帳に追加

蓄積モードトランジスタにおいて、ソース領域及びドレイン領域と、ソース領域及びドレイン領域とは逆極性の不純物元素を添加してチャネル領域に隣接して形成した不純物領域と、でＰＮ接合ダイオードを形成する。 - 特許庁

All of the plurality of p-channel MISFETs Qp2 for memory have a source-drain region made of silicon respectively, and all of the plurality of n-channel MISFETs Qn2 for memory have a source-drain region made of silicon respectively.例文帳に追加

複数のメモリ用ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｐ２の全ては、それぞれシリコンで構成されたソース・ドレイン領域を有し、複数のメモリ用ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｎ２の全ては、それぞれシリコンで構成されたソース・ドレイン領域を有している。 - 特許庁

In the memory 32, the quantity of current flowing from one source/drain diffusion region 13 to the other source/drain diffusion region 13 upon application of a voltage to the gate electrode 3 can be varied depending on the quantity of charges held in the memory function body 25.例文帳に追加

半導体記憶素子３２では、メモリ機能体２５に保持された電荷の多寡により、ゲート電極３に電圧を印加した際の一方のソース／ドレイン領域１３から他方のソース／ドレイン領域１３に流れる電流量を変化させ得る。 - 特許庁

A second insulation film 2 due to anodic oxidation is formed on the upper surface around a forming region of the electron source of the upper-layer electrode film, and a third insulation film due to anodic oxidation is formed similarly in the forming region of the electron source as a tunnel film.例文帳に追加

上層電極膜の電子源の形成領域の周囲上面には陽極酸化による第２絶縁膜２が形成され、電子源の形成領域には同じく陽極酸化による第３絶縁膜がトンネル膜として形成されている。 - 特許庁

A forward current is injected into a gain region 101 by a DC current source, and a reverse bias voltage is applied to a saturable absorption region 102 from a DC voltage source, whereby the laser device 1 is put in a mode synchronous operation nearly on a f/m repetition frequency.例文帳に追加

レーザ素子１は、利得領域101に直流電流源によって順電流を注入し可飽和吸収領域102 に直流電圧源により逆バイアスを印加することで、約f/m の繰返し周波数でモード同期動作を行う。 - 特許庁

To provide a lighting system capable of eliminating both brightness irregularity of a luminous surface possibly occurring in a region close to a light source and lack of luminous energy of the luminous surface possibly occurring in a region distant from the light source, and easy to improve display quality.例文帳に追加

光源に近い領域で懸念される発光面の輝度むらを解消できると共に、光源から遠い領域で懸念される発光面の光量不足も解消でき、表示品位が向上させやすい照光装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device, such as a DRAM, capable of suppressing an excessive diffusion of a dopant in a source-drain diffusion layer in a peripheral circuit region, while heat treatment condition is adopted that is appropriate for the source/drain diffusion layer in a memory array region.例文帳に追加

メモリアレイ領域のソース・ドレイン拡散層に適した熱処理条件を採用しつつも、周辺回路領域のソース・ドレイン拡散層での不純物の過度の拡散を抑制できるＤＲＡＭ等の半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a P-channel MOS transistor 50 having an SOI structure, an element formation region 20 the surrounding of which is isolated by an element isolation region is provided with a gate electrode 7, a P^+ drain layer 8, a P^+ source layer 9, a P^+ source layer 11, and an N^+ layer 10.例文帳に追加

ＳＯＩ構造Ｐｃｈ ＭＯＳトランジスタ５０は、周囲を素子分離領域で分離された素子形成領域２０に、ゲート電極７、Ｐ^＋ドレイン層８、Ｐ^＋ソース層９、Ｐ^＋ソース層１１、及びＮ^＋層１０が設けられる。 - 特許庁

When at least one of the first and second observation values is not larger than a threshold value, it is determined that the sound source is not present in the object region and, when both the first and second observation power values are larger than the threshold value, it is determined that the sound source is present in the object region.例文帳に追加

第１，２の観測パワー値の少なくとも一方が閾値以下の場合、音源が目的領域には存在しないと判定し、第１，２の観測パワー値の何れもが閾値より大きい場合、音源が目的領域に存在すると判定する。 - 特許庁

The gate sideway opening is arranged away from all of the gate electrode, source electrode, and drain electrode, in at least one of the region between the source electrode and the gate electrode and the region between the drain electrode and the gate electrode.例文帳に追加

ゲート横開口は、ソース電極とゲート電極との間の領域、及びドレイン電極とゲート電極との間の領域の少なくとも一方に、ゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極のいずれからも間隔を隔てて配置されている。 - 特許庁

A bottom gate type thin film transistor is constituted which includes a semiconductor layer made of amorphous oxide containing In, Ga and Zn, and also has a source electrode or drain electrode formed before a source region or drain region when viewed from a gate electrode.例文帳に追加

Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎを含むアモルファス酸化物からなる半導体層を備え、ゲート電極から見てソース領域又はドレイン領域の手前側にソース電極又はドレイン電極が形成されてなるボトムゲート型薄膜トランジスタを構成する。 - 特許庁

The top gate type thin-film transistor includes the semiconductor layer comprising the amorphous oxide including In, Ga, and Zn, and includes the source electrode or the drain electrode at a side opposite to a source region or a drain region viewed from a gate electrode.例文帳に追加

Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎを含むアモルファス酸化物からなる半導体層を備え、ゲート電極から見てソース領域又はドレイン領域の向こう側にソース電極又はドレイン電極が形成されてなるトップゲート型薄膜トランジスタを構成する。 - 特許庁

Light from the light source 4 for direct lighting is radiated toward the lighting region 76, and light source 6 for indirect lighting is diffused and reflected by the diffusion reflecting surfaces 32, 42 and 48 and then radiated toward the lighting region 76.例文帳に追加

直接照明用光源４からの光は、照明領域７６に向けて照射され、また間接照明用光源６からの光は、拡散反射面３２，４２，４８にて拡散反射された後に照明領域７６に向けて照射される。 - 特許庁

To achieve a light source of long life through restraint of temperature rise at a temperature-raising region including an irradiation region at a light-emitting part for excitation light to be irradiated and its vicinities.例文帳に追加

励起光が照射される発光部における照射領域とその近傍の領域とを含む昇温領域の温度上昇を抑制することで、長寿命な光源を実現する。 - 特許庁

This radical-supplying device 40 has a plasma generation region 43 where the plasma is generated by a plasma source 50 and a radical generation region 44 where the radical is generated by the plasma.例文帳に追加

このラジカル供給装置４０は、プラズマ源５０によりプラズマが生成されるプラズマ生成領域４３と、プラズマによりラジカルが生成されるラジカル生成領域４４とを有する。 - 特許庁

A recess 35 is formed in a cell 30, to provide a region in which a drain junction 40 is not formed, the region is covered with a thick insulating film 36, and a source electrode 19 is provided on the insulating film 36.例文帳に追加

セル３０内に凹部３５を形成する等によりドレイン接合４０を作らない領域を設け、そこを厚い絶縁膜３６で覆いその上にソース電極１９を配置する。 - 特許庁

The light source part 13c is positioned at outside the reading region E and irradiates the reading region E with illumination light I from above an optical axis F of the imaging device 15.例文帳に追加

前記光源部１３ｃは、前記読取領域Ｅの外側に位置し、前記撮像装置１５の光軸Ｆの上方から前記読取領域Ｅに照明光Ｉを照射する。 - 特許庁

A pair of n-type source/drain regions 417a, 417b are formed on the surface of a p-type well region 415, being separated with a predetermined space so as to interpose a channel region.例文帳に追加

Ｐ型ウェル領域４１５の表面には、チャネル領域を挟むように所定の間隔を隔てて１対のｎ型のソース／ドレイン領域４１７ａ、４１７ｂが形成されている。 - 特許庁

In a MOS type semiconductor device which makes an element separation by a trench element isolation region, in a pMOS, the length of the source/drain region in the channel direction is set to 1 μm or less.例文帳に追加

トレンチ型の素子分離領域によって素子分離がなされたＭＯＳ型半導体装置において、ｐＭＯＳにおいては、チャネル方向のソース・ドレイン領域の長さを1μｍ以下とする。 - 特許庁