「source-region」に関連した英語例文の一覧と使い方(34ページ目) - Weblio英語例文検索

In a surface layer portion of the body region 10, N^+-type source regions 12 are formed on the sides of the trench 11.例文帳に追加

ボディ領域１０の表層部において、トレンチ１１の側方には、Ｎ^＋型のソース領域１２が形成されている。 - 特許庁

Next, an offset spacer of oxide silicon is formed on a sidewall of the stack and a source/drain extension region is formed.例文帳に追加

次いで、スタックのサイドウォール上に酸化シリコンのオフセット・スペーサを形成し、ソース／ドレイン・エクステンション領域を形成する。 - 特許庁

An opening extending over the source/drain region 7a and the first silicide film SL1a is formed in the insulating film.例文帳に追加

絶縁膜に、ソース／ドレイン領域７ａ上と、第１のシリサイド膜ＳＬ１ａ上とに跨る開口部が形成される。 - 特許庁

In the first region 31, a part of a laser beam emitted from the light source is transmitted and guided to a detector for monitor.例文帳に追加

第１の領域３１は、光源から出射されるレーザー光の一部を透過させてモニタ用検出器に導く。 - 特許庁

To reduce fringe capacitance generated between a gate electrode of a MISFET and a semiconductor region for a source/drain.例文帳に追加

ＭＩＳＦＥＴのゲート電極と、ソース・ドレイン用の半導体領域との間に生じるフリンジ容量を低減する。 - 特許庁

N-type impurities are injected to the polysilicon film 123, and the n-type source/ drain region of LDD structure is formed.例文帳に追加

次に、ポリシリコン膜１２３にｎ型不純物を注入し、ＬＤＤ構造のｎ型ソース／ドレイン領域を形成する。 - 特許庁

To obtain a compound which emits light in a visible light to IR light region, and to provide the compound as a laser beam source.例文帳に追加

可視光〜赤外領域で発光を有する化合物を得、これをレーザー源として提供することを目的とする。 - 特許庁

At both sides of a channel region 4 of a surface layer of a semiconductor substrate 1, there are formed a source 2 and a drain 3.例文帳に追加

半導体基板１の表面層のチャネル領域４の両側に、ソース２及びドレイン３が形成されている。 - 特許庁

A source/drain region 21 is formed by implanting P-type impurity ions into the Si substrate 11.例文帳に追加

さらにＳｉ基板１１内にＰ型不純物イオンを注入することによってソース・ドレイン領域２１を形成する。 - 特許庁

Then, a high concentration source region 7b is formed by implanting arsenic ion taking the side cap film 6 as a mask.例文帳に追加

次に、このサイドキャップ膜６をマスクとして、ヒ素イオンをイオン注入することで、高濃度のソース領域７ｂを形成する。 - 特許庁

Thus, the tub-substrate junction is deeper under the source and/or drain regions than under the channel region.例文帳に追加

こうして、タブ・基板間接合は、チャネル領域の下よりもソース領域と（または）ドレイン領域の下でのほうがより深い。 - 特許庁

The first and second mesa region 41 and 42 lead out source current and drain current, respectively.例文帳に追加

第１メサ領域４１および第２メサ領域４２は、それぞれソース電流およびドレイン電流の引き出しをおこなう。 - 特許庁

The source/drain diffusion layer region 107b has a slope 101B to a principal surface of the semiconductor substrate 101.例文帳に追加

ソース・ドレイン拡散層領域１０７ｂは、半導体基板１０１の主面に対して傾斜面１０１Ｂを有している。 - 特許庁

Thereafter, in a silicide process, a cobalt silicide film is formed on the gate electrode 4 and the high concentration source/drain region 7.例文帳に追加

その後、サリサイドプロセスにより、ゲート電極４及び高濃度ソース・ドレイン領域７上にコバルトシリサイド膜を形成する。 - 特許庁

A source/drain region 51 and a diffusion layer 52 are formed by ion implantation, for which the first gate electrode 31 is a mask.例文帳に追加

第１のゲート電極３１をマスクとしたイオン注入によりソースドレイン領域５１及び拡散層５２を形成する。 - 特許庁

A source/drain diffused layer 25 is formed on the surface of the semiconductor substrate so as to sandwich a channel region under a gate electrode.例文帳に追加

ソース／ドレイン拡散層２５は、ゲート電極下のチャネル領域を挟むように半導体基板の表面に形成される。 - 特許庁

An LED 1 having a peak wavelength in an ultraviolet region is used as a light source for irradiating the tooth 3 surface.例文帳に追加

歯３の表面に照射する光源として紫外領域にピーク波長を持つＬＥＤ１を使用している。 - 特許庁

Depending upon the region, a boy of three years old is included and celebrated in the festival (Source: Seikatsukihondaihyakka - the Basic encyclopedia for life), Shueisha Inc.). 例文帳に追加

地方によっては男の子の3歳を七五三に含めて祝う場合がある（出典：『生活基本大百科』集英社）。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

An N+ region 2, which is to be a source and drain, is formed on a P-type substrate 1, and then an SiO2 film (oxide film) 3 is formed.例文帳に追加

Ｐ型基板１にソースおよびドレインとなるＮ＋領域２を形成し、ＳｉＯ_2膜（酸化膜）３を形成する。 - 特許庁

To make a light source efficiently emit light, in a liquid crystal display in which a display region is divided into a plurality of areas.例文帳に追加

表示領域が複数のエリアに分割された液晶表示装置において、より効率良く光源を発光させる。 - 特許庁

A control gate 7 is formed on the gate insulating film 5 and side end of the source region 2 of the laminated layer 8.例文帳に追加

そして、ゲート絶縁膜５上及び積層膜８のソース領域２側端部上には、制御ゲート７が形成される。 - 特許庁

Implantation of dopant element such as Phosphorus is performed by using the gate electrode 20 as a mask, a heavily doped n^+-type region 22a as a source/drain region, a lightly doped n^--type region 22b and a channel region 24 which are shown in Fig. (B) are formed finally.例文帳に追加

該ゲート電極２０をマスクとしてリンなどの不純物元素のイオン打ち込みを行うことで、最終的には図３（Ｂ）に示すようなソース／ドレイン領域としての高濃度のＮ^+型不純物拡散領域２２ａ、低濃度のＮ^-型不純物拡散領域２２ｂ、及びチャネル領域２４が形成される。 - 特許庁

The semiconductor device includes an active region 12c surrounded by an element isolation region 11, gate electrodes 13a and 13b cutting across the active region 12c and the source/drain diffused layers 20 and 21 which are formed in the active region 12c while positioned on both sides of the gate electrodes 13a and 13b.例文帳に追加

半導体装置は、素子分離領域１１に囲まれた活性領域１２ｃと、活性領域１２ｃを横切るゲート電極１３ａ，１３ｂと、ゲート電極１３ａ，１３ｂの両側に位置し活性領域１２ｃ内に形成されるソース／ドレイン拡散層２０，２１とを備える。 - 特許庁

Then, in the operation of a saturation region (Vd>Vg>Vth), a hole of an electron-hole pair, generated by collisional ionization in the vicinity of the low concentration drain region 14c of a channel 28 flows into the intrinsic region 14f below the low concentration source region 14b, not below the channel 28.例文帳に追加

そして、飽和領域（Ｖｄ＞Ｖｇ＞Ｖｔｈ）での動作では、チャネル２８の低濃度ドレイン領域１４ｃ近傍において衝突電離により発生した電子正孔対のうちの正孔はチャネル２８下ではなく低濃度ソース領域１４ｂ下の真性領域１４ｆに流れ込む。 - 特許庁

A grating member having a first region for diffracting and passing each of luminous fluxes of first wavelength and a second wavelength, and a second region which surrounds the first region and in which diffraction strength of the luminous flux of the first wavelength is smaller than that in the first region is arranged between a light source and a condenser lens.例文帳に追加

第１、第２の波長の光束それぞれを回折して通過させる第１の領域と、第１の領域を囲み、かつ第１の波長の光束の回折強度が第１の領域より小さい第２の領域と、を有する格子部材が、光源と集光レンズの間に配置する。 - 特許庁

Since a region of the diode element 50 for forming the heavily doped N type region 52 is defined only by the aperture of a resist mask being bored at the time of forming the heavily doped source-drain region of the TFTs 30 and 90, the intrinsic region 51 can be formed with high accuracy.例文帳に追加

その際、ＴＦＴ３０、９０の高濃度ソース・ドレイン領域を形成する際に形成するレジストマスクの開口部のみでダイオード素子５０の高濃度Ｎ型領域５２の形成領域を規定するので、真性領域５１を高い精度で形成することができる。 - 特許庁

When the source, drain regions are formed in an NMOS transistor, an N-type impurity is avoided to be injected into a well region 11 under a gate direction extended region 41a by the gate direction extended region 41a of an N^+-block region 41 in an N^+-block resist 51.例文帳に追加

ＮＭＯＳトランジスタのソース・ドレイン領域形成時において、Ｎ^+ブロックレジスト５１におけるＮ^+ブロック領域４１のゲート方向延長領域４１ａによって、ゲート方向延長領域４１ａ下のウェル領域１１には、Ｎ型の不純物が注入されることを回避する。 - 特許庁

A p-type gate region 3 is provided on the surface of an n-type semiconductor layer 2, n-type drain region 4 and source region 5 are respectively provided on the surface of the n-type semiconductor layer holding the gate region 3 there between, and thus the junction field effect transistor is formed.例文帳に追加

ｎ形半導体層２の表面にｐ形のゲート領域３が設けられ、そのゲート領域３を挟んでｎ形半導体層２の表面にｎ形のドレイン領域４およびソース領域５がそれぞれ設けられることにより接合型電界効果トランジスタが形成されている。 - 特許庁

Subsequently, a gate insulating film 5 is formed on the high resistance diamond layer 4, and protective films 6a and 6b are formed between a gate electrode forming region and a source electrode forming region and between the gate electrode forming region and a drain electrode forming region.例文帳に追加

次に、高抵抗ダイヤモンド層４上にゲート絶縁膜５を形成し、ゲート電極形成予定領域とソース電極形成予定領域との間及びゲート電極形成予定領域とドレイン電極形成予定領域との間に保護膜６ａ及び６ｂを形成する。 - 特許庁

In the manufacturing method of the semiconductor device, metal silicide films 64 are so formed by a silicide process on a gate electrode 30 and an n^+-type source region 53 of an LDMOSFET as to form no metal silicide film on an n^--type offset drain region 33, an n-type offset drain region 51, and n^+-type drain region 52.例文帳に追加

ＬＤＭＯＳＦＥＴのゲート電極３０およびｎ^+型ソース領域５３上にサリサイド工程により金属シリサイド膜６４を形成し、ｎ^-型オフセットドレイン領域３３、ｎ型オフセットドレイン領域５１およびｎ^+型ドレイン領域５２上にはこの金属シリサイド膜を形成しない。 - 特許庁

A unit cell has gate electrodes G having an open-loop structure formed on a semiconductor substrate 1, a fin-shaped drain region 2 formed in a region inside the gate electrodes G and a fin-shaped source region 3 formed in a region outside the gate electrodes G.例文帳に追加

ユニットセルは、半導体基板１上に形成された開ループ構造のゲート電極Ｇと、前記ゲート電極Ｇの内方となる領域にフィン状に形成されたドレイン領域２と、前記ゲート電極Ｇの外方となる領域に形成されたフィン状のソース領域３とを有する。 - 特許庁

In addition, on the semiconductor substrate 1 between the source region 2 and semiconductor region 4 and between the drain region 3 and semiconductor region 4, first and second floating gates 6a and 6b are mutually separated, and respectively formed through a first gate insulating film 5.例文帳に追加

そして、このソース領域２と半導体領域４との間、及びドレイン領域３と半導体領域４との間の半導体基板１上には、第１及び第２の浮遊ゲート６ａ、６ｂが互いに隔てられ、かつ第１のゲート絶縁膜５を介してそれぞれ形成されている。 - 特許庁

A first isolation region 14 and a second isolation region 8 are formed inside the top surface of a P substrate 13, a source 5c, a channel 15, and a drain 5b are formed inside the first isolation region 14, and a gate 5a is arranged on the channel region 15 for formation of an NMOSFET 5.例文帳に追加

Ｐ基板１３の上面内部に第１分離領域１４及び第２分離領域８を形成し、第１分離領域１４内にソース５ｃ、チャネル１５及びドレイン５ｂを形成してその上部にゲート５ａを配置することによりＮＭＯＳＦＥＴ５を形成する。 - 特許庁

To provide a silicon carbide semiconductor device or the like capable of manufacturing the silicon carbide semiconductor device, in which a high concentration well region and a low concentration well region are formed so as to be located in a line in the view of section while a source region is formed in the high concentration well region at a low cost.例文帳に追加

断面視において高濃度ウエル領域と低濃度ウエル領域とが並んで形成されており、当該高濃度ウエル領域内にソース領域が形成されている炭化珪素半導体装置を低コストで製造することができる炭化珪素半導体装置等を提供する。 - 特許庁

An isolation insulating layer 6 isolates a region where the source-drain region 11 is formed from the impurity diffusion region 14 for control gate by surrounding the periphery of the impurity diffusion region 14 for control gate while reaching the buried insulating layer 2 from the surface of the semiconductor layer 3.例文帳に追加

分離絶縁層６は、半導体層３の表面から埋め込み絶縁層２に達しながらコントロールゲート用不純物拡散領域１４の周囲を取り囲むことで、ソース／ドレイン領域１１が形成された領域とコントロールゲート用不純物拡散領域１４とを分け隔てている。 - 特許庁

A heavily doped N type region 52 and a heavily doped P type region 53 of a diode element 50 are formed utilizing a high concentration impurity introduction process for forming the source-drain region of TFTs 30, 80 and 90 on the same substrate 10b, and an intrinsic region 51 is formed between.例文帳に追加

同一基板１０ｂ上にＴＦＴ３０、８０、９０のソース・ドレイン領域を形成するための高濃度不純物導入工程を利用して、ダイオード素子５０の高濃度Ｎ型領域５２および高濃度Ｐ型領域５３を形成し、かつ、それらの間に真性領域５１を形成する。 - 特許庁

The light control mirror 3 of a spherical shape is separated into a transmittance region and a reflection region, and the emission light of the light source 2 is reflected in the reflection region and the light can be extracted along the normal direction from the transmission region, and the irradiation direction of light can be changed in a wide range.例文帳に追加

球面形状の調光ミラー３を透過領域と反射領域とに分離し、光源２の出射光を反射領域で反射させ、かつ透過領域からその法線方向に沿って光を取り出すことができ、光の照射方向を広範囲に変えることができる。 - 特許庁

Also, since this can eliminate the necessity of increasing an overlapping quantity between the n^+-source region 7 and the p^+-type contact region 9 and increasing a heat treatment time, the diffusion of the p^+-type contact region 9 up to a channel region can be prevented and the fluctuation of the operation threshold Vt can be prevented.例文帳に追加

また、ｎ^+型ソース領域７とｐ^+型コンタクト領域９とのオーバラップ量を増やしたり、熱処理時間を増やしたりする必要がないため、チャネル領域までｐ^+型コンタクト領域９が拡散してしまうことを防止でき、動作しきい値Ｖｔの変動を防止できる。 - 特許庁

Each of the storage elements is provided with a source region, a drain region, a front face gate electrode arranged on the first side surface of the semiconductor region via a gate insulating film, and a rear surface gate electrode arranged on a second side surface opposing the first side surface of the semiconductor region via the gate insulating film.例文帳に追加

そして、その記憶素子は、ソース領域と、ドレイン領域と、半導体領域の第１側面に、ゲート絶縁膜を介し、配設された前面ゲート電極と、半導体領域の前記第１側面に対向する第２側面に、ゲート絶縁膜を介し、配設された背面ゲート電極とを備えている。 - 特許庁

The regions 370 and 371 laterally extend from the border inside the shallow region as far as the border inside the recessed region, while vertically extending from a depth just under the depletion region of the source and drain as far as almost the upper surface of a channel stop region 320.例文帳に追加

これらの領域３７０，３７１は、各々の浅い領域の内側の境界から各々の引っ込んだ領域の内側の境界まで横方向に伸び、またソースおよびドレインのデプリーション領域の直下のある深さからチャネルストップ領域３２０のほぼ上面まで垂直に伸びている。 - 特許庁

A gate electrode 9 formed of polysilicon is formed on a gate oxide film selectively formed on the n+ source region 5, the p-well region 3 and the n-offset region 4, and a field oxide film 12 is formed on the side of the n+ drain region 6 in the gate electrode 9.例文帳に追加

ポリシリコンで形成されるゲート電極９は、ｎ^+ ソース領域５上とｐウエル領域３上とｎオフセット領域４上に選択的に形成されたゲート酸化膜の上に形成され、ゲート電極９の内、ｎ^+ ドレイン領域６側はフィールド酸化膜１２が形成される。 - 特許庁

When the irradiation region determining means determines that at least a part of the skin is a region to be irradiated with the near infrared light, the control unit performs control so that the light source facing the region is lighted and the region is irradiated with the near infrared light.例文帳に追加

そして、上記照射部位判断手段において、皮膚の少なくとも一部が近赤外光を照射すべき部位であると判断した場合、上記制御部は当該部位に対向する光源を点灯させ、当該部位に近赤外光を照射するように制御する。 - 特許庁

To solve the problem that the film thickness of a mask resist during ion implantation varies in a transistor in which trenches are formed between a source region and a drain region, and a channel region under a gate electrode which is positioned at a location sandwiched between them, and an LDD region is formed.例文帳に追加

ソース領域及びドレイン領域とそれらに挟まれる位置のゲート電極下のチャネル領域との間にトレンチを形成し、当該トレンチの表面に不純物をイオン注入してＬＤＤ領域を形成するトランジスタにおいて、イオン注入のマスクレジストの膜厚が溝内でばらつく。 - 特許庁

A p^+-type impurity diffusion region 12, an n^+-type impurity diffusion region 14 and a p^+-type impurity diffusion region 16 connected to the source electrode V_dd are shared in field PMOS1 and field PMOS2.例文帳に追加

このソース電極Ｖ_ｄｄに接続されたＰ^＋型不純物拡散領域１２、Ｎ^＋型不純物拡散領域１４およびＰ^＋型不純物拡散領域１６が、フィールドＰＭＯＳ１とフィールドＰＭＯＳ２とで共用されている。 - 特許庁

After an LDD source region 14S and an LDD drain region 14D with low concentration are formed in the removed region 11B, a sidewall 15 is formed on side faces of the gate electrode 13, the gate insulation film 12 and the non-removed part 11A.例文帳に追加

削除領域１１Ｂに、低濃度のＬＤＤソース領域１４Ｓ及びＬＤＤドレイン領域１４Ｄが形成された後、ゲート電極１３、ゲート絶縁膜１２及び非削除部１１Ａの側面に、サイドウォール１５が形成される。 - 特許庁