「source-region」に関連した英語例文の一覧と使い方(37ページ目) - Weblio英語例文検索

On the surface 1a of the semiconductor substrate 1 between the source region 10a and the drain region 10b, the gate insulation film 5 is formed having a relative permittivity of 5 or above.例文帳に追加

ソース領域１０ａおよびドレイン領域１０ｂの間において半導体基板１の表面１ａ上に比誘電率が５以上であるゲート絶縁膜５が設けられている。 - 特許庁

The polysilicon semiconductor layer 112 of the TFT 121 has a source region S connected to a signal line X and has a drain region D connected to a pixel electrode 151.例文帳に追加

このＴＦＴ１２１のポリシリコン半導体層１１２は、信号線Ｘに接続されたソース領域Ｓと、画素電極１５１に接続されたドレイン領域Ｄとを備えている。 - 特許庁

A junction transistor in which the fourth semiconductor regions are gates, one of the first semiconductor region and a fifth semiconductor region is a drain, and the other is a source is formed.例文帳に追加

第４の半導体領域がゲート、第１の半導体領域及び前記第５の半導体領域の内の一方がドレイン、他方がソースとなる接合トランジスタが形成されている。 - 特許庁

The source region is formed under the trench, and the channel region includes a part which extends along the trench sidewall and a second part horizontally, extending along the substrate surface.例文帳に追加

ソース領域は、トレンチの下に形成され、チャンネル領域は、トレンチの側壁に沿って垂直に延びる第１部分と、基体の表面に沿って水平に延びる第２部分とを含む。 - 特許庁

According to the method, a transparent transistor having a semiconductor channel region, and source and drain electrodes comprising the conductor region in one transparent oxide layer is realized.例文帳に追加

この方法により、同一透明酸化物層内に半導体からなるチャネル領域と，導体領域からなるソース電極およびドレイン電極を備えた透明トランジスタを実現することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which generates sufficient distortion in a channel region without deteriorating roll-off characteristics and has source-drain region having an epitaxial crystal embedded therein.例文帳に追加

ロールオフ特性を劣化させずにチャネル領域に十分な歪みを生じさせることのできるエピタキシャル結晶を埋め込んだソース・ドレイン領域を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device has a spacer formed at a side surface of a gate, partially superimposed on the upper part of an epitaxial layer formed on the source region and drain region of a substrate.例文帳に追加

本発明による半導体素子は、ゲートの側面に形成されているスペーサが基板のソース領域及びドレーン領域上に形成されているエピタキシャル層の上部と一部重畳する。 - 特許庁

Spectral energy distribution of the virtual light source has distribution characteristics which compensate that contribution of stimulus values X, Y, Z to a low wavelength region and a high wavelength region is small.例文帳に追加

仮想光源の分光エネルギー分布は、刺激値Ｘ，Ｙ，Ｚの低波長域及び高波長域の寄与率が小さいことを補償するような分布特性を有するものである。 - 特許庁

By a reduction in the width of the contact impurity region, the contact impurity region can be restrained from approaching the gate structure of the peripheral MOS transistor, and the source/drain regions of the peripheral MOS transistor can be restrained from increasing in effective impurity concentration.例文帳に追加

この横幅の減少により、コンタクト不純物領域がゲート構造に接近するのを抑え、周辺ＭＯＳトランジスタの実効的ソース、ドレイン濃度の上昇を抑える。 - 特許庁

This semiconductor device includes an active layer possessing two source regions 105, 108 and one drain region 107, wherein high-resistance regions 113, 114 are provided neighboring the drain region.例文帳に追加

２つのソース領域１０５と１０８、さらに１つのドレイン領域１０７を備えた活性層を有し、ドレイン領域に隣接して高抵抗領域１１３と１１４を備えている。 - 特許庁

To provide a good electric connection between a conductor such as an extraction electrode, etc., of a storage electrode of a capacitor of DRAM and a semiconductor region such as a source region, etc., of a selected transistor.例文帳に追加

ＤＲＡＭのキャパシタの蓄積電極の引き出し電極等の導電体５６と、選択トランジスタのソース領域等の半導体領域６１を互いに良好に電気的接続する。 - 特許庁

The SiC semiconductor device includes a p^+-type body layer 6 deeper than an n^+-type source region 4 and having a concentration higher than that of a p-type base region 3 at a position spaced at a predetermined distance from the side surface of a trench 7.例文帳に追加

トレンチ７の側面から所定距離離れた位置に、ｎ^+型ソース領域４よりも深く、かつ、ｐ型ベース領域３よりも高濃度となるｐ^+型ボデー層６を備える。 - 特許庁

At end and middle portions of the source region 14 in the interlayer insulating film, contact holes designating a plurality of contact region 20 arranged with a predetermined spacing are formed.例文帳に追加

層間絶縁膜には、ソース領域１４の端部および中間部に、所定の間隔を開けて配置された複数のコンタクト領域２０を規定するコンタクト孔が形成されている。 - 特許庁

Even if a comparatively high voltage is applied to the gate electrode 24, a forward current flowing through a P-N junction composed of a body region and a source region is limited by the resistive part 52.例文帳に追加

ゲート電極２４に比較的高電圧が印加されても、ボディ領域とソース領域とで構成されるｐｎ接合に流れる順方向電流は抵抗部５２によって制限される。 - 特許庁

One of a source region and a drain region of an erasure TFT 105 is connected to a current supply line 108 and the other is connected to a gate signal line 106.例文帳に追加

消去用ＴＦＴ１０５のソース領域とドレイン領域とは、一方は電流供給線１０８に接続され、残る一方はゲート信号線１０６に接続されている。 - 特許庁

The two major regions of input source, input destination of the automobile parts in Kanto and Chubu make the input to the own region in around 70% level and secondly to the mutual region.例文帳に追加

関東・中部の自動車部品の二大投入元・投入先地域は、それぞれ自地域内への投入が7 割前後を占め、次に相互に投入し合う構造となっている。 - 経済産業省

The reflecting film 132A is constituted of a material to reflect the luminous flux in the visible region and the luminous flux R22 in the infrared region included in the luminous flux radiated from the light source lamp 11.例文帳に追加

反射膜１３２Ａは、光源ランプ１１から放射された光束に含まれる可視領域の光束、および赤外領域の光束Ｒ２２を反射する材料で構成されている。 - 特許庁

A cell 160 includes: a source electrode 182 formed to form an opening portion for defining a hexagonal element forming region; a drain electrode 180 formed like a strip in the element forming region with a predetermined distance from the source electrode 182; and a gate electrode 184 formed on the element forming region with a predetermined distance from both the source electrode 182 and the drain electrode 180.例文帳に追加

セル１６０は、六角形の素子形成領域を画定する開口部を形成するように形成されたソース電極１８２と、素子形成領域に、ソース電極１８２と一定距離を隔てて帯状に形成されたドレイン電極１８０と、ソース電極１８２とドレイン電極１８０との双方から所定の距離を隔てて形成されたゲート電極１８４とを含む。 - 特許庁

A first and a second source/drain regions, a channel region disposed in a semiconductor substrate for connecting the first and the second source/drain regions, and a gate electrode are included; and the gate electrode is disposed along the channel region for controlling the current flowing between the first and the second source/drain regions and is electrically insulated from the channel region.例文帳に追加

第１および第２ソース／ドレイン領域と、該第１および第２ソース／ドレイン領域を接続する、半導体基板の中に配置されたチャネル領域と、ゲート電極とを含み、該ゲート電極は、上記第１および第２ソース／ドレイン領域間に流れる電流を制御するために、上記チャネル領域に沿って配置され、該チャネル領域から電気的に絶縁されている。 - 特許庁

In a trench gate type MISFET, first injection for forming a first highly concentrated p-type source region 6 is carried out to deeply implant impurities, and then, second injection for forming a second highly concentrated p-type source region 8 is carried out to increase impurity concentration in the neighborhood of the top surface of a semiconductor region 14.例文帳に追加

トレンチゲート型ＭＩＳＦＥＴにおいて、第１の高濃度Ｐ型ソース領域６を形成するための第１の注入により不純物を深くまで注入し、第２の高濃度Ｐ型ソース領域８を形成するための第２の注入により半導体領域１４の上面付近の不純物濃度を高くする。 - 特許庁

The control method of controlling an image reader for reading a subject image with a subject being illuminated by a light source comprises a step of setting a reading region and a step of turning on the light source enough to make confirmable the reading region set by the region setting step.例文帳に追加

光源により被写体を照射し、被写体像を読み取る画像読取装置の制御方法であって、読取領域を設定する領域設定工程と、前記領域設定工程により設定された前記読取領域を確認可能に前記光源を点灯させる光源点灯工程と、を有する。 - 特許庁

To suppress a short channel effect by achieving uniformity in junction depth of a high concentration impurity layer of a source/drain electrode including an elevated source/drain region in a transistor in a peripheral circuit region while preventing short-circuit due to contact between semiconductor layers on the sourced/drain electrode in the transistor in a memory cell region.例文帳に追加

メモリセル領域のトランジスタにおけるソース／ドレイン電極上の半導体層同士の接触による短絡を防止しつつ、周辺回路領域のトランジスタにおけるせり上げソース／ドレイン領域を含むソース／ドレイン電極の高濃度不純物層の接合深さの均一性を図り、短チャネル効果を抑制する。 - 特許庁

In one p-well 211 and the other p-well 212, a first n^+source region 221 arranged in the p-well 21 and a second n^+source region 222 extending from the inside of the p-well 21 to the outside of the p-well 21 are arranged to face each other with sandwiching a channel region 29.例文帳に追加

一方のｐウェル２１１および他方のｐウェル２１２においては、ｐウェル２１の中に配置される第１ｎ^＋ソース領域２２１と、ｐウェル２１の内部からｐウェル２１の外部にまで延在する第２ｎ^＋ソース領域２２２とが、チャネル領域２９を挟んで互いに対向するように配置されている。 - 特許庁

In one p well 211 and the other p well 212, a first n^+ source region 221 to be arranged in the p well 21 and a second n^+ source region 222 extending to the outside of the p well 21 from the inside of the p well 21 are arranged opposite to each other with a channel region 29 in between.例文帳に追加

一方のｐウェル２１１および他方のｐウェル２１２においては、ｐウェル２１の中に配置される第１ｎ^＋ソース領域２２１と、ｐウェル２１の内部からｐウェル２１の外部にまで延在する第２ｎ^＋ソース領域２２２とが、チャネル領域２９を挟んで互いに対向するように配置されている。 - 特許庁

This liquid crystal display panel is formed by laminating a color filter substrate and an array substrate, and at least a linear part 11s of a source line 10s in the display pixel region of the array substrate and a light shielding film 4 part in the display pixel region of the color filter substrate facing the array substrate, faces each other in the source line 10s region.例文帳に追加

カラーフィルタ基板とアレイ基板を貼り合わせた液晶表示パネルにおいて、アレイ基板の表示画素領域における少なくともソース線１０ｓの直線部分１１ｓと、それに対向するカラーフィルタ基板の表示画素領域における遮光膜４部分とが、ソース線１０ｓの領域内で対向するようにする。 - 特許庁

A semiconductor device comprises: an insulating film II4 that has a surface; a semiconductor layer that is formed on the surface of the insulating film II4 and includes a channel region TP2 and a pair of source and drain regions TP1 and TP4 sandwiching the channel region TP2; and power supply wiring TP1 for supplying power to the source region TP1.例文帳に追加

表面を有する絶縁膜ＩＩ４と、絶縁膜ＩＩ４の表面上に形成され、かつチャネル領域ＴＰ２と、チャネル領域ＴＰ２を挟む１対のソース／ドレイン領域ＴＰ１，ＴＰ４とを含む半導体層と、ソース領域ＴＰ１に電源を供給するための電源供給配線ＴＰ１とを備えている。 - 特許庁

P^+ body contact regions 14 are intermittently formed in an extending direction of the channel formation region 12 within the channel formation region 12, and a connection with the n^+-source region 13 for a source electrode is performed between adjacent p^+ body contact regions 14 in an extending direction of the p^+ body contact regions 14.例文帳に追加

Ｐ^＋ボディコンタクト領域１４が、チャネル形成領域１２内においてチャネル形成領域１２の延設方向に断続的に延設され、ソース電極についてのＮ^＋ソース領域１３との接続を、Ｐ^＋ボディコンタクト領域１４の延設方向における隣り合うＰ^＋ボディコンタクト領域１４間において行っている。 - 特許庁

The light source device 1 equipped with a light source part 11 emitting illuminating light L is equipped with a wavelength changing means 14 changing light being a wavelength component out of a utilization region among the wavelength components of the illuminating light L into light being a wavelength component in the utilization region and transmitting the light being the wavelength component in the utilization region.例文帳に追加

照明光Ｌを射出する光源部１１を備える光源装置１であって、上記照明光Ｌの波長成分のうちで利用領域外の波長成分の光を利用領域の波長成分の光に変換しかつ利用領域の波長成分の光を透過する波長変換手段１４を備える。 - 特許庁

This semiconductor device comprises the element isolation insulating film 2 formed in a SOI layer 13 interposing an element-forming region, source/drain regions 8a, 8b formed in the element-forming region interposing a channel region, and titanium silicide films 40 formed on the source/drain regions 8a, 8b spacing away from the element isolation insulating film 2.例文帳に追加

ＳＯＩ層１３に素子形成領域を挟んで形成される素子分離酸化膜２と、素子形成領域にチャネル領域を挟んで形成されるソース／ドレイン領域８ａ，８ｂと、素子分離酸化膜２と間隔を隔ててソース／ドレイン領域８ａ，８ｂに形成されるチタンシリサイド膜４０とを備えている。 - 特許庁

The plurality of light source parts 6 are disposed, corresponding to the region of a part of the display region of the reflection-type liquid crystal display device 2, and the illumination light made incident on the display region and reflected by the pixel electrode 13 is emitted to the transparent substrate 7 side, without being blocked by the plurality of light source parts 6.例文帳に追加

複数の光源部６は、反射型液晶表示デバイス２の表示領域の一部の領域に対応して配置されており、表示領域に入射され画素電極１３により反射された照明光は、複数の光源部６に阻害されることなく、透明基板７側に出射される。 - 特許庁

The silicon carbide semiconductor device is equipped with low-concentration well regions 103 formed on the surface layer of an epitaxial region 102, source regions 105 formed inside the low-concentration well regions 103, and a high-concentration well region 104 formed under the source region 105 as bonded to the low-concentration well regions 103.例文帳に追加

エピタキシャル領域１０２の表層部に形成された低濃度ウエル領域１０３と、低濃度ウエル領域１０３内に形成されたソース領域１０５と、ソース領域１０５の直下に、低濃度ウエル領域１０３に接合して形成された高濃度ウエル領域１０４とを備えて構成される。 - 特許庁

A semiconductor device is equipped with a drain region 22 and a source region 23, formed with interval between each other on the top surface of a semiconductor substrate 21, a protrusion 25 formed on a channel layer C between the regions 22 and 23, a gate electrode 24 formed on the protrusion 25, and a drain electrode 26 and a source electrode 27 each being formed on the drain region 22 and the source region 23.例文帳に追加

本発明は半導体基板２１の上面に間隔を置いて形成されるドレイン領域２２およびソース領域２３と、このドレイン領域２２およびソース領域２３の間のチャネル層C上に形成される凸状部２５と、この凸状部２５の上部に形成されるゲート電極２４と、ドレイン領域２２およびソース領域２３の上部に形成されるドレイン電極２６およびソース電極２７とを備えたものである。 - 特許庁

Further, since an adequate ohmic junction can be formed between a silicide film 10 electrically connected to a source electrode film 12 and the second highly concentrated p-type source region 8, the resistance of a source contact can be decreased.例文帳に追加

また、ソース電極膜１２と電気的に接続されるシリサイド膜１０と、第２の高濃度Ｐ型ソース領域８との間に良好なオーミック接合を形成することができるため、ソースコンタクトを低抵抗化することができる。 - 特許庁

One segment of a source electrode (21A) surrounds the top portion of the elongate source region of the field effect transistor and is further connected to a second segment (21B) of the source electrode and completely surrounds the gate electrode (25).例文帳に追加

ソース電極の１セグメント(２１Ａ)が、電界効果トランジスタの細長い形状のソース領域の先端領域の周りを包み、かつソース電極の第２セグメント（２１Ｂ）に接続して、前記ゲート電極（２５)を完全に囲んでいる。 - 特許庁

The lighting fixture is provided with a base material 2, a light source 6 emitting visible ray, and a translucent cover 4 which covers at least a front face of the light source and has a translucent region emitting the light emitted from the light source to the outside.例文帳に追加

照明装置は、基材２と、可視光線を放出する光源６と、光源の少なくとも前面を覆い、光源から放出された光を外部に放出する透光領域を有する透光カバー４と、を備えている。 - 特許庁

Since the light scattering region provided in the reflection sheet 4 is formed in the band-shape, the LED point light source is converted into a line light source so that the production of the bright line starting from the light source is prevented when diagonally seeing the backlight.例文帳に追加

反射シート４に設けた光散乱領域は帯状に形成されているので、ＬＥＤ点光源が線光源に変換され、バックライトを斜視したとき、光源を起点とする輝線の発生を防止することができる。 - 特許庁

A transfer source address setting detection unit 305 acquires a DMA transfer source address from the DMA transfer source region transfer start address setting among register settings performed to a DMAC (Direct Memory Access Controller) 302 more than once by a master 301.例文帳に追加

転送元アドレス設定検知部３０５は、マスタ３０１がＤＭＡＣ３０２に対して複数回行うレジスタ設定のうちＤＭＡ転送元領域の転送開始アドレス設定よりＤＭＡ転送元アドレスを取得する。 - 特許庁

With this configuration, the line width of the power source can be sufficiently obtained while suppressing a power source wiring region to be small, and the power source lines 100, 102 can be connected from the power source trunk line irrespective of a space on the cell array, and thus, an LSI can be made to have a small area and high speed.例文帳に追加

これにより、電源配線領域を小さく抑えつつ電源線幅を十分に得ることができ、かつ電源幹線から基板電位供給電源線１００，１０２へセル列上の場所によらず接続できるため、ＬＳＩを小面積化、高速化できる。 - 特許庁

This overcurrent detecting circuit has a power MOSFET1 whose source region is divided into a main source part and a sub-source part, plural negative-feedback control circuits 11, 12 by which a negative-feedback control of a gate voltage of the power MOSFET1 is performed corresponding to a current flowing through a load 10, and a constant-current source 2.例文帳に追加

本発明の過電流検出回路は、ソース領域が主ソース部とサブソース部に分割されたパワーMOSFET１と、パワーMOSFET１のゲート電圧を負荷１０に流れる電流に応じて負帰還制御する複数の負帰還制御回路１１，１２と、定電流源２とを有する。 - 特許庁

The manufacturing device processes the electron source substrate 10 on which the electron source is formed, and comprises an inlet port 15 of a gas, an exhaust port 16 of the gas, and a vessel 12 for covering a part of the region of the electron source substrate 10, and a seal member 18 is provided between the electron source substrate 10 and the vessel 12.例文帳に追加

電子源が形成される電子源基板１０を処理対象とし、気体の導入口１５及び気体の排気口１６を有し電子源基板１０の一部の領域を覆う容器１２を備え、電子源基板１０と、容器１２との間にシール部材１８がある。 - 特許庁

A width determining means 223 determines a layout width based on the widths of the source electrode and drain electrode of each transistor, the width of a region between the source electrode and the drain electrode, the width of a region between source electrodes or drain electrodes which are not shared in adjoining transistors, the number of the transistors, and the minimum route number.例文帳に追加

幅決定手段２２３は、各トランジスタのソース電極及びドレイン電極の幅、ソース電極とドレイン電極との間の領域の幅、隣接するトランジスタで共有化されないソース電極又はドレイン電極間の領域の幅、トランジスタの個数及び前記最小の経路の数から、レイアウト幅を決定する。 - 特許庁

Further, the semiconductor substrate 1 contains a conductive source region 14 which is located on an opposite side of the contacts 11, 12 with respect to the word line 4 and extends in the first direction, and an embedded diffusion layer 15 which extends in a second direction perpendicular to the first direction from the source region 14 to be connected with the source diffusion layer 13.例文帳に追加

半導体基板１は，更に，ワード線４に対して上記コンタクト１１，１２の反対側に位置し，且つ，第１方向に延伸する導電性のソース領域１４と，ソース領域１４から第１方向と垂直な第２方向に延伸してソース拡散層１３に接続する埋め込み拡散層１５とを含む。 - 特許庁

A parasitic capacity between the semiconductor substrate and the source region as well as a parasitic capacity between the semiconductor substrate and the drain region are series parasitic capacity respectively, which are seen so as to be small relatively whereby the delay of response to the change of voltage of the drain (source), which follows the change of voltage of the source (drain), becomes comparatively small.例文帳に追加

半導体基板とソース領域との間の寄生容量と同じくドレイン領域との間の寄生容量との各々は直列寄生容量とされ、相対的に小さく見えるから、ソース（ドレイン）の電圧変化に追従するドレイン（ソース）の電圧変化の応答遅延が比較的小さくなる。 - 特許庁

An IGZO semiconductor layer is provided on the source electrode layer and the drain electrode layer, and a source region and a drain region having lower oxygen concentration than the IGZO semiconductor layer is intentionally provided between the source electrode and drain electrode, and a gate insulating layer to form an ohmic contact.例文帳に追加

ソース電極層及びドレイン電極層上にＩＧＺＯ半導体層を設け、ソース電極層及びドレイン電極層とゲート絶縁層との間に、ＩＧＺＯ半導体層よりも酸素濃度の低いソース領域及びドレイン領域を意図的に設けることによってオーミック性のコンタクトを形成する。 - 特許庁

The substrate comprises a process of forming a source-drain region using a halftone exposure technology, a process of forming a passivation insulating layer having an opening in a connecting part between a source-drain region and a scanning line, a source-drain wiring forming process, and a process of forming the protective insulating layer having an opening, and achieves a four-mask process.例文帳に追加

ハーフトーン露光技術を用いてソース・ドレイン領域を形成する工程と、ソース・ドレイン領域と走査線の接続部に開口部を有するベーション絶縁層の形成工程と、ソース・ドレイン配線形成工程と、開口部を有する保護絶縁層の形成工程を有し、４枚マスク・プロセスを実現する。 - 特許庁